專利名稱：：氧化鉍制備方法及制備裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及氧化鉍(Bi203)的制備方法和制備裝置。具體地說，涉及將金屬鉍在低溫下熔融后，將熔融的氧化鉍利用開放型一次反應爐并在300~650。C下進行攪拌，并將所得生成物在二次反應爐中與lt^應生成氧化鉍的氧化鉍制備方法及其裝置。
背景技術：
：氧化鉍通常是指三氧化二鉍(Bi203)，其導電性高、用途廣泛，如用于殺菌劑、磁性材料、玻璃、橡膠固化劑、耐火紙、催化劑等許多方面，因而其需求量逐漸增加，尤其是高純氧化鉍在電子產業(yè)等領域中的需求正在增加。氧化鉍根據(jù)其晶體結構可以分為a、p、S型，通常工業(yè)用的是a型氧化鉍。以往制備氧化鉍有下列幾種方法，即將微細鉍燃燒氧化或;^加熱區(qū)域燃燒的方法(專利文獻1);將金屬Bi和硝酸鈉經(jīng)加熱溶解后，通氯氣而制得氧化鉍的方法(專利文獻2);在硝酸鉍水溶液中加NaOH或KOH進行中和后，使中和液的溫度達4070。C而制得針狀氧化鉍的方法(專利文獻3);在含3價Bi離子的水溶液中加單羧酸制得鉍-單羧酸絡合物水溶液，然后加堿使絡合物沉淀并被分離，再經(jīng)燃燒制得球型微細氧化鉍的方法(專利文獻4);在高溫下加熱鉍成為蒸汽狀后，通入空氣而制得氧化鉍的方法(專利文獻5);在顆粒狀或粉末狀鉍中加硝酸及過氧化氫使其溶解而得硝酸鉍溶液，并在其中加氫氧化鈉后進行加熱，生成的沉淀物經(jīng)分離、水洗、干燥、篩選而制得氧化鉍的方法(非專利文獻l);將微細鉍一邊加熱至850~卯O'C—邊通入空氣進行氧化而制得氧化鉍的方法(非專利文獻1);將金屬鉍在750800。C下進行氧化的方法、將碳酸鉍熱分解方法、將鉍鹽中加堿金屬氫氧化物來制備的方法(非專利文獻2)等。專利文獻l:美國專利第l，318，336號專利文獻2:美國專利第l，354，806號專利文獻3:日本國特許公告昭47-11335號專利文獻4:美國專利第4，873,073號專利文獻5:日本國特許^>告昭61-136922號非專利文獻1:JOM;Apr2002;54，4;ABI/INFORMTrad&Industry非專利文獻2::Ullman，sEncylopediaofIndustrialChemistry,Vol.5,185-186PP.在上述諸多以往技術中，專利文獻l的方法中未提及熔融及氧化反應的溫度，但參照非專利文獻1及2的內容，可判斷出該反應應在750~卯0'C下進行。在這種高溫下進行^^應時，能源費用高，進而使最終產品沒有市場竟爭力。因此，最近實際上不釆用這種方法來生產氧化45t。此夕卜，上述專利文獻3、4等中記載的利用硝酸鉍等鹽類生產氧化鉍的方法，需先制得硝酸鉍后再制備氧化鉍，而這種二步工藝因工藝復雜而無竟爭力，而且，若購買硝酸鉍后制備氧化鉍，則原料釆購不易且價格高，且原材料費高使制備成本上升，因而并不經(jīng)濟。上述專利文獻3、4等中記載的濕法，因在分離出氧化鉍后還要進行水洗處理來除去副產物，而需要對含副產物的水洗廢水和反應廢水進行廢水處理，故使費用增加，易污染環(huán)境，生產環(huán)境不好，且生成的氧化鉍中殘留著微量酸而使產品質量下降，這往往對需要高純氧化鉍的客戶不利。上述專利文獻5中記載的方法屬氣相>^應，因此需要較多能源、時間;5U^細裝置，且生成的氧化鉍為納米級的過于微細的粉末，而在高溫下收集這種微細物，就要使用制作及維護費用很高的耐高溫過濾器，因而裝置高價并不經(jīng)濟。
發(fā)明內容技術上的解決方法
技術領域：
：本發(fā)明人為了解決以往的氧化鉍制備方法及裝置中存在的問題進行了深入研究，其結果發(fā)現(xiàn)在300。C以上，優(yōu)選為在400450。C下進行熔融后，將其移送到能接觸空氣的開放型一次反應爐中，一邊保持300。C以上650。C以下的溫度一邊用攪拌器進行攪拌，而使其氧化得到氧化鉍，然后在配有排氣管的集塵槽中收集氧化鉍，將該收集物在二次反應爐中一邊維持300'C以上600'C以下的溫度一邊與li^應，而有效地生成a型高純氧化鉍，由此完成本發(fā)明。圖1為根據(jù)本發(fā)明的氧化鉍制備裝置的總體構成圖。圖2為表示根據(jù)本發(fā)明的氧化鉍制備裝置中反應爐的另一實施例的細部結構的放大剖^L圖。圖3為表示才艮據(jù)本發(fā)明的氧化鉍制備裝置中密閉型二次反應爐的另一實施例的細部結構的放大剖視圖。圖4為表示才艮據(jù)本發(fā)明的制備方法制得的氧化鉍的X射線衍射分析(XRD)結果的曲線圖。圖5為表示根據(jù)本發(fā)明的制備方法制得的氧化鉍的X射線衍射分析(XRD)結果的曲線圖。其中符號說明如下110:溶融罐120:一次反應爐121:葉輪130:收集裝置131:沉降槽132:4tX分離器133:收集槽140:儲槽150:二次反應爐160:粉碎機具體實施例方式下面，參照附圖1~3對本發(fā)明的氧化鉍制備裝置進行詳細說明。圖1為根據(jù)本發(fā)明的氧化鉍制備裝置的總體構成圖，圖2為表示根據(jù)本發(fā)明的氧化鉍制備裝置中反應爐的另一實施例的細部結構的放大剖視圖，圖3為表示根據(jù)本發(fā)明的氧化鉍制備裝置中密閉型二次反應爐的另一實施例的細部結構的放大剖視圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的氧化鉍制備裝置由下述部分組成將金屬銩在高溫下熔融的熔融罐110;為了使熔融的金屬鉍進行一次氧化，而在內部具備可由馬達122的驅動而轉動的葉輪121的一次^^應爐120;為了利用負壓收集一次反應爐120內的氧化鉍而在一側設有排氣扇134的收集裝置130;為了將由收集裝置130收集的氧化鉍在密閉空間內進行二次氧化，而在內部具備可由馬達151的驅動而轉動的螺桿，并且在一側具備氧氣流入口的密閉型二次反應爐150;粉碎上述二次氧化鉍的賴^ff機160。熔融罐110為^金屬鉍并進行熔融的裝置，若熔融罐110的內部溫度維持鉍的熔點271。C以上則有可能，但本發(fā)明中考慮到一次反應爐120的溫度維持在300~650。C，故認為將熔融罐110的熔融溫度至少維持300。C以上為宜，這有利于反應速度及生產成本。特別是，本發(fā)明中，優(yōu)選提供熱風以便^V到一次反應爐120內部的熔融物表面與高溫空氣接觸，由此使一次反應爐120內部維持一定的溫度。這種高溫熱風的提供可最大P艮度地減少在一次反應爐120內"^熔融的鉍的情況下，因一次反應爐120內的熔融物溫度與從熔融罐110<^的原料(鉍熔融物)之間的溫度差而在^^應爐內壁或葉輪軸上形成鍋垢的現(xiàn)象。此時，對熱風的溫度無特別限制，但200450。C為宜，特別優(yōu)選為300~450。C。將熔融罐110中熔融的鉍投入到一次反應爐120中并進行一次氧化反應，反應溫度維持300600。C。一次反應爐內的鉍熔融物通過由馬達122驅動的葉輪121進行攪拌，在此過程中進行氧化。上述葉輪121隨垂直方向的旋轉軸進行旋轉，此時優(yōu)選將葉輪121的下端與一次反應爐120底面之間的間距設定為最小。這是因為，葉輪121的下端與一次反應爐120底面之間的間距大時得不到攪拌，并最大限度地減少殘留于反應爐底部的未反應的鉍。另一方面，本發(fā)明中，優(yōu)選提供熱風以<更^到一次>^應爐120內部的熔融物表面與高溫空氣接觸，由此使一次反應爐120內部維持一定的溫度。這種高溫熱風的提供可最大限度地減少在一次反應爐120內^L^熔融的鉍的情況下，因一次反應爐120內的熔融物溫度與從熔融罐110投入的原料(鉍熔融物)之間的溫度差而在反應爐內壁或葉輪上形成鍋垢的現(xiàn)象。此外，本發(fā)明中，為了促進一次反應爐120內的鉍的氧化，如圖2所示，向一次反應爐120內通入空^l/氧氣。也就是說，如圖2所示，在一次反應爐120內任意部位設置注入從空^/氧氣供給機(未圖示)供給的空~氧氣的注入管122，該注入管122的出口被設置成浸漬在熔融的鉍內，這樣可直接將空^/氧氣注入到熔融的鉍內。另外，如圖2(b)所示，將上述注入管122安裝在葉輪的垂直軸內部，由此氧氣通過該葉輪121的軸內部注入，這樣在一次反應爐120內除葉輪外不需要安裝另外的注入管122，可避免結構復雜化。由圖2所示的反應爐的另一實施例可知，使用那些>^應爐時需要攪拌反應爐內的熔融物的葉輪的較大驅動力,因而實際上需要驅動它們的大功率馬達等。收集裝置130是用于收集由一次反應爐120生成的氧化鉍的，該收集裝置具備:用于穩(wěn)定從一次反應爐120流入的氧化鉍的沉降槽131;通過使由上述排氣扇134吸入的空氣旋轉而形成渦流的旋風分離器132;收集氧化鉍并在一側配有排氣扇134的收集槽133,另外，在上述沉降槽131、旋風分離器132及收集槽133各下端具備移送氧化鉍的螺桿135。上述收集裝置130的作用如下所述。當上述排氣扇134被驅動時，收集槽133內的壓力急劇下降，隨之與上述收集槽133內部通過旋風分離器132及沉降槽131而相連接的一次反應爐120內的空氣向收集槽133側移動，由此一次>^應爐120內產生負壓。此時，由氣RL分離器132產生的渦流4吏空氣的流動加速，由此可i2til增加一次反應爐120內的負壓大小。因一次反應爐120內的負壓，比鉍比重小的氧化鉍流入到收集裝置130的沉降槽131內，一部分穩(wěn)定化的氧化鉍沉下來并通過螺桿135被移送，另外，在旋風分離器132內因離心力的作用而碰在內壁上的氧化鉍的一部分也順著壁面落下來并通過螺桿135被移送，殘留的氧化鉍被移送到收集槽133內，最后層疊到螺桿135上而移動到下一個裝置。另一方面，在一次反應爐120內生成的氧化鉍被移動到收集裝置130側而使一次反應爐120內的熔物減少時，驅動葉輪121用的馬達122的負荷減小，因此此時如果根據(jù)檢測到的馬達122的負荷狀態(tài)來控制一次反應爐120內^的熔融鉍的量，則可使一次反應爐120內始終維持適量的反應物與未反應的敘、。另外，儲槽140儲藏由螺桿133輸送來的氧化鉍，必要時可增加用于除去由螺桿133送來的氧化鉍中的雜質的過濾工序。此時，從收集裝置130排出的氧化鉍如圖1虛線所示，不經(jīng)儲槽140而可直接被移送到下一個裝置即密閉型二次反應爐150。根據(jù)本發(fā)明，上述儲槽140的設置只不過是選擇性事項。上述密閉型二次反應爐150是為了將在一次反應爐120內完成一次氧化的反應物進行二次氧化而設置的，在維持300~600'C的密閉型槽內由馬達151驅動的螺桿轉動而進行二次氧化，這樣可使未反應物(Bi)完成氧化。另外，向密閉型二次反應爐150內供給氧氣而使氧化反應加快。^的氧氣的壓力根據(jù)密閉型二次^^應爐150的務泮的不同而不同，M本發(fā)明中以12.5kgf/cn^的壓力供給純氧氣的情況下，即使不使用高壓用密閉型二次反應爐也能使氧化反應加快。為了促進上述密閉型二次反應爐150的氧化反應，如圖3所示，密閉型二次>^應爐150可由偏心軸形成。也就另j兌，如圖3所示，上述密閉型二次反應爐150的中心軸153相對由馬達151的驅動而旋轉的驅動軸152偏心來進4ti殳置，這樣密閉型二次反應爐150轉動時形成搖動式旋轉而促進氧化反應。上述粉碎機160粉碎在密閉型二次>^應爐150內完成二次氧化的氧化鉍。在粉碎工序之前，可增設用于除去氧化鉍中的雜質的過濾工序。下面，通過實施例對本發(fā)明進行詳細說明，但這些實施例并不限定本發(fā)明的范圍。實施例1(一次氧化過程)將純度達99.99%的塊狀的金屬鉍，以約45kg/hr的速度連續(xù)^JV到300~400。C的lm3容量的熔融罐110內，且溫度維持400~450。C，并將有熱風供應的300L容量的一次反應爐的溫度維持300'C，葉輪lll的轉速約為50~100rpm，通過與收集槽130相連接的^^泵而使沉降槽131或旋風分離器132的^/V負壓維持200mmH2O，在如上的開放型一次反應爐內，以45kg/hr的速度投入上述熔融鉍并驅動葉輪進行氧化反應。另一方面，使上述反應爐的溫度分別改變?yōu)?50、400、450、500、550、600及650。C，并執(zhí)行同樣操作，在移送到收集裝置之前的反應物中取樣并測定未反應物的重量，其結果以％表示則如表1所示。實施例2除在上述實施例1中的塊狀的金屬鉍的投入量為30kg/hr的之外，操作與實施例l相同，測定未il應物的重量，其結果以％表示則如表1所示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>由表1可知，溫度越高氧化率就越高，^a超過650'C時所得反應物產生凝聚現(xiàn)象，這是不希望發(fā)生的現(xiàn)象。另外，原料^量越多反應器內的滯留時間變短，因而氧化率下降，與此相反，若^量越少氧化率越高。若要增加原料^量，就要增加反應器容量，隨之也要增加加熱媒介物的容量。由上述實施例確認，氧化反應可在300350'C下進行，但氧化反應率僅為25~50%,且需要長時間反應，因而不優(yōu)選。因此，優(yōu)選為450~650'C范圍，另外，反應器內注入的鉍熔融物的量少則馬達負荷小，與空氣的接觸面積增大而使氧化反應加快。實施例3在上述實施例2中，將在一次反應爐的反應溫度650。C下所得到的未反應物的含量為0.04%的反應生成物，移送到與一次反應爐相連接的沉降槽131、旋風分離器132及收集槽133，重量重的則通過沉降槽131、分離器132下部的料斗被移動，重量輕的則通過收集槽133并經(jīng)由上述各裝置下部的螺桿135被移送到儲槽140或密閉型二次反應爐150。在維持密閉型二次反應爐(內部容量為lm3)的溫度為450。C,并以2kgf/cm2注入氧氣，以3轉/分的速度使二次反應爐進行30分鐘反應，^^應開始后，分別在5、10、20、30分鐘時，#1反應物樣品，并進行未反應物含量的測定，由此調查反應率(％)。其結果如表2所示。實施例4除了在上述實施例3中使用上述實施例2中一次反應爐的反應溫度500。C下所得到的未反應物含量為0.87%的反應生成物以夕卜，其余操作與實施例3相同來進行反應，并調查反應率，其結果如表2所示。實施例5除了在上述實施例3中使用上述實施例2中一次反應爐的反應溫度450。C下所得到的未反應物含量為2.8%的反應生成物以外，其余操作與實施例3相同來進行反應，并調查反應率，其結果如表2所示。實施例6除了在上述實施例3中使用上述實施例1中一次反應爐的反應溫度500。C下所得到的未^Jl物含量為8.4%的反應生成物以外，其余操作與實施例3相同來進行反應，并調查反應率，其結果如表2所示。比較例1~4除了在上述實施例3~6中不注入氧氣以外，其余操作均相同的情況下進行反應，而作為比較例1~4，其結果如表2所示。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>由表2可知，對于在完成二次氧化的密閉型二次反應爐內以2kgf/cm2的壓力注入氧氣的情況、與不從外部注入氧氣而在密閉狀態(tài)下完成攪拌時的情況，確認了隨著經(jīng)過不同反應時間的未氧化的鉍含量的比率(％)，二次氧化反應后的未反應鉍含量的比率均為0.005%,而在不注入氧氣的比較例中氧化率顯著下降。實施例7將上述實施例2中在600。C下氧化而得到的反應生成物(未反應率為0.004%)^到維持500。C的密閉型二次反應爐內，將氧氣注入量設為1kgf/cm2和2.5kgf/cm2，除了在氧氣^^壓力條件下反應時間各為20分鐘以外，其余操作與實施例3相同來進行反應，然后測量未Jl應的鉍含量，其結果如表3所示。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>由表3可知，二次反應爐內的氧化反應取決于氧氣注入量。實施例8為了抬r驗二次反應爐內的氧化效率，將實施例2中在500'C下所得到的反應生成物(未反應率為0.87%)連續(xù)注入到密閉型二次反應爐內，并注入2kgf/cm2的氧氣，同時在表4所列的反應溫度下進行20分鐘反應。其結果如表4所示。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>由表4可知，考慮到經(jīng)濟性等因素，二次反應爐內的反應溫度優(yōu)選為400~600。C，特別優(yōu)選為450~600。C。比較例1除了在上述實施例1中不供應熱風以外，其余操作在相同條件下每天執(zhí)行8小時，以及按照實施例1的方法分別以每天8小時的方式執(zhí)行7天、15天、30天，并測定一次>^應爐的內壁上所形成的鍋垢，其結果如表5所示。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>如上述比較可知，在不供應熱風的比較例的情況下，7天后稍^t出現(xiàn)鍋垢，15天經(jīng)過后如不除去鍋垢就不能繼續(xù)用一次反應爐進行^^應，與此相反，在注入熱風的實施例的情況下，即使經(jīng)過30天后鍋垢厚度也只有約llmm，這樣在注入熱風的情況下，一次反應爐內壁的除垢作業(yè)1個月進行一次就能夠充分維持反應系統(tǒng)正常運轉。試驗例1為了確認通過上述實施例而得到的反應生成物中的氧化鉍的晶體結構，而通過所得物質的X射線衍射分析儀(XRD)進行確認。標準物質使用a型氧化鉍(阿爾得利奇公司制品，純度為99.999%)。試樣1:一次反應爐的溫度為450。C，在向吸入負壓維持15mmH20的開放型一次^^應爐內以40kg/hr的速度移送上述熔融敘、，并驅動葉輪進行氧化反應，從而得到試樣l。試樣2:—次反應爐的溫度為500°C,在向^U^負壓維持15mmH20的開放型一次反應爐內以40kg/hr的速度移送上述熔融鉍，并驅動葉輪進行氧化>^應，從而得到試樣2。試樣3:—次反應爐的溫度為550°C,在向吸入負壓維持10mmH20的開放型一次反應爐內以20kg/hr的速度移送上述熔融鉍，并驅動葉輪進行氧化反應，從而得到試樣3。試樣4:一次反應爐的溫度為450。C，在向吸入負壓維持15mmH20的開放型一次反應爐內以40kg/hr的速度移送上述熔融鉍，并驅動葉輪進行氧化反應，并將所得>^應物在二次反應爐內以lkgf/cm2速度注入氧氣并設反應爐溫度為500。C時進行反應，從而得到試樣4。利用X射線衍射儀(XRD)測定上述所得到的試樣及a型氧化鉍標準樣品可知，上述試樣及標準樣品均呈現(xiàn)相同的波峰。如圖4所示。試驗例2除了在試驗例1的試樣4的制備過程中使二次反應爐溫度設定為450。C以外，其余操作相同來執(zhí)行，與試驗例1相同地利用X射線衍射分析儀(XRD)來測定波峰，其結果如圖5所示。如上述試驗例1及2可知，根據(jù)本發(fā)明的方法制得的氧化鉍均為a型。14產業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明的方法及裝置，在比過去使用的高溫條件(700。C以上)低得多的溫度即熔點或其附近的溫度下進行熔融，將其氧化后，使所得氧化鉍在300。C以上650。C以下的較低溫度下且在空氣或氧氣氣氛中進行氧化反應，因而能夠低廉且高純度地制備a型氧化鉍，因此本發(fā)明為非常有用的發(fā)明。另外，根據(jù)本發(fā)明，可利用裝有排氣扇的集塵裝置來收集在一次反應爐內生成的氧化鉍，并使未反應物在二次反應爐中且在空氣或氧氣氣氛中再次進行氧化反應而制備高純度的氧化鉍，因而本裝置具有簡便、低M維修簡便的優(yōu)點。另外，上述裝置中，在收集由一次反應爐所得到的氧化鉍的收集槽、與二次反應爐之間設置儲槽，因而有利于控制生產量。權利要求1.一種氧化鉍的制備方法，將金屬鉍熔融后，將熔融的金屬鉍移送到開放型一次反應爐內，并在300℃以上650℃以下的條件下攪拌來進行氧化反應，將所生成的氧化鉍和未反應物通過螺桿移送到密閉型二次反應爐內，并在300～600℃下一邊供給空氣或氧氣一邊轉動來進行氧化反應。2.根據(jù)權利要求l所述的氧化鉍的制備方法，其特征在于，在300~450t:下熔融金屬鉍。3.根據(jù)權利要求1或2所述的氧化鉍的制備方法，其特征在于，在400~450。C下熔融金屬鉍'。4.根據(jù)權利要求1或2所述的氧化鉍的制備方法，其特征在于，一次反應爐內的氧化反應是在400~600。C下進行的。5.根據(jù)權利要求1或2所述的氧化鉍的制備方法，其特征在于，二次反應爐內的氧化反應是在400~600'C下進行的。6.根據(jù)權利要求1或2所述的氧化鉍的制備方法，其特征在于，向一次《—應爐內部供給200~450'C的熱風。7.根據(jù)權利要求6所述的氧化鉍的制備方法，其特征在于，向一次反應爐內供給300450'C的熱風。8.根據(jù)權利要求1或2所述的氧化鉍的制備方法，其特征在于，通過收集裝置上安裝的排氣扇來維持收集裝置內的壓力達10~30mmH2O的方式捕捉反應爐內的氧化鉍。9.根據(jù)權利要求1或2所述的氧化鉍的制備方法，其特征在于，向二次反應爐以12.5kgf/cn^的壓力注入空氣或氧氣。10.—種氧化鉍的制備裝置，其特征在于，其構成包括高溫下熔融金屬鉍的熔融罐(110);為使熔融的金屬鉍進行一次氧化而在內部具備可轉動的葉輪(121)的一次反應爐(120);為利用負壓收集上述一次反應爐(120)內的氧化鉍而在一側具備排氣扇(134)的收集裝置(130);為使由上述收集裝置(130)收集到的氧化鉍在密閉空間內進行二次氧化而在內部具備螺桿、且在一側具備氧氣注入口的密閉型二次反應爐(150)。11.根據(jù)權利要求10所述的氧化鉍的制備裝置，其特征在于，還包括粉碎從二次反應爐(150)排出的氧化鉍、的粉碎機(160)。12.根據(jù)權利要求10所述的氧化鉍的制備裝置，其特征在于，還具備向一次反應爐(120)內供給空氣或氧氣的注入管(122)。13.根據(jù)權利要求10所述的氧化鉍的制備裝置，其特征在于，上述注入管(122)形成在葉輪(121)軸內部。14.根據(jù)權利要求10所述的氧化鉍的制備裝置，其特征在于，上述收集裝置(130)包括用于使從一次反應爐(120)流入的氧化鉍穩(wěn)定的沉降槽(131);用于使通過排氣扇(134)^yV的空氣回旋的;^X分離器(132);收集氧化鉍并配有排氣管(134)的收集槽(133)。15.根據(jù)權利要求14所述的氧化鉍的制備裝置，其特征在于，在上述沉降槽(131)、；^X分離器(132)及收集槽(133)的下端具備移送氧化鉍的螺桿(135)。16.根據(jù)權利要求10所述的氧化鉍的制備裝置，其特征在于，上述密閉型二次反應爐(150)的中心軸(153)相對旋轉驅動軸(152)偏心。17.根據(jù)權利要求10至16中任意一項所述的氧化鉍的制備裝置，其特征在于，在上述收集裝置(130)和密閉型二次反應爐(150)之間還包括可儲藏從收集裝置(130)排出的氧化鉍的儲槽(140)。全文摘要本發(fā)明提供具有下述特點的氧化鉍的制備方法及其裝置，即將金屬鉍熔融，并將熔融的金屬鉍移送到開放式一次反應爐內，并在300℃以上650℃以下的條件下攪拌來進行氧化反應，將所生成的氧化鉍和未反應物通過螺桿移送到密閉型二次反應爐內，并在300～600℃下一邊供給氧氣一邊轉動來進行氧化反應。文檔編號C01G29/00GK101293671SQ200810007350公開日2008年10月29日申請日期2008年3月11日優(yōu)先權日2007年4月25日發(fā)明者林炳吉,金東彥,韓勝旭申請人:(株)丹石產業(yè)