技術(shù)特征：
1.一種Cd4RO(BO3)3非線性光學(xué)晶體，其特征在于，其中R為選自Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er和Tm中的一種元素，或?yàn)檫x自Y,Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Tm,Yb和Lu中的至少兩種元素，該晶體不具有對(duì)稱中心，屬單斜晶系，空間群為Cm；該晶體具有非線性光學(xué)性能。2.一種權(quán)利要求1所述Cd4RO(BO3)3非線性光學(xué)晶體的制備方法，其特征在于，采用CdO-B2O3助熔劑體系助熔劑法生長(zhǎng)晶體，其步驟如下：1)配料：將Cd4RO(BO3)3化合物和CdO-B2O3助熔劑按Cd4RO(BO3)3：CdO:B2O3為1:1～4:1～8摩爾比配料并進(jìn)行預(yù)處理；或者直接使用按照R2O3:CdO:B2O3為1:10～16:5～19的摩爾比配料，并進(jìn)行預(yù)處理；2)升溫：將盛有上述配料的鉑坩堝置于晶體爐中，升溫至完全熔化，并在該溫度下恒溫至高溫熔液充分均化；3)引入籽晶：將步驟2)得到的高溫熔液降至飽和溫度以上0-10℃，用籽晶嘗試法尋找晶體生長(zhǎng)的飽和溫度，在飽和溫度以上5-25℃緩慢地將已固定好的籽晶引入高溫熔液表面或高溫熔液中，恒溫10-200分鐘后，迅速降溫至飽和溫度；4)控制各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行晶體生長(zhǎng)：在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，以飽和溫度作為降溫的起始溫度，以0-5℃/天的速率降溫，同時(shí)以0-100rpm的速率旋轉(zhuǎn)晶體和/或坩堝，進(jìn)行晶體生長(zhǎng)；待晶體生長(zhǎng)到所需要的尺寸后，將晶體提離液面，以小于50℃/h的速率降至室溫，得到Cd4RO(BO3)3晶體；所述配料的預(yù)處理為將配置好的原料混合均勻后倒入剛玉坩堝中，于馬弗爐中緩慢升溫至200℃加熱10小時(shí)以上，然后升溫至500℃加熱24小時(shí)以上，將產(chǎn)物分批熔于鉑坩堝中，后冷卻至室溫；所述Cd4RO(BO3)3化合物中，R為選自Y,Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Tm,Yb和Lu的一種或至少兩種元素；所述R2O3也可以用R的氯化物、R的碳酸鹽、R的硝酸鹽或R的草酸鹽代替，R選自Y,Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Tm,Yb和Lu中的一種或至少兩種元素；所述CdO也可以用Cd的氯化物、Cd的碳酸鹽、Cd的硝酸鹽或Cd的草酸鹽代替；所述的B2O3也可以用H3BO3代替。3.一種Cd4RO(BO3)3激光非線性光學(xué)復(fù)合功能晶體，其特征在于，所述的R為選 自Y,Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Tm,Yb和Lu中的至少兩種元素，而且該至少二種元素中有一種為激光激活摻雜離子；所述激光激活摻雜離子為Nd3+，Pr3+，Sm3+，Eu3+，Dy3+，Ho3+，Er3+，Tm3+或Yb3+；所述激光激活摻雜離子的摻雜濃度為0.01-10.0wt％。4.一種權(quán)利要求3所述Cd4RO(BO3)3激光非線性光學(xué)復(fù)合功能晶體的制備方法，其制備步驟如下：1)制備Cd4RO(BO3)3激光非線性光學(xué)復(fù)合功能化合物：將含R化合物、含Cd化合物和含B化合物按摩爾比R：Cd：B＝1:8:3的比例混合均勻后，進(jìn)行化學(xué)合成反應(yīng)，制得Cd4RO(BO3)3的化合物；所述含R化合物為R的氧化物、R的氯化物、R的碳酸鹽、R的硝酸鹽或R的草酸鹽；其中，R為選自Y,Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Tm,Yb和Lu中的至少兩種元素，而且該至少二種元素中有一種為激光激活摻雜離子；所述激光激活摻雜離子為Nd3+，Pr3+，Sm3+，Eu3+，Dy3+，Ho3+，Er3+，Tm3+或Yb3+；所述激光激活摻雜離子的摻雜濃度0.01-10.0wt％；所述含Cd化合物為Cd的氧化物、Cd的氯化物、Cd的碳酸鹽、Cd的硝酸鹽或Cd的草酸鹽；所述含B化合物為H3BO3或B2O3；2)采用CdO-B2O3助熔劑法生長(zhǎng)Cd4RO(BO3)3激光非線性光學(xué)復(fù)合功能晶體，其步驟如下：(1)配料：步驟1)所得Cd4RO(BO3)3激光非線性光學(xué)復(fù)合功能化合物和CdO-B2O3助熔劑按Cd4RO(BO3)3:CdO:B2O3為1:1～4:1～8的摩爾比配料，并進(jìn)行預(yù)處理；(2)升溫：將盛有上述配料的鉑坩堝置于晶體爐中，升溫至完全熔化，并在該溫度下恒溫至高溫熔液充分均化；(3)引入籽晶：將步驟2)得到的高溫溶液降至飽和溫度以上0-10℃，用籽晶嘗試法尋找晶體生長(zhǎng)的飽和溫度，在飽和溫度以上5-25℃緩慢地將已固定好的籽晶引入高溫溶液表面或高溫溶液中，恒溫10-200分鐘后，迅速降溫至飽和溫度；(4)控制各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行晶體生長(zhǎng)：在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，以飽和溫度作為降溫的起始溫度，以0～3℃/天的速率降溫，同時(shí)以0～100rpm的速率旋轉(zhuǎn)晶體和/或坩堝，進(jìn)行晶體生長(zhǎng)；待晶體生長(zhǎng)到所需要的尺寸后，將晶體提離液面，以小于50℃/h的速率降至室溫，得到Cd4RO(BO3)3激光非線性光學(xué)復(fù)合功能晶體；所述配料的預(yù)處理為將配置好的原料混合均勻后倒入剛玉坩堝中，于馬弗爐中緩慢升溫至200℃加熱10小時(shí)以上，然后升溫至500℃加熱24小時(shí)以上，將產(chǎn)物分批熔于鉑坩堝中，后冷卻至室溫。5.一種權(quán)利要求1中Cd4RO(BO3)3非線性光學(xué)晶體的用途，將該晶體用于非線性光學(xué)器件，該非線性光學(xué)器件包含至少一束入射電磁輻射通過(guò)至少一塊非線性光學(xué)晶體后產(chǎn)生至少一束頻率不同于入射電磁輻射的輸出輻射的裝置，其特征在于，其中的非線性光學(xué)晶體是Cd4RO(BO3)3單晶體。6.一種權(quán)利要求3所述Cd4RO(BO3)3激光非線性光學(xué)復(fù)合功能晶體的用途，其特征在于，將該晶體用于激光非線性光學(xué)復(fù)合功能器件，置于光學(xué)諧振腔中，經(jīng)光泵浦源作用，產(chǎn)生基頻激光和至少一束頻率不同于基頻的激光輸出，其特征在于，諧振腔中的激光非線性光學(xué)復(fù)合功能晶體是摻雜有稀土激光激活離子的Cd4RO(BO3)3單晶體。