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利用去合金法制備多孔氮化鋁或多孔氮化鎵微粒的方法

文檔序號(hào):3466084閱讀:252來源:國(guó)知局
專利名稱:利用去合金法制備多孔氮化鋁或多孔氮化鎵微粒的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于納米無機(jī)非金屬半導(dǎo)體與光電材料科學(xué)與工程技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種利用去合金法制備多孔氮化鋁(AlN)或多孔氮化鎵(GaN)微粒的方法。
背景技術(shù)
具有孔結(jié)構(gòu)的多孔AlN或GaN微粒及以其為基形成的多孔III族合金氮化物微粒因高的比表面積、增強(qiáng)的光電響應(yīng)特性、增強(qiáng)的非線性光學(xué)特性以及光催化特性等,在儲(chǔ)氫、燃料電池、光催化裂解水、紫外探測(cè)與傳感器以及非線性光學(xué)等領(lǐng)域具有極大的應(yīng)用前景。故對(duì)多孔AlN或GaN微粒的研究已成為多孔半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的一個(gè)重要研究熱點(diǎn)。然而到目前為止,多孔AlN或GaN半導(dǎo)體微粒仍不能在相應(yīng)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用的主要原因是 不能有效地合成出這些多孔半導(dǎo)體微?;蛴矛F(xiàn)有方法制備出的多孔氮化鋁微粒,孔的比表面積小,孔占有空間小,無法在實(shí)際中得到應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種利用去合金法制備多孔AlN或多孔GaN微粒的方法,解決了現(xiàn)有技術(shù)無法有效地合成出多孔AlN或多孔GaN微?;蛑苽涑龅亩嗫譇lN或GaN微??妆缺砻娣e小、孔占有空間小,無法在實(shí)際中得到應(yīng)用的問題。本發(fā)明采用的技術(shù)方案為,利用去合金法制備多孔氮化鋁或多孔氮化鎵微粒的方法,包括以下操作步驟步驟1,原料配制原料由A組份和B組份組成;A組份占整個(gè)原料的重量百分比為10 90% wt ;如果要制備多孔氮化鋁微粒A組份為工業(yè)純Al塊;B組份為工業(yè)純Mg塊、工業(yè)純 Li塊或工業(yè)純Ca粒中的一種,或任意兩種或三種以任意比例組成的混合物;如果要制備多孔氮化鎵微粒A組份為液體( ;B組份為工業(yè)純Mg塊、工業(yè)純Li 塊或工業(yè)純Ca粒中的一種,或任意兩種或三種以任意比例組成的混合物;步驟2,合金的熔煉和配制將配好的原料放入坩堝,然后連同坩堝一起放入加熱爐中熔煉成相應(yīng)的合金;步驟3,合金體的破碎把熔煉獲得的合金粉碎成粒徑為0. 01 Imm的顆粒;步驟4,合金粉末的氮化把粉碎的合金粉末顆粒放入反應(yīng)爐中,對(duì)反應(yīng)爐抽真空,使?fàn)t內(nèi)真空度小于或等于0. latm,然后向反應(yīng)爐中充入高純氮?dú)猓?dāng)反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)達(dá)到0. 7 1. fetm,維持爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)保持不變,利用加熱爐以10°C /min 30°C /min的加熱速度加熱合金粉末,使合金粉末的溫度達(dá)到600 1100°C,然后在此溫度保溫15 50h,在此保溫階段對(duì)合金粉末進(jìn)行氮化處理;步驟5,去合金化
把氮化結(jié)束的合金粉末顆粒從反應(yīng)爐中拿出,用酸浸泡5 10小時(shí),以去除其中的B組分合金的氮化物,留下A組分的氮化物;酸浸泡后抽濾得到粉末樣品;步驟6,干燥將抽濾得到的粉末樣品在真空干燥箱中于80 200°C干燥1 4小時(shí),即可獲得了多孔AlN微?;蚨嗫譍aN微粒。本發(fā)明的有益效果是禾_本發(fā)明提供的制備方法,在600 1100°C溫度范圍內(nèi), 在氮?dú)鈮簭?qiáng)為0. 7 1. fetm情況下,從不同成分、含量和顆粒大小的鋁合金或鎵合金粉末中,制備出孔直徑為約幾百納米到幾十微米、顆粒粒徑大小在幾微米 幾百微米數(shù)量級(jí)范圍內(nèi)、比表面積可達(dá)100m2/g甚至更高的具有孔結(jié)構(gòu)的多孔AlN或GaN微粒。由于本發(fā)明能有效地制備出孔徑小,孔占有空間大,孔的比表面積大的多孔AlN或GaN微粒,為多孔AlN 或GaN微粒在儲(chǔ)氫、燃料電池、光催化裂解水、紫外探測(cè)與傳感器以及非線性光學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用及其推動(dòng)這些領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步提供了良好的基礎(chǔ)。


圖1是利用本發(fā)明方法制備出的多孔AlN微粒的低分辨率SEM圖;圖2是利用本發(fā)明方法制備出的多孔GaN微粒的低分辨率SEM3是利用本發(fā)明方法制備出的多孔AlN微粒的高分辨率SEM圖;圖4是利用本發(fā)明方法制備出的多孔GaN微粒的高分辨率SEM圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明提供一種利用去合金法制備多孔氮化鋁或氮化鎵微粒的方法,包括以下操作步驟步驟1,原料配制原料由A組份和B組份組成;A組份占整個(gè)原料的重量百分比為10 90% wt ;如果要制備多孔氮化鋁微粒A組份為工業(yè)純Al塊;B組份為工業(yè)純Mg塊、工業(yè)純 Li塊或工業(yè)純Ca粒中的一種,或任意兩種或三種以任意比例組成的混合物;如果要制備多孔氮化鎵微粒A組份為液體( ;B組份為工業(yè)純Mg塊、工業(yè)純Li 塊或工業(yè)純Ca粒中的一種,或任意兩種或三種以任意比例組成的混合物;步驟2,合金的熔煉和配制將配好的原料放入坩堝,然后連同坩堝一起放入加熱爐中熔煉成相應(yīng)的合金;步驟3,合金體的破碎把熔煉獲得的合金粉碎成粒徑為0. 01 Imm的顆粒;步驟4,合金粉末的氮化把粉碎的合金粉末顆粒放入反應(yīng)爐中,對(duì)反應(yīng)爐抽真空,使?fàn)t內(nèi)真空度小于或等于0. Iatm,且真空度越低越好,然后向反應(yīng)爐中充入純度為99. 999%的高純氮?dú)?,?dāng)反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)達(dá)到0. 7 1. fetm,維持爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)保持不變,利用加熱爐以10°C / min 30°C /min的加熱速度加熱合金粉末,使合金粉末的溫度達(dá)到600 1100°C,然后在此溫度保溫15 50h,在此保溫階段對(duì)合金粉末進(jìn)行氮化處理;
4
步驟5,去合金化把氮化結(jié)束的合金粉末顆粒從反應(yīng)爐中拿出,用酸浸泡5 10小時(shí),以去除其中 B組份合金的氮化物,留下A組份的氮化物,這樣就在粉末顆粒內(nèi)的B組份氮化物位置留下孔洞,從而獲得了多孔A組份的氮化物結(jié)構(gòu);酸浸泡后抽濾得到粉末樣品;其中的酸為摩爾濃度為0. IM 2M的稀鹽酸或摩爾濃度為0. IM 2M稀硫酸;步驟6,干燥將抽濾得到的粉末樣品在真空干燥箱中于80 200°C干燥1 4小時(shí),即可獲得了多孔AlN微?;蚨嗫譍aN微粒。實(shí)施例1利用去合金法制備多孔氮化鋁微粒的方法,包括以下操作步驟步驟1,原料配制稱取50g純度為99. 5%的Al塊和50g純度為99%的Mg塊,Al塊占整個(gè)原料的重量百分比為50% wt ;步驟2,合金的熔煉和配制將Al塊和Mg塊放入坩堝,然后連同坩堝一起放入加熱爐中熔煉成相應(yīng)的合金;步驟3,合金體的破碎把熔煉獲得的合金粉碎成粒徑為0. 01 Imm的顆粒;步驟4,合金粉末的氮化把粉碎的合金粉末顆粒放入反應(yīng)爐中,對(duì)反應(yīng)爐抽真空,使?fàn)t內(nèi)真空度為0. Iatm, 然后向反應(yīng)爐中充入高純氮?dú)?氮?dú)獾募兌葹?9. 999% ),當(dāng)反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)達(dá)到 0. 7atm,維持爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)保持不變,利用加熱爐以10°C /min的加熱速度加熱合金粉末,使合金粉末的溫度達(dá)到600°C,然后在此溫度保溫50h,在此保溫階段對(duì)合金粉末進(jìn)行氮化處理;步驟5,去合金化把氮化結(jié)束的合金粉末顆粒從反應(yīng)爐中拿出,用0. 2M鹽酸浸泡7小時(shí),以去除其中的B組份合金的氮化物,留下A組份的氮化物;這樣就在粉末顆粒內(nèi)的B組份氮化物位置留下孔洞,從而獲得了多孔A組份的氮化物結(jié)構(gòu);酸浸泡后抽濾得到粉末樣品;步驟6,干燥將抽濾得到的粉末樣品在真空干燥箱中于100°C干燥3小時(shí),即可獲得了多孔AlN 微粒。實(shí)施例2利用去合金法制備多孔氮化鎵微粒的方法,包括以下操作步驟步驟1,原料配制稱取80g純度為99. 95 %的液體( 和20g純度為99. 95 %的Mg塊,液體( 占整個(gè)原料的重量百分比為80% wt ;步驟2,合金的熔煉和配制將( 液和Mg塊放入坩堝,然后連同坩堝一起放入加熱爐中熔煉成相應(yīng)的合金;步驟3,合金體的破碎把熔煉獲得的合金粉碎成粒徑為0. 01 Imm的顆粒;
步驟4,合金粉末的氮化把粉碎的合金粉末顆粒放入反應(yīng)爐中,對(duì)反應(yīng)爐抽真空,使?fàn)t內(nèi)真空度為 0. 05atm,然后向反應(yīng)爐中充入高純氮?dú)?氮?dú)獾募兌葹?9. 999%),當(dāng)反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)達(dá)到latm,維持爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)保持不變,利用加熱爐以10°C /min的加熱速度加熱合金粉末,使合金粉末的溫度達(dá)到750°C,然后在此溫度保溫30h,在此保溫階段對(duì)合金粉末進(jìn)行氮化處理;步驟5,去合金化把氮化結(jié)束的合金粉末顆粒從反應(yīng)爐中拿出,用0. IM硫酸浸泡10小時(shí),以去除其中的B組份合金的氮化物,留下A組份的氮化物;這樣就在粉末顆粒內(nèi)的B組份氮化物位置留下孔洞,從而獲得了多孔A組份的氮化物結(jié)構(gòu);酸浸泡后抽濾得到粉末樣品;步驟6,干燥將抽濾得到的粉末樣品在真空干燥箱中于150°C干燥1小時(shí),即可獲得了多孔GaN 微粒。實(shí)施例3利用去合金法制備多孔氮化鋁微粒的方法,包括以下操作步驟步驟1,原料配制稱取IOOg純度為99. 0%的Al塊和50g純度為99. 5%的Li塊,即Al塊占整個(gè)原料的重量百分比為66. 7% wt;步驟2,合金的熔煉和配制將Al塊和Li塊放入坩堝,然后連同坩堝一起放入加熱爐中熔煉成相應(yīng)的合金;步驟3,合金體的破碎把熔煉獲得的合金粉碎成粒徑為0. 01 Imm的顆粒;步驟4,合金粉末的氮化把粉碎的合金粉末顆粒放入反應(yīng)爐中,對(duì)反應(yīng)爐抽真空,使?fàn)t內(nèi)真空度為 0. Olatm,然后向反應(yīng)爐中充入高純氮?dú)?氮?dú)獾募兌葹?9. 999%),當(dāng)反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)達(dá)到1. fetm,維持爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)保持不變,利用加熱爐以20°C /min的加熱速度加熱合金粉末,使合金粉末的溫度達(dá)到850°C,然后在此溫度保溫15h,在此保溫階段對(duì)合金粉末進(jìn)行氮化處理;步驟5,去合金化把氮化結(jié)束的合金粉末顆粒從反應(yīng)爐中拿出,用0. 8M鹽酸浸泡5小時(shí),以去除其中的B組份合金的氮化物,留下A組份的氮化物;這樣就在粉末顆粒內(nèi)的B組份氮化物位置留下孔洞,從而獲得了多孔A組份的氮化物結(jié)構(gòu);酸浸泡后抽濾得到粉末樣品;步驟6,干燥將抽濾得到的粉末樣品在真空干燥箱中于180°C干燥1. 5小時(shí),即可獲得了多孔 AlN微粒。實(shí)施例4利用去合金法制備多孔氮化鎵微粒的方法,包括以下操作步驟步驟1,原料配制稱取30g純度為99. 5%的液體( 和70g純度為98. 0%的Ca粒,即液體( 占整個(gè)原料的重量百分比為有30% wt ;步驟2,合金的熔煉和配制將( 液和Ca粒放入坩堝,然后連同坩堝一起放入加熱爐中熔煉成相應(yīng)的合金;步驟3,合金體的破碎把熔煉獲得的合金粉碎成粒徑為0. 01 Imm的顆粒;步驟4,合金粉末的氮化把粉碎的合金粉末顆粒放入反應(yīng)爐中,對(duì)反應(yīng)爐抽真空,使?fàn)t內(nèi)真空度為0. Iatm, 然后向反應(yīng)爐中充入高純氮?dú)?氮?dú)獾募兌葹?9. 999% ),當(dāng)反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)達(dá)到 0. 9atm,維持爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)保持不變,利用加熱爐以30°C /min的加熱速度加熱合金粉末,使合金粉末的溫度達(dá)到950°C,然后在此溫度保溫17h,在此保溫階段對(duì)合金粉末進(jìn)行氮化處理;步驟5,去合金化把氮化結(jié)束的合金粉末顆粒從反應(yīng)爐中拿出,用0. 5M鹽酸浸泡5小時(shí),以去除其中的B組份合金的氮化物,留下A組份的氮化物;這樣就在粉末顆粒內(nèi)的B組份氮化物位置留下孔洞,從而獲得了多孔A組份的氮化物結(jié)構(gòu);酸浸泡后抽濾得到粉末樣品;步驟6,干燥將抽濾得到的粉末樣品在真空干燥箱中于200°C干燥1小時(shí),即可獲得了多孔GaN 微粒。實(shí)施例5利用去合金法制備多孔氮化鋁微粒的方法,包括以下操作步驟步驟1,原料配制稱取40g純度為99. 5%的Al塊、30g純度為99. 5%的Mg塊和30g純度為98. 0% 的Ca粒,即Al塊占整個(gè)原料的重量百分比為40% wt ;步驟2,合金的熔煉和配制將Al塊、Mg塊和Ca粒放入坩堝,然后連同坩堝一起放入加熱爐中熔煉成相應(yīng)的
合金;步驟3,合金體的破碎把熔煉獲得的合金粉碎成粒徑為0. 01 Imm的顆粒;步驟4,合金粉末的氮化把粉碎的合金粉末顆粒放入反應(yīng)爐中,對(duì)反應(yīng)爐抽真空,使?fàn)t內(nèi)真空度為 0. 00Iatm,然后向反應(yīng)爐中充入高純氮?dú)?氮?dú)獾募兌葹?9. 999%),當(dāng)反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)達(dá)到latm,維持爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)保持不變,利用加熱爐以10°C /min的加熱速度加熱合金粉末,使合金粉末的溫度達(dá)到1100°C,然后在此溫度保溫22h,在此保溫階段對(duì)合金粉末進(jìn)行氮化處理;步驟5,去合金化把氮化結(jié)束的合金粉末顆粒從反應(yīng)爐中拿出,用2M硫酸浸泡5小時(shí),以去除其中的B組份合金的氮化物,留下A組份的氮化物;這樣就在粉末顆粒內(nèi)的B組份氮化物位置留下孔洞,從而獲得了多孔A組份的氮化物結(jié)構(gòu);酸浸泡后抽濾得到粉末樣品;步驟6,干燥
將抽濾得到的粉末樣品在真空干燥箱中于80°C干燥4小時(shí),即可獲得了多孔AlN 微粒。實(shí)施例6利用去合金法制備多孔氮化鎵微粒的方法,包括以下操作步驟步驟1,原料配制稱取80g純度為99. 95 %的液體Ga、IOg純度為99. 95 %的Mg塊和IOg純度為99 % 的Li塊,即( 液占整個(gè)原料的重量百分比為80% wt ;步驟2,合金的熔煉和配制將( 液、Mg塊和Li塊放入坩堝,然后連同坩堝一起放入加熱爐中熔煉成相應(yīng)的
合金;步驟3,合金體的破碎把熔煉獲得的合金粉碎成粒徑為0. 01 Imm的顆粒;步驟4,合金粉末的氮化把粉碎的合金粉末顆粒放入反應(yīng)爐中,對(duì)反應(yīng)爐抽真空,使?fàn)t內(nèi)真空度為 0. 05atm,然后向反應(yīng)爐中充入高純氮?dú)?氮?dú)獾募兌葹?9. 999%),當(dāng)反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)達(dá)到latm,維持爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)保持不變,利用加熱爐以30°C /min的加熱速度加熱合金粉末,使合金粉末的溫度達(dá)到900°C,然后在此溫度保溫25h,在此保溫階段對(duì)合金粉末進(jìn)行氮化處理;步驟5,去合金化把氮化結(jié)束的合金粉末顆粒從反應(yīng)爐中拿出,用IM鹽酸浸泡5小時(shí),以去除其中的B組份合金的氮化物,留下A組份的氮化物;這樣就在粉末顆粒內(nèi)的B組份氮化物位置留下孔洞,從而獲得了多孔A組份的氮化物結(jié)構(gòu);酸浸泡后抽濾得到粉末樣品;步驟6,干燥將抽濾得到的粉末樣品在真空干燥箱中于100°C干燥4小時(shí),即可獲得了多孔GaN 微粒。實(shí)施例7利用去合金法制備多孔氮化鋁微粒的方法,包括以下操作步驟步驟1,原料配制稱取90g純度為99. 95%的Al塊、4g純度為99. 5%的Mg塊、4g純度為99. 0%的 Li塊和2g純度為99. 0%的Ca粒,即Al塊占整個(gè)原料的重量百分比為90% wt ;步驟2,合金的熔煉和配制將Al塊、Mg塊、Li塊和Ca粒放入坩堝,然后連同坩堝一起放入加熱爐中熔煉成相應(yīng)的合金;步驟3,合金體的破碎把熔煉獲得的合金粉碎成粒徑為0. 01 Imm的顆粒;步驟4,合金粉末的氮化把粉碎的合金粉末顆粒放入反應(yīng)爐中,對(duì)反應(yīng)爐抽真空,使?fàn)t內(nèi)真空度為 0. Olatm,然后向反應(yīng)爐中充入高純氮?dú)?氮?dú)獾募兌葹?9. 999%),當(dāng)反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)達(dá)到latm,維持爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)保持不變,利用加熱爐以20°C /min的加熱速度加熱合金粉末,使合金粉末的溫度達(dá)到800°C,然后在此溫度保溫20h,在此保溫階段對(duì)合金粉末進(jìn)行氮化處理;步驟5,去合金化把氮化結(jié)束的合金粉末顆粒從反應(yīng)爐中拿出,用0. IM鹽酸浸泡7小時(shí),以去除其中的B組份合金的氮化物,留下A組份的氮化物;這樣就在粉末顆粒內(nèi)的B組份氮化物位置留下孔洞,從而獲得了多孔A組份的氮化物結(jié)構(gòu);酸浸泡后抽濾得到粉末樣品;步驟6,試樣的干燥將抽濾得到的粉末樣品在真空干燥箱中于180°C干燥2小時(shí),即可獲得了多孔AlN 微粒。由圖1和圖2可以看出,利用本發(fā)明制備方法得到的AlN或GaN顆粒形狀為不規(guī)則狀,其顆粒粒徑大小在幾微米 幾百微米之間變化。由圖3和圖4可以看出,利用本發(fā)明制備方法得到的AlN或GaN顆粒內(nèi)含有許多孔徑在幾百納米到幾十微米之間的孔。
權(quán)利要求
1.利用去合金法制備多孔氮化鋁或多孔氮化鎵微粒的方法,其特征在于,包括以下操作步驟步驟1,原料配制原料由A組份和B組份組成;A組份占整個(gè)原料的重量百分比為10 90% wt ; 如果要制備多孔氮化鋁微粒A組份為工業(yè)純Al塊;B組份為工業(yè)純Mg塊、工業(yè)純Li 塊或工業(yè)純Ca粒中的一種,或任意兩種或三種以任意比例組成的混合物;如果要制備多孔氮化鎵微粒A組份為液體( ;B組份為工業(yè)純Mg塊、工業(yè)純Li塊或工業(yè)純Ca粒中的一種,或任意兩種或三種以任意比例組成的混合物; 步驟2,合金的熔煉和配制將配好的原料放入坩堝,然后連同坩堝一起放入加熱爐中熔煉成相應(yīng)的合金; 步驟3,合金體的破碎把熔煉獲得的合金粉碎成粒徑為0. 01 Imm的顆粒; 步驟4,合金粉末的氮化把粉碎的合金粉末顆粒放入反應(yīng)爐中,對(duì)反應(yīng)爐抽真空,使?fàn)t內(nèi)真空度小于或等于 0. latm,然后向反應(yīng)爐中充入高純氮?dú)?,?dāng)反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)達(dá)到0. 7 1. fetm,維持爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)保持不變,利用加熱爐以10°c /min 30°C /min的加熱速度加熱合金粉末, 使合金粉末的溫度達(dá)到600 1100°C,然后在此溫度保溫15 50h,在此保溫階段對(duì)合金粉末進(jìn)行氮化處理; 步驟5,去合金化把氮化結(jié)束的合金粉末顆粒從反應(yīng)爐中拿出,用酸浸泡5 10小時(shí),以去除其中的B 組分合金的氮化物,留下A組分的氮化物;酸浸泡后抽濾得到粉末樣品; 步驟6,干燥將抽濾得到的粉末樣品在真空干燥箱中于80 200°C干燥1 4小時(shí),即可獲得了多孔AlN微?;蚨嗫譍aN微粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備多孔氮化鋁或多孔氮化鎵微粒的方法,其特征在于所述步驟5中,用酸浸泡氮化結(jié)束的合金粉末顆粒,所述的酸為摩爾濃度為0. IM 2M的稀鹽酸或摩爾濃度為0. IM 2M稀硫酸。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種利用去合金法制備多孔AlN或多孔GaN微粒的方法,先將配好的原料放入坩堝,然后連同坩堝一起放入加熱爐,進(jìn)行合金的熔煉,再將合金進(jìn)行破碎放入反應(yīng)爐中,對(duì)反應(yīng)爐抽真空并充入高純氮?dú)?。?dāng)反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮毫_(dá)到一定壓力,加熱合金粉末到600~1100℃保溫氮化,把氮化結(jié)束的合金粉末顆粒,用酸浸泡,去除其中的B組分合金的氮化物,從而獲得了多孔的A組分的氮化物,即多孔AlN微?;蚨嗫譍aN微粒。利用本發(fā)明方法制備出了孔直徑為約幾百納米到幾十微米、顆粒粒徑大小在幾微米~幾百微米數(shù)量級(jí)范圍內(nèi)、比表面積可達(dá)100m2/g甚至更高的具有孔結(jié)構(gòu)的多孔AlN或GaN微粒。
文檔編號(hào)C01B21/072GK102320582SQ20111015711
公開日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2011年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月14日
發(fā)明者顏國(guó)君 申請(qǐng)人:西安理工大學(xué)
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