專利名稱：一種立方氮化硼合成用加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于超硬材料合成技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及立方氮化硼合成用加 熱裝置。
背景技術(shù)：
在通常的立方氮化硼合成工藝中，采用的加熱裝置是由碳管和兩端的碳 片組成，將由六方氮化硼和觸媒材料制成的合成料柱置于其中，并裝入葉臘 石傳壓密封塊的圓柱形腔體中，兩端再放置導(dǎo)電金屬片和導(dǎo)電鋼圈，整個(gè)組 裝塊放入六面頂壓機(jī)的高壓工作腔中，通過六面加壓，同時(shí)通入大電流使石 墨管加熱，使六方氮化硼在超高溫條件下轉(zhuǎn)化成立方氮化硼并進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。 但在現(xiàn)有的加熱裝置中，由于合成原料與碳管及碳片直接接觸，形成的合成 料柱外面一個(gè)簿層不能生長(zhǎng)立方氮化硼，因此，不僅浪費(fèi)了六方氮化硼原料， 同時(shí)也影響了立方氮化硼的收率。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種能使合成料柱六面外圍層生長(zhǎng)立方氮化 硼，提高立方氮化硼收率的立方氮化硼合成用加熱裝置。
實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是在原合成裝置基礎(chǔ)上進(jìn)行的改進(jìn)， 具體為在合成裝置的碳加熱管與合成料柱之間設(shè)置有觸媒材料制成的薄壁 管，在石墨加熱片與合成料柱之間設(shè)置有觸媒材料制成的薄片。
所述觸媒材料均采用金屬鎂或鎂鋁合金。
所述薄壁管的壁厚及薄片的厚度均為0. 1 0. 15mra。按照上述方案制成的立方氮化硼合成用加熱裝置，由于合成裝置中的合 成原料與金屬鎂或鎂鋁合金直接接觸，屏蔽碳質(zhì)加熱體，加之金屬鎂或鎂鋁 合金是立方氮化硼合成的觸媒材料，因而可使合成料柱的六面外圍層在其催 化作用下轉(zhuǎn)化為立方氮化硼，并由此達(dá)到提高立方氮化硼生成量的目的。

圖l是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

參看圖1，本實(shí)用新型屬的立方氮化硼加熱裝置，是由葉臘石塊1、導(dǎo)
電鋼圈2、導(dǎo)電金屬片3、石墨加熱片4、薄片5、薄壁管6、碳加熱管7組成， 各組件依次按常規(guī)方式組裝而成，其中，由金屬鎂或鎂鋁合金材料制成的薄 壁管6組裝在碳加熱管7與合成料柱8之間，由金屬鎂或鎂鋁合金材料制成 的薄片5組裝在合成料柱8上下端與石墨加熱片4之間。由于薄壁管6和薄 片5均采用金屬鎂或鎂鋁合金材料制成，其薄壁管6的壁厚和薄片5的厚度 均為0. 1 0. 15mm，能夠屏蔽與碳的直接接觸，加之金屬鎂或鎂鋁合金是立方 氮化硼合成的觸媒材料，因而可使合成料柱的六面外圍層在其催化作用下轉(zhuǎn) 化為立方氮化硼，如以常用的C40腔體為例，采用本實(shí)用新型裝置比常規(guī) 裝置單次產(chǎn)量可提高5%。
權(quán)利要求1、一種立方氮化硼合成用加熱裝置，其特征在于在碳加熱管與合成料柱之間設(shè)置有觸媒材料制成的薄壁管，在石墨加熱片與合成料柱之間設(shè)置有觸媒材料制成的薄片。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的立方氮化硼合成用加熱裝置，其特征在于所 述觸媒材料均采用金屬鎂或鎂鋁合金。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的立方氮化硼合成用加熱裝置，其特征在于所 述薄壁管的壁厚及薄片的厚度均為0. 1 0. 15mm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種立方氮化硼合成用加熱裝置，該裝置是在碳加熱管與合成料柱之間設(shè)置有觸媒材料制成薄壁管，在石墨加熱片與合成料柱之間設(shè)置有觸媒材料制成的薄片，屏蔽與碳加熱體的直接接觸，觸媒材料采用金屬鎂或鎂鋁合金，可使合成料柱的六面外圍層在其催化作用下轉(zhuǎn)化為立方氮化硼，由此達(dá)到提高立方氮化硼生成量的目的。
文檔編號(hào)C01B21/064GK201250100SQ20082007090
公開日2009年6月3日 申請(qǐng)日期2008年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月6日
發(fā)明者奎 張, 張相法 申請(qǐng)人:鄭州中南杰特超硬材料有限公司