專(zhuān)利名稱(chēng)：多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種多晶硅還原爐局部改造，特別是涉及一種多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴。
背景技術(shù)：
多晶硅制造過(guò)程中反應(yīng)爐是多晶硅棒成型的必要空間，反應(yīng)原料在反應(yīng)爐內(nèi)的分布均勻程度直接影響到硅棒的成型速度和成型品相，也跟反應(yīng)速度和成品率有很大關(guān)系?，F(xiàn)有的反應(yīng)爐的進(jìn)料噴嘴大都是采用圓筒形的噴嘴，由于反應(yīng)爐高度比較高，現(xiàn)有的圓筒形噴嘴的噴射能力有限，不能沖頂，只能?chē)娚涞椒磻?yīng)爐的一半高度左右，不能充分利用反應(yīng)爐內(nèi)的空間，從而影響了原料在反應(yīng)爐內(nèi)分布均勻程度，進(jìn)一步的影響反應(yīng)速度和硅棒的成型速度，有待改善。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了解決上述問(wèn)題，提供一種多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴，含有上部的噴嘴部和下部的安裝部，所述上部的噴嘴部?jī)?nèi)為噴射通道，其噴射通道為圓錐臺(tái)形狀，靠近出料口處的直徑最小，靠近安裝部處的直徑最大。所述的噴嘴部和安裝部的過(guò)渡連接部的外表面設(shè)有環(huán)形的卡臺(tái)，該環(huán)形卡臺(tái)與噴嘴部的外表面之間為圓弧面過(guò)渡連接。所述的安裝部的外表面為圓柱面，其內(nèi)腔為圓錐臺(tái)形狀，其錐度大于噴射通道的錐度。所述的噴射通道的錐度為α，5°彡α彡15°。本實(shí)用新型的有益效果該多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴，其噴射通道為圓錐臺(tái)形狀，直徑越來(lái)越小，原料能夠在噴射通道內(nèi)產(chǎn)生聚集，提高了噴嘴的噴射力量，能夠?qū)⒃现苯訃娚涞姆磻?yīng)爐的爐頂部，使原料充滿(mǎn)整個(gè)反應(yīng)爐的內(nèi)部空間，均勻分布，從而能夠提高多晶硅棒的成型速度和成型品相，進(jìn)一步提高成品率，降低多晶硅的生產(chǎn)成本。

圖1為該多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴主視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖1，圖中1.噴嘴部、2.安裝部、3.噴射通道、4.卡臺(tái)、5.出料口、6.安裝部的內(nèi)腔。實(shí)施例參見(jiàn)圖1，圖中一種多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴，含有上部的噴嘴部和下部的安裝部，其特征是所述上部的噴嘴部?jī)?nèi)為噴射通道，其噴射通道為圓錐臺(tái)形狀，靠近出料口處的直徑最小，靠近安裝部處的直徑最大。所述的噴嘴部和安裝部的過(guò)渡連接部的外表面設(shè)有環(huán)形的卡臺(tái)，該環(huán)形卡臺(tái)與噴嘴部的外表面之間為圓弧面過(guò)渡連接。所述的安裝部的外表面為圓柱面，其內(nèi)腔為圓錐臺(tái)形狀，其錐度大于噴射通道的錐度。所述的噴射通道的錐度為α，5°彡α彡15°。
權(quán)利要求1.一種多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴，含有上部的噴嘴部和下部的安裝部，其特征是所述上部的噴嘴部?jī)?nèi)為噴射通道，其噴射通道為圓錐臺(tái)形狀，靠近出料口處的直徑最小，靠近安裝部處的直徑最大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴，其特征是所述的噴嘴部和安裝部的過(guò)渡連接部的外表面設(shè)有環(huán)形的卡臺(tái)，該環(huán)形卡臺(tái)與噴嘴部的外表面之間為圓弧面過(guò)渡連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴，其特征是所述的安裝部的外表面為圓柱面，其內(nèi)腔為圓錐臺(tái)形狀，其錐度大于噴射通道的錐度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴，其特征是所述的噴射通道的錐度為 α，5° < α < 15°。
專(zhuān)利摘要一種多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴，含有上部的噴嘴部和下部的安裝部，所述上部的噴嘴部?jī)?nèi)為噴射通道，其噴射通道為圓錐臺(tái)形狀，靠近出料口處的直徑最小，靠近安裝部處的直徑最大。該多晶硅還原爐進(jìn)料噴嘴，其噴射通道為圓錐臺(tái)形狀，直徑越來(lái)越小，原料能夠在噴射通道內(nèi)產(chǎn)生聚集，提高了噴嘴的噴射力量，能夠?qū)⒃现苯訃娚涞姆磻?yīng)爐的爐頂部，使原料充滿(mǎn)整個(gè)反應(yīng)爐的內(nèi)部空間，均勻分布，從而能夠提高多晶硅棒的成型速度和成型品相，進(jìn)一步提高成品率，降低多晶硅的生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)C01B33/021GK202175561SQ20112026493
公開(kāi)日2012年3月28日 申請(qǐng)日期2011年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月26日
發(fā)明者呂獻(xiàn)濤, 李鐵虎, 楊紅兵, 王宏偉 申請(qǐng)人:洛陽(yáng)萬(wàn)年硅業(yè)有限公司