包括光源的中空玻璃（IG）或真空中空玻璃（VIG）單元和/或制作其的方法發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例涉及光源、包括光源的裝置以及制作其的方法。更具體地，本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例涉及用于提高朗伯型或非朗伯型光源性能(例如效率、顏色和/或光產(chǎn)生等)的技術(shù)。在某些示例性實(shí)施例中，這通過(guò)以下來(lái)實(shí)現(xiàn)，即，(1)在LED上提供有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料(在某些示例性實(shí)施例中可以是高折射率材料)，(2)增加LED的光散射能力(例如通過(guò)分形壓花、圖案化等和/或通過(guò)在其上提供隨機(jī)分散元件)，和/或(3)通過(guò)先進(jìn)的冷卻技術(shù)提高性能。發(fā)明的背景及實(shí)施方式的概要在美國(guó)每年有很大一部分發(fā)電(據(jù)一些估計(jì)高達(dá)25％)用于照明。因此，存在對(duì)提供更高能效照明的持續(xù)需求。眾所周知，白熾燈泡是非常低能效的光源。它們消耗的電力約90％被作為熱量釋放，而不是光。熒光燈泡比白熾燈泡更有效率(例如約10的因子)，但與固態(tài)發(fā)光元件如發(fā)光二極管相比其仍然是低效的。另外，與固態(tài)發(fā)光元件如發(fā)光二極管的正常壽命相比，白熾燈泡的壽命相對(duì)較短，一般為約750-1000小時(shí)。相比較而言，發(fā)光二極管，例如，一般具有50000至70000小時(shí)的壽命。熒光燈泡比白熾燈具有更長(zhǎng)的壽命(如10000-20000小時(shí))，但提供不夠好的顏色再現(xiàn)。顏色再現(xiàn)通常使用顯色指數(shù)(CRIRa)測(cè)量，其為在被特定的燈點(diǎn)亮?xí)r對(duì)象的表面顏色移位的相對(duì)測(cè)量。CRIRa是當(dāng)照明8個(gè)參考顏色時(shí)，照明系統(tǒng)的顏色還原與參考輻射體(radiator)的顏色還原相比怎樣的測(cè)量的修改平均。如果被照明系統(tǒng)照明的一組測(cè)試顏色的顏色配位(coordinate)與被參考輻射體照射的同一測(cè)試顏色的配位相同，那么CRIRa等于100。日光具有高CRI(Ra為約100)，白熾燈泡也比較接近(RA大于95)，而熒光照明是比較不準(zhǔn)確的(一般Ra為70-80)。某些類型的專業(yè)照明具有非常低的CRIRa。例如水銀燈或鈉燈具有低至約40或更低的Ra。新的照明系統(tǒng)開(kāi)發(fā)面臨的另一個(gè)挑戰(zhàn)是如何實(shí)現(xiàn)高CRI。傳統(tǒng)燈具所面臨的另一個(gè)難題是需要定期更換照明裝置(如燈泡等)。這個(gè)的難題對(duì)于難以夠到的地方(如拱形天花板、橋梁、高層建筑、交通隧道等)和/或更換成本非常高的地方來(lái)說(shuō)問(wèn)題尤其嚴(yán)重。對(duì)應(yīng)于至少44000小時(shí)的光產(chǎn)生裝置的使用，典型燈具的一般壽命大約是20年(例如基于每天6小時(shí)的20年使用)。光產(chǎn)生裝置的壽命通常要短得多，從而產(chǎn)生周期性更換的需要。因此，進(jìn)一步的挑戰(zhàn)在于在實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命，從而減少停用時(shí)間量?，F(xiàn)有的LED元件封裝和其他電子設(shè)備組裝成燈具的設(shè)計(jì)已有提供。在這種設(shè)計(jì)中，封裝好的LED被安裝到安裝到散熱片上的電路板上，散熱片與所需驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備一起被安裝到燈具殼體。在許多情況下，還需要額外的光學(xué)器件(二級(jí)封裝部件)以產(chǎn)生均勻的照明。光學(xué)器件的短處在于，LED表現(xiàn)為扇出光的點(diǎn)源。特別是芯片級(jí)LED本質(zhì)是朗伯型的。表述“發(fā)光二極管”有時(shí)用來(lái)指基本的半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)(例如芯片)。(例如)在電子設(shè)備商店出售的常用確認(rèn)和市售“LED”通常表示由幾個(gè)部件組成的“封裝的”裝置。這些封裝的裝置通常包括基于半導(dǎo)體的發(fā)光二極管，例如(但不限于)美國(guó)專利第4918487、5631190和5912477中描述的(通過(guò)引用將其每個(gè)的全部?jī)?nèi)容納入本文)，各種電線連接和封包發(fā)光二極管的封裝。用發(fā)光二極管取代其他光源如白熾燈泡，封裝的LED已被用于傳統(tǒng)的燈具，例如，包括中空鏡片和附接在鏡片上的底板的燈具，其中所述底板具有帶有電耦合到電源的一個(gè)或多個(gè)接觸件的常規(guī)插座殼體。例如，包括電路板、安裝到電路板的多個(gè)封裝的發(fā)光二極管、后安裝到電路板上并適于被連接到燈具插座殼體的連結(jié)件從而多個(gè)LED可以被電源照明的LED燈泡，已被構(gòu)建。圖1是可與LED光源結(jié)合使用的模制的、柔軟的硅氧烷橡膠不著色的、擴(kuò)散光導(dǎo)陣列102。圖1的示例可以，例如，結(jié)合背光鍵盤和指示器窗口使用，例如在前面板組件中的。不同尺寸和/或形狀的光管元件104、106和108也可設(shè)置在光導(dǎo)陣列102中。LED燈可安裝至固體光管元件104、106和108的基部，或者可裝進(jìn)空心光管元件。光管陣列102可被放置在LED燈PC板組件上以形成背光單元。圖2是LED照明的面板組件200的簡(jiǎn)化視圖。內(nèi)部照明的面板采用HLMP-650X不著色、非擴(kuò)散SMT微型LED燈202表面安裝至雙面PC板204。兩側(cè)都使用最大金屬化以實(shí)現(xiàn)周邊的低熱阻，金屬化通孔206示于圖2。LED燈202在整個(gè)面板上分布(包括玻璃基板208)，以實(shí)現(xiàn)所需的照明效果。來(lái)自LED燈202的光線在面板內(nèi)交融在一起，以產(chǎn)生比較均勻的照明穿過(guò)面板200面上的照明區(qū)域。這些照明系統(tǒng)被擴(kuò)散及涂有一層薄薄的半透明白色涂料。在白天，LED燈202關(guān)閉，照明區(qū)域210反射環(huán)境光呈現(xiàn)白色。在夜間，這些區(qū)域被LED燈202內(nèi)部照明并呈現(xiàn)與LED光相同的顏色。面板200的外表面涂有白色反光漆，使得要被內(nèi)部照明的面板的面上的區(qū)域打開(kāi)。黑色的護(hù)膜防刮涂料添加，以形成外部完成212。面板整體厚度是5.84mm。雖然發(fā)光二極管的開(kāi)發(fā)在許多方面已徹底改變了照明行業(yè)，但是發(fā)光二極管的一些特點(diǎn)提出的挑戰(zhàn)中的一些尚未完全達(dá)到。例如，任何特定發(fā)光二極管的發(fā)射光譜通常集中在單一波長(zhǎng)(由于發(fā)光二極管的組合物和結(jié)構(gòu)所決定)，這對(duì)于某些應(yīng)用是可取的，但對(duì)于其他應(yīng)用是不可取的，例如，用于提供發(fā)射光譜提供非常低CRIRa的照明。因此，可以理解的是，在本領(lǐng)域中需要一種改進(jìn)的光源/燈具，來(lái)克服一個(gè)或多個(gè)這些和/或其他方面的困難，和/或制作其的方法。在某些示例性實(shí)施例中，提供了一種制作包括支承涂料的基板的涂覆制品的方法。提供基于鈦的前體。提供螯合物。使所述基于鈦的前體與所述螯合物反應(yīng)，以形成螯合鈦包容物質(zhì)。提供有機(jī)樹(shù)脂材料。使所述螯合鈦包容物質(zhì)與所述有機(jī)樹(shù)脂材料交聯(lián)，以形成有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液。在基板上安置有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液形成涂料。在某些示例性實(shí)施例中，提供了一種制作包括支承涂料的基板的涂覆制品的方法。提供有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液，所述有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液通過(guò)以下步驟制成：使基于鈦和/或鋯的前體與螯合物反應(yīng)，以形成螯合物質(zhì)，和使所述螯合物質(zhì)與有機(jī)材料交聯(lián)以形成有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液。(a)在基板上濕應(yīng)用有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液，或者(b)將所述有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液引入載體介質(zhì)然后將載體介質(zhì)擠壓出至基板上。一旦已被安置到基板上，固化有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液。在某些示例性實(shí)施例中，提供了一種制作電子裝置的方法。提供基板。在基板上安置至少一個(gè)發(fā)光二極管(LED)。提供有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液，所述有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液通過(guò)以下步驟制成：使基于鈦和/或鋯的前體與螯合物反應(yīng)，以形成螯合物質(zhì)，和使所述螯合物質(zhì)與有機(jī)材料交聯(lián)以形成有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液。(a)在基板上至少一個(gè)LED之上濕應(yīng)用有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液，或者(b)將所述有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液引入載體介質(zhì)然后將載體介質(zhì)擠壓出至基板上至少一個(gè)LED之上。一旦已被安置到基板上，固化有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液。在某些示例性實(shí)施例中，提供了一種裝置。提供第一基板。鏡子被第一基板支承。印刷電路板支承多個(gè)發(fā)光二極管(LED)/提供第二基板。層壓體被面對(duì)支承多個(gè)LED的印刷電路板的第二基板的第一主表面支承。層壓體由第一有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液形成，層壓體具有至少為約1.8的折射率。在某些示例性實(shí)施例中，提供了一種裝置。提供第一玻璃基板。薄膜鏡子涂料被第一基板支承。柔軟印刷電路板(FPC)支承安裝在其上的多個(gè)發(fā)光二極管(LED)倒裝芯片。提供第二玻璃基板。層壓體被面對(duì)支承多個(gè)LED的印刷電路板的第二基板的第一主表面支承，其中所述層壓體與第一基板和第二基板一起層壓。在某些示例性實(shí)施例中，提供了一種裝置。提供第一玻璃基板。薄膜鏡子涂料被第一基板支承。柔軟印刷電路板(FPC)支承安裝在其上的多個(gè)發(fā)光二極管(LED)倒裝芯片。聚合物為基礎(chǔ)的絕緣體層插入反射鏡和FPC之間，所述絕緣體層由有機(jī)-機(jī)混合溶液形成。提供第二玻璃基板。層壓體被面對(duì)支承多個(gè)LED的印刷電路板的第二基板的第一主表面支承，其中所述層壓體與第一基板和第二基板一起層壓。在某些示例性實(shí)施例中，提供了一種制作LED裝置的方法。提供基板。在基板上形成多個(gè)LED。在LED上和/或在LED的一個(gè)或多個(gè)層中創(chuàng)建隨機(jī)圖案，其中所述隨機(jī)圖案在LED產(chǎn)生的光上具有光散射效應(yīng)。在某些示例性實(shí)施例中，提供了一種LED裝置。根據(jù)某些示例性實(shí)施例，隨機(jī)圖案可由以下創(chuàng)建：生成分形圖案，其中分形圖案是隨機(jī)的分形圖案或具有向其中引入的隨機(jī)性；和將生成的分形圖案轉(zhuǎn)移到LED的一個(gè)或多個(gè)層上。根據(jù)某些示例性實(shí)施例，隨機(jī)圖案可由以下創(chuàng)建：提供nm或um級(jí)元件的水溶液；直接或間接地將溶液安置至在LED上的區(qū)域來(lái)在LED上隨機(jī)分散元件。在某些示例性實(shí)施例中，提供了一種裝置。提供第一玻璃基板和第二玻璃基板，所述第一基板和第二基板基本平行且間隔開(kāi)，從而限定它們之間的空腔。第一基板和第二基板之間安置多個(gè)柱。邊緣密封件被圍繞第一和/或第二基板的外周提供。至少一個(gè)導(dǎo)電母線被安置在面向第一基板的第二基板的內(nèi)表面上。至少一個(gè)n腿和至少一個(gè)p腿接觸所述至少一個(gè)母線。至少一個(gè)導(dǎo)體連接所述至少一個(gè)n腿和至少一個(gè)p腿。至少一個(gè)LED由至少一個(gè)導(dǎo)體支承。在某些示例性實(shí)施例中，提供制作其的方法。在某些示例性實(shí)施例中，提供了一種裝置。提供第一玻璃基板和第二玻璃基板，所述第一基板和第二基板基本平行且間隔開(kāi)，從而限定它們之間的空腔。第一基板和第二基板之間安置多個(gè)柱。邊緣密封件被圍繞第一和/或第二基板的外周提供。至少一個(gè)導(dǎo)電母線被安置在面向第一基板的第二基板的內(nèi)表面上。多個(gè)熱電(TE)模塊接觸所述至少一個(gè)母線，每個(gè)所述TE模塊包括通過(guò)導(dǎo)體彼此連結(jié)的n腿和p腿。多個(gè)ILED被安置在多個(gè)TE模塊的導(dǎo)體上。在某些示例性實(shí)施例中，提供制作其的方法。本文所描述的特征、方面、優(yōu)點(diǎn)和示例性實(shí)施例可以被組合在任何合適的組合或子組合中來(lái)實(shí)現(xiàn)更多實(shí)施例。附圖簡(jiǎn)述通過(guò)結(jié)合附圖參考示例性說(shuō)明性實(shí)施例的以下詳細(xì)描述，這些和其它特征和優(yōu)點(diǎn)可得到更好的、更完全的理解，其中：圖1是可與LED光源結(jié)合使用的模制的、柔軟的硅氧烷橡膠不著色的、擴(kuò)散光導(dǎo)陣列；圖2是LED照明的面板組件的簡(jiǎn)化視圖；圖3根據(jù)某些示例性實(shí)施例以圖表示出了由無(wú)機(jī)-有機(jī)聚合物基體系統(tǒng)制備的0.30um與0.23um厚高折射率匹配層的透光率百分比與波長(zhǎng)；圖4是根據(jù)某些示例性實(shí)施例示出用于制作混合高折射率膜的示例性工序的流程圖；圖5示出圖4示例性工序所涉及的基本配方、交聯(lián)、固化步驟；圖6以圖表示出了使用和不使用某些示例性實(shí)施例的薄膜分形壓花引起的增強(qiáng)光散射的AlGaAs二極管的發(fā)光效率；圖7a是根據(jù)某些示例性實(shí)施例示出示例性流程的流程圖，該流程用于幫助實(shí)現(xiàn)對(duì)使用分形圖案實(shí)現(xiàn)高CRI有用的非朗伯型寬帶散射；圖7b是根據(jù)某些示例性實(shí)施例示出示例性流程的流程圖，該流程用于幫助實(shí)現(xiàn)對(duì)使用散射元件實(shí)現(xiàn)高CRI有用的非朗伯型寬帶散射；圖8是根據(jù)某些示例性實(shí)施例的平ILED矩陣層壓體的剖視圖；圖9是根據(jù)某些示例性實(shí)施例的基于AlGaAs的說(shuō)明性的ILED結(jié)構(gòu)；圖10是根據(jù)某些示例性實(shí)施例展示主動(dòng)冷卻技術(shù)的剖視圖，該冷卻技術(shù)用于使用熱電模塊倒裝芯片安裝的LED陣列；圖11是根據(jù)某些示例性實(shí)施例串聯(lián)電連接和平行熱連接的ILED結(jié)構(gòu)的平面圖；圖12是根據(jù)某些示例性實(shí)施例的倒裝芯片熱沉晶圓(sub-mountwafer)的剖視圖；圖13是根據(jù)示例性實(shí)施例的結(jié)合LED的示例性VIG。發(fā)明的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述某些示例性實(shí)例涉及大致平的固態(tài)照明和/或制作其的方法，該照明是基于嵌入或?qū)訅涸谟糜谄降暮?或彎曲歧管的玻璃中的LEDS系統(tǒng)二維陣列的。在某些示例性實(shí)例中，出光耦合技術(shù)被用于提高照明系統(tǒng)的效率。在某些示例中此類裝置可在低電流密度閾值下運(yùn)行，從而降低了發(fā)熱問(wèn)題。目前的無(wú)機(jī)LED(LEDS或ILEDS)是單獨(dú)地以塑料(有時(shí)候是環(huán)氧樹(shù)脂)封裝的。因此，LEDS為點(diǎn)源，由此光的強(qiáng)度與距離XcosΩ的平方成反比。近來(lái)有一種趨勢(shì)是將此類LEDS鋪入各種系統(tǒng)的線性陣列中，其中燈可以耦合到例如LCD電視面板的背光燈等的玻璃邊緣上。在此類裝置中，使用專門的擴(kuò)散器耦合出光。眾所周知，朗伯型源是遵從朗伯余弦法的光源，其中，光源的輻射直接與相對(duì)于最大輻射率方向的角度的余弦值成比例，其中該源從該角度查看。LED近似于朗伯型源，因?yàn)樗麄兺哂写蟮墓馐l(fā)散且輻射模式近似于球體。某些示例性實(shí)施例可包括朗伯型和/或非朗伯型光源。在某些示例性實(shí)施例中，朗伯型光源，可通過(guò)在靠近非朗伯型光源處向非朗伯型光源提供出耦合測(cè)光擴(kuò)散器(例如或包括乙縮醛、二氧化硅等)以獲得朗伯型或類似朗伯型效果來(lái)實(shí)現(xiàn)。雖然此處參照了朗伯型(和非朗伯型)光源，應(yīng)理解，即使光源是基本朗伯型(或基本非朗伯型)的，該光源就可被視為朗伯型(或非朗伯型)。對(duì)于許多應(yīng)用需要高效率的發(fā)光二極管(LED)，例如顯示器、打印機(jī)、短程通信、光電計(jì)算機(jī)互連、等。然而，不幸的是，LED的內(nèi)部效率及其外部效率之間存在間隙。質(zhì)量好的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的內(nèi)部量子效率可超過(guò)99％。另一方面，普通封裝型LED通常只有百分之幾的效率。該不足的原因之一在于，光從高折射率半導(dǎo)體逃逸的難度很大，例如，因?yàn)楣馓右萁清F很窄。折射率為n=3.5的半導(dǎo)體內(nèi)的內(nèi)部光的逃逸角錐只有-16度，如斯涅耳定律所施加。自發(fā)發(fā)射的該窄逃逸角錐涵蓋Ω≈1/4ns2X4π球面度的立體角。僅2％的內(nèi)部產(chǎn)生光能夠逃逸到自由空間，其他則遭受內(nèi)部全反射并遭受再吸收。許多體系已基于使用匹配的折射率半球圓頂來(lái)耦合二極管半導(dǎo)體出光的想法部分地克服了這一問(wèn)題。然而，該完美匹配的短處在于，逃逸立體角為Ω≈1/4ns2X4π球面度。所使用大多封裝是塑料，其具有的折射率遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體的(nc<<ns)。環(huán)氧經(jīng)常被用作密封劑，其折射率仍遠(yuǎn)小于通常用于LED材料的GaAs和GaN。這個(gè)配方其實(shí)是一般性的上限，因?yàn)樗梢栽诓粎⒖继囟ㄧR片的幾何形狀的情況下通過(guò)統(tǒng)計(jì)力學(xué)相空間參數(shù)導(dǎo)出。因此，它適用于逆溫斯頓集中儀和其他類型的光體系。對(duì)于匹配的折射率“鏡片”的結(jié)構(gòu)可以是厚的、透明的半導(dǎo)體層，這有時(shí)可能會(huì)增加成本?，F(xiàn)在的國(guó)家最先進(jìn)的是AlGaAs基LED中的-30％外部效率，其采用厚的透明半導(dǎo)體上層且整個(gè)基板以特別低損失光學(xué)設(shè)計(jì)蝕刻。增加逸出概率的一種方法是，給予光子多次機(jī)會(huì)找到逃逸角錐。某些示例性實(shí)施例涉及裸LED陣列，其從基板脫粘或以倒裝芯片形式提供。比如，某些示例性實(shí)施例可涉及從基板脫粘的薄膜LED(例如通過(guò)外延剝離)，和以線性和二維陣列將他們平鋪到已涂有導(dǎo)電母線的玻璃基板上。某些示例性實(shí)施例可涉及將LED直接安裝到柔軟PCB上。這樣的PCB可粘合至具有導(dǎo)電性涂料的玻璃基板以幫助散熱。LED陣列可以外涂有透明、高折射率層。這種示例性安排有利地使光更容易從LED結(jié)構(gòu)逃逸從而減少吸收。在某些示例性實(shí)施例中，通過(guò)使用不同的技術(shù)將薄膜表面納米紋理化，光線動(dòng)態(tài)變得混沌，且光的相位空間分布變地“遍歷”，允許甚至更多的光找到逃逸角錐。這種示例性技術(shù)的模擬技術(shù)已經(jīng)證實(shí)，GaAsLED中至少有30％的外部效率使用這些示例性原理。在這些裝置上在有源電路與空氣或低折射率封裝層之間應(yīng)用透明的高折射率涂料層可進(jìn)一步提高其性能。例如，從高折射率有源電路到空氣或低折射率封裝層的更逐步過(guò)渡，可允許光可被更有效地耦合入或耦合出裝置，從而提高其效率和/或圖像質(zhì)量。伴隨著更高的效率，裝置可以更強(qiáng)大，同時(shí)消耗更少的能量。因?yàn)檫@些光學(xué)裝置中有些是由折射率高達(dá)約2.5-3.5的半導(dǎo)體材料制成的，所以這種透明涂料層的所需折射率在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)段中為至少為1.8，優(yōu)選大于1.9。如果折射率足夠高，聚合物將是涂料材料的不錯(cuò)的選擇，因?yàn)樗子诩庸ず蜐撛诘牡统杀尽２恍业氖?，這樣的聚合物不存在。目前世界上折射率最高的聚合物被認(rèn)為是具有約1.76的折射率，由日東電工(NittoDenko)的定頼(Sadayori)和掘田(Nitto)開(kāi)發(fā)。具有高折射率和高透明性的無(wú)機(jī)材料可以使用在某些示例性實(shí)施例中，作為可能的過(guò)渡金屬氧化物，如二氧化鈦或二氧化鋯(例如超晶格nm晶氧化鋯)。溶液制備的涂料，例如，如含金屬氧化物的材料如溶膠-凝膠涂料和nm粒子復(fù)合材料有時(shí)是易碎的并可能會(huì)開(kāi)裂，且由于制造工序、存儲(chǔ)穩(wěn)定性和可靠性相對(duì)復(fù)雜，使得它們的應(yīng)用有限。這種涂料一般不會(huì)非常適合于高的加工溫度(例如等于或高于約400攝氏度)，這對(duì)于大多數(shù)半導(dǎo)體裝置是一個(gè)缺點(diǎn)。濺射是目前被用來(lái)從這些和/或其它金屬氧化物生成高折射率薄膜的另一種技術(shù)。然而，不幸的是，光裝置制造商會(huì)尋求其他更具成本效益的方法，因?yàn)橐阎獮R射通常是成本相對(duì)較高且吞吐量更低的方法。某些示例性實(shí)施例涉及以基于聚合的二氧化鈦和/或聚合的氧化鋯的系統(tǒng)為基礎(chǔ)的混合涂料系統(tǒng)。首先用將烷氧基鈦與螯合劑反應(yīng)以將高反應(yīng)性的四配位鈦物種轉(zhuǎn)換成相對(duì)不活潑的六配位鈦物種，來(lái)制備有機(jī)-無(wú)機(jī)混合聚合物溶液。然后其他所需的聚合物組分可以被添加到穩(wěn)定的含鈦溶液中并充分地混合。穩(wěn)定的結(jié)果是，混合聚合物溶液可在室溫下穩(wěn)定多達(dá)6個(gè)月，顏色和粘度變化忽略不計(jì)。混合聚合物溶液可以以所需厚度被旋涂或豎槽涂覆到基板上。二氧化鈦豐富的膜通過(guò)在低于約250℃的高度下熱分解混合涂料產(chǎn)生。所得的干燥膜可以制為薄至0.2um厚至約4um或更大。這種膜具有良好的透明性，并當(dāng)固化溫度為300攝氏度或更高溫度時(shí)在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)段具有高達(dá)或高于約1.90的折射率。得到單涂料應(yīng)用的厚度大于300nm的無(wú)裂紋膜。多涂料適用于獲得更厚的膜并從兩個(gè)連續(xù)的涂料之間的SEM剖視圖像看不到明顯的界面?；旌细哒凵渎誓ぴ诒槐┞队跓岷妥贤饩€輻射時(shí)機(jī)械上堅(jiān)固、穩(wěn)定，并可適用于各種各樣的光學(xué)應(yīng)用。該材料是與半導(dǎo)體材料相容在某些示例性實(shí)施例中，有機(jī)-無(wú)機(jī)混合聚合物可被會(huì)引入可輾薄介質(zhì)，如乙烯-酸乙烯酯(EVA)、硅氧烷、芳族聚酰胺等。這將允許使用真空粘合或除氣，有時(shí)不使用高壓釜。選擇含有多個(gè)羥基官能團(tuán)的有機(jī)聚合物。他們被選擇，以允許聚合物和二氧化鈦相之間的原發(fā)性或繼發(fā)性的化學(xué)粘合，來(lái)促進(jìn)相的相容性和高分散度。螯合的聚(二丁基鈦酸酯)聚合物和有機(jī)聚合物，無(wú)論是在溶液中還是在固化膜中在全部的或?qū)嵸|(zhì)的所有比例上是兼容的，它們的高透明性和折射率分散曲線可證明。通常情況下，高達(dá)或高于1.9的折射率在厚度為0.4um的550nm處得到。當(dāng)沉積在任何無(wú)機(jī)發(fā)光二極管上時(shí)，即使薄至0.4um的膜，也通常在70％的增量范圍顯著從高折射率材料顯著地提高光輸出耦合。圖3根據(jù)某些示例性實(shí)施例以圖表示出了由無(wú)機(jī)-有機(jī)聚合物基體系統(tǒng)制備的0.30um與0.23um厚高折射率匹配層的透光率百分比與波長(zhǎng)。0.30um和0.23um厚的高折射率匹配層分別被沉積在藍(lán)寶石及石英基板上。從圖3中可以看出，在整個(gè)可見(jiàn)光譜透光率是至少約80％。在某些示例性實(shí)施例中，可有較高的透光率，例如，至少約85％，更優(yōu)選至少約90％，有時(shí)甚至更高。圖4是根據(jù)某些示例性實(shí)施例示出用于制作混合高折射率膜的示例性工序的流程圖。在步驟S402中，提供無(wú)機(jī)基前體。在某些示例性實(shí)施例中，無(wú)機(jī)基前體可以是基于鈦的前體如烷氧基鈦、基于鈦的復(fù)合磷酸鹽等。在某些示例性實(shí)施例中，無(wú)機(jī)基前體可被直接或間接沉積在LED上和/或在玻璃基板上。例如，在某些示例性實(shí)施例中，基于烷氧基鈦的前體通過(guò)原子層沉積(ALD)沉積，基于鈦的磷酸鹽層可被印刷，等。當(dāng)然，可以理解，代替鈦，或除了鈦之外，其他高折射率無(wú)機(jī)材料也可用于某些示例性實(shí)施例中。在步驟S404中，可形成螯合物，并可添加有機(jī)組分以及可選的添加劑。在某些示例性實(shí)例中，螯合物可以是水楊酸。在某些示例性實(shí)施例中，有機(jī)組分可以是樹(shù)脂、硅氧烷、聚酰亞胺、聚酰胺，和/或類似物?？蛇x的添加劑也可被引入。例如，其它無(wú)機(jī)材料(如代替基于鈦的前體或除基于鈦的前體之外)可被引入調(diào)整折射率。事實(shí)上，折射率可通過(guò)選擇性地包括氧化鋯、二氧化硅和/或硅酸鹽等被向上或向下調(diào)整。光散射元件和/或散熱元件也可被引入。一種示例性材料是氮化硼，其用作光散射劑和消熱劑。增塑劑也可被包括在某些示例性實(shí)施例中。在步驟S406中，螯合基于鈦的前體和有機(jī)組分可交聯(lián)以生成有機(jī)-無(wú)機(jī)混合溶液。在一個(gè)實(shí)施例中，烷氧基鈦可與螯合劑反應(yīng)，以將四配位Ti物種轉(zhuǎn)換成相對(duì)不活潑的六配位的物種，例如，以生成螯合聚(二丁基鈦酸酯)。當(dāng)然，在本發(fā)明的不同實(shí)施例中，其他的鈦酸鹽可被生成和/或使用。在某些示例性實(shí)例中，混合聚合物可通過(guò)將螯合聚(二丁基鈦酸酯)與含羥基的有機(jī)樹(shù)脂一起混合形成。在某些示例性實(shí)施例中，有機(jī)組分和無(wú)機(jī)組分可提供為按重量相等的百分比。在某些示例性實(shí)施例中，也可以按重量以60/40的比例提供有機(jī)組分和無(wú)機(jī)組分。當(dāng)然，在本發(fā)明的不同實(shí)施例中，其它比例和/或百分比也是可能的。在某些示例性實(shí)施例中，混合溶液可能是相當(dāng)液態(tài)的。在某些示例性實(shí)施例中，液態(tài)的混合溶液是有利的，因?yàn)樗軌颉案?dòng)”或“游動(dòng)”于LED之間。在這種情況下，混合溶液可被濕應(yīng)用、垂直槽涂覆或以其他方式提供為所希望的厚度。然而，在某些示例性實(shí)施例中，提供可被擠壓的更粘稠的混合層壓體(例如有機(jī)粘合劑如EVA、硅樹(shù)脂芳族聚酰胺等中包含的無(wú)機(jī)和/或其他材料)可以是可取的。更粘稠的混合層壓體在“更清潔”或“少凌亂”應(yīng)用方面可更有利。在步驟S408中示出了混合聚合物或?qū)訅后w的應(yīng)用。在步驟S410中，涂覆的混合聚合物或?qū)訅后w被干燥和/或固化。在某些示例性實(shí)施例中，干燥和/或固化可有助于除去溶劑和水，留下比有機(jī)材料更多的無(wú)機(jī)材料。干燥可發(fā)生在低于約250氏度的第一高溫，而在固化可發(fā)生在大于或等于300攝氏度左右的第二高溫。某些示例性實(shí)施例可包括在這些和/或任何其它合適的溫度下干燥與固化中的一個(gè)或兩個(gè)。圖5示出圖4示例性工序所涉及的基本配方、交聯(lián)、固化步驟。在圖5中可以看出，在步驟S502中，螯合的基于鈦的前體接觸樹(shù)脂粘合劑。在步驟S504中，所述樹(shù)脂粘合劑和螯合的基于鈦的前體交聯(lián)。在步驟S506中，通過(guò)加熱工序蒸去溶劑，固化膜被粘附至基板(如膜、硬表面、玻璃等)。某些示例性實(shí)施例涉及從LED(例如ILED)陣列增強(qiáng)光的散射，例如使用散射層。在某些示例實(shí)例中，散射層可提高從ILED陣列的光出耦合，和/或幫助實(shí)現(xiàn)有助于獲得高CRI的非朗伯型寬帶散射。實(shí)驗(yàn)表明，內(nèi)部光波長(zhǎng)一半尺度的表面紋理，可在半導(dǎo)體膜內(nèi)產(chǎn)生高度(有時(shí)甚至是完全或基本完全)光線的內(nèi)部角隨機(jī)化。其可通過(guò)自然光刻技術(shù)或任何其它合適的技術(shù)實(shí)現(xiàn)。光散射層的生成可包括，例如直接或間接地在發(fā)光區(qū)域上薄膜分形壓花加工。在某些實(shí)施例中，這個(gè)過(guò)程步驟可在薄膜轉(zhuǎn)移和粘合之后進(jìn)行。在某些示例性實(shí)施例中，具有用于光散射合適的孔隙率(例如在某些示例性實(shí)例中為10至30％的孔隙率)的分形圖案可直接或間接地位于LED的發(fā)光區(qū)域。隨機(jī)性可通過(guò)任何合適的技術(shù)被插入分形圖案。例如，可使用自相似分布(self-similardistribution)引入隨機(jī)性，例如，通過(guò)通過(guò)以實(shí)心單位方形開(kāi)始來(lái)修改謝爾賓斯基(Sierpinski)墊片構(gòu)建、去除隨機(jī)選取的方形象限、去除隨機(jī)選取的剩余方形的象限等。另一種向分形結(jié)構(gòu)增加隨機(jī)性的方式涉及統(tǒng)計(jì)自相似性，例如，通過(guò)在每個(gè)迭代以從一組范圍選取的隨機(jī)量來(lái)限定圖案的每塊尺寸，而不是指定確切尺寸限定。隨機(jī)分形也可通過(guò)隨機(jī)工序產(chǎn)生，如布朗運(yùn)動(dòng)(Brownianmotion)軌跡、列維飛行(Lévyflight)、分形地形、布朗樹(shù)等。使用上述和/或其它技術(shù)，產(chǎn)生具有適當(dāng)特征的模板。之后可將該模板轉(zhuǎn)移到目標(biāo)區(qū)域。在某些示例性實(shí)施例中，該模板本身可以完成散射。但是，在某些其他示例性實(shí)施例中，該模板可用作掩模且其部分可被蝕刻掉(例如通過(guò)光刻和化學(xué)品等)，從而生成所需的光散射特性，并且模板可被可選地除去。在某些示例性實(shí)施例中，該特征可被施加到發(fā)光二極管或任何合適的界面。在某些示例性實(shí)施例中，界面、芯片、聚合物、半導(dǎo)體層等可被紋理化來(lái)幫助實(shí)現(xiàn)所需的光散射效應(yīng)。光散射也可通過(guò)使用具有0.2um半徑的聚苯乙烯球獲得，其用于以隨機(jī)密堆積的陣列涂敷LED的表面。與上述類似的孔隙率可以用于該示例性實(shí)施例。聚苯乙烯球可通過(guò)旋涂法和/或類似的方法在浸漬工序中從水溶液通過(guò)表面張力附著。該工序會(huì)致使所述球位于隨機(jī)位置。所述球也可以用作約10-300nm的Cl-輔助Xe+離子束刻蝕的蝕刻掩模，優(yōu)選為深入n+和/或其他AlGaAs層10-170nm。等離子體也可以被用來(lái)執(zhí)行這種蝕刻。這些蝕刻技術(shù)也可用于形成上述實(shí)施例中的分形圖案。雖然已關(guān)于聚苯乙烯球描述了某些示例性實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解，其它材料和/或其它形狀也可用于本發(fā)明的不同實(shí)施例。圖6以圖表示出了用于增強(qiáng)型和非增強(qiáng)型AlGaAs二極管的LED總發(fā)光量與注入電流。因此，圖6可以認(rèn)為是以圖表示出了使用和不使用某些示例性實(shí)施例的薄膜分形壓花引起的增強(qiáng)的光散射的AlGaAs二極管的發(fā)光效率。校準(zhǔn)可通過(guò)隨著對(duì)光電二極管量子效率進(jìn)行小修正的光電二極管電流對(duì)LED電流的比率獲得。來(lái)自該LED的光的角分布是朗伯型的。圖4上的線性擬合表示廣泛的最佳電流范圍，該范圍有時(shí)可能受在高端的加熱和低端的非輻射復(fù)合的限制。方形和菱形代表從相同一晶圓拉出并一起處理至最終變形步驟的兩個(gè)裝置。圖7a是根據(jù)某些示例性實(shí)施例示出示例性流程的流程圖，該流程用于幫助實(shí)現(xiàn)對(duì)使用分形圖案實(shí)現(xiàn)高CRI有用的非朗伯型寬帶散射。在步驟S701中，生成模板，其具有隨機(jī)的分形圖案或向其中引入了隨機(jī)性的分形圖案。在步驟S703中，直接或間接地將該模板轉(zhuǎn)移至LED上的區(qū)域或LED的區(qū)域。例如，在某些示例性實(shí)施例中，該區(qū)域可以是在LED的最外層、LED的半導(dǎo)體層、LED裝置器件組件中的界面等上。在步驟S705中，該區(qū)域然后被使用該模板進(jìn)行紋理化、蝕刻或壓花。在紋理化和/或蝕刻實(shí)施例中，該模板可用作光刻圖案化、等離子刻蝕、濕法刻蝕和/或等的掩模(例如如果其由感光基部形成)。在某些示例性實(shí)施例中，在步驟S707中模板被移除。但是，在本發(fā)明的不同的實(shí)施例中，該模板也可被留在原處。在步驟S709中，完成LED裝置的制造。圖7b是根據(jù)某些示例性實(shí)施例示出示例性流程的流程圖，該流程用于幫助實(shí)現(xiàn)對(duì)使用散射元件實(shí)現(xiàn)高CRI有用的非朗伯型寬帶散射。在步驟S711中，形成了納米或微米級(jí)元件的水溶液。例如，可使用球狀、眼形、立方體和/或其它形狀物體。在某些示例性實(shí)施例中，這樣的物體可具有從接近約0.01到1um的主直徑或距離。一旦水溶液被直接或間接地應(yīng)用于LED上的一個(gè)區(qū)域，元件的尺寸和數(shù)量可被選定，以便提供目標(biāo)孔隙率(如，沿上述線)。在步驟S713中，該溶液可被濕應(yīng)用，如通過(guò)旋轉(zhuǎn)、碾壓、浸漬、槽壓和/或其它涂敷技術(shù)。這種涂層技術(shù)可有助于在LED上隨機(jī)分散元件，如以目標(biāo)孔隙率分散。在步驟S715中，所應(yīng)用的溶液被有選擇地干燥。在某些示例性實(shí)施例中，在步驟S717中，元件可被用做式蝕刻掩模，以便于LED被如使用等離子光刻等蝕刻或圖案化。在某些示例性實(shí)施例中，元件可被去除。在步驟S719中，完成LED裝置的制造。某些示例實(shí)施例還涉及到ILED陣列的“主動(dòng)冷卻”技術(shù)。這種主動(dòng)冷卻技術(shù)可幫助提高工作效率，延長(zhǎng)產(chǎn)品的壽命。目前，芯片制造商試圖采用使用橫向注入并根據(jù)電流擁擠效應(yīng)的LED設(shè)計(jì)來(lái)減少電極上的強(qiáng)力寄生吸附，這是在所有LED的一個(gè)已知問(wèn)題。二極管電流涌入兩個(gè)歐姆接觸之間的中央?yún)^(qū)段，但適度遠(yuǎn)離兩個(gè)接觸中任何一個(gè)接觸。這種設(shè)計(jì)方法降低了歐姆接觸處的寄生光學(xué)吸附，但也很可惜地加劇了局部熱度。LED(如InGaN、AlGaAs和/或類似物)在固態(tài)照明和其他高亮度應(yīng)用中的使用，將受益于遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)LED光輸出的LED的開(kāi)發(fā)。常規(guī)的InGaNLED具有350微米芯片，其帶有半透明的電流擴(kuò)散p接觸，并通常被封裝在5mm的燈內(nèi)。如上所述，因?yàn)榘胪该鹘佑|內(nèi)的光吸收，所以光提取效率差。此外，5mm的燈(150度C/W)的高熱阻限制了最大驅(qū)動(dòng)電流。因此，光功率和亮度輸出是相當(dāng)?shù)偷?。與InGaNLED常規(guī)封裝的外延向上配置不同，某些示例性實(shí)施例涉及LED的倒裝芯片封裝的外延向下配置。此示例性配置也可有助于降低LED的熱阻。在某些示例性實(shí)例中，此示例性配置可以使LED以較高的電流驅(qū)動(dòng)。計(jì)算結(jié)果表明，使用主動(dòng)熱電冷卻而不是使用反射p型接觸替換半透明接觸，且使用倒裝芯片幾何形狀，有利于將光提取效率增加約160-300％。這些結(jié)果均優(yōu)于常規(guī)輸出。此外，在實(shí)施與所述相同或相似的主動(dòng)冷卻技術(shù)的示例性實(shí)施例中，LED的大小和/或LED的驅(qū)動(dòng)電流可進(jìn)一步增加。這有利地導(dǎo)致更大的光功率和亮度輸出。圖8是根據(jù)某些示例性實(shí)施例的平ILED矩陣層壓體的剖視圖。圖8組件包括第一玻璃基板802和第二玻璃804。在某些示例性實(shí)施例中，第一基板802可以被認(rèn)為是一種上層。高折射率層壓體806由上層第一基板802支承。在某些示例性實(shí)施例中，層壓體806可由上述有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料形成，如，被擠壓成型。在某些示例性實(shí)例中，層壓體806的內(nèi)表面806a可被紋理化。在某些示例性實(shí)施例中，層壓體806將第一基板802和第二基板804層壓在一起。低折射率絕緣體808可被第二基板804支承。在某些示例性實(shí)施例中，低折射率絕緣體808可為上述有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料的低折射率版本，如被擠壓成型的。因此，在某些示例性實(shí)施例中，層壓體806和低折射率絕緣體808可由相似的有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料形成，只要它們各自的折射率被調(diào)整為各自目標(biāo)。在某些示例性實(shí)施例中，層壓體806可以具有高折射率，如至少為約1.7，更優(yōu)選為至少約1.8，有時(shí)甚至高達(dá)或高于1.9，且絕緣體808可具有低折射，如低于約1.8，更優(yōu)選為低于約1.7，且最好低至或低于1.6-1.65。高折射率層812可被安置在層壓體806和支承LED810的柔軟PCB之間。適合于某些示例性實(shí)施例的柔軟PCB可由明科(Minco)制造或提供。高折射率層812可為有機(jī)層，如鈦氧化物（如TiO2或其它合適的化學(xué)計(jì)量)、鋯氧化物（如二氧化鈦TiO2或其它合適的化學(xué)計(jì)量）等。在某些示例性實(shí)施例中，高折射率層812可由上述混合有機(jī)-無(wú)機(jī)材料形成。然而，在某些示例性實(shí)例中，如為了進(jìn)一步增加折射率，大多數(shù)或所有的有機(jī)元件可在液體狀態(tài)下或一旦至少開(kāi)始被應(yīng)用時(shí)（如在一個(gè)或多個(gè)高溫下通過(guò)干燥和/或固化）被除去。在某些示例性實(shí)施例中，所述材料可被濕用或槽壓涂覆，以便使液態(tài)材料填充相鄰的LED組件之間的間隙并形成與有LED安置于其上的柔軟PCB810的良好接觸。在某些示例性實(shí)施例中，所述無(wú)機(jī)層812的表面可被紋理化。在某些示例性實(shí)施例中，層壓體806、絕緣層808和高折射率層812中的一個(gè)或多個(gè)可由有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料形成(或其多個(gè)各自版本)，每個(gè)層的折射率由混合溶液中的添加劑調(diào)整。在某些示例性實(shí)施例中，鏡子814可被安置在絕緣體808和第二基板804之間。在某些示例性實(shí)例中，鏡子814可包括多個(gè)薄膜層，例如可以按從第二基板804移離的次序包括多個(gè)如Sn、Ag(如約1000埃厚)和Cu(約350埃厚)。當(dāng)然，其他材料也可用于代替或者附加于所列出的示例性材料。在不同的示例性實(shí)施例中，也可使用其他類型的鏡子。鏡子814可有助于作為散熱片，從而幫助提高LED在組件中的性能。一個(gè)或多個(gè)可選層也可被設(shè)置在上層玻璃802上。在某些示例性實(shí)施例中，CRI匹配層816也可以設(shè)置在上層玻璃802上。CRI匹配層可包括Cd基材料，如CdTe納米晶體、量子點(diǎn)矩陣等。在某些示例性實(shí)施例中，擴(kuò)散器和/或防反射(AR)復(fù)合物層可被設(shè)置在上層玻璃802上。在某些示例性實(shí)施例中該AR層可以是三層AR涂層。如參見(jiàn)美國(guó)專利申請(qǐng)序列第12/923146號(hào)，在此通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容納入。在某些示例性實(shí)施例中，磷光體可以被嵌入或安置在覆蓋玻璃802上的層內(nèi)。從LED發(fā)出的紫外線輻射可導(dǎo)致磷光體發(fā)光。在某些示例性實(shí)例中，第一薄(如1mm厚)的低鐵玻璃基板可被提供。包括透明導(dǎo)電涂料(TCC)的陽(yáng)極層可被覆蓋涂覆其上，如，在某些示例性實(shí)施例中通過(guò)濕應(yīng)用涂覆。在某些示例性實(shí)例中，使用離子束以使OCLS平坦化是有利的。覆蓋陽(yáng)極層可被激光圖案化入適當(dāng)電路圖。用于折射率匹配TCC的輸出耦合層堆(OCLS)可被插入第一玻璃基板和陽(yáng)極層之間。在某些示例性實(shí)施例中，例如，可使用此處所述類型的熱傳導(dǎo)性樹(shù)脂層封包所述圖案化的陽(yáng)極層。如前所述，這可有助于解決LED的內(nèi)部結(jié)溫，從而提高工作效率，并提供全固態(tài)(或大致全固態(tài))中間制品或成品。在某些示例性實(shí)施例中，第二玻璃基板可支承鏡子涂料(例如Al或Cu鏡子涂料)?；蹇梢员晃g刻以形成孔，干燥劑可被插入到這樣的孔內(nèi)。OLED和/或ILED可被用于此類示例性安排中。在某些示例性實(shí)施例中，在陽(yáng)極和陰極的位置可被互換。圖9是根據(jù)某些示例性實(shí)施例的基于AlGaAs的說(shuō)明性的ILED結(jié)構(gòu)。圖9所示ILED結(jié)構(gòu)包括多個(gè)層。該層可以按移離第二基板804的次序包括AlGaAs或包括AlGaAs的p+層902(例如約0.3um厚)、GaAs或包括GaAs的p904層(例如約0.2um厚)、AlGaAs或包括AlGaAs的n層906(例如約0.04um厚)、AlGaAs或包括AlGaAs的n+層908(例如約0.4um厚)，和/或GaAs的n+層(例如約0.03um厚)。在某些示例性實(shí)施例中，p接觸910可被提供在p層902上并與之接觸，且n接觸912可在一個(gè)或多個(gè)n+層上并與之接觸作為最上層提供。如上所示，在某些示例性實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)n-和/或其他層可被粗糙化或蝕刻。另外，如上所示，在某些示例性實(shí)施例中，在晶圓級(jí)上可進(jìn)行結(jié)構(gòu)化、蝕刻、圖案化和/或類似操作。盡管圖9示出的ILED是AlGaAs型，應(yīng)理解，AlGaN異質(zhì)結(jié)可被用于本發(fā)明的不同實(shí)施例中。正如上面提到的，本申請(qǐng)的發(fā)明人意識(shí)到，通過(guò)使用熱電電池實(shí)現(xiàn)提供先進(jìn)的冷卻技術(shù)，可提高LED照明系統(tǒng)的效率。熱電電池依賴于熱電效應(yīng)，熱電效應(yīng)一般是指溫度差異對(duì)電壓以及相反的轉(zhuǎn)換。在這樣的系統(tǒng)中，在原子尺度中，施加的溫度梯度會(huì)導(dǎo)致材料中的帶電載流子(例如電子或電子空穴)從熱側(cè)擴(kuò)散到冷側(cè)。因此，每側(cè)溫度不同時(shí)熱電裝置生成電壓。因此，這種效應(yīng)可以用來(lái)發(fā)電。某些示例性實(shí)施例提供使用熱電(TE)模塊結(jié)合超絕緣來(lái)提高LED基陣列的性能的技術(shù)，但可選結(jié)合透光、真空絕緣玻璃(VIG)單元技術(shù)。在某些示例性實(shí)施例中，真空絕緣玻璃(VIG)單元被用作高熱阻(R>12)介質(zhì)，來(lái)收容在面朝陽(yáng)光側(cè)上電串聯(lián)且熱平行的熱電接合點(diǎn)陣列。根據(jù)某些示例性實(shí)施例，R值優(yōu)選至少為10，更優(yōu)選至少為12，甚至可更高。這些高R值在本發(fā)明的受讓人制造的VIG單元中目前可以實(shí)現(xiàn)。這些單元普遍采用火柱和低輻射涂料。當(dāng)然，典型的氬氣和/或氙氣填充的IG單元提供的R-值約為4，可用于結(jié)合某些示例性實(shí)施例使用，只要是指數(shù)Z的TE系數(shù)提高到適當(dāng)?shù)乃剑缭谙旅娓敿?xì)地討論的。在任何情況下，R值10將提供約400攝氏度的ΔT，約12的R值提供約600攝氏度的ΔT。優(yōu)選每單位面積的接合點(diǎn)的數(shù)目被提供為一定的水平使得填充因子小于20％。已知，填充因子是指實(shí)際可獲得的最大功率與理論功率的比(以百分比表示)。當(dāng)然，可以理解，填充因子可與Z值平衡，類似于如上所述。因此，當(dāng)上述Z值大于或等于約10時(shí)，填充因子可以被減少到小于或等于約10％。根據(jù)某些示例性實(shí)施例，VIG單元可以用于多個(gè)目的。例如，VIG單元可為TE接合點(diǎn)提供可集成在VIG內(nèi)的支承。作為另一個(gè)例子，VIG單元可通過(guò)在VIG單元本身中包含TE裝置來(lái)在熱接合點(diǎn)與冷接合點(diǎn)之間提供非常大的溫度差。大ΔT反過(guò)來(lái)可幫助大幅提高TE效率。作為又一示例，VIG單元可向倒裝芯片或安裝的LED提供支承。又如，VIG單元可幫助熱隔離LED裝置并降低LED達(dá)到減弱其操作效率的溫度的可能性。圖10是根據(jù)某些示例性實(shí)施例展示主動(dòng)冷卻技術(shù)的剖視圖，該冷卻技術(shù)用于使用熱電模塊倒裝芯片安裝的LED陣列。類似于常規(guī)VIG單元，圖10的示例性實(shí)施例包括外基板1002和內(nèi)基板1004。在本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例中，外基板1002和內(nèi)基板1004中的一者或兩者可以是玻璃基板。該基板為基本平行、彼此間隔開(kāi)的關(guān)系多個(gè)柱1006幫助保持外基板1002和內(nèi)基板1004之間的距離。在本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例中，柱1006可為藍(lán)寶石柱。邊緣密封1008設(shè)置外周周圍以密封VIG單元，例如，使外基板1002和內(nèi)基板1004之間的空腔被抽空至壓力小于大氣，和/或被填充以一種或多種氣體(如氬氣、氙氣和/或類似物)。在本發(fā)明的不同實(shí)施例中，外基板1002和內(nèi)基板1004可以是相同或不同的尺寸。每個(gè)熱電模塊包括n腿1010a和p腿1010b，并可以由任何合適的材料制成。例如，熱電模塊可以是鉍基(例如Bi2Te3，Bi2Se3等)、方鈷礦材料(例如以(Co,Ni,Fe)(P,Sb,As)3的形式或類似物)的氧化物(例如(SrTiO3)n(SrO)m或類似物)。在某些示例性實(shí)施例中熱電材料可被摻雜。當(dāng)TE材料被摻雜，例如，摻雜可進(jìn)行分級(jí)使得摻雜更高度接近熱接合點(diǎn)。模塊的n腿1010a和p-腿1010b可被導(dǎo)體1012連接，該導(dǎo)體有時(shí)因其中所用的材料也被稱為熏黑導(dǎo)體，但其仍可透光。在某些示例性實(shí)施例中，導(dǎo)體1012可以是銅基材料(Cu、CuO等)，玻璃料(如炭黑，如DAG或類似物)。在本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例中，熱電模塊可被絲網(wǎng)印刷。每個(gè)模塊的大小，可結(jié)合所需填充因子進(jìn)行選擇。當(dāng)使用20％的填充因子，例如，可使用大致方形大約1''×1''的模塊尺寸，但其他尺寸和/或形狀也可與當(dāng)前和/或其他填充因子結(jié)合。在某些示例性實(shí)施例中，柱1006可在絲網(wǎng)印刷TE材料之后被安置。在某些示例性實(shí)施例中，TE模塊不直接接觸內(nèi)基板1004。相反，在某些示例性實(shí)施例中，母線1014被設(shè)置在內(nèi)基板1004的內(nèi)表面(表面3)和熱電材料之間。該母線可以是透明的，因此可以是或包含任何合適的材料，例如，可以是或包括Ag、ITO、AZO、銦-鎵-氧化物等的透明導(dǎo)電涂料。導(dǎo)電涂料也可以是CNT基、石墨烯基等。CNT基的導(dǎo)電涂料/裝置和制作其的方法，例如在美國(guó)專利申請(qǐng)序列第12/659352號(hào)中有描述，在此通過(guò)引用將其全部公開(kāi)內(nèi)容納入本文，石墨烯基基的導(dǎo)電涂料/裝置和制作其的方法，例如在美國(guó)專利申請(qǐng)序列第12/654269號(hào)中有描述，在此通過(guò)引用將其全部公開(kāi)內(nèi)容納入本文。為幫助促進(jìn)功率轉(zhuǎn)移，銀或其它導(dǎo)電玻璃料(未示出)可被提供至靠近VIG單元的邊緣處，與母線1014直接或間接接觸。在某些示例性實(shí)施例中，邊緣密封1008本身可以由導(dǎo)電材料形成，因而可用作適當(dāng)?shù)倪B接。倒裝芯片安裝的LED1016可被安置在導(dǎo)體1012上。更多有關(guān)倒裝芯片安裝的LED1016的細(xì)節(jié)會(huì)在下文中提供，例如結(jié)合圖12。圖11是根據(jù)某些示例性實(shí)施例串聯(lián)電連接和平行熱連接的ILED結(jié)構(gòu)的平面圖。TE模塊被串聯(lián)電連接，由此第一模塊中的n腿與第二模塊的p腿相連接（或者反過(guò)來(lái)也一樣）等直到一行或一列末端，之后相鄰的列或者行被連接，沿新的行重復(fù)這種圖案。TE模塊是平行熱連接的，因其全都位于VIG單元的空腔內(nèi)部。VIG單元的每一側(cè)都包含至少一個(gè)正極端子和至少一個(gè)負(fù)極端子。因此，上文所述的銀玻璃料基本上遍布VIG單元的整個(gè)外周，位于端子要被提供的位置等。如圖11所示，TE模塊會(huì)占據(jù)空間從而滿足預(yù)定的填充因子（在本示例的情況下為約20%）。關(guān)于TE模塊的進(jìn)一步細(xì)節(jié)可在例如美國(guó)專利申請(qǐng)序列號(hào)12/801257中找到，在此通過(guò)引用將其全部公開(kāi)內(nèi)容納入本文。圖12為根據(jù)某些示例性實(shí)施例中的倒裝芯片熱沉晶圓的剖視圖。通常，倒裝芯片安裝是一種用于半導(dǎo)體裝置的安裝方式，例如集成電路(IC)芯片，其可減少對(duì)焊線的需求。最后的晶圓加工步驟在與相關(guān)的外部電路直接相連的芯片焊盤上沉積焊料凸點(diǎn)。倒裝芯片的加工工序與常規(guī)的IC制造相似。在接近倒裝芯片制作過(guò)程的末期，附接焊盤被金屬化以便使其更適合于焊接。這種金屬化通常包含幾個(gè)處理。在每個(gè)焊盤上沉積小焊點(diǎn)。按照慣例，將芯片從晶圓上切出。通常不需要其它額外加工，并且一般也根本沒(méi)有機(jī)械載體。當(dāng)?shù)寡b芯片被附接到電路上，其被反轉(zhuǎn)以便將焊點(diǎn)向下帶到下層的電子設(shè)備或電路板上的連接件上。之后焊料被重新熔化形成電連接。這使得芯片的電路與下層安裝之間產(chǎn)生小空間。在大多數(shù)情況下，然后使用電絕緣性粘接劑來(lái)提供更強(qiáng)力的機(jī)械連接、提供熱橋以及確保焊接點(diǎn)不會(huì)因芯片和該系統(tǒng)其余部分的差溫加熱而承壓。最后完成的組件與傳統(tǒng)的基于載體的系統(tǒng)相比要小的多。芯片位于電路板上并且在面積和高度上都比載體要小的多。再次參照?qǐng)D12，提供基板1202，例如從晶圓切割。在某些示例性實(shí)施例中，基板1202可以由藍(lán)寶石、石英或任何其它合適的材料制成。在某些示例性的實(shí)例中，外表面1202a可被紋理化、圖案化、壓花等，例如，以如上所述方式?；?202可支承的多個(gè)薄膜層，該薄膜層包括例如n型GaN層1204。n型GaN層1204可反過(guò)來(lái)支承n接觸1206，例如在其外周支承。在某些示例性安排中，在n型GaN層1204的中心，可提供多個(gè)進(jìn)一步的薄膜和/或其他層。例如，可提供活躍區(qū)段1208、p型GaN層1210和p型接觸1212。在某些示例性實(shí)施例中，n接觸1206和p接觸1212可分別通過(guò)焊料球1214、1216被連接到熱沉晶圓1218。在某些示例性實(shí)施例中，GaN和/或其他層可為InGaN層。圖13是根據(jù)示例性實(shí)施例的結(jié)合LED的示例性VIG。圖13類似于圖10所示，在該圖13中，包括基本上平行且間隔開(kāi)的第一玻璃基板1302和第二玻璃基板1304。多個(gè)柱1306幫助將第一基板1302和第二基板1304維持在適當(dāng)?shù)某?，邊緣密?308密封空腔1310。在某些示例性實(shí)施例中，在任何情況下，多個(gè)LED1312被第二基板1304支承。在某些示例性實(shí)施例中，空腔1310可被抽空至壓力小于大氣。在某些示例性實(shí)施例中，空腔1310可以用合適的氣體(例如惰性氣體，如Ar、Kr、Xe、Ne、He等)。結(jié)合某些示例性實(shí)施例已發(fā)現(xiàn)He是特別有利的，，因?yàn)樗呛芎玫臒醾鲗?dǎo)材料。例如，包括He的VIG因此可代替某些示例性實(shí)例中的熱電偶。上述技術(shù)可結(jié)合圖13的示例性實(shí)施例使用。例如，高折射率層可被設(shè)置在發(fā)光二極管上。在某些示例性實(shí)例中，結(jié)合圖13的示例性實(shí)施例從上述混合層(例如在固化時(shí))除去全部或幾乎全部有機(jī)材料是有利的。也可使用壓花、圖案化和/或其他技術(shù)。雖然未圖示，LED1312也可被提供在柔軟PCB(圖中未示出)上，例如，在某些示例性實(shí)例中，LED1312可以是倒裝芯片安裝在其上。在某些示例性實(shí)施例中，LED1312可被嵌入層壓體(圖中未示出)。在本領(lǐng)域中真空絕緣玻璃(VIG)單元是已知的。例如，參見(jiàn)美國(guó)專利第5664395、5657607和5902652號(hào)，美國(guó)公開(kāi)第2009/0151854、2009/0151855、2009/0151853、2009/0155499、2009/0155500號(hào)，美國(guó)專利申請(qǐng)序列第12/453220和12/453221號(hào)，在此通過(guò)引用將其公開(kāi)內(nèi)容納入本文?？山Y(jié)合本發(fā)明的某些實(shí)施例使用邊緣密封、泵出、和/或其他這些引用文獻(xiàn)中的技術(shù)/配置。這里描述的技術(shù)可有利地幫助提供改善的色度。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)LED被大批量預(yù)先包裝的和/或購(gòu)買，色度可能有所不同。本文描述的某些示例性技術(shù)，可以幫助減少(有時(shí)甚至是消除)該問(wèn)題。某些示例性實(shí)施方式已關(guān)于照明產(chǎn)品進(jìn)行了描述。然而，這里描述的技術(shù)可被用于例如其他應(yīng)用，如顯示器產(chǎn)品(例如對(duì)于在LCD和/或其他平板設(shè)計(jì)的背光源)，移動(dòng)裝置，裝飾元件(例如窗、門、天窗、舷等)等。在某些示例性實(shí)施例中，朗伯型或非朗伯型光源可以被布置在平的、大致平的或彎曲的基板上。因此，可以理解，照明裝置可包括平的、大致平的或彎曲的基板。本文所用的術(shù)語(yǔ)“位于……上”、“由……支承”及類似用詞不應(yīng)被理解為兩個(gè)元件直接彼此相鄰，除非有明確說(shuō)明。換言之，第一層可被闡述為“位于”第二層“上”或“由”第二層“支承”，即使其間有一個(gè)或多個(gè)層。雖然發(fā)明已經(jīng)結(jié)合當(dāng)前被認(rèn)為最實(shí)用、最優(yōu)選的實(shí)施例進(jìn)行了描述，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所示實(shí)施例，相反，應(yīng)覆蓋所附的權(quán)利要求書(shū)中的精神和范圍之內(nèi)的各種修改和等效安排。