專利名稱：一種多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)及預(yù)升溫方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)及預(yù)升 溫方法。
背景技術(shù)：
目前，多晶硅的生產(chǎn)主要采用改良西門子法。在改良西門子法中，三氯氫硅的氫還 原過(guò)程所發(fā)生的主要反應(yīng)是三氯氫硅被氫氣還原生成硅和氯化氫。該反應(yīng)是在通電高溫條 件下進(jìn)行的，爐內(nèi)硅芯溫度保持在1080°C左右，反應(yīng)生成的多晶硅沉積于與電極連通的硅 芯表面。硅芯的初始直徑約8 10mm，電阻可達(dá)100千歐，在如此高的電阻下，其導(dǎo)熱速率 很低。硅棒的電阻率隨溫度呈指數(shù)變化，開始常溫下電阻達(dá)到100千歐，加熱到600°C以上 其電阻降為幾十歐，直到1080°C時(shí)電阻降到幾歐，隨著硅棒加粗電阻變得更小。如果我們能 夠?qū)⑦€原爐內(nèi)的溫度預(yù)升溫到600 700°C，則硅芯電阻就會(huì)大大降低，其導(dǎo)熱速率則會(huì)隨 之迅速提高。實(shí)際生產(chǎn)中，開車前的多晶硅還原爐通常采用高壓擊穿的方法，利用12KV的高壓 將硅芯擊穿，使其成為導(dǎo)體，在5 10秒的時(shí)間內(nèi)，電阻值迅速降低至幾十歐姆，然后開始 通電加熱使?fàn)t內(nèi)溫度繼續(xù)升高至1080°C左右，然后向爐內(nèi)通入三氯氫硅和氫氣的混合氣發(fā) 生反應(yīng)生成多晶硅。在此預(yù)升溫過(guò)程中，由于高壓擊穿過(guò)程時(shí)間短，電阻變化大，為了防止 電流沖擊，避免倒棒等事故的發(fā)生，必須對(duì)電壓做及時(shí)的調(diào)整，隨電阻的降低，電壓相應(yīng)從 12KV降至450V左右。在短時(shí)間內(nèi)，電壓變化范圍很大，其相應(yīng)的配電設(shè)施復(fù)雜昂貴，同時(shí)上 千伏的電壓耗電量相當(dāng)大，而且有較大的安全隱患。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)及預(yù)升溫方法，目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述 缺點(diǎn)，提供一種利用生產(chǎn)中多晶硅還原爐產(chǎn)生的高溫尾氣，對(duì)待開車的多晶硅還原爐進(jìn)行 預(yù)升溫的操作系統(tǒng)和操作方法，從而避免使用高壓擊穿工序，很好的解決了多晶硅還原爐 預(yù)升溫過(guò)程中配電設(shè)施復(fù)雜昂貴、電耗巨大、存在安全隱患等問(wèn)題。本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明的多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)，將一臺(tái)多晶硅還原爐的尾氣出口管線通過(guò)控 制閥門和氣體流量計(jì)與另一臺(tái)多晶硅還原爐的原料氣進(jìn)口管線連接起來(lái)。該預(yù)升溫系統(tǒng)中 至少包括兩臺(tái)多晶硅還原爐。本發(fā)明的多晶硅還原爐預(yù)升溫方法，通過(guò)調(diào)節(jié)生產(chǎn)中多晶硅還原爐的進(jìn)氣流量和 循環(huán)冷卻水流量來(lái)控制其出口尾氣溫度達(dá)到700 800°C，并將高溫尾氣通入另一臺(tái)待開 車的多晶硅還原爐來(lái)加熱爐內(nèi)的硅芯使其升溫至600 700°C ；然后通電加熱使硅芯溫度 繼續(xù)上升至1080°C，同時(shí)停止高溫尾氣的通入，而將三氯氫硅和氫氣的混合氣即原料氣體 通入爐內(nèi)，發(fā)生反應(yīng)生成多晶硅。將生產(chǎn)中的多晶硅還原爐的尾氣出口管線與待開車的多晶硅還原爐的原料氣進(jìn)口管線相連接，使多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的高溫尾氣通入待開車的還原爐中，來(lái)加熱爐內(nèi) 的硅芯，循環(huán)后從出氣管線排出。開車前還原爐內(nèi)的硅芯溫度需經(jīng)預(yù)升溫至600 700°C， 使其電阻由100千歐降至幾十歐姆，硅芯電阻大大降低，其導(dǎo)熱速率則會(huì)迅速提高。而一 般情況下，多晶硅還原爐的出口尾氣溫度約為550 650°C左右，為了保證開車前多晶硅 還原爐內(nèi)的硅芯被加熱至600 700°C，需使得生產(chǎn)中還原爐的出口尾氣溫度達(dá)到700 800°C，這可以通過(guò)調(diào)節(jié)生產(chǎn)過(guò)程中還原爐的進(jìn)氣流量及循環(huán)冷卻水流量等，來(lái)控制出口尾 氣的溫度達(dá)到要求。隨著高溫尾氣不斷通入待開車的多晶硅還原爐，爐內(nèi)的硅芯溫度不斷 升高，當(dāng)爐內(nèi)溫度升至600 700°C后，由于硅芯電阻值已由100千歐降低至幾十歐姆，其導(dǎo) 熱速率已大大提高，此時(shí)接通與硅芯相連的電極電源開始通電加熱使硅芯溫度繼續(xù)上升至 反應(yīng)所需溫度1080°C左右，同時(shí)停止出口尾氣的通入，而將三氯氫硅和氫氣的混合氣體即 原料氣體通入還原爐內(nèi)發(fā)生反應(yīng)生成多晶硅。本發(fā)明的特征在于將生產(chǎn)中的多晶硅還原爐的尾氣出口管線與待開車的多晶硅 還原爐的原料氣進(jìn)口管線相連接，利用多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的高溫尾氣來(lái)對(duì)待車前的還 原爐進(jìn)行預(yù)升溫。本發(fā)明的效果和優(yōu)點(diǎn)是(1)避免了多晶硅還原爐啟動(dòng)過(guò)程的高壓擊穿程序，從而節(jié)省了與之相應(yīng)的復(fù)雜 配電設(shè)施的大量投資；(2)大大降低了多晶硅還原爐預(yù)升溫過(guò)程中的電耗；(3)避免了使用多晶硅還原爐啟動(dòng)過(guò)程的高壓擊穿程序，提高了生產(chǎn)操作的安全 性；(4)經(jīng)過(guò)傳熱過(guò)程，降低了出口尾氣的溫度，有助于尾氣的回收操作。


圖1為本發(fā)明的多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)及預(yù)升溫方法操作示意圖；圖2為本發(fā)明的兩臺(tái)多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)及預(yù)升溫方法操作示意圖；圖3為本發(fā)明的三臺(tái)多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)及預(yù)升溫方法操作示意圖；其中，1-還原爐I，2-還原爐II，3-還原爐III，4-還原爐I的原料氣進(jìn)口管線， 5-還原爐I的尾氣出口管線，6-還原爐II的原料氣進(jìn)口管線，7-還原爐II的尾氣出口管 線，8-還原爐III的原料氣進(jìn)口管線，9-還原爐III的尾氣出口管線，10-還原爐I的進(jìn)氣 流量計(jì)，11-還原爐I的出氣流量計(jì)，12-還原爐II的進(jìn)氣流量計(jì)，13-還原爐II的出氣流 量計(jì)，14-還原爐III的進(jìn)氣流量計(jì)，15-還原爐III的出氣流量計(jì)，16-還原爐I、II的連 接流量計(jì)，17-還原爐II、III的連接流量計(jì)，18-還原爐I的進(jìn)氣閥門，19-還原爐I的出 氣閥門，20-還原爐II的進(jìn)氣閥門，21-還原爐II的出氣閥門，22-還原爐III的進(jìn)氣閥門， 23-還原爐III的出氣閥門，24-還原爐I、II的連接閥門A，25-還原爐II、III的連接閥 門，26-還原爐I、II的連接閥門B，27-還原爐I、II的連接閥門C，28-還原爐I、II的連接 閥門D。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明
如圖1所示，本發(fā)明的一種多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)及預(yù)升溫方法，將生產(chǎn)中的 多晶硅還原爐Il的尾氣出口管線5與待開車的多晶硅還原爐112的原料氣進(jìn)口管線6通 過(guò)還原爐I、II的連接閥門A 24和還原爐I、II的連接流量計(jì)16相連接，將生產(chǎn)中的多晶 硅還原爐Il產(chǎn)生的高溫尾氣導(dǎo)入待開車的還原爐112中，來(lái)加熱爐112內(nèi)的硅芯，循環(huán)后 從還原爐II的尾氣出口管線7及其出氣閥門21排出。開車前還原爐112內(nèi)的硅芯溫度需 經(jīng)預(yù)升溫至600 700°C，使其電阻由100千歐降至幾十歐姆，硅芯電阻大大降低，其導(dǎo)熱 速率則會(huì)迅速提高。一般情況下，生產(chǎn)中還原爐Il的出口尾氣溫度為550 650°C左右， 為了保證還原爐112內(nèi)的硅芯被加熱至600 700°C，需使還原爐Il的出口尾氣溫度達(dá)到 700 800°C，這可以通過(guò)調(diào)節(jié)還原爐I的進(jìn)氣流量計(jì)10控制進(jìn)入還原爐Il的原料氣流量 并調(diào)節(jié)其循環(huán)冷卻水流量等從而控制還原爐Il的出口尾氣溫度以達(dá)到要求。隨著高溫尾 氣不斷通入還原爐112，爐112內(nèi)的硅芯溫度不斷升高，當(dāng)溫度升至600 700°C時(shí)，由于硅 芯電阻值已由100千歐降低至幾十歐姆，其導(dǎo)熱速率亦大大提高，此時(shí)接通與硅芯相連接 的電極電源開始通電加熱使硅芯溫度繼續(xù)上升至反應(yīng)所需溫度1080°C左右，同時(shí)關(guān)閉還原 爐I、II的連結(jié)閥門AM而開啟還原爐I的出氣閥門19、還原爐II的進(jìn)氣閥門20，使得爐 Il的尾氣通過(guò)其出氣閥門19排出，而氫氣和三氯氫硅的混合氣通過(guò)還原爐II的進(jìn)氣閥門 20通入爐112內(nèi)發(fā)生反應(yīng)生成多晶硅。使用本發(fā)明的多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)及預(yù)升溫方 法，可以避免使用高壓擊穿工序，從而節(jié)省了與之相應(yīng)的復(fù)雜配電設(shè)施的大量投資，大大降 低了還原爐預(yù)升溫過(guò)程中的電耗，提高了生產(chǎn)操作的安全性，并且經(jīng)過(guò)傳熱過(guò)程，降低了出 口尾氣的溫度，有助于尾氣的回收操作。實(shí)施例1 如圖2所示，多晶硅還原爐Il的尾氣出口管線5通過(guò)還原爐I、II的連 結(jié)閥門AM、B^和還原爐I、II的連結(jié)流量計(jì)16與多晶硅還原爐112的原料氣進(jìn)口管線6 連接起來(lái)，還原爐Π2的尾氣出口管線7通過(guò)還原爐I、II的連結(jié)閥門C27、D28和還原爐 I、II的連結(jié)流量計(jì)16與還原爐Il的原料氣進(jìn)口管線4連接起來(lái)。當(dāng)兩爐均處于生產(chǎn)中 時(shí)，還原爐I、II的連結(jié)閥門AM、B^、C27、擬8關(guān)閉，還原爐I的進(jìn)氣閥門18、還原爐I的 出氣閥門19、還原爐II的進(jìn)氣閥門20、還原爐II的出氣閥門21開啟，通過(guò)調(diào)節(jié)還原爐I 的進(jìn)氣流量計(jì)10、還原爐I的出氣流量計(jì)11、還原爐II的進(jìn)氣流量計(jì)12、還原爐II的出氣 流量計(jì)13來(lái)控制兩爐的進(jìn)氣流量和出氣流量。當(dāng)爐Il正常生產(chǎn)，并對(duì)爐112進(jìn)行預(yù)升溫 時(shí)，還原爐I的出氣閥門19、還原爐II的進(jìn)氣閥門20、還原爐I、II的連結(jié)閥門C27、擬8關(guān) 閉，還原爐I的進(jìn)氣閥門18、還原爐I、II的連結(jié)閥門A24、B26、還原爐II的出氣閥門21開 啟，通過(guò)調(diào)節(jié)還原爐I的進(jìn)氣流量計(jì)10控制進(jìn)入還原爐Il的原料氣流量并調(diào)節(jié)其循環(huán)冷 卻水流量等從而控制爐Il的出口尾氣溫度達(dá)到700 800°C，并將其通入還原爐112，來(lái)加 熱爐112內(nèi)的硅芯。待爐112內(nèi)的硅芯溫度升至600 700°C時(shí)，其電阻已從100千歐降至 幾十歐姆，導(dǎo)熱速率亦大大提高，此時(shí)，接通電極電源，對(duì)硅芯進(jìn)行通電加熱使其溫度繼續(xù) 上升至1080°C左右，同時(shí)關(guān)閉還原爐I、II的連結(jié)閥門A24、B26而開啟還原爐I的出氣閥 門19、還原爐II的進(jìn)氣閥門20，使得爐Il的尾氣通過(guò)其出氣閥門19排出，而氫氣和三氯 氫硅的混合氣通過(guò)還原爐II的進(jìn)氣閥門20進(jìn)入還原爐112發(fā)生反應(yīng)生成多晶硅。同樣， 當(dāng)爐112正常生產(chǎn)，并對(duì)爐Il進(jìn)行預(yù)升溫時(shí)，還原爐I的進(jìn)氣閥門18、還原爐II的出氣閥 門21、還原爐I、II的連結(jié)閥門AM、B^關(guān)閉，還原爐II的進(jìn)氣閥門20、還原爐I、II的連 結(jié)閥門C27、D28、還原爐I的出氣閥門19開啟，通過(guò)調(diào)節(jié)還原爐II的進(jìn)氣流量計(jì)12控制進(jìn)入還原爐112的原料氣流量并調(diào)節(jié)其循環(huán)冷卻水流量等從而控制爐112的出口尾氣溫度 達(dá)到700 800°C，并將其通入還原爐Il內(nèi)，來(lái)加熱爐Il內(nèi)的硅芯。待爐Il內(nèi)的硅芯溫度 升至600 700°C時(shí)，其電阻已從100千歐降至幾十歐姆，導(dǎo)熱速率亦大大提高，此時(shí)，接通 電極電源，對(duì)硅芯進(jìn)行通電加熱使其溫度繼續(xù)上升至1080°C左右，同時(shí)關(guān)閉還原爐I、II的 連結(jié)閥門C27、擬8而開啟還原爐II的出氣閥門21、還原爐I的進(jìn)氣閥門18，使得爐112的 尾氣通過(guò)其出氣閥門21排出，而氫氣和三氯氫硅的混合氣通過(guò)還原爐I的進(jìn)氣閥門18進(jìn) 入還原爐Il發(fā)生反應(yīng)生成多晶硅。使用本發(fā)明的多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)及預(yù)升溫方法， 可以避免使用高壓擊穿工序，從而很好的解決了多晶硅還原爐預(yù)升溫過(guò)程中配電設(shè)施復(fù)雜 昂貴、電耗巨大、存在安全隱患等問(wèn)題。 實(shí)施例2 如圖3所示，將三臺(tái)多晶硅還原爐11、112、II13通過(guò)其氣體進(jìn)出口管線 連接起來(lái)。爐Il的尾氣出口管線5通過(guò)還原爐I、II的連結(jié)閥門AM和還原爐I、II的連 結(jié)流量計(jì)16與爐112的原料氣進(jìn)口管線6連接起來(lái)，爐112的尾氣出口管線7通過(guò)還原爐 II、III的連結(jié)閥門25和還原爐II、III的連結(jié)流量計(jì)17與爐III3的進(jìn)口管線8連接起 來(lái)。當(dāng)三臺(tái)爐均正常生產(chǎn)時(shí)，還原爐I、II的連結(jié)閥門A24、還原爐II、III的連結(jié)閥門25關(guān) 閉，還原爐I的進(jìn)氣閥門18、還原爐I出氣閥門19、還原爐II的進(jìn)氣閥門20、還原爐II出 氣閥門21、還原爐III的進(jìn)氣閥門22、還原爐III出氣閥門23開啟，通過(guò)調(diào)節(jié)還原爐I的 進(jìn)氣流量計(jì)10、還原爐I出氣流量計(jì)11、還原爐II的進(jìn)氣流量計(jì)12、還原爐II的出氣流 量計(jì)13、還原爐III的進(jìn)氣流量計(jì)14、還原爐III的出氣流量計(jì)15來(lái)控制各爐的進(jìn)氣流量 和出氣流量。當(dāng)爐Il正常生產(chǎn)并對(duì)爐Π2進(jìn)行預(yù)升溫時(shí)，還原爐I出氣閥門19、還原爐II 的進(jìn)氣閥門20、還原爐II、III的連結(jié)閥門25關(guān)閉，還原爐I的進(jìn)氣閥門18、還原爐I、II 的連結(jié)閥門A24、還原爐II出氣閥門21開啟，通過(guò)調(diào)節(jié)還原爐I的進(jìn)氣流量計(jì)10控制進(jìn) 入還原爐Il的原料氣流量以及調(diào)節(jié)其循環(huán)冷卻水流量等從而控制爐Il的出口尾氣溫度達(dá) 到700 800°C，并將其通入還原爐112內(nèi)，來(lái)加熱爐112內(nèi)的硅芯。待爐112內(nèi)的硅芯溫 度升至600 700°C時(shí)，其電阻已從100千歐降至幾十歐姆，導(dǎo)熱速率亦大大提高。此時(shí)，接 通電極電源，對(duì)硅芯進(jìn)行通電加熱使其溫度繼續(xù)上升至1080°C左右，同時(shí)關(guān)閉還原爐I、II 的連結(jié)閥門A24，而開啟還原爐I出氣閥門19、還原爐II的進(jìn)氣閥門20，使得爐1的尾氣通 過(guò)其出氣閥門19排出，而氫氣和三氯氫硅的混合氣通過(guò)還原爐II的進(jìn)氣閥門20進(jìn)入還原 爐112發(fā)生反應(yīng)生成多晶硅。當(dāng)爐112正常生產(chǎn)，并對(duì)爐III3進(jìn)行預(yù)升溫時(shí)，還原爐I、II 的連結(jié)閥門A24、還原爐II的出氣閥門21、還原爐III的進(jìn)氣閥門22關(guān)閉，還原爐II的進(jìn) 氣閥門20、還原爐II、III的連結(jié)閥門25、還原爐III的出氣閥門23開啟，通過(guò)調(diào)節(jié)還原爐 II的進(jìn)氣流量計(jì)12控制進(jìn)入還原爐112的原料氣流量并調(diào)節(jié)其循環(huán)冷卻水流量等從而控 制爐112的出口尾氣溫度達(dá)到700 800°C，并將其通入還原爐II13內(nèi)，來(lái)加熱爐II13內(nèi) 的硅芯，循環(huán)后從還原爐III的尾氣出口管線9及還原爐III出氣閥門23排出。待爐III3 內(nèi)的硅芯溫度升至600 700°C時(shí)，其電阻已從100千歐降至幾十歐姆，導(dǎo)熱速率亦大大提 高。此時(shí)，接通電極電源，對(duì)硅芯進(jìn)行通電加熱使其溫度繼續(xù)上升至1080°C左右，同時(shí)關(guān)閉 還原爐II、III的連結(jié)閥門25而開啟還原爐II的出氣閥門21、還原爐III的進(jìn)氣閥門22， 使得爐112的尾氣通過(guò)其出氣閥門21排出，而氫氣和三氯氫硅的混合氣通過(guò)還原爐III的 進(jìn)氣閥門22進(jìn)入還原爐III3發(fā)生反應(yīng)生成多晶硅。使用本發(fā)明的多晶硅還原爐預(yù)升溫系 統(tǒng)及預(yù)升溫方法，可以避免使用高壓擊穿工序，從而很好的解決了多晶硅還原爐預(yù)升溫過(guò)程中配電設(shè)施復(fù)雜昂貴、電耗巨大、存在安全隱患等問(wèn)題。 以上實(shí)施例僅是為充分說(shuō)明本發(fā)明而所舉的較佳實(shí)施例，本發(fā)明的保護(hù)范圍不限 于此。根據(jù)不同的生產(chǎn)要求和操作工況，可以有不同數(shù)量的多晶硅還原爐順序連接或相互 連接。本發(fā)明提出了一種利用多晶硅還原爐生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的高溫尾氣，對(duì)待開車的多晶 硅還原爐進(jìn)行預(yù)升溫的操作系統(tǒng)和操作方法，從而可以避免使用復(fù)雜昂貴、電耗巨大且存 在安全隱患的高壓擊穿裝置。相關(guān)技術(shù)人員明顯能在不脫離本發(fā)明內(nèi)容、精神和范圍內(nèi)對(duì) 本文所述的操作系統(tǒng)和操作方法進(jìn)行改動(dòng)或適當(dāng)變更與組合，來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明技術(shù)。特別需 要指出的是，所有相類似的替換和改動(dòng)對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的，他們都被視 為包括在本發(fā)明精神、范圍和內(nèi)容中。
權(quán)利要求
1.一種多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)，其特征在于將一臺(tái)多晶硅還原爐的尾氣出口管線通 過(guò)控制閥門和氣體流量計(jì)與另一臺(tái)多晶硅還原爐的原料氣進(jìn)口管線連接起來(lái)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)，其特征在于該預(yù)升溫系統(tǒng)中至少 包括兩臺(tái)多晶硅還原爐。
3.權(quán)利要求1或2的多晶硅還原爐預(yù)升溫方法，其特征在于通過(guò)調(diào)節(jié)生產(chǎn)中多晶硅還 原爐的進(jìn)氣流量和循環(huán)冷卻水流量來(lái)控制其出口尾氣溫度達(dá)到700 800°C，并將高溫尾 氣通入另一臺(tái)待開車的多晶硅還原爐來(lái)加熱爐內(nèi)的硅芯使其升溫至600 700°C ；然后通 電加熱使硅芯溫度繼續(xù)上升至1080°C，同時(shí)停止高溫尾氣的通入，而將三氯氫硅和氫氣的 混合氣即原料氣體通入爐內(nèi)，發(fā)生反應(yīng)生成多晶硅。
全文摘要
本發(fā)明公開的一種多晶硅還原爐預(yù)升溫系統(tǒng)及預(yù)升溫方法，將生產(chǎn)中多晶硅還原爐的尾氣出口管線與待開車多晶硅還原爐的原料氣進(jìn)口管線連接起來(lái)。通過(guò)調(diào)節(jié)生產(chǎn)中多晶硅還原爐的進(jìn)氣流量和循環(huán)冷卻水流量等從而控制其出口尾氣溫度達(dá)到700～800℃，并將其通入待開車的還原爐，來(lái)加熱爐內(nèi)的硅芯使其溫度達(dá)到600～700℃，然后接通與硅芯連接的電極電源通電加熱使其溫度繼續(xù)上升至反應(yīng)所需溫度1080℃左右，同時(shí)停止出口尾氣的通入，而將原料氣體通入還原爐內(nèi)發(fā)生反應(yīng)生成多晶硅。該發(fā)明由于避免了現(xiàn)有多晶硅還原爐預(yù)升溫過(guò)程中的高壓擊穿程序，從而很好的解決了與其相對(duì)應(yīng)的配電設(shè)施復(fù)雜昂貴、電耗巨大、存在安全隱患等問(wèn)題。
文檔編號(hào)C01B33/035GK102120577SQ20111007293
公開日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2011年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月24日
發(fā)明者劉沖, 劉春江, 李雪, 段長(zhǎng)春, 袁希鋼 申請(qǐng)人:天津大學(xué)