專(zhuān)利名稱(chēng)：一種具有優(yōu)異導(dǎo)電性和熱穩(wěn)定性的石墨烯的大量制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及石墨烯的制備技術(shù)，具體為一種具有優(yōu)異導(dǎo)電性能和良好熱穩(wěn)定性的 高質(zhì)量石墨烯的大量制備方法，適用于宏量制備具有優(yōu)異導(dǎo)電性能和良好熱穩(wěn)定性的高質(zhì)
量石墨烯。
背景技術(shù)：
石墨烯(graphene)是指緊密堆積成二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的單層碳原子，它是構(gòu) 建其他維數(shù)炭材料(零維富勒烯、一維納米碳管、三維石墨)的基本單元。由于獨(dú)特的結(jié)構(gòu) 及優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能，石墨烯可望在高功能納電子器件、復(fù)合材料、催化材料、電 池材料、場(chǎng)發(fā)射材料、氣體傳感器及氣體存儲(chǔ)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。因此，自2004年獲得穩(wěn) 定存在的石墨烯后的短短三四年間，它已迅速成為材料科學(xué)和凝聚態(tài)物理領(lǐng)域最為活躍的 研究前沿。其中，石墨烯獨(dú)特的電學(xué)性能是其在眾多領(lǐng)域應(yīng)用的基礎(chǔ)。由于超高載流子遷 移率、室溫亞微米尺度彈道傳輸特性以及THz頻率操作特性，石墨烯基電子器件是目前研 究最多也是被認(rèn)為最有應(yīng)用前景的領(lǐng)域，可望為碳基電場(chǎng)和磁場(chǎng)效應(yīng)元器件帶來(lái)革命性變 化。此外，利用其優(yōu)異的傳導(dǎo)特性探索石墨烯在導(dǎo)電功能復(fù)合材料、電池電極材料和場(chǎng)發(fā)射 材料等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用研究也越來(lái)越受到人們的重視。因此，如何大量獲得具有優(yōu)異導(dǎo) 電特性的石墨烯是實(shí)現(xiàn)其在上述領(lǐng)域應(yīng)用的關(guān)鍵。目前，制備石墨烯的方法主要有機(jī)械剝離法、SiC基體表面外延生長(zhǎng)法、化學(xué)氣相 沉積法及化學(xué)解理法。其中，化學(xué)解理方法主要通過(guò)引入含氧官能團(tuán)，一方面減小石墨的層 間相互作用，增大層間距，改變其雜化狀態(tài)；另一方面改善其親水特性，使其易于在水溶液 中膨脹，進(jìn)而通過(guò)快速加熱、超聲處理等方法實(shí)現(xiàn)石墨的層層解理，得到功能化的石墨烯材 料，是一種有望實(shí)現(xiàn)石墨烯低成本宏量制備的有效方法。然而，化學(xué)解理方法中氧化、膨脹 及超聲處理等工藝的使用導(dǎo)致所制備出的石墨烯的缺陷較多、導(dǎo)電性和熱穩(wěn)定性較差，進(jìn) 而制約了其深入的物性研究和進(jìn)一步應(yīng)用。電弧法被廣泛用于制備富勒烯、多壁、雙壁和單壁納米碳管，電弧放電過(guò)程中產(chǎn)生 的高溫等離子體具有愈合缺陷的能力，因此電弧法制備出的碳管結(jié)晶性好，熱穩(wěn)定性高。此 外，電弧法具有很高的升溫速率，其反應(yīng)溫度可在20秒內(nèi)迅速升至2000°C，而高溫氫氣氣 氛有利于原位去除所得樣品中的含氧官能團(tuán)。因此，氫電弧方法有望作為一種快速加熱方 法實(shí)現(xiàn)氧化石墨的膨脹解理，進(jìn)而制備具有優(yōu)異導(dǎo)電特性和良好熱穩(wěn)定性的高質(zhì)量石墨 火布。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種大量制備具有優(yōu)異導(dǎo)電特性和良好熱穩(wěn)定性的高質(zhì) 量石墨烯的新方法，該方法具有成本低，可半連續(xù)及有望大量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的技術(shù)方案是
一種具有優(yōu)異導(dǎo)電性能和良好熱穩(wěn)定性的高質(zhì)量石墨烯的大量制備方法，該方法 首先采用陰、陽(yáng)極在壓力氣氛下電弧放電的方式快速加熱膨脹、解理氧化石墨制備剝離石 墨，陽(yáng)極為采用Hummer方法得到的氧化石墨，緩沖氣體總壓力為50-1000乇，放電電流為 50-300A;然后采用超聲方法將剝離石墨均勻分散在表面活性劑溶液中，最后采用高速離心 方法去除尚未完全剝離的石墨以及大尺寸的厚石墨片，進(jìn)而得到具有優(yōu)異導(dǎo)電性能和良好 熱穩(wěn)定性的高質(zhì)量石墨烯。本發(fā)明中，氫電弧的消耗陽(yáng)極為氧化石墨。氧化石墨以高定向石墨、天然鱗片石 墨、Kish石墨、人造石墨或土狀石墨等石墨作為原料，由Hummer方法氧化獲得，氧化時(shí)間為 20min-72h，優(yōu)選為 lh_24h。本發(fā)明中，氫電弧的緩沖氣體為氫氣或氫氣與不活潑氣體氬氣、氮?dú)饣蚝獾幕?合氣體，其中氫氣體積百分比> (優(yōu)選為5% -50% )，總壓力優(yōu)選范圍為200-800乇。本發(fā)明中，氫電弧所采用的放電電流為50-300A，優(yōu)選范圍為100-200A。本發(fā)明中，采用N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基甲酰胺(DMF)、四氫呋喃(THF)、1， 2 二氯乙烷(DCE)或十二烷基硫酸鈉(SDS)等表面活性劑對(duì)氫電弧膨脹解理的剝離石墨進(jìn) 行分散，超聲分散功率為200-1500W(優(yōu)選為300-1000W)，超聲時(shí)間為20min-10h(優(yōu)選為 30min-4h)。本發(fā)明中，采用高速離心方法去除尚未完全剝離的石墨和厚石墨片，離心速率為 6000 轉(zhuǎn) /min-30000 轉(zhuǎn) /min (優(yōu)選為8000 轉(zhuǎn) /min_20000 轉(zhuǎn) /min)。本發(fā)明中，獲得的單層石墨烯的含量>80%，電導(dǎo)率可達(dá)2X103S/cm左右，抗氧化 溫度可達(dá)600°C左右。本發(fā)明的特點(diǎn)及有益效果是1.本發(fā)明利用氫電弧可實(shí)現(xiàn)快速加熱、其高溫等離子體可原位愈合缺陷、氫氣還 原氣氛可有效去除含氧官能團(tuán)等特點(diǎn)膨脹解理、還原氧化石墨，提高剝離石墨的結(jié)晶性，通 過(guò)簡(jiǎn)單改變實(shí)驗(yàn)參數(shù)獲得具有優(yōu)異導(dǎo)電特性和良好熱穩(wěn)定性的高質(zhì)量石墨烯；2.本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，操作容易，成本低，可有望大量生產(chǎn)。


圖1.氫電弧法膨脹解理氧化石墨的裝置示意圖。圖中，1陽(yáng)極；2氧化石墨；3陰 極；4氫氣；5氬氣。圖2.氫電弧膨脹解理氧化石墨制備的剝離石墨的掃描電鏡照片。其中，(a)為透 明的蠕蟲(chóng)狀剝離石墨的掃描電鏡照片；(b)和(c)分別為圖(a)中剝離石墨的上部和側(cè)面 掃描電鏡照片；(d)為圖(c)中部分區(qū)域的放大圖。圖3.氫電弧膨脹解理氧化石墨方法制備的石墨烯的(a)透射電子顯微鏡照片， (b，c)原子力顯微鏡照片和(d)拉曼光譜圖(激發(fā)光波長(zhǎng)為632. 8nm)。圖4.氫電弧膨脹解理、氬電弧膨脹解理和傳統(tǒng)快速加熱膨脹解理氧化石墨方法 制備的石墨烯的(a)TG和(b)DTG曲線。。圖5.氫電弧膨脹解理、氬電弧膨脹解理和傳統(tǒng)快速加熱膨脹解理氧化石墨方法 制備的石墨烯的電流-電壓曲線。
具體實(shí)施例方式下面通過(guò)實(shí)施例和附圖進(jìn)一步詳述本發(fā)明。實(shí)施例1裝置如附圖1。以尺寸< 30 μ m的天然鱗片石墨粉為原料，本實(shí)施例中石墨粉平均粒度為20 μ m, 采用 Hummer 方法[“Hummer 方法”請(qǐng)參見(jiàn)文獻(xiàn)Hummers W, Offman R. Journal of The American Chemical Society 1958，80 =1339.]氧化1. 5h獲得氧化石墨；采用氫電弧方法 膨脹解理氧化石墨陽(yáng)極1為一石墨盤(pán)，其上鉆孔，孔內(nèi)填充氧化石墨2作為陽(yáng)極，一根直徑 為5-15mm的石墨棒作為陰極3，在反應(yīng)室內(nèi)充入700乇氫氣4和氬氣5的混合氣體(體積 比1 9)，調(diào)整陰極棒與陽(yáng)極圓盤(pán)上表面成50°，在兩極之間放電(直流，150A)，氧化石墨 在瞬間(< 20s，本實(shí)例約為IOs)膨脹解理得到剝離石墨；40°C條件下在NMP中將剝離石 墨超聲分散2h(功率600W)；采用15000轉(zhuǎn)/min高速離心方法去除尚未完全剝離的石墨和 厚石墨片。電鏡下觀察表明，所得石墨烯表面平滑，80%以上的樣品厚度為0. 9nm-l. Inm(對(duì) 應(yīng)單層石墨烯)，其電導(dǎo)率可達(dá)2 X 103S/cm,抗氧化溫度可達(dá)600°C。實(shí)施例2裝置如附圖1。以尺寸< 30 μ m的天然鱗片石墨粉為原料，本實(shí)施例中石墨粉平均粒度為20 μ m, 采用Hummer方法氧化3h獲得氧化石墨；采用氫電弧方法膨脹解理氧化石墨陽(yáng)極1為一石 墨盤(pán)，其上鉆孔，孔內(nèi)填充氧化石墨2作為陽(yáng)極，一根直徑為5-15mm的石墨棒作為陰極3， 在反應(yīng)室內(nèi)充入700乇氫氣4和氬氣5的混合氣體(體積比1 9)，調(diào)整陰極棒與陽(yáng)極圓 盤(pán)上表面成30°，在兩極之間放電(直流，150A)，氧化石墨在瞬間(< 20s，本實(shí)施例約為 IOs)膨脹解理得到剝離石墨；40°C條件下在NMP中將剝離石墨超聲分散2h (功率600W)；采 用20000轉(zhuǎn)/min高速離心方法去除尚未完全剝離的石墨和厚石墨片。電鏡下觀察表明，所得石墨烯表面平滑，90%以上的樣品為單層石墨烯，厚度為 0. 9nm-l. lnm，其電導(dǎo)率可達(dá)2X 103S/cm，抗氧化溫度可達(dá)600°C。實(shí)施例3裝置如附圖1。以尺寸< 30 μ m的人造石墨粉為原料，本實(shí)施例中石墨粉平均粒度為25 μ m，采用 Hummer方法氧化3h獲得氧化石墨；采用氫電弧方法膨脹解理氧化石墨陽(yáng)極1為一石墨 盤(pán)，其上鉆孔，孔內(nèi)填充氧化石墨2作為陽(yáng)極，一根直徑為5-15mm的石墨棒作為陰極3，在反 應(yīng)室內(nèi)充入700乇氫氣4和氬氣5的混合氣體(體積比1 9)，調(diào)整陰極棒與陽(yáng)極圓盤(pán)上 表面成30°，在兩極之間放電(直流，150A)，氧化石墨在瞬間(< 20s，本實(shí)施例約為IOs) 膨脹解理得到剝離石墨；40°C條件下在NMP中將剝離石墨超聲分散2h(功率600W)；采用 20000轉(zhuǎn)/min高速離心方法去除尚未完全剝離的石墨和厚石墨片。電鏡下觀察表明，所得石墨烯表面平滑，90%以上的樣品為單層石墨烯，厚度為 0. 9nm-l. lnm，其電導(dǎo)率可達(dá)1. 9 X 103S/cm，抗氧化溫度可達(dá)590°C。實(shí)施例4裝置如附圖1。
以尺寸> 600 μ m的天然鱗片石墨為原料，本實(shí)施例中石墨粉平均粒度為800 μ m， 采用Hummer方法氧化Ih獲得氧化石墨；采用氫電弧方法膨脹解理氧化石墨陽(yáng)極1為一石 墨盤(pán)，其上鉆孔，孔內(nèi)填充氧化石墨2作為陽(yáng)極，一根直徑為5-15mm的石墨棒作為陰極3， 在反應(yīng)室內(nèi)充入700乇氫氣4和氬氣5的混合氣體(體積比1 9)，調(diào)整陰極棒與陽(yáng)極圓 盤(pán)上表面成30°，在兩極之間放電(直流，150A)，氧化石墨在瞬間(< 20s，本實(shí)施例約為 IOs)膨脹解理得到剝離石墨；40°C條件下在NMP中將剝離石墨超聲分散2h (功率600W)；采 用10000轉(zhuǎn)/min高速離心方法去除尚未完全剝離的石墨和厚石墨片。電鏡下觀察表明，所得石墨烯表面平滑，70%以上的樣品為單層石墨烯，厚度為 0. 9nm-l. lnm，其電導(dǎo)率可達(dá)2. 2X 103S/cm，抗氧化溫度可達(dá)610°C。實(shí)施例5裝置如附圖1。以尺寸< 30 μ m的天然鱗片石墨粉為原料，本實(shí)施例中石墨粉平均粒度為20 μ m， 采用Hummer方法氧化3h獲得氧化石墨；采用氫電弧方法膨脹解理氧化石墨陽(yáng)極1為一石 墨盤(pán)，其上鉆孔，孔內(nèi)填充氧化石墨2作為陽(yáng)極，一根直徑為5-15mm的石墨棒作為陰極3， 在反應(yīng)室內(nèi)充入600乇氫氣4和氬氣5的混合氣體(體積比2 8)，調(diào)整陰極棒與陽(yáng)極圓 盤(pán)上表面成30°，在兩極之間放電(直流，200A)，氧化石墨在瞬間(< 20s，本實(shí)施例約為 5s)膨脹解理得到剝離石墨；40°C條件下在NMP中將剝離石墨超聲分散3h (功率600W)；采 用20000轉(zhuǎn)/min高速離心方法去除尚未完全剝離的石墨和厚石墨片。電鏡下觀察表明，所得石墨烯表面平滑，90%以上的樣品為單層石墨烯，厚度為
0.9nm-l. Ohm，其電導(dǎo)率可達(dá)2. 5 X 103S/cm，抗氧化溫度可達(dá)630°C。實(shí)施例6裝置如附圖1。以> 200μπι的Kish石墨粉為原料，本實(shí)施例中石墨粉平均粒度為500 μ m，采用 Hummer方法氧化Ih獲得氧化石墨；采用氫電弧方法膨脹解理氧化石墨陽(yáng)極1為一石墨 盤(pán)，其上鉆孔，孔內(nèi)填充氧化石墨2作為陽(yáng)極，一根直徑為5-15mm的石墨棒作為陰極3，在反 應(yīng)室內(nèi)充入800乇氫氣4和氬氣5的混合氣體(體積比1 19)，調(diào)整陰極棒與陽(yáng)極圓盤(pán)上 表面成30°，在兩極之間放電(直流，50A)，氧化石墨在瞬間(< 20s，本實(shí)施例為18s)膨脹 解理得到剝離石墨；40°C條件下在NMP中將剝離石墨超聲分散2h (功率600W)；采用10000 轉(zhuǎn)/min高速離心方法去除尚未完全剝離的石墨和厚石墨片。電鏡下觀察表明，所得石墨烯表面平滑，60%以上的樣品為單層石墨烯，厚度為
1.Onm-1. 2nm，其電導(dǎo)率可達(dá)1. 7 X 103S/cm，抗氧化溫度可達(dá)570°C。實(shí)施例7裝置如附圖1。以< 30 μ m的天然鱗片石墨粉為原料，本實(shí)施例中石墨粉平均粒度為20 μ m，采用 Hummer方法氧化4h獲得氧化石墨；采用氫電弧方法膨脹解理氧化石墨陽(yáng)極1為一石墨 盤(pán)，其上鉆孔，孔內(nèi)填充氧化石墨2作為陽(yáng)極，一根直徑為5-15mm的石墨棒作為陰極3，在反 應(yīng)室內(nèi)充入600乇氫氣4和氬氣5的混合氣體(體積比1 19)，調(diào)整陰極棒與陽(yáng)極圓盤(pán)上 表面成30°，在兩極之間放電(直流，50A)，氧化石墨在瞬間(< 20s，本實(shí)施例約為18s) 膨脹解理得到剝離石墨；40°C條件下在NMP中將剝離石墨超聲分散2h(功率600W)；采用20000轉(zhuǎn)/min高速離心方法去除尚未完全剝離的石墨和厚石墨片。電鏡下觀察表明，所得石墨烯表面平滑，90%以上的樣品為單層石墨烯，厚度為 1. Onm-1. 2nm，其電導(dǎo)率可達(dá)1. 8 X 103S/cm，抗氧化溫度可達(dá)570°C。實(shí)施例8裝置如附圖1。以> 200μπι的Kish石墨粉為原料，本實(shí)施例中石墨粉平均粒度為500 μ m，采用 Hummer方法氧化4h獲得氧化石墨；采用氫電弧方法膨脹解理氧化石墨陽(yáng)極1為一石墨 盤(pán)，其上鉆孔，孔內(nèi)填充氧化石墨2作為陽(yáng)極，一根直徑為5-15mm的石墨棒作為陰極3，在反 應(yīng)室內(nèi)充入800乇氫氣4和氬氣5的混合氣體(體積比3 7)，調(diào)整陰極棒與陽(yáng)極圓盤(pán)上 表面成30°，在兩極之間放電(直流，200A)，氧化石墨在瞬間(< 20s，本實(shí)施例約為5s) 膨脹解理得到剝離石墨；40°C條件下在NMP中將剝離石墨超聲分散3h(功率800W)；采用 20000轉(zhuǎn)/min高速離心方法去除尚未完全剝離的石墨和厚石墨片。電鏡下觀察表明，所得石墨烯表面平滑，90%以上的樣品為單層石墨烯，厚度為 0. 9nm-l. Onm，其電導(dǎo)率可達(dá)2. 4X 103S/cm，抗氧化溫度可達(dá)640°C。如圖2所示，從氫電弧膨脹解理氧化石墨制備的剝離石墨的掃描電鏡照片可以看 出，氫電弧快速加熱方法確實(shí)可以能夠很好地實(shí)現(xiàn)氧化石墨的膨脹和剝離，從而得到透明 的石墨片層結(jié)構(gòu)。如圖3所示，從氫電弧膨脹解理氧化石墨方法制備的石墨烯的(a)透射電子顯微 鏡照片和(b，c)原子力顯微鏡照片可以看出，利用該方法制得的石墨烯表面規(guī)整，說(shuō)明其 較高的質(zhì)量，從而證實(shí)了氫電弧方法確實(shí)可以很好地去除含氧官能團(tuán)和愈合結(jié)構(gòu)缺陷；從 (d)拉曼光譜圖可以看出，所得產(chǎn)物的2D模位置約為2644CHT1 (激發(fā)光波長(zhǎng)632. 8nm)，進(jìn)一 步證實(shí)產(chǎn)物為單層石墨烯。如圖4所示，從氫電弧膨脹解理、氬電弧膨脹解理和傳統(tǒng)快速加熱膨脹解理氧化 石墨方法制備的石墨烯的TG/DTG曲線可以看出，利用氫電弧方法制備得到的石墨烯的抗 氧化溫度可達(dá) 600°C，遠(yuǎn)優(yōu)于相同條件下利用氬電弧膨脹解理(525°C )和傳統(tǒng)快速加熱 膨脹解理(507°C )氧化石墨方法制得的石墨烯。如圖5所示，從氫電弧膨脹解理、氬電弧膨脹解理和傳統(tǒng)快速加熱膨脹解理氧化 石墨方法制備的石墨烯的電流-電壓曲線可以看出，利用氫電弧方法制備得到的石墨烯的 導(dǎo)電率可達(dá)2X 103S/cm，遠(yuǎn)優(yōu)于相同條件下利用氬電弧膨脹解理( 2X102S/cm)和傳統(tǒng) 快速加熱膨脹解理( 80S/cm)氧化石墨方法制得的石墨烯。
權(quán)利要求
一種具有優(yōu)異導(dǎo)電性和熱穩(wěn)定性的石墨烯的大量制備方法，其特征在于該方法首先采用陰、陽(yáng)極在壓力氣氛下電弧放電的方式快速加熱、進(jìn)而膨脹、解理氧化石墨制備剝離石墨，陽(yáng)極為采用Hummer方法得到的氧化石墨，緩沖氣體總壓力為50 1000乇，放電電流為50 300A；然后采用超聲方法將剝離石墨均勻分散在表面活性劑溶液中，最后采用高速離心方法去除尚未完全剝離的石墨以及大尺寸的厚石墨片，進(jìn)而得到具有優(yōu)異導(dǎo)電性能和良好熱穩(wěn)定性的高質(zhì)量石墨烯。
2.按照權(quán)利要求1所述的具有優(yōu)異導(dǎo)電性和熱穩(wěn)定性的石墨烯的大量制備方法，其特 征在于作為氧化石墨原料的材料為高定向石墨、天然鱗片石墨、Kish石墨、人造石墨或土 狀石墨等石墨，Hummer方法氧化時(shí)間為20min_72h。
3.按照權(quán)利要求1所述的具有優(yōu)異導(dǎo)電性和熱穩(wěn)定性的石墨烯的大量制備方法，其特 征在于緩沖氣體為氫氣或氫氣與不活潑氣體氬氣、氮?dú)饣蚝獾幕旌蠚怏w，其中氫氣體積 百分比> 1%，總壓力優(yōu)選范圍為200-800乇。
4.按照權(quán)利要求1所述的具有優(yōu)異導(dǎo)電性和熱穩(wěn)定性的石墨烯的大量制備方法，其特 征在于放電電流優(yōu)選范圍為100-200A。
5.按照權(quán)利要求1所述的具有優(yōu)異導(dǎo)電性和熱穩(wěn)定性的石墨烯的大量制備方法，其特 征在于陰極棒與陽(yáng)極上表面成一斜角0° < α <90°。
6.按照權(quán)利要求1所述的具有優(yōu)異導(dǎo)電性和熱穩(wěn)定性的石墨烯的大量制備方法，其特 征在于采用N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、四氫呋喃、1，2 二氯乙烷或十二烷基硫酸鈉 等表面活性劑進(jìn)行分散，超聲分散功率為200-1500W，超聲時(shí)間為20min-10h。
7.按照權(quán)利要求1所述的具有優(yōu)異導(dǎo)電性和熱穩(wěn)定性的石墨烯的大量制備方法，其 特征在于采用高速離心方法去除尚未完全剝離的石墨和厚石墨片，離心速率為6000轉(zhuǎn)/ min-30000 轉(zhuǎn) /min。
全文摘要
本發(fā)明涉及石墨烯的制備技術(shù)，具體為一種適用于宏量制備具有優(yōu)異導(dǎo)電性能和良好熱穩(wěn)定性的高質(zhì)量石墨烯的方法。該方法首先采用陰、陽(yáng)極在壓力氣氛下電弧放電的方式快速加熱，進(jìn)而膨脹、解理氧化石墨制備剝離石墨，陽(yáng)極為采用Hummer方法得到的氧化石墨，緩沖氣體總壓力為50-1000乇，放電電流為50-300A；然后采用超聲方法將剝離石墨均勻分散在表面活性劑溶液中，最后采用高速離心方法去除尚未完全剝離的石墨以及大尺寸的厚石墨片，進(jìn)而得到具有優(yōu)異導(dǎo)電性能和良好熱穩(wěn)定性的高質(zhì)量石墨烯。本發(fā)明可通過(guò)簡(jiǎn)單地控制工藝參數(shù)制備具有優(yōu)異導(dǎo)電性能和良好熱穩(wěn)定性的高質(zhì)量石墨烯，并且該方法具有成本低、產(chǎn)物產(chǎn)量高以及有望大量制備的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)C01B31/04GK101993060SQ20091001324
公開(kāi)日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2009年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月19日
發(fā)明者任文才, 劉碧錄, 吳忠?guī)? 成會(huì)明, 趙金平, 陳宗平, 高力波 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院金屬研究所