專利名稱：太陽能級多晶硅的生產方法
技術領域：
本發(fā)明涉及多晶硅生產控制領域，尤其是太陽能級多晶硅的生產 方法。
背景技術：
太陽能級多晶硅是用于制造太陽能光伏電池的基礎材料，太陽能 光伏電池的效率在很大程度上取決于多晶硅的品質。
目前用傳統(tǒng)西門子法或改良西門子法生產的多晶硅主要用于IT 行業(yè)，其品質完全能滿足IT行業(yè)的要求。但是在生產太陽能級多晶 硅的過程中，可大量利用尾氣回收得到的三氯氫硅作為原料?；厥盏?到的三氯氫硅經過提純，再輸入還原爐由氫氣在高溫下將其還原成多 晶硅。這樣生產的多晶硅其質量較差且不穩(wěn)定，其碳含量只能達到 1.5X1015at/cm3o

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題就是要克服上述多晶硅生產方法中存 在的缺陷。
本發(fā)明是多晶硅生產過程的控制方法和控制裝置，即在提純回收 得到的三氯氫硅的工序中，增加控制點及控制裝置。
在提純系統(tǒng)中增加控制裝置，這樣既可以方便測量又可以根據三 氯氫硅回收料的品質，及時調整提純的工藝流程及工藝參數，使三氯 氫硅的純度始終到達8 9個以上，將本發(fā)明提純后的三氯氫硅輸入還原爐在高溫下由氫氣將其還原成多晶硅。這樣生產的多晶硅其含碳量
小于9.86X 1015at/cm3、氧含量小于2.27 X 1016at/cm3，壽命大于 150pm，質量比較穩(wěn)定。用于太陽能光伏電池的制造，可使電池的效 率得到提高。


圖1是多晶硅生產工藝流程圖。
具體實施例方式
通過下面給出的本發(fā)明的具體實施例可以進一步清楚地了解本 發(fā)明，但它們不是對本發(fā)明的限定。
將本發(fā)明設定的控制點和控制裝置安置在三氯氫硅的粗餾和精 餾的前后管道或料槽上，根據工藝要求定時操作以及及時調整提純工 藝參數，可以確保經提純得到的三氯氫硅其純度8~9個以上。
生產多晶硅用的氫氣經除水、除氧、除碳等裝置后，其露點為-100 °C，氧含量不大于100ppm。
用提純過的氫氣、三氯氫硅按一定的比例輸入還原爐，晶體硅將 沉積到高溫的硅芯上，如此能得到的太陽能級的長壽命的多晶硅，其 含碳量小于9.86X1015at/cm3、氧含量小于2.27X 1016at/cm3，壽命大 于150pm，質量比較穩(wěn)定。
盡管對本發(fā)明已經作了詳細的說明并引證了一些具體實施例，但 對本領域熟練技術人員來說，只要不離開本發(fā)明的精神和范圍可作各 種變化和修正是顯然的。
權利要求
1、一種太陽能級多晶硅生產方法，其特征在于在提純回收得到的三氯氫硅的工序中，增加控制點及控制裝置。
2、根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅生產方法，其特征在 于設定的控制點和控制裝置安置在三氯氫硅的粗餾和精餾的前后管 道或料槽上，根據工藝要求定時操作以及及時調整提純工藝參數，可 以確保經提純得到的三氯氫硅其純度8 9個以上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽能級多晶硅生產方法，是在提純回收得到的三氯氫硅的工序中，增加控制點及控制裝置。所述的控制點和控制裝置安置在三氯氫硅的粗餾和精餾的前后管道或料槽上，根據工藝要求定時操作以及及時調整提純工藝參數，可以確保經提純得到的三氯氫硅其純度8～9個以上。
文檔編號C01B33/00GK101450802SQ200710171899
公開日2009年6月10日 申請日期2007年12月7日 優(yōu)先權日2007年12月7日
發(fā)明者樓繼良, 陸惠忠 申請人:上海棱光實業(yè)股份有限公司