專(zhuān)利名稱(chēng)：一種高含量氮化硅粉末的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化硅粉末的生產(chǎn)方法，尤其涉及一種由硅粉生產(chǎn)含量較高Si3N4 的新方法，屬無(wú)機(jī)化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
氮化硅(Si3N4)是一種重要的結(jié)構(gòu)材料，素有陶瓷材料中的“全能冠軍”之稱(chēng)。它是一種超硬物質(zhì)，既是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)材料，又是新型的功能材料。本身具有潤(rùn)滑性，并且耐磨損，除氫氟酸外，它不與其它無(wú)機(jī)酸反應(yīng)，抗腐蝕能力強(qiáng)，高溫時(shí)抗氧化，而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000°c以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會(huì)碎裂。具體到物理性能方面，氮化硅材料具有硬度高、耐磨損、彈性模量大、強(qiáng)度高、耐高溫、熱膨脹系數(shù)小、導(dǎo)熱系數(shù)大、抗熱震性好、密度低、表面摩擦系數(shù)小、電絕緣性能好等特點(diǎn)。氮化硅陶瓷適于作為各種特殊用途的結(jié)構(gòu)材料，應(yīng)用領(lǐng)域涉及到機(jī)械、化工、電子、軍工等行業(yè)，在汽車(chē)、機(jī)械、 冶金和化學(xué)工程等領(lǐng)域，已具有極為廣闊的應(yīng)用前景，并逐漸滲透到空間技術(shù)、海洋開(kāi)發(fā)、 電子技術(shù)、醫(yī)療衛(wèi)生、無(wú)損檢測(cè)、自動(dòng)控制、廣播電視等多個(gè)尖端科學(xué)領(lǐng)域。21世紀(jì)氮化硅陶瓷將同金屬、有機(jī)高分子材料繼續(xù)為人類(lèi)社會(huì)的進(jìn)步、科技的發(fā)展發(fā)揮更大的作用。納米氮化硅具有兩種晶型亞穩(wěn)的低溫相六方α-Si3N4和穩(wěn)定的高溫相六方 β -Si3N4。氮化硅粉體的粒徑、相含量以及雜質(zhì)含量決定了其質(zhì)量的好壞，并直接影響陶瓷制品的品質(zhì)，如果氮化硅粉體的顆粒很細(xì)以至于達(dá)到納米級(jí)或亞微米級(jí)，或其中添加的強(qiáng)化項(xiàng)是納米級(jí)或亞微米級(jí)的，那么陶瓷的韌性將會(huì)大幅度增加，從而適應(yīng)各種場(chǎng)合的需要。 制備高性能陶瓷制品對(duì)氮化硅粉體的要求很高。而氮化硅粉體質(zhì)量取決于其制備方法，目前常用的制備方法有硅粉直接氮化法、碳熱還原法、商化硅氨解法、制備前驅(qū)體法、化學(xué)復(fù)分解法、原位合成法、硅合金氨解法等，普遍存在如下不足由大顆粒氮化硅、多相粉體燒結(jié)制備，脆性大、均勻性差、可靠性低、韌性和強(qiáng)度差，使其應(yīng)用受到較大的限制。而硅粉直接氮化法制備氮化硅粉體要求氮?dú)鈮毫Ρ仨氉銐蚋?，以?shí)現(xiàn)Si和N2的充分接觸。一般燃燒合成Si3N4的氮?dú)鈮毫Φ拖奘?MPa，但有時(shí)高達(dá)IOOMPa以上。采用高壓合成工藝不僅因設(shè)備投資高而且增加了生產(chǎn)成本，同時(shí)也給生產(chǎn)帶來(lái)了安全隱患。從國(guó)內(nèi)外氮化硅粉體的指標(biāo)測(cè)試和試燒結(jié)果看來(lái)，國(guó)內(nèi)最具代表性企業(yè)生產(chǎn)的Si3N4平均顆粒在3微米左右，金屬雜質(zhì)含量較高，難以達(dá)到合格產(chǎn)品要求，而進(jìn)口的粉體為0.7微米以下。因此，為滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，工業(yè)化生產(chǎn)超微、高質(zhì)量的氮化硅粉末是國(guó)內(nèi)氮化硅行業(yè)發(fā)展中亟待解決的課題，刻不容緩。關(guān)鍵在于對(duì)其合成工藝進(jìn)行改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)狀況，本發(fā)明目的在于對(duì)現(xiàn)有工藝進(jìn)行改進(jìn)，提供一種含量高、雜質(zhì)少、超微細(xì)的氮化硅粉末的合成方法。本發(fā)明采用硅粉直接氮化法，即純凈的硅粉在氮?dú)鈿夥罩懈邷叵峦ㄟ^(guò)氮向硅粉內(nèi)部擴(kuò)散生成氮化硅。但在氮化反應(yīng)的同時(shí)還伴隨著硅粉的燒結(jié)過(guò)程，阻礙了硅粉的進(jìn)一步氮化，本發(fā)明對(duì)其合成工藝進(jìn)行了改進(jìn)，在硅粉素坯中引入氮化硅做稀釋劑，提高硅粉的氮化效率，使產(chǎn)物中殘留的硅量降低，并對(duì)影響氮化硅轉(zhuǎn)化率的氮化溫度、氮化速度、及硅粉粒度等工藝因素進(jìn)行了探討，以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的。技術(shù)方案如下(1)首先通過(guò)機(jī)械活化方式預(yù)處理硅粉，使原料硅粉細(xì)化和非晶化，從而提高固相反應(yīng)劑活性，強(qiáng)化Si-N2之間的氣-固相界面反應(yīng)，提高低氮?dú)鉁囟群偷蛪毫ο耂i-N2放熱燃燒反應(yīng)速度。(2)加入α-Si3N4粉體作為稀釋劑，防止硅粉自燒結(jié)，同時(shí)作為生成物的晶核；將硅粉和稀釋劑混合均勻。(3)氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下干燥硅粉和稀釋劑，常壓下，通入氮?dú)?，置換出爐內(nèi)空氣 ’然后加熱至1450°C 1550°C，緩慢轉(zhuǎn)動(dòng)燃爐，一方面防止熔化的硅粉粘結(jié)壁面以及氮化產(chǎn)物結(jié)塊，另一方面可以將物料分散，加強(qiáng)硅粉與氮?dú)獾慕佑|，使硅粉與氮?dú)獬浞址磻?yīng)。(4)冷卻至室溫后，放入嵌有聚四氟乙烯內(nèi)襯的球磨罐或尼龍罐中研磨合成的 Si3N4粉體加入Si3N4重量90%的水、Si3N4重量0.2%的聚甲基丙烯酸及Si3N4重量3倍的氮化硅球磨介，研磨合成的Si3N4粉體。研磨5-1 后，粉料的粒度范圍在0. 696ym-0. 515ym0 將漿料過(guò)篩濾除磨介，烘干后磨碎漿塊再過(guò)篩。在實(shí)際生產(chǎn)中可通過(guò)微電腦控制采用梯度程序升溫加熱方式，分段保溫、慢速升溫、提高硅粉氮化的效果。原理及優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明首先采用機(jī)械活化硅粒，減小粉料粒度，細(xì)化晶粒，增加晶粒內(nèi)部的微觀應(yīng)變和缺陷，增大Si-N2反應(yīng)界面，起到強(qiáng)化Si-N2反應(yīng)的作用，從而提高反應(yīng)劑活性，可使反應(yīng)溫度大幅度降低。該工藝過(guò)程不需要高溫高壓環(huán)境，操作簡(jiǎn)單，原料易得，產(chǎn)品純度高、低成本、高效、環(huán)保安全、節(jié)能，是一條經(jīng)濟(jì)、高效、且可進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)的工藝線路。本發(fā)明制得了高含量微米Si3N4,同時(shí)含有較高的α -Si3N4, β -Si3N4晶型，技術(shù)指標(biāo)已達(dá)到或超過(guò)Q/GYHT001-2010，其極小的粒徑、很大的比表面積和較高的化學(xué)性能，可以顯著提高氮化硅的燒結(jié)致密化程度，降低燒結(jié)溫度，節(jié)約能源。由于陶瓷粉料的顆粒大小決定了陶瓷材料的微觀結(jié)構(gòu)和宏觀性能，如果氮化硅粉料的顆粒堆積均勻，燒制收縮一致且晶粒均勻長(zhǎng)大，顆粒越小時(shí)所產(chǎn)生的微觀缺陷越小，所制備的材料的強(qiáng)度就相應(yīng)越高，并且因含有β-Si3N4晶型能有效地克服脆性，提高柔韌性和可加工性能。將本發(fā)明制得的高含量微米Si3N4應(yīng)用于陶瓷材料中，顯微結(jié)構(gòu)表明，晶粒、晶界及它們之間的結(jié)合尺寸都處在納米水平(Inm lOOnm)，并使陶瓷材料的強(qiáng)度、韌性和超塑性大幅度提高，克服了工程陶瓷的許多不足，為替代工程陶瓷的應(yīng)用開(kāi)拓了新領(lǐng)域。


圖1本發(fā)明工藝路線圖；圖21550°C下氮化20min時(shí)稀釋劑添加比例對(duì)氮化過(guò)程的影響；圖3經(jīng)不同機(jī)械活化時(shí)間處理后的氮化硅XRD譜；圖4稀釋劑添加10%而氮化時(shí)間為20min時(shí)氮化溫度對(duì)氮化過(guò)程的影響；圖51550°C下稀釋劑添加10%時(shí)氮化時(shí)間對(duì)氮化過(guò)程的影響；
圖6本發(fā)明實(shí)驗(yàn)條件下制得氮化硅的XRD譜；圖7本發(fā)明實(shí)驗(yàn)條件下制得氮化硅粒度分布圖。晶型用Bruker D8 FOCUS型X-射線衍射分析。
具體實(shí)施例方式為對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更好的說(shuō)明，結(jié)合試驗(yàn)過(guò)程舉實(shí)施例如下1、主要原材料硅粉，工業(yè)級(jí)，純度彡99. 7%;a -Si3N4，微米非晶Si3N4和納米非晶 Si3N4 ；高純氮?dú)猓兌?9. 99%。均為市售品。2、實(shí)驗(yàn)方法首先研磨硅粉，具體方法研磨時(shí)加入硅粉重量90%的水、硅粉重量0. 2%的聚甲基丙烯酸及硅粉重量3倍的氮化硅球磨介，配好磨料。放入嵌有聚四氟乙烯內(nèi)襯的球磨罐或尼龍罐中，在立式攪拌球磨機(jī)和兩個(gè)大小行星球磨機(jī)中分別進(jìn)行研磨。研磨時(shí)間分別為 5、10、15、20、25、…、50、100h，分別取樣進(jìn)行粒度檢測(cè)分析。研磨達(dá)到所需要的粒度后，停止研磨。將漿料過(guò)篩濾除磨介，烘干后磨碎漿塊再過(guò)篩。而后將活化后的硅粉和α -Si3N4或微米非晶Si3N4或納米非晶Si3N4稀釋劑裝入燃燒爐爐腔內(nèi)。在開(kāi)始加熱前，以2. OL/min的氮?dú)饬髁客ㄈ肴紵隣t爐腔，持續(xù)30min，置換爐腔內(nèi)空氣。然后以1. OL/min氮?dú)饬髁客ㄈ耄徛D(zhuǎn)動(dòng)燃燒爐，一方面可以防止熔化的硅粉粘結(jié)壁面以及氮化產(chǎn)物結(jié)塊，另一方面可以將物料分散，加強(qiáng)硅粉與氮?dú)獾慕佑|。實(shí)驗(yàn)完成后，待樣品管冷卻至室溫后，倒出并收集產(chǎn)品，加入Si3N4重量90 %的水、Si3N4重量0. 2 %的聚甲基丙烯酸及Si3N4重量3倍的氮化硅球磨介，研磨合成的Si3N4粉體，對(duì)樣品進(jìn)行分析。3、結(jié)果與討論3. 1稀釋劑種類(lèi)對(duì)氮化過(guò)程的影響硅粉在很高的溫度下直接氮化合成Si3N4時(shí)，硅粉出現(xiàn)熔化，容易結(jié)成球團(tuán)，自燒結(jié)現(xiàn)象明顯，導(dǎo)致粉末之間的氣孔阻塞封閉，阻礙了硅粉的進(jìn)一步氮化。因此，在硅粉中添加適量Si3N4作為稀釋劑，是避免出現(xiàn)上述現(xiàn)象的有效途徑。當(dāng)三種稀釋劑的添加比例分別為50%，氮化溫度為1550°C，氮化時(shí)間為20min，生產(chǎn)的氮化硅如表1所示。表1添加不同種類(lèi)稀釋劑時(shí)氮化硅組成
稀釋劑種類(lèi)各成分產(chǎn)率(％)Si的轉(zhuǎn)化率α -Si3N4β -Si3N4游離Si(%)α -Si3N469.929.90. 299.4微米非晶Si具72.2188.977.6納米非晶Si具64. 192. 892.6 可以看出，在相同條件下，添加α-Si3N4作為稀釋劑，硅的轉(zhuǎn)化率最高，達(dá)99.4%， 而添加微米非晶Si3N4作為稀釋劑，硅的轉(zhuǎn)化率較低，只有77. 6%;而添加納米非晶Si3N4作為稀釋劑時(shí)，硅的轉(zhuǎn)化率較高，但氮化產(chǎn)物中P-Si3N4含量較低。因此，使用Ci-Si3N4作為稀釋劑，更有利于促進(jìn)硅向Si3N4的轉(zhuǎn)化，且氮化產(chǎn)物中β相含量較高，因?yàn)镃i-Si3N4在高溫下將向β相轉(zhuǎn)變，在高溫下，非晶體先轉(zhuǎn)相為α相，然后才轉(zhuǎn)相為β相。就促進(jìn)硅的轉(zhuǎn)化率而言，α -Si3N4的效果最佳，其次為納米非晶Si3N4，微米非晶Si3N4的效果較差。因此， 為了獲得較高的硅的轉(zhuǎn)化率，同時(shí)含有較高的β相含量，α-Si3N4是較佳的選擇。故后續(xù)實(shí)驗(yàn)中選用α-Si3N4作為稀釋劑。3.2稀釋劑添加比例對(duì)氮化過(guò)程的影響當(dāng)?shù)瘻囟葹?550°C、氮化時(shí)間為20min時(shí)，稀釋劑α -Si3N4的添加比例對(duì)氮化過(guò)程的影響如附圖2所示。當(dāng)硅粉中未添加Si3N4時(shí)，產(chǎn)物中殘留大量的游離硅，并出現(xiàn)大量直徑較粗的金屬球團(tuán)，這是由于在高溫下，硅粉熔化，結(jié)成球團(tuán)，氮化反應(yīng)只在球團(tuán)表面進(jìn)行。當(dāng)在硅粉中添加適量α -Si3N4作為稀釋劑時(shí)，硅粉表面的硅熔化成液相后，由于稀釋劑分散在硅粉周?chē)?阻止了液態(tài)硅結(jié)成球團(tuán)，促進(jìn)了氮化反應(yīng)的進(jìn)行，氮化產(chǎn)物呈散粒狀。由附圖2可知，隨著實(shí)驗(yàn)物料中稀釋劑添加比例的增加，硅的轉(zhuǎn)化率明顯增加，但當(dāng)稀釋劑添加比例超過(guò)10% 時(shí)，硅的轉(zhuǎn)化率變化不明顯。同時(shí)，隨著稀釋劑添加比例的增加，氮化產(chǎn)物中P-Si3N4的含量卻在降低，其原因是稀釋劑添加比例越多，熔化的硅液更容易分散在稀釋劑表面，更容易蒸發(fā)，導(dǎo)致液相減少，因而β相減少。此外，當(dāng)稀釋劑添加比例低于10%時(shí)，氮化產(chǎn)物呈塊狀，而當(dāng)添加比例超過(guò)10%時(shí)，氮化產(chǎn)物呈散粒狀。因此，綜合考慮后，添加比例為10%時(shí)， 氮化效果最佳。3. 3硅粉機(jī)械活化的影響將粒度為44 μ m,純度大于98% (質(zhì)量分?jǐn)?shù))的硅粉與平均粒度為5 μ m的稀釋劑 α -Si3N4粉體混合，將混合好的粉體放入高能振動(dòng)球磨機(jī)中進(jìn)行混合及活化處理，兩者質(zhì)量比為10 1，振動(dòng)頻率為23. 2Hz。用X射線衍射(x-ray diffraction, XRD)儀(Cu Ka)分別對(duì)研磨8h，12h的預(yù)處理粉體的組成進(jìn)行分析。由附圖3可以看出隨著研磨時(shí)間的延長(zhǎng)，Si的衍射峰強(qiáng)度明顯下降，一般認(rèn)為機(jī)械研磨可導(dǎo)致硅粉充分細(xì)化；同時(shí)，粉末顆粒內(nèi)部原子排列的長(zhǎng)程有序度下降，粉體的非晶化程度明顯提高。在機(jī)械力的作用下，研磨過(guò)程中起始階段主要是粉體顆粒尺寸的減少和表面積的增大，但是達(dá)到一定程度后，由于小顆粒的聚集而出現(xiàn)平衡，即粉料的尺寸不再隨研磨時(shí)間的延長(zhǎng)而變化，但該平衡并不意味著粉體性質(zhì)的不變，若繼續(xù)施加機(jī)械力，能量便會(huì)以多種形式存儲(chǔ)起來(lái)，引起粉體部分非晶化。這種機(jī)械活化導(dǎo)致反應(yīng)劑中非晶與納米晶共存使反應(yīng)活性提高，有助于硅粉在較低的氮?dú)鉁囟群蛪毫ο轮苯右匀紵铣傻姆绞缴?Si3N4粉體。綜上所述，采用機(jī)械活化他。3. 4氮化溫度對(duì)氮化過(guò)程的影響當(dāng)稀釋劑添加比例為10%、氮化時(shí)間為20min時(shí)，氮化溫度對(duì)氮化過(guò)程的影響如附圖4所示。在1050°C 1550°C溫度范圍內(nèi)，隨著氮化溫度增加，硅的轉(zhuǎn)化率不斷增加，氮化產(chǎn)物中游離硅含量不斷降低，氮化產(chǎn)物中β相含量也明顯增多。當(dāng)?shù)瘻囟葹?350°C、 氮化時(shí)間為IOmin時(shí)，硅的轉(zhuǎn)化率達(dá)98.6%，硅粉基本上已經(jīng)完全氮化，α-Si3N4含量達(dá) 95%以上。當(dāng)?shù)瘻囟雀哂?550°C時(shí)，繼續(xù)升高氮化溫度，硅的轉(zhuǎn)化率基本不變，但β相含量繼續(xù)增加。因此，為得到高含量α-Si3N4，β-Si3N4，選擇氮化溫度為1550°C。3. 5氮化時(shí)間對(duì)氮化過(guò)程的影響當(dāng)稀釋劑添加比例為10%、氮化溫度為1550°C時(shí)，氮化時(shí)間對(duì)氮化過(guò)程的影響如
6附圖5所示。隨著氮化時(shí)間的延長(zhǎng)，氮化產(chǎn)物中游離硅含量逐漸減少，硅的轉(zhuǎn)化率逐漸增加。在1550°C下，氮化20min后，氮化產(chǎn)物中游離硅僅為0. 7%，硅的轉(zhuǎn)化率到達(dá)了 99. 6%. 因此，延長(zhǎng)氮化時(shí)間，可以明顯提高氮化速率，有利于氮化反應(yīng)的進(jìn)行，隨著氮化時(shí)間的延長(zhǎng)，氮化產(chǎn)物中β相含量也逐漸增加，因此，為得到高含量α-Si3N4，β-Si3N4混晶選擇 20min比較合適。3. 6氮化硅的XRD分析對(duì)本發(fā)明所得氮化硅產(chǎn)品進(jìn)行XRD分析，從附圖6的XRD譜可見(jiàn)樣品中含有少量游離Si，定量XRD分析結(jié)果表明產(chǎn)物中含有α-Si3N4，β-Si3N4，總含量大于98%。采用加入稀釋劑的方法既可降低反應(yīng)溫度，又能保證反應(yīng)過(guò)程中的硅粉不致于熔化團(tuán)聚為熔池， 從而保證在較低的隊(duì)壓力下燃燒合成反應(yīng)得以充分進(jìn)行。3. 7球磨粒度變化研磨不同時(shí)間粉料的粒度變化見(jiàn)表2。從表2中可看出，立式球磨機(jī)研磨證時(shí)，粉料的粒度已經(jīng)減小到大約0. 7 μ m(0. 696 μ m)的量級(jí)，而小行星球磨機(jī)與大行星球磨機(jī)分別在15h以后和3 才降致0. 7 μ m的量級(jí)。粉料細(xì)化到0. 5 μ m亞微米級(jí)，立式磨機(jī)需要研磨15h，而小行星磨機(jī)與大行星磨機(jī)分別需要研磨30h和50h左右的時(shí)間。說(shuō)明行星磨的效率比立式球磨機(jī)的效率低得多。隨研磨時(shí)間的增加，粉料的粒度細(xì)到一定程度(d50 = 0.5ym)左右時(shí)，很難再細(xì)化，甚至隨著研磨時(shí)間增加粒度反而增大。這是由于粉料細(xì)到一定程度會(huì)發(fā)生團(tuán)聚現(xiàn)象所致。表2研磨不同時(shí)間粉料的粒度
權(quán)利要求
1.一種氮化硅粉末的生產(chǎn)方法，其特征在于，通過(guò)如下步驟實(shí)現(xiàn)(1)首先通過(guò)機(jī)械活化方式預(yù)處理硅粉研磨時(shí)加入硅粉重量90%的水、硅粉重量 0. 2%的聚甲基丙烯酸及硅粉重量3倍的氮化硅球磨介，配好磨料；(2)加入稀釋劑α-Si3N4粉體，將硅粉和稀釋劑α-Si3N4混合均勻；(3)氮?dú)獗Ｗo(hù)下干燥硅粉和稀釋劑，常壓下，通入氮?dú)?，置換出爐內(nèi)空氣；然后加熱至 1450°C 1550°C，緩慢轉(zhuǎn)動(dòng)燃爐，使硅粉與氮?dú)獬浞址磻?yīng)；(4)冷卻至室溫后，放入嵌有聚四氟乙烯內(nèi)襯的球磨罐或尼龍罐中研磨合成的Si3N4粉體；而后過(guò)篩濾除磨介，烘干后磨碎漿塊再過(guò)篩。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化硅粉末的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟(4)研磨時(shí)加入 Si3N4重量90%的水、Si3N4重量0. 2%的聚甲基丙烯酸及Si3N4重量3倍的氮化硅球磨介， 研磨合成的Si3N4粉體。
3.如權(quán)利要求1或2所述的氮化硅粉末的生產(chǎn)方法，其特征在于，采用立式研磨機(jī)機(jī)械活化硅粉8h ； α -Si3N4粉體的添加量為硅粉重量的10%，將兩者混合均勻，常壓下通入氮?dú)?，氮化反?yīng)溫度為1550°C、氮化時(shí)間為20min，燃燒合成Si3N4粉體，再采用立式研磨機(jī)研磨得到的Si3N4粉體7-10h。
4.如權(quán)利要求1或2所述的氮化硅粉末的生產(chǎn)方法，其特征在于，所用的加熱方式通過(guò)微電腦控制采用梯度程序升溫方式進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種氮化硅粉末的生產(chǎn)方法，尤其涉及一種Si3N4含量較高的生產(chǎn)新方法，屬無(wú)機(jī)化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。該方法首先采用機(jī)械活化對(duì)原料粉體進(jìn)行預(yù)處理，并在硅粉常壓高溫直接氮化時(shí)加入適量α-Si3N4作為稀釋劑。通過(guò)控制稀釋劑的添加比例、氮化時(shí)間和溫度，合成高Si3N4含量的氮化硅粉。該工藝提高了固相反應(yīng)劑活性，強(qiáng)化了Si和N2反應(yīng)。不需要高溫高壓環(huán)境，操作簡(jiǎn)單，原料易得，產(chǎn)品純度高、低成本、高效、環(huán)保安全、節(jié)能，是一條經(jīng)濟(jì)、高效、且可進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)的工藝。
文檔編號(hào)C01B21/068GK102173397SQ20111002597
公開(kāi)日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2011年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月25日
發(fā)明者劉青蘭, 呂品品, 崔航航, 李葦娜, 王會(huì)賢, 車(chē)翰卿, 郭晶晶, 郭留洋, 陳彤, 馬騰飛 申請(qǐng)人:鞏義市宏泰氮化硅材料有限公司