專利名稱：具有界面控制的三相硫分離系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種分離器系統(tǒng)，其中使用三種流體相通過向氣相區(qū)域加入或從其移除氣體維持所述分離器中的恒定壓力來使較濃稠液體與較不濃稠液體分離。更具體而言， 本發(fā)明系統(tǒng)可用作用于從氣流及包括熔融硫及氧化還原溶液兩者的液流回收硫的改良的硫分離系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
許多脫硫氧化還原工藝的副產(chǎn)物包括懸浮于液態(tài)氧化還原溶液中的固態(tài)元素硫。 在一些液體氧化還原工藝中，需要且有必要使用硫熔爐來熔化固態(tài)元素硫以產(chǎn)生高品質(zhì)、 可銷售的硫產(chǎn)品。然而，氧化還原溶液中的金屬離子，例如鐵及釩，會(huì)與氫硫根離子、硫代硫酸根離子及重碳酸根離子(統(tǒng)稱為“反應(yīng)性溶質(zhì)”)在高溫下反應(yīng)形成金屬多硫化物。這些金屬多硫化物在制造高品質(zhì)元素硫的情形中是不合需要的。形成大量金屬多硫化物可使硫不可用，且也導(dǎo)致熔爐內(nèi)產(chǎn)生積垢，需要隨后清洗熔爐管。金屬離子與硫反應(yīng)的速率隨氧化還原溶液中金屬離子的量、熔爐溫度、在高溫下硫與氧化還原溶液接觸的時(shí)間量及介于熔融硫與氧化還原溶液間的界面的表面積而變化。 如果溶液中存在較多的金屬離子，那么將形成較多的多硫化物。當(dāng)熔爐溫度升高時(shí)，硫與金屬離子間的反應(yīng)活性增加，形成較多的金屬多硫化物。當(dāng)在高溫下熔融硫與氧化還原溶液間的接觸時(shí)間增加時(shí)，將形成較多的金屬多硫化物。介于熔融硫與氧化還原溶液間的界面提供熔融硫與金屬離子的恒定接觸。因此，介于熔融硫與氧化還原溶液間的較小界面表面積將限制金屬多硫化物的形成。過濾/洗滌/再漿化系統(tǒng)可用于減少進(jìn)入硫熔爐的金屬離子及反應(yīng)性溶質(zhì)。此外， 可在高于硫熔點(diǎn)的盡可能最低的溫度下操作硫熔爐。雖然經(jīng)由過濾限制進(jìn)入熔爐的金屬離子及反應(yīng)性溶質(zhì)及在較低的溫度下操作熔爐是改良硫品質(zhì)的有效技術(shù)，但滯留時(shí)間與界面表面積也對于形成金屬多硫化物并因此對于硫品質(zhì)起重要作用。即使在將熔爐溫度連同過濾/洗滌/再漿化系統(tǒng)維持于盡可能最低的水平時(shí)，當(dāng)采用長滯留時(shí)間及大界面面積時(shí)也會(huì)使硫品質(zhì)降低。關(guān)于常規(guī)的硫分離設(shè)計(jì)，滯留時(shí)間是影響硫品質(zhì)的最不好控制的變量之一。硫分離器通常經(jīng)設(shè)計(jì)以提供對應(yīng)于最大單元硫產(chǎn)量的特定滯留時(shí)間以供相分離，且主要由水體積流量決定。當(dāng)滯留時(shí)間增長超出最大硫生產(chǎn)期間所期望的時(shí)間時(shí)，由于硫液滴有較多的時(shí)間從氧化還原溶液中分離，故改良了硫分離。此外，更清晰地界定介于氧化還原溶液與熔融硫間的界面液位，因此界面液位控制得以改良。然而，隨著滯留的增長，多硫化物的形成增加。因此，根據(jù)這些考量間的折中產(chǎn)生最佳滯留時(shí)間。
4
先前已知的設(shè)計(jì)通過將界面液位維持于某一垂直液位來控制熔融硫的流量。美國專利第4，730，369號(hào)及第5，651，896號(hào)描述這些設(shè)計(jì)的實(shí)例。這些已知的分離器是完全液體容器且不具有氣相。其原理是將容器的操作壓力維持于壓力設(shè)定點(diǎn)以在硫的熔點(diǎn)或以上操作時(shí)保持水相不蒸發(fā)。然而，在實(shí)際操作中，當(dāng)打開熔融硫控制閥(界面液位控制)或水溶液控制閥(壓力控制)時(shí)，容器內(nèi)的壓力下降且一部分水相蒸發(fā)。此蒸發(fā)導(dǎo)致嚴(yán)重的操作問題，如熔融硫帶出容器頂部及因熔融硫在下游設(shè)備及管道中凝固而產(chǎn)生的堵塞。本發(fā)明現(xiàn)通過在具有分離控制系統(tǒng)的主要分離器容器中包括第三流體相(即氣相)以在不論水相或熔融硫相的液位如何均維持容器的壓力來解決此問題及其它問題。從以下本發(fā)明的更詳細(xì)描述中這些及其它優(yōu)點(diǎn)將顯而易知。

發(fā)明內(nèi)容
如本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所展示，本發(fā)明在主要方面涉及一種液體分離器系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包括具有頂部及底部的容器。所述容器在所述頂部具有比所述底部大的直徑，且所述容器的橫截面從所述容器的所述頂部到所述底部向下縮小。所述系統(tǒng)包括用于將兩種液體的混合物引入所述容器中的第一進(jìn)口，其中第二種液體比第一種液體濃稠。位于所述頂部的進(jìn)口 /出口允許將加壓氣流引入容器或移除過多的加壓氣體，以維持容器的恒定操作壓力。恒定壓力的維持防止水相沸騰并帶出較濃稠液體?？拷萜鞯撞康某隹谠试S較濃稠液體從容器流出。界面控制結(jié)構(gòu)感應(yīng)介于兩種液體間的界面液位并控制來自出口的較濃稠液體的流量。通過調(diào)節(jié)界面控制結(jié)構(gòu)的設(shè)定點(diǎn)，可最佳地改變?nèi)萜鲀?nèi)部界面液位的垂直高度， 以使容器中較濃稠液體的滯留時(shí)間不隨較濃稠液體產(chǎn)量的減少而增長。這也隨產(chǎn)量降低而減小兩種液體的界面面積。界面結(jié)構(gòu)包括打開及關(guān)閉(可視系統(tǒng)需要打開/關(guān)閉或調(diào)整) 以控制較濃稠液相的移除的控制閥。通過介于水相最上方液位與氣體界面間的液位控制維持容器中水的液位。水相控制器與調(diào)整以維持水相液位的控制閥相連通。不論較濃稠液體及水相控制閥的位置如何，均將容器的內(nèi)壓維持于恒定的預(yù)定或所希望的水平。此通過調(diào)整流入及流出容器的氣體調(diào)節(jié)容器內(nèi)的氣相壓力來實(shí)現(xiàn)。用作氣相的特定氣體并非本發(fā)明的關(guān)鍵且其可選自由空氣、N2、燃?xì)?，或任何惰性、?jīng)濟(jì)、不凝結(jié)氣體組成的群組，其是處于所希望的壓力。在本發(fā)明特定實(shí)施例中，使用所述系統(tǒng)從液態(tài)氧化還原溶液及/或再漿化水中分離熔融硫。因此，本發(fā)明的目的是利用三相分離器系統(tǒng)改良從水性液體分離的較濃稠液體的品質(zhì)。本發(fā)明的目的也是改良從氧化還原應(yīng)用回收的硫的品質(zhì)。本發(fā)明的另一目的是提供一種系統(tǒng)，其中在硫分離器中熔融硫的滯留時(shí)間可依硫產(chǎn)量而變化。本發(fā)明的又一目的是一種允許更精確的界面液位控制同時(shí)獲得改變界面表面積及滯留時(shí)間的益處的經(jīng)改良的硫分離裝置。本發(fā)明的又一目的是一種允許改變介于液態(tài)氧化還原溶液及/或再漿化水與熔融硫間的界面面積的系統(tǒng)。本發(fā)明的另一目的是一種經(jīng)調(diào)適以供現(xiàn)有技術(shù)所用的經(jīng)改良的硫分離系統(tǒng)。本發(fā)明的又另一目的是通過維持容器中的恒定壓力來防止硫帶出。本發(fā)明的又一目的是一種回收高品質(zhì)元素硫的更具成本效益的方法。通過考慮以下本發(fā)明的詳細(xì)描述可更好地理解本發(fā)明的特征。在說明過程中，參照附圖。


圖1是從漿液移除元素硫的現(xiàn)有技術(shù)方法的示意性框圖；圖2是從漿液移除元素硫的另一現(xiàn)有技術(shù)方法的示意性框圖；圖3描繪本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例；及圖4描繪本發(fā)明的替代性優(yōu)選實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式為證實(shí)本發(fā)明的內(nèi)容，參考圖1及2，其描繪由液體氧化還原工藝制造熔融硫的已知工藝。這些已知系統(tǒng)均不使用三種流體相的分離器。使來自液體氧化還原應(yīng)用的硫漿液 (如2所示，其包括懸浮于氧化還原溶液中的固態(tài)元素硫)通過硫過濾器4。漿液可為如于例如沉降器等濃縮裝置中制造的相對較濃的漿液(約15重量％ )，或是如在不使用濃縮裝置的情況下得到的相對較稀的漿液(0. 1重量％ )。在硫過濾操作中，移去大部分氧化還原溶液并以濾出液形式返回到所述工藝，如8所示。在移除濾出液后留下的固態(tài)硫稱為硫餅或?yàn)V餅，且如5所示。在一些應(yīng)用中，如7所示，將清洗水噴灑于濾餅上以實(shí)現(xiàn)硫餅與氧化還原溶液間的更好分離。此操作稱為“洗滌”。固態(tài)硫5以及一些氧化還原溶液及洗滌水進(jìn)入再漿化罐6。如10所示，將水加入再漿化罐6中以產(chǎn)生硫漿液，使所述硫漿液通過硫熔爐或熱交換器12。在4、6及10中所示的過濾/洗滌/再漿化系統(tǒng)有助于從漿液中移除例如鐵及釩等金屬離子及反應(yīng)性溶質(zhì)，由此又將減少熔融工藝中形成的非所需多硫化物的量。一些系統(tǒng)不采用過濾/洗滌/再漿化工藝，因此來自工藝2的漿液直接進(jìn)入硫熔爐12。在已知工藝中，在硫熔爐12中通過與蒸汽或熱傳熱流體的間接熱交換將硫漿液加熱到高于硫熔點(diǎn)的溫度。因此，硫熔化，且排出硫熔爐12的熱溶液含有氧化還原水溶液及再漿化水以及熔融硫。熔融硫不能混溶于氧化還原溶液及再漿化水中且比此二者濃稠。 所述熱溶液(又稱熔爐排出液)接著經(jīng)由進(jìn)口進(jìn)入容器或硫分離器14或40。在硫分離器內(nèi)部，較濃稠的熔融硫液滴因重力而與較不濃稠的氧化還原溶液及再漿化水分離，且較濃稠的熔融硫液滴落到硫分離器的底部。較濃稠的熔融硫與氧化還原溶液或再漿化水形成界面，如線36所描繪。熔融硫從硫分離器的底部流出并通過出口閥28或62移除。不同于本發(fā)明，已知系統(tǒng)的硫分離器中的壓力受控于壓力控制閥24或47，其控制來自分離器的水相(即再漿化水及氧化還原溶液)的流動(dòng)。此舉是為了防止水沸騰，水沸騰接著會(huì)導(dǎo)致熔融硫被帶出到工藝線中，于工藝線中凝固并導(dǎo)致堵塞。從硫分離器流出的再漿化水返回到再漿化罐或送到處理。在不采用過濾器/洗滌/再漿化系統(tǒng)的應(yīng)用中，離開硫分離器的水相區(qū)域的液體將為氧化還原溶液，其中其將返回到所述單元。流出硫分離器的熔融硫的流量由自動(dòng)控制閥控制，所述自動(dòng)控制閥一般是帶蒸汽夾套的用于接通/斷開控制的栓塞閥，或帶蒸汽夾套的用于調(diào)整控制的ν形球閥。間接測量分離器內(nèi)熔融硫的液位的界面液位控制單元控制所述控制閥。如圖1所展示的先前設(shè)計(jì)使用大到足以在設(shè)計(jì)硫載量下以設(shè)計(jì)水相流量進(jìn)行相分離的單一容器。一般而言，水相流量決定所需尺寸。由于界面液位控制使用與分離步驟相同的直徑，故這些容器中的硫滯留時(shí)間極長。此外，在較深下降(turndown)下，分離體積大于所需，但無法改變所述體積。另外，不論產(chǎn)量如何，在界面液位下方的硫體積為恒定的。因此，在下降條件下暴露于操作溫度的硫的滯留時(shí)間極長。
在如圖2所示的第二種先前工藝中，窄套管46成為液位控制部分；逐漸縮小的圓錐形部分44允許變化在分離區(qū)域中的滯留時(shí)間，但需要操作者首先改變界面液位設(shè)定點(diǎn)以使界面在圓錐形區(qū)域中。在極低產(chǎn)量下，界面可實(shí)際上位于套管中，由此使硫滯留時(shí)間降到最低?，F(xiàn)參看圖3，其描述本發(fā)明的許多優(yōu)選實(shí)施例中的一者，所述系統(tǒng)包括容器或硫分離器100，其接收來自硫熔爐101的優(yōu)選為兩個(gè)分離的流102與103的含熔融硫氧化還原溶液的硫熔爐排出液。由于硫液滴的稠度是水滴的近兩倍，故兩個(gè)液相間的初始分離將發(fā)生在熱交換器出口端中，即流102 (其將主要為水溶液)及流103 (其將主要為熔融硫)。通過將這兩個(gè)流分別從熱交換器移除，在分離器100中將發(fā)生更有效的分離。硫分離器100包括三個(gè)區(qū)域，即氣相區(qū)域105、水相區(qū)域106及較濃稠液相區(qū)域107。氣相與水相區(qū)域兩者都是圓柱形且具有大于較濃稠液相區(qū)域的直徑。在熔爐排出液進(jìn)入硫分離器后，較濃稠的硫液滴因重力沉降到硫分離器底部，而較不濃稠的水溶液上升到靠近硫分離器中間的水平。雖然含熔爐排出液的進(jìn)口可位于容器100中的任何位置，但優(yōu)選利用最佳位于硫分離器具有相對較大直徑處的一個(gè)流進(jìn)口將排出液分流。當(dāng)將排出液引入硫分離器中時(shí)，此降低氧化還原溶液的上部速度，并且允許硫液滴沉降并凝聚成較大的液滴，且最終在硫分離器底部形成連續(xù)熔融硫相。第二排出液進(jìn)口優(yōu)選位于靠近分離器容器的較濃稠液相區(qū)域中間處。熔融硫與液態(tài)氧化還原溶液形成界面，如虛線108所示。容器100的底部可具有如圖3與4所示的套管，或如圖2所示的終止于套管中的錐度較大的錐形底部。硫分離器100中的壓力是通過操作控制閥110與111的壓力控制器109控制。壓力控制器感應(yīng)分離器100中的壓力并視需要打開或關(guān)閉閥110或111以維持預(yù)先設(shè)定或所希望的壓力，即設(shè)定點(diǎn)壓力。如果壓力控制器感應(yīng)到壓力在設(shè)定點(diǎn)壓力以下，那么其將打開閥110以引入處于所希望的壓力的加壓氣體，優(yōu)選選自由空氣、氮?dú)?、燃?xì)饣蛉魏纹渌荒Y(jié)氣體組成的群組的氣態(tài)流體。如果感應(yīng)的壓力在設(shè)定點(diǎn)壓力以上，那么壓力控制器將關(guān)閉閥110并打開閥111以從分離器的氣相區(qū)域移除或放出氣體。此移除的氣體可用于其它工藝中或以火焰燒掉。本發(fā)明的系統(tǒng)也使用分別控制閥114與115的兩個(gè)液位控制器112與113?？刂破?12感應(yīng)介于氣相區(qū)域105與水相區(qū)域106間的液位且控制器113感應(yīng)介于水相區(qū)域 106與較濃稠液相區(qū)域107間的液位。閥114控制來自硫分離器的水溶液的流量并防止水溶液在分離器內(nèi)沸騰。經(jīng)由出口 117流出硫分離器的水溶液返回到所述單元或再漿化罐， 或被處理掉。本系統(tǒng)中所用的界面液位控制機(jī)構(gòu)可為任何類型的可靠控制機(jī)構(gòu)。優(yōu)選的機(jī)構(gòu)通過位于氣相與水相的界面液位上方及下方以及水相與較濃稠液相的界面液位下方及上方的壓力感應(yīng)器測量壓力來測量硫分離器中的界面。兩個(gè)感應(yīng)器間的壓力差表明界面液位。所述系統(tǒng)還包括出口 116，熔融硫經(jīng)由出口 116從硫分離器流出通過控制閥115。 來自硫分離器的熔融硫的流速確定硫產(chǎn)量。在進(jìn)口 102與103處將熔融硫引入硫分離器中與經(jīng)由出口 116移除熔融硫間的時(shí)間量確定在系統(tǒng)中熔融硫的滯留時(shí)間。熔融硫的流速由受界面液位控制機(jī)構(gòu)113控制的出口閥115控制。界面液位控制機(jī)構(gòu)113與出口閥115 — 起形成一個(gè)出口控制機(jī)構(gòu)或結(jié)構(gòu)。界面液位控制機(jī)構(gòu)112與控制閥114 一起形成另一控制機(jī)構(gòu)。當(dāng)在設(shè)計(jì)硫產(chǎn)量下操作單元時(shí)，優(yōu)選維持界面108靠近分離器100的較小直徑的頂部。當(dāng)硫產(chǎn)量下降時(shí)，通過調(diào)節(jié)界面液位控制機(jī)構(gòu)113的設(shè)定點(diǎn)來降低界面液位108。本發(fā)明也可包括硫分離器形狀的變化，例如圖4所展示的硫分離器是水平形狀。 或者，分離器內(nèi)壁的斜率可確定較濃稠液相區(qū)域與水相區(qū)域間的錐形轉(zhuǎn)變。所述系統(tǒng)也可用于除氧化還原溶液外的液體，例如再漿化水。同樣地，所述系統(tǒng)也可用于除熔融硫外的液體。具體實(shí)施例的前述描述將充分地揭露本發(fā)明的一般性質(zhì)，因此其他人在不脫離一般概念的情況下通過應(yīng)用目前知識(shí)可輕易地針對所述具體實(shí)施例的各種應(yīng)用進(jìn)行更改及/ 或修改，且因此所述修改及更改意欲涵蓋于所揭示實(shí)施例的等效物的含義及范圍內(nèi)。應(yīng)了解本文的措詞及術(shù)語是出于描述而非限制的目的。在不脫離本發(fā)明的情況下，用于進(jìn)行各種所揭示功能的構(gòu)件、材料及步驟可采取各種替代形式。因此，表述“意指”及“意味”或如以上說明書或以上權(quán)利要求中可見的任何方法步驟語言以及緊接著的功能陳述意欲定義及涵蓋可現(xiàn)在或?qū)泶嬖谝詧?zhí)行所述功能的任何結(jié)構(gòu)、物理、化學(xué)或電子元件或結(jié)構(gòu)，或任何方法步驟，不論其是否與以上說明書中所揭示的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例實(shí)施例精確等效，即，可使用其它構(gòu)件或步驟執(zhí)行相同功能；且預(yù)期這些表述將以在以上權(quán)利要求的術(shù)語范圍內(nèi)的最廣義說明給出。
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權(quán)利要求
1.一種液體分離器系統(tǒng)，其包含以下的組合(a)具有頂部、底部、氣相區(qū)域、水相區(qū)域及較濃稠液體區(qū)域的容器，所述容器在所述頂部具有比所述底部大的直徑；(b)用于將第一液體及第二液體引入所述容器中的進(jìn)口，所述第二液體比所述第一液體濃稠；(c)靠近所述容器的所述底部的第一出口，其允許來自所述容器的所述第二液體的流動(dòng)；(d)與所述水相區(qū)域流體連通的第二出口；(e)與所述氣相區(qū)域連通的壓力控制器，其控制氣體進(jìn)口閥與氣體出口閥，各閥與靠近所述容器的所述頂部的進(jìn)口/出口流體連通；及(f)界面控制結(jié)構(gòu)，其經(jīng)構(gòu)造及布置用于感應(yīng)所述容器內(nèi)部介于所述第一液體與所述第二液體間的界面液位，及用于控制來自所述第一出口的所述第二液體的流動(dòng)，及用于回應(yīng)于所述流動(dòng)的相應(yīng)增加或減少而升高或降低所述界面液位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體分離器系統(tǒng)，其中所述第一液體是來自氧化還原操作的氧化還原溶液及再漿化水且所述第二液體是熔融硫。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體分離器系統(tǒng)，其中所述容器的所述頂部是圓柱形且所述容器的所述底部是圓柱形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液體分離器系統(tǒng)，其中所述界面液位是維持于所述容器的所述底部內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液體分離器系統(tǒng)，其中在所述容器中所述第二液體的滯留時(shí)間不隨來自所述出口的流動(dòng)的減少而增長。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體分離器系統(tǒng)，其中第二界面控制結(jié)構(gòu)經(jīng)構(gòu)造及布置用于感應(yīng)所述容器內(nèi)部介于所述水相區(qū)域與所述氣相區(qū)域間的界面液位，及用于控制來自所述第二出口的所述第一液體的流動(dòng)，及用于回應(yīng)于所述第一液體流動(dòng)的相應(yīng)增加或減少而升高或降低所述第二界面液位。
7.一種用于從含有第一液體及第二液體的混合物中分離硫的硫分離器系統(tǒng)，其包含以下的組合(a)具有頂部、底部、氣相區(qū)域、氧化還原溶液區(qū)域及熔融硫區(qū)域的容器，所述容器在所述頂部具有比所述底部大的直徑；(b)用于將來自硫熔爐的所述氧化還原溶液與熔融硫的混合物引入所述容器中的進(jìn)口，所述熔融硫比所述氧化還原溶液濃稠，其中所述混合物在所述容器內(nèi)垂直液位處形成介于所述氧化還原溶液與所述熔融硫間的界面；(c)靠近所述容器的所述底部的第一出口，其允許來自所述容器的所述熔融硫的流動(dòng)， 所述流動(dòng)決定硫產(chǎn)量；(d)與所述氧化還原溶液區(qū)域流體連通的第二出口，其允許來自所述容器的所述氧化還原溶液的流動(dòng)；(e)與所述氣相區(qū)域連通的壓力控制器，其控制氣體進(jìn)口閥與氣體出口閥，各閥與靠近所述容器的所述頂部的進(jìn)口 /出口流體連通；及(f)界面控制結(jié)構(gòu)，其經(jīng)構(gòu)造及布置用于感應(yīng)在所述容器的所述底部內(nèi)的所述界面的所述垂直液位及用于回應(yīng)于所述硫產(chǎn)量的相應(yīng)增加或減少而升高或降低所述界面液位。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硫分離器系統(tǒng)，其中所述第一進(jìn)口與所述氧化還原溶液區(qū)域連通且第二進(jìn)口與所述熔融硫區(qū)域連通。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硫分離器系統(tǒng)，其中來自所述硫熔爐的混合物是在所述第一進(jìn)口與所述第二進(jìn)口間分流。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硫分離器系統(tǒng)，其中在所述容器中所述熔融硫的滯留時(shí)間不隨所述硫產(chǎn)量的減少而增長。
11.一種從流體分離熔融硫的方法，其包含以下步驟的組合(a)將包含所述流體及所述熔融硫的液態(tài)混合物引入容器中，所述熔融硫沉入所述容器中并與所述流體在垂直高度處形成界面；(b)監(jiān)控所述容器內(nèi)的壓力，并不論所述界面的垂直高度如何，向所述容器中的氣相區(qū)域加入或從其移除氣體以維持所述容器內(nèi)的預(yù)定壓力；(c)從所述容器移除熔融硫；及(d)回應(yīng)于從所述容器移除所述熔融硫的速率而改變所述界面的所述垂直高度。
12.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述流體是液態(tài)氧化還原溶液或再漿化水。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在所述容器中所述熔融硫的滯留時(shí)間回應(yīng)于從所述容器移除所述熔融硫的速率的變化而保持相對恒定。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用以分離流體混合物的液體分離器系統(tǒng)，其具有氣相區(qū)域、水相區(qū)域及較濃稠液體區(qū)域。所述分離器可用于從液態(tài)氧化還原溶液或再漿化水中分離熔融硫。所述系統(tǒng)包括具有頂部及底部的容器。所述容器在所述頂部具有比所述底部大的直徑。所述系統(tǒng)還包括進(jìn)口，其用于將氧化還原溶液或再漿化水及比氧化還原溶液或再漿化水濃稠的熔融硫引入所述容器。在靠近所述容器的所述底部的出口允許來自所述容器的所述熔融硫的流動(dòng)。界面控制結(jié)構(gòu)感應(yīng)介于所述氧化還原溶液或再漿化水與所述熔融硫間的界面液位，且所述界面控制結(jié)構(gòu)控制來自所述出口的熔融硫的流動(dòng)。所述界面控制結(jié)構(gòu)經(jīng)調(diào)節(jié)以最佳地改變所述容器內(nèi)的所述界面液位的垂直高度，以使所述熔融硫在所述容器中的滯留時(shí)間不隨硫生產(chǎn)產(chǎn)量的減少而減少，且使所述熔融硫與所述氧化還原溶液的界面面積隨硫產(chǎn)量的減少而降低。壓力控制器監(jiān)控所述容器內(nèi)的壓力并向所述容器中的氣相區(qū)域加入或從其移除氣體，以維持預(yù)定的壓力，而不論所述界面的垂直高度如何。
文檔編號(hào)C01B17/02GK102482085SQ201080039278
公開日2012年5月30日 申請日期2010年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月14日
發(fā)明者加里·J·納格爾, 安東尼·A·巴尼特, 邁倫·賴歇爾 申請人:摩瑞奇曼公司