專利名稱：多晶硅還原爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于化工行業(yè)用于多晶硅生產(chǎn)的設(shè)備，即多晶硅還原爐。

背景技術(shù)：
現(xiàn)有的多晶硅還原爐均采用單管噴射式，即將氫氣、三氯化硅以一定的比例混合 后由一根噴管進入還原爐，這樣往往會造成硅棒沉積不均勻，使得吸收率低還原不徹底。

發(fā)明內(nèi)容
為了達到上述目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案，一種多晶硅還原爐，包括有爐 罩、底盤、多晶硅硅棒、進料管和噴頭，爐罩安裝在底盤上，底盤上安裝有至少一組多晶硅硅 棒，同時底盤上還設(shè)有與底盤下部的進料管和出料管相連通的噴頭，噴頭為三個或三個以 上。所述的噴頭由三個獨立管道組合而成，其中位于噴頭頂端開口的為進料管道口， 噴頭兩側(cè)面開口的分別為出料管道口。本發(fā)明采用低速三管進料方式，大大的提高了還原速度和沉積率，使得收率從之 前的30%左右提高到了 80%左右。同時將進料管道和出料管道組合在一起，也使得本發(fā)明 生產(chǎn)成本低，使用時占用場地小。


圖1多晶硅氫還原爐結(jié)構(gòu)示意圖；圖2多晶硅氫還原爐其噴頭結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、爐罩；2、底盤；3、多晶硅硅棒；4、進料管；5、出料管；6、噴頭；7、導(dǎo)軌；8、
進料管道口 ；9、出料管道口 ；10、出料管道口。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步的說明如圖1所示，一種多晶硅還原爐，包括有爐罩1、底盤2、多晶硅硅棒3、進料管4、出 料管5和噴頭6。爐罩1安裝在底盤2上，底盤2上安裝有至少一組多晶硅硅棒3，同時底 盤2上還設(shè)有與底盤下部的進料管4和出料管5相連通的噴頭6.噴頭6為三個或三個以 上。這樣便使由噴頭6進入爐內(nèi)的進料與多晶硅硅棒3有充分的接觸面，大大的提高了還 原速度和沉積率。如圖2所示，所述的噴頭6由3個獨立管道組合而成，其中位于噴頭6頂 端開口的為進料管道口 8，噴頭6兩側(cè)面開口的分別為出料管道口 9和10。將進料管道和 出料管道組合在一起，也使得本發(fā)明生產(chǎn)成本低，也為充分利用生產(chǎn)場地提供了有利條件。
權(quán)利要求
多晶硅還原爐，包括有爐罩(1)、底盤(2)、多晶硅硅棒(3)、進料管(4)、出料管(5)和噴頭(6)，其特征在于爐罩(1)安裝在底盤(2)上，底盤(2)上安裝有至少一組多晶硅硅棒(3)，同時底盤(2)上還設(shè)有與底盤下部的進料管(4)和出料管(5)相連通的噴頭(6)，且噴頭(6)為三個或三個以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于所述的噴頭(6)由三個獨立管 道組合而成，其中位于噴頭頂端開口的為進料管道口(8)，噴頭兩側(cè)面開口的分別為出料管 道口 (9)和出料管道口(10)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多晶硅還原爐，包括有爐罩，底盤，多晶硅硅棒，進料管和噴頭，爐罩安裝在底盤上，底盤上安裝有至少一組多晶硅硅棒，同時底盤上還設(shè)有與底盤下部的進料管連通的噴頭，噴頭為三個或三個以上，本發(fā)明解決了現(xiàn)有的多晶硅還原爐采用單管噴射式，而造成硅棒沉積不均勻且厚而不徹底，收率低的問題。其結(jié)構(gòu)簡單，還原速度大大提高的同時也大大提高了吸收率。
文檔編號C01B33/03GK101993080SQ20091014461
公開日2011年3月30日 申請日期2009年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月21日
發(fā)明者沈曉明 申請人:張家港市華凌化工機械有限公司