專利名稱：：SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)及氣體收集方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種氣體收集系統(tǒng)和氣體收集方法，特別是一種SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)及氣體收集方法。
背景技術：
：在生產(chǎn)SiC的同時，伴生大量的副產(chǎn)品一一以co為主要成分的氣體，以下簡稱SiC爐氣。該氣體具有產(chǎn)量大(生產(chǎn)1噸SiC產(chǎn)CO氣體約1.4噸)、純度高(CO含量可達96%)、氣量穩(wěn)定(隨冶煉時間變化較小)等特點。由于認知水平、技術狀況和投資障礙等多種因素所限，工業(yè)生產(chǎn)中將其作為廢氣燃燒掉，以C02等溫室氣體形態(tài)排入大氣。顯然，燃燒排放該氣體既要付出較大的環(huán)境代價，同時也浪費了可資利用的易得能源。研究表明，經(jīng)簡單凈化工藝處理，便能用來生產(chǎn)甲醇、醋酸等幾乎所有的基礎有機化學產(chǎn)品；即使不做任何處理，亦可用作工業(yè)或者民用燃料。比如用來發(fā)電，可使SiC生產(chǎn)能耗降低20y。-25%。按全國目前SiC產(chǎn)能粗略估算，回收利用可新增100多億元的新增效益。而且能夠使SiC企業(yè)的生產(chǎn)環(huán)境得到較大改善，社會效益不可估量。世界范圍內有關SiC合成爐氣體回收利用的報道并不多見。德國ESK公司曾最早報道過SiC爐氣的收集利用技術。他們釆用一種高分子PE材料做成氣體收集包，將露天冶煉的大型爐罩住進行氣體收集。用粉狀材料堆壓密封，收集氣體用于發(fā)電。據(jù)報道可節(jié)電20%左右。繼德國之后，曰本制造了一種自帶動力的鋼制罩體收集SiC爐氣。其特點在于裝置自帶動力，便于在發(fā)生噴爐后及時打開排氣口，防止燒壞收集裝置。該裝置占地面積大，制造費用高，使用時污染較大。國內相關研究報道甚少。90年代初期，有關企業(yè)發(fā)布了"SiC合成爐爐氣回收"的招商信息，未曾得到巿場回應。倪長賀于1998年和2005年申請了"冶煉碳化硅的爐氣回收裝置"專利(專利號98114279.6)和"生產(chǎn)碳化硅時的氣體收集裝置"(專利申請?zhí)?00510046410.0)，兩項專利內容比較接近，在合成爐上方及四周設置一封閉的爐罩進行氣體收集，但具體使用安裝較困難。眾多已知技術中，無論是鋼制罩體還是PE密封包技術最終未能在SiC工業(yè)生產(chǎn)中定型和推廣應用。日本技術雖然認識了傳統(tǒng)冶煉SiC工藝噴炸爐發(fā)生的必然性，釆取自帶動力及時打開收集裝置試圖避免燒壞收集裝置。該收集系統(tǒng)占地面積大，制造費用高，使用不方便。但由于噴爐發(fā)生的隨意性，使得預防和消除其危害的各種方法亳無規(guī)律可循，難以奏效，所以未見實際使用的成功報道。冶煉碳化硅的傳統(tǒng)方法是Acheson法，已經(jīng)使用了近百年而且現(xiàn)在仍在使用。該方法的最大缺點是溫度場的非均勻性導致經(jīng)常發(fā)生噴爐炸爐事故，使得自上世紀以來，世界范圍內所有的碳化硅合成爐氣體收集技術的實施受到根本性限制，幾乎無一能夠實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化和持續(xù)發(fā)展。中國是全球最大的SiC生產(chǎn)大國。截至目前，沒有一項成熟技術和相應裝備應用于SiC爐氣收集的。可見，無論是德國、日本還是國內，雖經(jīng)多年努力，但均未使SiC冶煉產(chǎn)生的氣體收集技術得到推廣和持續(xù)應用，皆歸因于此。王曉剛發(fā)明了"冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法"專利技術(專利號ZL01132774.X),成功地解決了Acheson法噴爐難題。該專利在國內技術轉化先后建成SiC生產(chǎn)線12條。至今運行，取得了良好的經(jīng)濟和社會效益。其技術的核心在于，釆用多爐芯爐冶煉SiC，通過多熱源溫度場之間的疊加，降低合成爐內的溫度梯度，增加溫度場均勻性，從而改善了爐內氣態(tài)物質壓力分布的均勻性，避免局部壓力過高穿透料層發(fā)生噴爐事故。該技術的成功運用，使得SiC爐氣收集技術的實施成為現(xiàn)實?，F(xiàn)有技術需要解決氣體安全、有效的回收和收集裝置安裝困難的問題。
發(fā)明內容本發(fā)明的目的是針對上述現(xiàn)有技術的不足，提供一種占用空間小，對生產(chǎn)場地要求較低，安全可靠，可有效回收CO的SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)及氣體收集方法。本發(fā)明解決上述技術問題釆取的技術方案是一種SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)，所述氣體收集系統(tǒng)包括放置在SiC合成爐之上的用于氣體收集的收集裝置，設置在SiC合成爐兩端的用于移動收集裝置的離合行走機構，設置在收集裝置上的檢測分析裝置和均衡泄壓裝置，設置在SiC合成爐爐體四周與收集裝置接觸形成封閉空間的密封連接裝置，密封連接裝置和/或收集裝置上設置有氣體出口。本發(fā)明所述收集裝置包括收集罩殼，設置在SiC合成爐兩側的軌道，設置在罩殼兩側下端可在軌道上行駛的車輪，設置在車輪內側或外側的與收集罩殼封閉連接的密封裙。該密封裙為柔性復合物或剛j性金屬材料，密封裙和密封水槽相對應可以設置在車輪內側或車輪外側。本發(fā)明所述收集罩殼為剛性罩殼、柔性罩殼或剛性與柔性結合的罩殼。本發(fā)明所述密封連接裝置為設置在SiC合成爐端部的、使收集裝置移動到SiC合成爐上時形成封閉連接的密封墻體和設置在密封墻體以外、SiC合成爐周圍用于配合收集裝置隔離外部空氣的水封槽。本發(fā)明所述密封墻體設置在SiC合成爐一端或兩端，收集裝置和密封墻體之間釆用彈性密封膠墊進行密封。本發(fā)明所述離合行走機構為設置在SiC合成爐爐體兩端方向的輪軸和導向輪以及連接輪軸、導向輪和收集裝置的牽引繩。本發(fā)明所述檢測分析裝置為氣體檢測裝置、與氣體檢測裝置連接的控制器和與控制器連接的充氣風機；所述氣體檢測裝置為氧氣含量檢測裝置和一氧化碳含量檢測裝置。本發(fā)明所述均衡泄壓裝置為安裝在收集裝置內表面的用于檢測所收集氣體壓力的壓力檢測裝置，與壓力檢測裝置連接的泄壓閥門和排風機；本發(fā)明的另一目的是提供一種SiC合成爐氣體收集方法，該方法包括以下步驟'1)SiC合成原料混合配制，裝入SiC合成爐；2)將收集裝置平移到SiC合成爐爐體上端，收集裝置和密封連接裝置連接形成封閉空間；3)供電前期，向收集裝置內充入惰性氣體，強制排擠收集裝置內的空氣；或者在通電后，利用SiC合成爐爐內產(chǎn)生的爐氣自然排趕裝置內空氣，進行空氣置換；當收集裝置內02濃度小于12.5%時，完成空氣置換；4)對SiC合成爐供電生產(chǎn)碳化硅；5)在碳化硅的生產(chǎn)過程中通過氣體出口對CO氣體進行收集；6)對SiC合成爐停止供電；7)對SiC合成爐停爐冷卻，同時延時收集氣體，進行爐氣置換，爐氣置換采用冷爐空氣吹掃或熱爐充惰方式進行置換，當收集裝置內CO濃度小于12.5%時，完成爐氣置換；8)將收集裝置移出；9)將碳化硅出爐。本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有以下優(yōu)點l)采用與本SiC合成爐氣體收集方法，能夠確保SiC爐氣回收裝置安全可靠地運行。工藝制度如下A供電制度在開始供電前期，結合氣體置換，釆用半功率供電，使爐內殘留空氣和爐料中的水蒸氣等充分排出。冶煉階段恒定滿功率供電直到冶煉結束。B空氣置換制度供電前需將收集裝置內的空氣置換排出。釆用惰性氣體強制置換和爐氣排擠自然置換兩種方法，均以02極限為依據(jù)決定置換是否完成。若自然置換時間合宜，02含量不超限，可不進行強制充惰置換。C壓力檢測爐氣排放制度供電前期(置換階段)結東后進入滿功率冶煉，正常爐氣回收階段。此時自動檢測爐氣壓力，控制風機排氣操作，保持收集裝置內氣體壓力恒定(380-500亳米水柱)。2)收集裝置構造不同。本裝置釆用金屬和柔性兩種材料制作，以實現(xiàn)獨特的密封結構和水平移動的離合方式，同時滿足露天和室內冶煉要求。曰本及國內專利介紹用金屬做收集棚殼收集裝置，依靠行車吊動，高度受限制。德國ESK公司采用有機材料制作收集裝置重量最輕，但是密封方式比較原始,存在二次污染和難以進一步應用的根本缺陷。3)與爐子結合分離方式不同。本技術在地面設置軌道，水平運動實現(xiàn)裝置與爐體的結合與分離。軌道在跨越水封溝槽時斷開，以便使密封裙連續(xù)。裝置經(jīng)過軌道斷開處時，經(jīng)過寬度設計合理的斷口，可平穩(wěn)行走。國內外其他技術是固定安裝形式；倪長賀專利利用車間吊車安裝罩體，屬于垂直安裝方式。受車間高度限制收集罩不能超過行車吊鉤最高高度，因此甚至不能避免小型頂部噴爐所造成的損壞。'4)密封方式不同。本技術釆用水封與鋼制溝槽(彈性密封膠墊)壓力密封相結合的密封方式。國內外相關技術的密封結構全都屬于固定安裝形式，密封結構簡單，密封難度相對較大。本技術水封結構的不同之處是，在收集裝置底部安裝上柔性或剛性密封裙，通過密封裙伸入水封溝槽中，形成密封界面。該密封結構屬于活動密封形式，使得裝置不受爐子大小、車間高度、室內室外等多種因素的限制。我國倪長賀的密封方式是整個罩棚進行水封，屬于固定密封形式。這種密封決定了裝置只能以豎直運動的方式與冶煉爐結合與分離。因此無法克服天車高度對收集裝置的限制，從而難以在大型爐上使用。德國ESK公司釆用廢料(SiC生產(chǎn)時的現(xiàn)有的粉狀爐料)堆壓在收集包的底沿，形似沙丘，將包底邊與爐床底壓緊密封。這種密封方式嘗試于全球工業(yè)水平尚不發(fā)達的上世紀中葉，比較原始。生產(chǎn)時雖然回收了SiC爐氣，但在堆沙密封的過程中，粉料裝載轉運量很大，由此帶來的揚塵污染對生產(chǎn)環(huán)境危害更大。加之沒有從根本上解決噴爐預防問題，導致該技術不能最終定型和推廣。本案與國內外SiC爐氣收集系統(tǒng)的主要特性及優(yōu)點列于下表<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>下面結合附圖對本發(fā)明做進一步的詳細描述。圖l為本發(fā)明收集系統(tǒng)俯視圖。圖2為本發(fā)明檢測分析裝置和均衡泄壓裝置的結構示意圖。圖3為本發(fā)明密封結構的安裝示意圖。圖4為本發(fā)明氣體收集方法流程圖。圖5為本發(fā)明離合行走機構的結構圖。附圖標記說明1一離合行走機構「2—收集罩殼；3—爐體；4一鋼絲繩；5—輪軸；6—導向輪；7—泄壓閥門；8—排氣風機；9一壓力檢測裝置;IO—氣體檢測裝置13—充氣風機；16—軌道；19一密封水槽；22—排氣孔；控制器；裝置骨架；密封板；收集裝置內部;氣體出口。12—收集裝置;15—車輪；18—密封裙；21—密封墻體;具體實施方式如圖l所示，一種SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)，所述氣體收集系統(tǒng)包括放置在SiC合成爐之上的用于氣體收集的收集裝置12，與收集裝置12連接的離合行走機構l，設置在收集裝置12上的檢測分析裝置和均衡泄壓裝置，設置在SiC合成爐爐體3四周與收集裝置12接觸形成封閉空間的密封連接裝置。收集裝置12:包括收集罩殼2和密封裙18，SiC合成爐兩側安裝有軌道16,收集罩殼2兩側下端安裝車輪15,使收集罩殼2在軌道16上往復行駛，收集罩殼2下端設置密封裙18，密封裙18與收集罩殼2緊密連接。如圖5所示，離合行走機構1使收集罩殼2沿軌道16滑動，承擔收集裝置12與爐體3之間的結合、分離操作。爐體3兩端分別設置有輪軸5和導向輪6，輪軸5上纏繞的鋼絲繩4通過導向輪6的方向轉換，再連接到收集罩殼2。在裝出爐作業(yè)時，離合行走機構1中左邊的輪軸5作主動輪，順時針方向旋轉(右邊輪軸逆時針旋轉)，收集裝置12向左移動與爐體3分離。冶煉開始前，離合行走機構l右邊的輪軸5作為主動輪，順時針旋轉，帶動收集裝置12向右移動到爐體3上與爐體3結合、密封連接進行爐氣收集。檢測分析裝置如圖2所示，包括與收集裝置12連接的用于檢測收集裝置12內氣體的氣體檢測裝置IO、與氣體檢測裝置10連接的控制器11、與控制器11連接的充氣風機13;所述氣體檢測裝置IO包括氧氣含量檢測裝置和一氧化碳含量檢測裝置。氧氣含量檢測裝置和一氧化碳含量檢測裝置分別為C0檢測分析儀器和02檢測分析儀器。均衡泄壓裝置如圖2所示，包括安裝在收集裝置12內表面的用于檢測所收集氣體壓力的壓力檢測裝置9,壓力檢測裝置9一端連接泄壓閥門7和排氣風機8。壓力檢測裝置9包括壓力傳感器和顯示儀表。在SiC冶煉過程中，CO是連續(xù)生成的。因此收集裝置12內氣體只有在一定的排氣速度下才能保持一定壓力，SiC合成爐的產(chǎn)氣量與收集裝置12的排氣量之差恒定時，氣體的壓力才能保持一定。排氣速度小則氣體壓力大，反之則氣體壓力小。研究表明，比較合理的SiC爐氣相對壓力為380-500亳米水柱。為稍大于外界大氣壓的正壓力。較小的氣體壓力，可以減小密封裙承受的張力，同時也可降低其他部位的密封難度。內部氣體保持正壓，可阻止外部空氣滲漏"倒流"進入，保證了氣體的安全性。密封連接裝置如圖l所示，SiC合成爐設置密封墻體21,收集罩殼2移動到SiC合成爐爐體3上方時和密封墻體21接觸并封閉連接，除密封墻體n以外SiC合成爐周圍設置密封水槽19，用于將密封裙18插入密封水槽19中將收集裝置12內部氣體與外部空氣隔離。收集裝置12頂部安裝有排氣孔22,排氣孔22連接管道接通排氣風機8，用于壓力增大時泄壓。收集罩殼2和密封墻體21之間釆用彈性密封膠墊進行密封。密封水槽19和密封裙18可以相對應的設置在軌道16的內側或外側，如圖3中所示密封水槽19即是設置在軌道16外的方案。密封裙18在收集罩殼2移動時提起離開地面，收集罩殼2就位后插入密封水槽19中。另一端，收集罩殼2與密封墻體21的連接。收集罩殼2與密封墻體21通過彈性密封膠墊實現(xiàn)快速密封。密封墻體21和收集罩殼2上設置有氣體出口23。密封結構收集裝置12位于SiC'合成爐的上方，呈隧道狀將爐體3罩住，其底部與爐床之間密封后進行氣體收集。本實施例是將收集裝置12的兩個側部和一個端部與爐體3釆用水封結構密封。方法是，在爐長方向的兩側設置兩道密封水槽19。該密封水槽19與一個爐端外的相同截面密封水槽19連通，形成"U"字形密封水槽19。由安裝在收集裝置12下部的密封裙18插入U形密封水槽19中將收集裝置12內部氣體與外部空氣分離開來。在爐體3的另一端設置獨立密封墻體21。收集裝置12—端與密封墻體21上的鋼制密封槽配合，加彈性密封膠墊，并且使收集裝置12上的密封裙18與之壓緊，從而實現(xiàn)收集裝置12與整個爐體3的密封。'如圖3所示，收集罩殼2為鋼制裝置骨架14，裝置骨架14上安裝密封板17,收集罩殼下端為車輪15，車輪15在軌道16上運動，裝置骨架14外端覆蓋有密封裙18,對收集裝置內部20的氣體收集時將密封裙18放入密封水槽19。本實施例收集罩殼2為鋼制框架罩殼。SiC爐氣中氣體的主要成分是CO,同時含有少量的H2和CH,等氣體中各成分含量因煤種而異，其中CO含量約60%~92%，112約10°/。~20%,CHji/5%~15%。三種氣體均為易燃易爆氣體，三者在空氣中的爆炸極限(體積百分比)分別為12.5%~76%、8.27%~68.8%和6.3°/。~12.8%。SiC合成爐在供電前，集氣空間完全被空氣充斥。供電開始后，爐內物料溫度逐漸上升，碳質原料中的揮發(fā)組份逸出，此時集氣空間氣體有空氣、揮發(fā)組分及少量CO。隨冶煉時間延長，空氣比例下降，合成氣體比例上升，最終前者被后者完全置換。供電結東后，隨著爐內氣體的排出，爐內壓力慢慢減小，當SiC合成爐內壓力降為負壓后，會有少量空氣混入，最終空氣會占據(jù)爐內整個空間。因此在冶煉初期和停止供電后的一段時間是氣體安全收集的關鍵環(huán)節(jié)。本技術在冶煉初期和停止供電后皆釆用氣體置換。供電前置換旨在排除收集裝置12內的空氣，供電后置換旨在排除收集裝置12內爐氣。氣體收集的工藝過程碳化硅冶煉是間歇性的，裝爐-供電冶煉-停電冷卻-出爐為一個完整周期，如此循環(huán)。在冶煉階段產(chǎn)生CO氣體，并予以收集。本實施例釆用防噴炸爐的多爐芯爐進行生產(chǎn)，解決了氣體的有效回收和保證高質量產(chǎn)品生產(chǎn)。如圖4所示，SiC合成爐氣體收集的方法，包括以下步驟l)SiC合成原料混合配制，裝入SiC合成爐；2)將收集裝置12平移到爐體3上端，密封裙18深入密封水槽19中，收集罩殼2和密封墻體21密封面封閉連接；3)供電前期，向收集裝置內充入惰性氣體，強制排擠收集裝置內的空氣；或者在通電后，利用SiC合成爐爐內產(chǎn)生的爐氣自然排趕裝置內空氣，進行空氣置換；當收集裝置內02濃度小于12.5%時，完成空氣置換；4)對SiC合成爐供電生產(chǎn)碳化硅；5)在碳化硅的生產(chǎn)過程中通過氣體出口23對CO氣體進行收集；6)對SiC合成爐停止供電；7)對SiC合成爐停爐冷卻，同時延時收集氣體，進行爐氣置換，爐氣置換采用冷爐空氣吹掃或熱爐充惰方式進行置換，當收集裝置內CO濃度小于12.5y。時，完成爐氣置換；熱爐充惰為SiC合成爐未冷卻時即充入惰性氣體進行爐氣置換，冷爐空氣吹掃為SiC合成爐冷卻后充入空氣進行爐氣置換；..8)將收集裝置12移出；9)將碳化硅出爐。權利要求1.一種SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)，其特征在于所述氣體收集系統(tǒng)包括放置在SiC合成爐之上的用于氣體收集的收集裝置，設置在SiC合成爐兩端的用于移動收集裝置的離合行走機構，設置在收集裝置上的檢測分析裝置和均衡泄壓裝置，設置在SiC合成爐爐體四周與收集裝置接觸形成封閉空間的密封連接裝置，密封連接裝置和/或收集裝置上設置有氣體出口。2.根據(jù)權利要求1所述的SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)，其特征在于所述收集裝置包括收集罩殼，設置在SiC合成爐爐體兩側的軌道，設置在收集罩殼兩側下端在軌道上行駛的車輪，設置在車輪內側或外側的與收集罩殼封閉連接的密封裙。3.根據(jù)權利要求2所述的SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)，其特征在于所述收集罩殼為剛性罩殼、柔性罩殼或剛性與柔性結合的罩殼。4.根據(jù)權利要求1、2或3所述的SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)，其特征在于所述密封連接裝置為設置在SiC合成爐端部的、使收集裝置移動到SiC合成爐上時形成封閉連接的密封墻體，以及設置在密封墻體以外、SiC合成爐周圍的用于配合收集裝置隔離外部空氣的水封槽。5.根據(jù)權利要求4所述的SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)，其特征在于所述密封墻體設置在SiC合成爐爐體一端或兩端，收集裝置和密封墻體之間釆用彈性密封膠墊進行密封。'6.根據(jù)權利要求1所述的SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)，其特征在于所述離合行走機構為設置在SiC合成爐爐體兩端方向的輪軸和導向輪以及連接輪軸、導向輪和收集裝置的牽引繩。7.根據(jù)權利要求1所述的SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)，其特征在于所述檢測分析裝置為氣體檢測裝置、與氣體檢測裝置連接的控制器和與控制器連接的充氣風機；所述氣體檢測裝置為氧氣含量檢測裝置和一氧化碳含量檢測裝置。8.根據(jù)權利要求1所述的SiC合成爐氣體收集.系統(tǒng)，其特征在于所述均衡泄壓裝置為安裝在收集裝置內表面的用于檢測收集氣體壓力的壓力檢測裝置，與壓力檢測裝置連接的泄壓閩門和排風機。9.根據(jù)權利要求1所述收集系統(tǒng)進行氣體收集的方法，該方法包括以下步驟1)SiC合成原料混合配制，裝入SiC合成爐；2)將收集裝置平移到SiC合成爐爐體上端，收集裝置和密封連接裝置連接形成封閉空間；3)供電前期，向收集裝置內充入惰性氣體，強制排擠收集裝置內的空氣；或者在通電后，利用SiC合成爐爐內產(chǎn)生的爐氣自然排趕裝置內空氣，進行空氣置換；當收集裝置內02濃度小于12.5%時，完成空氣置換；4)對SiC合成爐供電生產(chǎn)碳化硅；5)在碳化硅的生產(chǎn)過程中通過氣體出口對C0氣體進行收集；6)對SiC合成爐停止供電；7)對SiC合成爐停爐冷卻，同時延時收集CO氣體，進行爐氣置換，爐氣置換釆用冷爐空氣吹掃或熱爐充惰方式進行置換，當收集裝置內CO濃度小于12.5%時，完成爐氣置換；8)將收集裝置移出；9)將碳化硅出.爐。全文摘要本發(fā)明涉及一種SiC合成爐氣體收集系統(tǒng)及氣體收集方法，所述氣體收集系統(tǒng)包括放置在SiC合成爐之上的用于氣體收集的收集裝置，用于移動收集裝置的離合行走機構，設置在收集裝置上的檢測分析裝置和均衡泄壓裝置，設置在SiC合成爐爐體四周與收集裝置接觸形成封閉空間的密封連接裝置，密封連接裝置和/或收集裝置上設置有氣體出口。SiC合成爐氣體收集方法包括以下步驟原料混合，裝爐；收集裝置到位，密封；空氣置換；生產(chǎn)碳化硅；CO氣體收集；停電冷卻；延時收集氣體；爐氣置換；收集裝置移出。采用該系統(tǒng)和方法有利于SiC合成爐氣體的持續(xù)穩(wěn)定回收，該系統(tǒng)占用空間小，對生產(chǎn)場地要求較低，可同時滿足露天和室內生產(chǎn)要求。文檔編號C01B31/00GK101251339SQ20081001796公開日2008年8月27日申請日期2008年4月15日優(yōu)先權日2008年4月15日發(fā)明者王曉剛申請人:陜西西科博爾科技有限責任公司