專利名稱：無(wú)污水和固體廢物排放的晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種無(wú)污水和固體廢物排放的晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術(shù)，屬于太陽(yáng)能光伏電池晶體硅加工廢棄物綜合處理領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
晶體硅加工廢砂漿是太陽(yáng)能光伏電池生產(chǎn)加工過(guò)程中形成的混有40 50%PEG (聚乙二醇切割液)、45 30% SiC (切割磨料)、1 3%的鐵粉(切割線磨損)、14 17% Si粉(晶體硅磨屑)的四元混合物系。目前的處理技術(shù)只能回收其中的PEG和SiC微粉，而其中的Si微粉(晶體硅切割磨屑)和Fe微粉則通過(guò)堿洗、酸洗等化學(xué)反應(yīng)處理排除，然后用大量的水漂洗到中性，每處理I噸廢砂漿需要排放10 IOOm3工藝廢水和200kg以上的高危固體廢棄物，造成了嚴(yán)重的資源浪費(fèi)和污染環(huán)境。·申請(qǐng)人:從2006年開(kāi)始關(guān)注太陽(yáng)能光伏電池晶體硅加工廢砂漿的處理問(wèn)題，探索研究最優(yōu)化的回收利用技術(shù)。2011年4月22日提出了申請(qǐng)?zhí)?01110101064. 7的《光伏電池晶體硅加工廢砂漿綜合處理新方法》的發(fā)明專利申請(qǐng)，2011年08月12日提出了申請(qǐng)?zhí)?01110238197. 9《光伏晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術(shù)》的發(fā)明專利申請(qǐng)，對(duì)前一個(gè)專利申請(qǐng)進(jìn)行了補(bǔ)充完善。但隨著研究的不斷深入，發(fā)現(xiàn)污水和固體廢棄物排放是晶體硅加工廢砂漿綜合利用領(lǐng)域的關(guān)鍵制約因素，只有徹底顛覆原有的生產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)資源的全回收、全利用。才能解決這個(gè)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是對(duì)申請(qǐng)?zhí)?01110238197. 9《光伏晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術(shù)》的發(fā)明專利申請(qǐng)的補(bǔ)充與完善。本發(fā)明的目的是提供無(wú)污水和固體廢物排放的晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術(shù)，通過(guò)徹底顛覆原有的生產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)廢砂漿資源的全回收、全利用；消除晶體硅加工廢砂漿處理造成的污染，保護(hù)環(huán)境，造福社會(huì)。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的在回收廢砂漿切割液PEG之前，首先磁選回收廢砂漿中的Fe粉，作為粉末冶金法工業(yè)的原料；磁選除鐵后的三元漿壓濾，得到含SiC、Si為主的濾餅和含PEG為主的濾液；濾液經(jīng)精制處理得到合格的切割液PEG ;濾餅經(jīng)干燥脫水，形成含SiC、Si的二元砂；把含SiC、Si的二元砂，根據(jù)市場(chǎng)需求分別采用氮化燒結(jié)、碳化合成分離、氮化合成等方法處理得到氮化娃結(jié)合碳化娃陶瓷材料、微米及納米碳化娃、納米氮化硅等產(chǎn)品；全部生產(chǎn)過(guò)程無(wú)工藝廢水和固體廢棄物的產(chǎn)生和排放?；厥諒U砂漿中的Fe粉是用特制的磁力除鐵器在回收廢砂漿切割液PEG之前進(jìn)行的，回收的Fe粉為粒徑I 10um，含F(xiàn)e60 80%，Si30 15%，SiC5 3%，PEG5 2%的混合物，作為粉末冶金的原料。由于先行脫除了廢砂漿中高活性的Fe粉，消除了傳統(tǒng)工藝在回收切割液PEG時(shí)加水、鼓風(fēng)攪拌、壓濾、存放過(guò)程中，由Fe粉氧化催化作用造成的PEG酸敗、變質(zhì)問(wèn)題，有利于切割液PEG的質(zhì)量提高與穩(wěn)定。含SiC、Si為主的濾餅在干燥脫水后，利用其中殘余的3 5的PEG作為粘合劑壓制成陶瓷毛坯，在氮化爐中氮化燒結(jié)成氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷材料；氮化燒結(jié)采用電加熱或微波加熱，使用H2+N2彡10 30+90 70%的工藝氣，饒結(jié)溫度為1100 1650°C，燒結(jié)時(shí)間2 160h.SiC、Si 二元砂的碳化合成處理是在添加催化劑的條件下，根據(jù)二元砂的Si含量，按mol比Si C= I I 3的比例配加碳素原料，在專門(mén)的合成設(shè)備中經(jīng)800 2000°C，10 240分鐘完成反應(yīng)，其中的Si生成粒徑10 IOOnm的納米SiC ;過(guò)量的C能夠防止Si的氧化，反應(yīng)剩余的C在400 800°C條件下氧化脫除；二元砂中原有的SiC基本保持原有形態(tài)。把SiC、Si 二元砂碳化合成產(chǎn)物在洗滌液中按質(zhì)量比10 40%充分混合、洗滌，分離微米SiC砂漿與納米SiC乳濁液，微米SiC砂采用原有粉體處理工藝處理，得到不同?！ざ鹊腟iC微粉；納米SiC乳濁液經(jīng)過(guò)干燥后得到納米SiC產(chǎn)品。洗滌液是純凈水或酒精，洗滌方法有超聲波洗滌或攪拌分散洗滌。含SiC、Si 二元砂氮化合成是根據(jù)二元砂SiC、Si的Si元素總量,按mol比Si N2=1 O. 7 3的比例利用壓縮H2+N2彡10 30+90 70 %的混合氮?dú)鈬娙霘饬鞔卜磻?yīng)器，在N2等離子體的作用下，控制反應(yīng)器工作溫度800 1800°C，按3SiC+2N2 = Si3N4+3C和3Si+2N2 = Si3N4進(jìn)行連續(xù)反應(yīng),經(jīng)過(guò)高溫氧化脫碳處理,得到粒徑10 IOOnm的納米Si3N4 ；生產(chǎn)過(guò)程無(wú)污水和固體廢物排放。茲結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。


圖I是廢砂漿處理陶瓷工藝流程2是廢砂漿處理碳化合成工藝流程3是廢砂漿處理氮化合成工藝流程中方框表示處理工序代號(hào)，其中I為磁選除鐵，2壓濾，3為濾液精制處理，4為濾餅干燥，5為制還，6為氮化燒結(jié),7為配料,8為碳化合成,9為洗漆分離，10為常規(guī)SiC微粉干燥分級(jí)，11為納米材料干燥處理，12氮化合成，13氧化脫碳。橢圓表示工序物料(半成品)其中廢砂漿指晶體硅加工廢砂漿，三元漿指除鐵后含有Si、SiC和PEG的混合砂漿，濾液是壓濾后含有透濾微粉的PEG濾液，濾餅是含有Si、SiC及少量PEG和洗滌水的混合物，三元砂是干燥后含有Si、SiC和少量PEG的混合物，二元砂是干燥后含有Si、SiC的混合物，其余為工序廣品。園表不成品。
具體實(shí)施例方式以下為本發(fā)明的具體實(shí)施例，但本發(fā)明的方法并不完全受其限制，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)需要對(duì)其中的步驟進(jìn)行變化或省略。實(shí)施例I :如圖I廢砂漿處理陶瓷工藝流程圖所示首先把混有40 50 % PEG (聚乙二醇)、45 30% SiC (切割磨料)、I 3%的鐵粉(線切割鋼線磨屑)、14 17% Si微粉(晶體硅磨屑)的四元混合物系一廢砂漿在砂漿桶中充分?jǐn)嚢韬?，使其中的固體組分分散均勻，以克服物系中微粉顆粒表面力的影響，把砂漿桶中的廢砂漿通過(guò)管道輸送系統(tǒng)呈簾布狀均勻噴灑在除鐵器高效強(qiáng)力磁輥上，由于廢砂漿中不同物料的相對(duì)磁性差異(鐵Fe 100, Fe3O440. 18，F(xiàn)e2O3 I. 32，硅Si O. 5碳化硅SiC O. 24石墨C O. 11)，廢砂漿中的鐵Fe在高強(qiáng)磁場(chǎng)的作用下，經(jīng)過(guò)除鐵器進(jìn)料通道、超聲波洗滌物料通道、出料通道，被分離脫出，經(jīng)過(guò)噴淋洗滌，清除其中夾帶的非鐵顆粒，由出鐵刮刀刮下回收，得到含有10 20%的水和PEG、70 60%的Fe、15 18%的Si粉、5 2%的SiC的鐵粉漿，完成I磁選除鐵工序。在干燥除水后，得到含PEG5 10%的混合鐵粉，其粒徑在O. 5 15um之間，其中的PEG能夠?qū)﹁F粉有一定的保護(hù)作用，同時(shí)可以作為粉末冶金壓制成型的粘合劑，不必去除，完成鐵粉干燥工序4，得到鐵微粉，作為粉末冶金原料。之所以首先進(jìn)行除鐵作業(yè)，是因?yàn)榇藭r(shí)的Fe在PEG的保護(hù)下，氧化程度最輕，磁選除鐵效果最好；由于預(yù)先脫除了廢砂漿中活性最高的Fe微粉，消除了在后續(xù)作業(yè)中Fe的氧化催化作用，對(duì)于防止后續(xù)工序中PEG的氧化變質(zhì)大有裨益，同時(shí)可以提高壓濾效果。完成除鐵后含有PEG、SiC、Si的三元漿經(jīng)過(guò)調(diào)整濃度，送入壓濾機(jī)進(jìn)行洗滌、壓 濾，得到以SiC、Si為主含有少量PEG、水的濾餅和以PEG、水為主含有少量透濾雜質(zhì)的濾液；完成壓濾工序2的作業(yè)；濾液經(jīng)蒸發(fā)、離子交換、活性炭脫色等精制作業(yè)，得到合格的切割液PEG，就完成了精制工序3的作業(yè)；濾餅干燥去除水分，完成干燥工序4，得到含SiC60 80 %、Si30 18 %、PEGlO 2%的三元砂。把三元砂在制坯工序5壓制成設(shè)計(jì)的陶瓷毛坯；進(jìn)入氮化爐中進(jìn)行氮化燒結(jié)，氮化燒結(jié)使用H2+N2彡10 30+90 70%的混合氮?dú)?，燒結(jié)溫度為1100-1650°C，燒結(jié)時(shí)間2 160h，完成氮化燒結(jié)工序6，得到氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷材料。本實(shí)施例取消了原有廢砂漿處理工藝的酸洗、堿洗、水洗工序，無(wú)工藝廢水和固體廢棄物排放。實(shí)施例2 如圖2廢砂漿處理碳化合成工藝流程圖所示把混有PEG、SiC、Fe粉、Si粉的廢砂漿充分?jǐn)嚢?，使固體組分均勻分散，以克服微粉顆粒表面力影響，把廢砂漿輸送到除鐵器，利用廢砂漿物料的相對(duì)磁性差異(鐵Fe 100，F(xiàn)e3O4 40. 18，F(xiàn)e2O3 I. 32，硅Si O. 5碳化硅SiC O. 24石墨C O. 11)，經(jīng)過(guò)噴淋洗滌，洗掉夾帶的大部分非鐵物質(zhì)，由出鐵刮刀刮下回收，得到含有10 20%的水和PEG、70 60%的Fe、10 15%的Si粉、10 5%的SiC的鐵粉漿，完成I為磁選除鐵工序。干燥得到含PEG5 10%的混合鐵粉，其粒徑在O. 5 15um之間，由于PEG對(duì)鐵粉有一定的保護(hù)作用，也可作為粉末冶金成型粘合劑，不必去除，完成鐵粉干燥工序4，得到鐵微粉，作為粉末冶金原料。除鐵后含有pEG、SiC、Si的三元漿經(jīng)過(guò)調(diào)整濃度，送入壓濾機(jī)進(jìn)行壓濾、洗滌，得到以SiC、Si為主的濾餅和以PEG和水為主的濾液；完成壓濾工序2的作業(yè)。濾液經(jīng)過(guò)蒸發(fā)、離子交換、活性炭脫色等精制工序3的作業(yè)，得到合格的切割液PEG ；濾餅干燥去除水分和PEG，完成干燥工序4，得到含SiC60 80%、Si40 20%的二元砂。
前述二元砂添加O. 01 O. I %特制的催化劑，根據(jù)其中的Si含量，按mol比Si C = I I 3的比例配加碳素原料(干燥后的精制工序3用過(guò)的活性碳也能用)，充分混合均勻，完成配料工序7的作業(yè)；過(guò)量的C主要用以保護(hù)Si不氧化。配制完成的原料加入在特制的微波合成設(shè)備中，在常壓到微正壓、800 1800°C條件下，經(jīng)過(guò)5 240分鐘完成反應(yīng)，其中的Si+C生成粒徑10 IOOnm的納米SiC ;反應(yīng)剩余的C在400 800°C條件下氧化脫除；二元砂中原有的SiC基本保持原有形態(tài)；這就是本實(shí)施例的關(guān)鍵工序一碳化合成工序8，本工序根據(jù)反應(yīng)設(shè)備條件，可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)，也可以實(shí)現(xiàn)間歇生產(chǎn)。把工序8碳化合成產(chǎn)物加入洗滌池中，按碳化合成產(chǎn)物純凈水(質(zhì)量比)=I I 2充分?jǐn)嚢柘礈?、自然沉降或離心分離后，形成微米SiC砂漿和納米SiC乳濁液，兩者分離，就完成了洗滌分離工序9的作業(yè)。微米SiC砂漿采用既有的粉體處理工藝處理，通過(guò)干燥、分級(jí)后，就完成了常規(guī)·SiC微粉干燥分級(jí)工序10，得到不同粒度的SiC微粉。水和納米SiC構(gòu)成的乳濁液經(jīng)蒸發(fā)干燥后，完成納米材料干燥處理工序11 ；得到納米SiC材料。水蒸氣可根據(jù)情況回收或放空。本實(shí)施例取消了原有廢砂漿處理工藝的酸洗、堿洗工序，無(wú)工藝廢水產(chǎn)生，無(wú)工藝廢水和無(wú)固體廢棄物排放。實(shí)施例3 如圖2廢砂漿處理碳化合成工藝流程圖所示本實(shí)施例的實(shí)施工序1、2、3、4、7、8與實(shí)施例2完全一樣，只是在之后的碳化合成產(chǎn)物分離處理方法上有所調(diào)整。工序8碳化合成產(chǎn)物加入超聲波洗滌器中，按碳化合成產(chǎn)物酒精(質(zhì)量比)=
I I 3進(jìn)行超聲波洗滌、沉降分離后，分別得到微米SiC砂漿和納米SiC乳濁液，完成洗滌分離工序9的作業(yè)。微米SiC砂漿采用既有的粉體處理工藝處理，通過(guò)干燥、分級(jí)后，就完成了常規(guī)SiC微粉干燥分級(jí)工序10，得到不同粒度的SiC微粉。干燥時(shí)的酒精通過(guò)冷凝回收，循環(huán)利用。由酒精和納米SiC構(gòu)成的乳濁液經(jīng)過(guò)蒸發(fā)干燥后，完成納米材料干燥處理工序
II;得到納米SiC材料。酒精通過(guò)冷凝回收循環(huán)利用。本實(shí)施例消除了原有廢砂漿處理工藝的酸洗、堿洗工序，無(wú)工藝廢水產(chǎn)生，實(shí)現(xiàn)了無(wú)工藝廢水和無(wú)固體廢棄物排放。處理效果優(yōu)于實(shí)施例2，但設(shè)備投資和生產(chǎn)成本均大于實(shí)施例2.實(shí)施例4 如圖3廢砂漿處理氮化合成工藝流程圖所示廢砂漿充分?jǐn)嚢瑁构腆w組分均勻分散，以克服微粉顆粒表面力影響，輸送到除鐵器，利用廢砂漿物料的相對(duì)磁性差異，經(jīng)過(guò)噴淋洗滌，清除磁選中夾帶的大部分非鐵物質(zhì)，由出鐵刮刀刮下回收，得到合格的鐵粉漿，完成磁選除鐵工序I的作業(yè)。鐵粉漿干燥后，得到合格鐵粉，完成鐵粉干燥工序4，得到粉末冶金原料——鐵微粉。完成除鐵后的含有PEG、SiC、Si的三元漿經(jīng)過(guò)調(diào)整濃度，送入壓濾機(jī)進(jìn)行壓濾、洗滌，分別得到濾餅和濾液；完成壓濾工序2的作業(yè)。
濾液經(jīng)蒸發(fā)、離子交換、脫色等精制工序3的作業(yè)，得到合格的切割液PEG。濾餅干燥去除水分和PEG，完成干燥工序4，得到含SiC60 80%、Si40 20%的二元砂。前述二元砂添加O. 01 O. I %的催化劑，充分混合均勻，完成配料工序7的作業(yè)。根據(jù)二元砂SiC、Si的Si元素總量，按mol比Si N2 = I O. 7 3的比例利用壓縮H2+N2 > 10 30+90 70%的混合氮?dú)獍讯皣娙霘饬鞔卜磻?yīng)器，在N2等離子體的作用下，控制反應(yīng)器工作溫度800 1800°C，按3SiC+2N2 = Si3N4+3C和3Si+2N2 = Si3N4進(jìn)行連續(xù)反應(yīng)，生成納米Si3N4和C，完成工序12的氮化合成反應(yīng)。氮化合成反應(yīng)產(chǎn)物在400 800°C條件下按C+02 = = CO2進(jìn) 行工序13的氧化脫碳反應(yīng)；脫除產(chǎn)物中的C，得到合格的粒徑10 IOOnm的納米Si3N4 ;生產(chǎn)過(guò)程無(wú)污水和固體廢物排放。本實(shí)施例取消了原有廢砂漿處理工藝的酸洗、堿洗工序，實(shí)現(xiàn)了無(wú)工藝廢水和固體廢物排放。根據(jù)3SiC+2N2 = Si3N4+3C和3Si+2N2 = Si3N4氮化反應(yīng)合成Si3N4使Si增重66.6%，使 SiC 增重 16. 6%o
權(quán)利要求
1.無(wú)污水和固體廢物排放的晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術(shù)其特征在于在回收廢砂漿切割液PEG之前，首先磁選回收廢砂漿中的Fe粉，作為粉末冶金法工業(yè)的原料；磁選除鐵后的三元漿過(guò)濾分離，得到含SiC、Si為主的濾餅和含PEG為主的濾液；濾液經(jīng)精制處理得到合格的切割液PEG ;濾餅經(jīng)干燥脫水，形成含SiC、Si的二元砂；把含SiC、Si的二元砂，根據(jù)市場(chǎng)需求分別采用氮化燒結(jié)、碳化合成分離、氮化合成等方法處理得到氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷材料、微米及納米碳化硅、納米氮化硅等產(chǎn)品；全部生產(chǎn)過(guò)程無(wú)工藝廢水和固體廢棄物的產(chǎn)生和排放。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無(wú)污水和固體廢物排放的晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術(shù)，其特征在于回收廢砂漿中的Fe粉是用特制的磁力除鐵器回收廢砂漿切割液PEG之前進(jìn)行的，回收的Fe粉為粒徑I 10um，含F(xiàn)e60 80%，Si30 15%，SiC5 3%，PEG5 2%的混合物，作為粉末冶金的原料。生產(chǎn)過(guò)程無(wú)工藝廢水和固體廢棄物的產(chǎn)生和排放。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無(wú)污水和固體廢物排放的晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術(shù)，其特征在于含SiC、Si為主的濾餅在干燥后，利用其中殘余的3 5的PEG作為粘合劑壓制成陶瓷毛坯，在氮化爐中氮化燒結(jié)成氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷材料；氮化燒結(jié)采用電加熱或微波加熱，使用H2+N2≥10 30+90 70%的工藝氣，饒結(jié)溫度為1100 1650°C，燒結(jié)時(shí)間2 160h ;生產(chǎn)過(guò)程無(wú)污水和固體廢物排放。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無(wú)污水和固體廢物排放的晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術(shù)，其特征在于SiC、Si 二元砂的碳化合成處理在添加催化劑的情況下，根據(jù)二元砂中的Si含量，按mol比Si C = I I 3的比例配加碳素原料，在專門(mén)的合成設(shè)備中經(jīng)800 20000C，5 240分鐘完成反應(yīng)，Si+C生成粒徑10 IOOnm的納米SiC ;過(guò)量的C能防止Si氧化，反應(yīng)剩余的C在400 800°C條件下氧化脫除；二元砂中原有的SiC基本保持原有形態(tài)；生產(chǎn)過(guò)程無(wú)污水和固體廢物排放。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的無(wú)污水和固體廢物排放的晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術(shù)，其特征在于把SiC、Si 二元砂碳化合成產(chǎn)物在洗滌液中按質(zhì)量比10 60%充分混合、洗滌，分離微米SiC砂漿與納米SiC乳濁液，微米SiC砂采用原有粉體處理工藝處理，得到不同粒度的SiC微粉；納米SiC乳濁液經(jīng)過(guò)干燥后得到納米SiC產(chǎn)品；洗滌液是純凈水或酒精；洗滌方法有超聲波洗滌或攪拌分散洗滌；生產(chǎn)過(guò)程無(wú)污水和固體廢物排放。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無(wú)污水和固體廢物排放的晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術(shù)，其特征在于含SiC、Si 二元砂氮化合成是根據(jù)二元砂SiC、Si的Si元素總量,按mol比Si N2 = I 0. 7 3的比例利用壓縮H2+N2≥10 30+90 70%的混合氮?dú)鈬娙霘饬鞔卜磻?yīng)器，在N2等離子體的作用下，控制反應(yīng)器工作溫度800 1800°C，按3SiC+2N2 =Si3N4+3C和3Si+2N2 = Si3N4進(jìn)行連續(xù)反應(yīng)，經(jīng)過(guò)400 800°C氧化脫碳處理后，生成納米Si3N4 ;生產(chǎn)過(guò)程無(wú)污水和固體廢物排放。
全文摘要
一種無(wú)污水和固體廢物排放的晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術(shù)，在回收廢砂漿切割液PEG之前，首先磁選回收廢砂漿中的Fe粉，干燥后作為粉末冶金的原料；除鐵后的三元廢砂漿壓濾，得到含SiC、Si的為主的濾餅和含切割液PEG為主的濾液；濾液經(jīng)過(guò)精制處理得到合格的切割液PEG；濾餅在干燥脫水后，利用其中殘余的3～～5的PEG壓制成陶瓷毛坯，在氮化爐中氮化燒結(jié)成氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷材料；濾餅干燥后的含SiC、Si的二元砂通過(guò)碳化或氮化處理，使其中的Si粉轉(zhuǎn)化成納米SiC或納米Si3N4；洗滌分離SiC、Si的二元砂反應(yīng)產(chǎn)物，分別得到微米級(jí)SiC和納米SiC或納米Si3N4；整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程無(wú)工藝廢水和固體廢棄物排放。
文檔編號(hào)C01B21/068GK102787011SQ201210207989
公開(kāi)日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月12日
發(fā)明者劉來(lái)寶, 尹克勝, 尹建程, 尹弘毅, 尹晏生, 朱偉杰, 毛偉, 趙鳳忠 申請(qǐng)人:尹克勝