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高純硅烷氣體連續(xù)制備裝置的制作方法

文檔序號:3465017閱讀:398來源:國知局
專利名稱:高純硅烷氣體連續(xù)制備裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
硅烷,又稱單硅烷、硅甲烷、四氫化硅;英文名稱為Silane、Mono silane、Silicon tetrahydride、Silicon hydride。硅烷是電子工業(yè)領(lǐng)域最重要的氣體材料之一,是高純半 導體芯片、多晶硅、硅外延膜、氮化硅膜等的主要原料,廣泛應用于多晶硅、太陽能電池、液 晶顯示、光導纖維、有色玻璃制造等行業(yè)。作為含硅薄膜和涂層的應用已從傳統(tǒng)的微電子產(chǎn) 業(yè)擴展到鋼鐵、機械、化工和光學等各個領(lǐng)域。例如含硅涂層可使普通鋼的高溫耐氧化能力 提高上萬倍,也可使其它金屬的高溫化學穩(wěn)定性大大改善;使內(nèi)燃機葉片的耐蝕性明顯增 強;使各種材料和零件之間的粘結(jié)強度大幅度提高;使汽車發(fā)動機零件的壽命延長;也可 改變玻璃的反射和透射性能,從而得到顯著的節(jié)能和裝飾效果;制造高性能陶瓷材料等。
背景技術(shù)
硅烷目前最熱點的應用領(lǐng)域是薄膜太陽能電池。硅烷加熱到約400°C,開始分解成 非晶態(tài)硅和氫,在600°C以上即以晶態(tài)硅的形式分解出來。硅烷的這一特性可用于制造非晶 硅薄膜太陽能電池,其特點是原材料豐富、無毒、無污染,能耗低、質(zhì)量輕、成本低,代表了太 陽能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的趨勢。隨著薄膜太陽能電池行業(yè)的迅速發(fā)展,硅烷用量在以每年50%的速 度增長,近期全球年需求量已達4000噸以上,呈現(xiàn)出供不應求的局面。目前硅烷的制備通常有以下幾種方法
(1)硅化鎂法又稱小松法,A — F法。把硅和鎂的混合粉末在約500°C的氫氣或真空中 反應,把生成的硅化鎂合金粉末和氯化銨(或溴化銨)在低溫液氨中反應,可得到硅烷。將其 在用液氮冷卻的蒸餾裝置中精制后可得到純硅烷。國內(nèi)小規(guī)模生產(chǎn)硅烷基本使用該方法。 另外,用鹽酸處理硅鎂合金也能得到硅烷,但由于生成的硅烷與水反應,收率較低。(2)三氯氫硅歧化反應法(UCC法)把硅粉末、四氯化硅和氫在加熱到500°C以上 的流化床爐中反應,得到三氯氫硅。蒸餾分離三氯硅烷,在催化劑存在下通過歧化反應得到 二氯二氫硅烷,再在催化劑的作用下進一步得到一氯三氫硅烷,最后轉(zhuǎn)化為四氯化硅和硅 烷。所得的硅烷用低溫精餾裝置提純。該方法目前國外已經(jīng)實現(xiàn)工業(yè)化。
+ 3SiX4
X :C1, Br, I,通常是 Cl。(3)以氫化鋁鋰、硼氫化鋰等作為還原劑,在乙醚或四氫呋喃溶劑中還原四氯化硅 或三氯硅烷。由于該方法原料成本高,反應過于激烈,所以只適合實驗室合成硅烷。四氟化 硅與四氫鋁鈉反應制備硅烷也有報道。(4)烷氧基硅烷歧化法。該方法是由日本、俄羅斯等國報道的新的硅烷合成方法。 三甲氧基硅烷(或三乙氧基硅烷)在催化劑存在下發(fā)生歧化反應,生成硅烷和四甲氧基硅烷(四乙氧基硅烷)。該方法反應條件溫和,機理與UCC法相似,但原料基本沒有腐蝕性。該方 法目前還沒有大規(guī)模生產(chǎn)的報道。4SiH (OR)3 -p. SiH4 + 3Si (OR) 4
R :甲基、乙基及其它烷基。通常是甲基和乙基。(5)其它方法。有文獻報道了使用氫化鋰(LiH)與四氯化硅或三氯硅烷反應,制備 硅烷,但反應溫度高達300(TC。電解LiCl-KCl-LiF熔鹽體系制備硅烷也有報道。這些方法 均停留在實驗室階段,沒有實現(xiàn)工業(yè)化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供易于控制和連續(xù)化生產(chǎn),使生產(chǎn)過程更加安全的高純硅烷氣 體連續(xù)制備裝置。本發(fā)明包括兩個原料儲罐、一個反應器、兩級分餾裝置,所述兩個原料儲罐分別通 過閥門和計量泵連接在反應器的進料口上,反應器的氣體出口通過閥門連接至第一級分餾 裝置,第一級分餾裝置的出氣口通過閥門與第二級分餾裝置連接,第二級分餾裝置的出液 口通過閥門連接高純硅烷氣化罐,兩級分餾裝置分別各自連接冷卻循環(huán)系統(tǒng),反應器通過 閥門還連接有吹掃氣體進氣管路,反應器的液體出口通過閥門連接副產(chǎn)物儲罐。由于硅烷是一種極其易燃易爆的氣體,做到安全生產(chǎn)是極為重要的。同時硅烷的 存儲、運輸都存在一定的危險性,盡管制定了嚴格的行業(yè)標準,但仍然是一個危險源。實現(xiàn) 硅烷的按需即時制備,避免存儲和運輸,是硅烷使用單位長期以來所追求的目標,但因為硅 烷的制備和純化技術(shù)長期僅為少數(shù)企業(yè)掌握,絕大多數(shù)硅烷用戶不能自行制備硅烷。本發(fā) 明提供了一種集成化的制備、純化硅烷裝置,產(chǎn)出量可根據(jù)用戶的用氣量進行調(diào)節(jié),隨時給 用戶供應高純硅烷,無需罐裝和運輸、存儲,操作簡便,安全性大為提高,也大幅度節(jié)約了成 本。本發(fā)明具有如下優(yōu)點
1、原料易于合成,也能方便地購買,比生產(chǎn)硅化鎂方便。2、投料是液體投料,易于控制和連續(xù)化生產(chǎn),使生產(chǎn)過程更加安全。3、原料沒有腐蝕性,同時副產(chǎn)物的后處理相對簡單,加入醇即可終止反應,副產(chǎn)物 可作為產(chǎn)品銷售,也可水解,回收醇和硅膠。4、產(chǎn)品收率可達90 100%。


圖1為本發(fā)明的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式1、原料
選用三甲氧基硅烷或三乙氧基硅烷或三氯氫硅。催化劑苯酚鈉、苯酚鉀、甲醇鈉、甲醇鉀、乙醇鈉、乙醇鉀、三甲氧基硅鈉、四丁基 醋酸銨、3A分子篩、活性氧化鋁、沸石或季胺型陰離子交換樹脂。濃度為< 50克/升,優(yōu)選 為0.3 20克/升,最好為0.5 10克/升。
溶劑N-甲基吡咯烷酮、DMS0、乙腈、DMF、甲苯或六甲基二硅氧烷。2、反應方程式如下
4SiHxA (4 — x) .....................ρ XSiH4 + (4-χ) SiA4
其中,A為鹵素Cl,Br,I,或者是烷氧基,特別是甲氧基、乙氧基。X=I 或 2 或 3。3、設(shè)備
制備高純硅烷的裝置分為三個單元氣體發(fā)生、低溫精餾、深低溫液化。主要由兩個原料儲罐、一個反應器和兩級分餾裝置組成,兩個原料儲罐分別通過 閥門和計量泵連接在反應器的進料口上,反應器的氣體出口通過閥門連接至第一級分餾裝 置,第一級分餾裝置的出氣口通過閥門與第二級分餾裝置連接,第二級分餾裝置的出液口 通過閥門連接高純硅烷氣化罐,兩級分餾裝置分別各自連接冷卻循環(huán)系統(tǒng),反應器通過閥 門還連接有吹掃氣體進氣管路,反應器的液體出口通過閥門連接副產(chǎn)物儲罐。圖中,TIOl 04為溫度測量;POl P03為計量泵;PIOl為壓力測量;VOl V14 為閥門;COl C05為物料容器。氣體發(fā)生利用反應器ROl產(chǎn)生硅烷粗品,COl為原料儲罐,C02為催化劑和溶劑原 料儲罐,vol, V02為對應的閥門,POl和P02為對應的計量泵,V03為吹掃氣體入口閥,V04 為硅烷氣體出口閥,V05為副產(chǎn)物液體出口閥,C03為副產(chǎn)物儲罐。圍繞反應器R01,使用計 量泵投料出料,通過變頻器控制投料量;對溫度、壓力進行實時監(jiān)控,當反應器內(nèi)壓力升高 到一定限額或升高速度快于設(shè)定值時,將自動調(diào)節(jié)投料量,甚至停止投料。產(chǎn)氣量取決于投 料量(投料速度)和反應器大小。對于一定尺寸的反應器而言,產(chǎn)氣量可在一定范圍內(nèi)通過 調(diào)節(jié)投料速度進行調(diào)節(jié)。低溫精餾在第一級分餾裝置EOl中,采用低溫冷媒,使裝有不銹鋼填料的第一級 分餾裝置EOl溫度控制在-90 -100°C,不可低于硅烷的沸點。粗品硅烷氣體經(jīng)過第一級 分餾裝置EOl時,沸點高于-100°C的氣體得到冷凝,經(jīng)V06進入雜質(zhì)氣體儲罐C04,硅烷和 更低沸點氣體經(jīng)柱頂進入下一單元。VlO和Vll為低溫冷媒的進出閥門。深低溫液化在第二級分餾裝置E02中,溫度控制在-110 _130°C,切不可低于 硅烷的凝固點。從設(shè)備成本與能耗角度考慮,一般采用液氮作為冷源,與冷媒進行熱交換, V12和V13分別是深低溫冷媒的進出閥門。冷媒溫度在一定范圍內(nèi)可調(diào)。此時硅烷氣體被 冷凝,經(jīng)V08進入高純硅烷氣化罐C05,其它不凝氣體經(jīng)V09被抽走排空,或者被收集后循環(huán) 使用。冷凝后的液態(tài)硅烷在C05氣化,供直接使用或罐裝。V14為高純硅烷供氣閥門。由于硅烷的安全特性,整個制備裝置都采用計算機集中控制,溫度、壓力等參數(shù)可 進行遠程監(jiān)控,泵、閥均為計算機自動控制,無需人工操作,最大限度地保證了生產(chǎn)過程的 安全性。設(shè)備與管道、閥門均由耐腐蝕、耐低溫材料制成,ROl可以帶攪拌裝置,也可不帶攪 拌裝置。4、操作過程
(1)準備工作使用真空抽去系統(tǒng)內(nèi)氣體,注意抽出的氣體排空前經(jīng)過一個水液封,以 免殘余的硅烷直接排入大氣弓I起爆燃。然后用高純惰性氣體或氫氣進行置換和吹掃,至少 置換三次。同時,冷阱溫度要達到預設(shè)的工作溫度。(2)通過VOl和V02用計量泵POl和P02向反應器ROl內(nèi)打入反應原料(如三甲氧基硅烷)和事先加入催化劑的溶劑,反應器達到預設(shè)的反應溫度。此時反應開始。當ROl 內(nèi)部壓力達到預設(shè)值(如0. 3Mpa)時,開啟閥門V04使氣體進入低溫精餾柱。在停止投料, 基本不再產(chǎn)生氣體后,可以將反應器內(nèi)的副產(chǎn)物經(jīng)V05放入C03。進入C03的副產(chǎn)物中會有 少量未消耗的反應原料,仍可能繼續(xù)反應,產(chǎn)生硅烷氣體,因此需要對其進行淬滅,可以加 醇終止反應。C03所產(chǎn)生的氣體必須安全排放。(3)產(chǎn)生的硅烷氣體經(jīng)過-100°C的裝有不銹鋼填料的第一級分餾裝置E01,沸點 高于此溫度的雜質(zhì)氣體冷凝成液體進入容器C04 ;沸點低于此溫度的硅烷氣體和吹掃氣體 從柱頂進入深低溫(_130°C)第二級分餾裝置E02。如果對硅烷的純度要求低于太陽能級, 或?qū)Υ祾邭怏w的含量沒有限制要求,此時的硅烷氣體可以不經(jīng)第二級分餾裝置E02直接使 用,接入用戶的生產(chǎn)線或罐裝。(4)硅烷與其它低沸點氣體進入第二級分餾裝置E02,此時硅烷氣體被冷凝,其它 氣體被抽走排空,注意排空時的安全,也可以將吹掃氣體收集后循環(huán)使用。(5)冷凝的硅烷液體進入高純硅烷氣化罐C05,立即氣化,成為最終的高純硅烷,可 以直接使用或罐裝。實施例1
向5升不銹鋼原料儲罐COl內(nèi)加入三甲氧基硅烷M40g (20mol),加熱到40士5°C,并 保持該溫度,稱此為溶液A。向5升不銹鋼原料儲罐C02內(nèi)加入20克甲醇鈉和2升N-甲基 吡咯烷酮攪拌溶解配制成10克/升的催化劑溶液,加熱到40士5°C,并保持該溫度,稱此為 溶液B。帶不銹鋼攪拌的5升不銹鋼反應器ROl為主反應器,整個系統(tǒng)和操作過程均在 計算機控制下自動完成。首先開啟氮氣置換程序,通過閥門V03將整個系統(tǒng)用高純氮氣 (^ 5N)充分置換,然后再用高純氫氣(圣5N)充分置換。其次再開啟加熱程序,使反應器 ROl加熱到50士5°C,維持5分鐘后開啟加料程序,P01、P02泵被同時啟動并開始加料,溶液 A以1升/小時、溶液B以1.35升/小時的速度同時勻速加入ROl反應器內(nèi),ROl內(nèi)壓力迅 速上升,產(chǎn)生硅烷氣體,保持反應溫度為0 100°C。壓力達到0. 3MPa時,打開閥門V04,進 入低溫精餾程序,打開V07,V08,硅烷被冷凝為液體進入高純硅烷氣化罐C05,氫氣等雜質(zhì) 排放。硅烷進入高純硅烷氣化罐C05的同時啟動罐裝程序,硅烷隨即氣化罐入鋼瓶。產(chǎn)生 硅烷氣體158. 3g,收率98.9%。經(jīng)檢測,硅烷各項指標達到《電子工業(yè)用氣體硅烷國家標 準GB/T15909-1995》的要求。實施例2
各項參數(shù)與流程同例1,溶液A改為三乙氧基硅烷3280g (20mol),催化劑為20g甲醇 鉀和2升DMF配制成的催化劑溶液。在2小時內(nèi)得到硅烷氣體155. 5g,收率97. 2%,經(jīng)檢 測,硅烷各項指標達到《電子工業(yè)用氣體硅烷國家標準GB/T15909-1995》的要求。實施例3
各項參數(shù)與流程同例1,溶液A仍為三甲氧基硅烷M40g (20mol),催化劑為20g甲醇 鈉,無溶劑。在2小時內(nèi)得到硅烷氣體156. 2g,收率97. 6%,經(jīng)檢測,硅烷各項指標達到《電 子工業(yè)用氣體硅烷國家標準GB/T15909-1995》的要求。實施例4
各項參數(shù)與流程同例1,溶液A改為三氯氫硅2710g (20mol),在2小時內(nèi)得到硅烷氣體155. Og,收率96. 9%,經(jīng)檢測,硅烷各項指標達到《電子工業(yè)用氣體硅烷國家標準GB/ T15909-1995))的要求。
權(quán)利要求
1.高純硅烷氣體連續(xù)制備裝置,其特征在于包括兩個原料儲罐、一個反應器、兩級分餾 裝置,所述兩個原料儲罐分別通過閥門和計量泵連接在反應器的進料口上,反應器的氣體 出口通過閥門連接至第一級分餾裝置,第一級分餾裝置的出氣口通過閥門與第二級分餾裝 置連接,第二級分餾裝置的出液口通過閥門連接高純硅烷氣化罐,兩級分餾裝置分別各自 連接冷卻循環(huán)系統(tǒng),反應器通過閥門還連接有吹掃氣體進氣管路,反應器的液體出口通過 閥門連接副產(chǎn)物儲罐。
全文摘要
高純硅烷氣體連續(xù)制備裝置,涉及化工原料的制備方法和裝置技術(shù)領(lǐng)域。兩個原料儲罐分別通過閥門和計量泵連接在反應器的進料口上,反應器的氣體出口通過閥門連接至第一級分餾裝置,第一級分餾裝置的出氣口通過閥門與第二級分餾裝置連接,第二級分餾裝置的出液口通過閥門連接高純硅烷氣化罐,兩級分餾裝置分別各自連接冷卻循環(huán)系統(tǒng),反應器通過閥門還連接有吹掃氣體進氣管路,反應器的液體出口通過閥門連接副產(chǎn)物儲罐。本發(fā)明是一種集成化的制備、純化硅烷裝置,產(chǎn)出量可根據(jù)用戶的用氣量進行調(diào)節(jié),隨時給用戶供應高純硅烷,無需罐裝和運輸、存儲,操作簡便,安全性大為提高,也大幅度節(jié)約了成本。
文檔編號C01B33/107GK102092720SQ20111000646
公開日2011年6月15日 申請日期2009年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月13日
發(fā)明者張眾笑, 張揚, 李明成, 許向陽 申請人:張眾笑, 張揚, 李明成, 許向陽
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