專利名稱：碳化硅合成電阻爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于一種電阻爐，尤其是一種碳化硅合成電阻爐。
背景技術(shù)：
目前使用的碳化硅合成電阻爐，多用爐柱來(lái)固定爐墻板，爐柱多用廢鋼軌或H型型鋼，由于碳化硅合成時(shí)使用工業(yè)鹽作為原料，而合成后從爐里清理出保溫料后爐堂內(nèi)需用水清洗其中的鹽分，鹽分對(duì)爐堂內(nèi)的爐柱會(huì)產(chǎn)生侵蝕作用，一般在20-50爐以后，爐柱會(huì)形成致命性侵蝕，從而在受到來(lái)自爐料的熱膨脹力是斷裂，造成傾倒，帶來(lái)嚴(yán)重的安全事故。為使?fàn)t臺(tái)以上部份的爐柱不被清洗液中鹽分侵蝕，通常采用的是在爐柱和爐墻板之間擺放耐火磚或者在兩者之間采用混凝土澆筑件隔離，在爐墻板頻繁安裝和取下的過(guò)程中， 兩者之間的耐火磚或者混凝土澆筑件每爐之后都要拆除和重新擺放，從而帶來(lái)?yè)p壞，增加 了人力物力、增加了維修成本也大大降低了生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種清洗爐堂時(shí)無(wú)需柝卸爐堂內(nèi)的耐火磚，使清洗工作簡(jiǎn)單易行和高效的碳化硅合成電阻爐。本發(fā)明包括爐柱I、爐壁板4、爐頭和爐頭電極6，其特征在于爐柱上設(shè)有爐柱護(hù)板2，爐柱護(hù)板2上設(shè)有耐火磚3層。作為改進(jìn)，上述的爐柱護(hù)板2最好為一柱狀體，柱狀體上設(shè)有縱向的凹型卡槽，所述耐火磚3上設(shè)有可卡入上述凹型卡槽中的凸塊。作為進(jìn)一步改進(jìn)，上述的爐柱I的橫截面最好為“工”字形或“T”字形，所述的爐柱護(hù)板2上設(shè)有可卡于爐柱I的“工”字形或“T”字形子口上的聯(lián)接件(13)。作為進(jìn)一步改進(jìn)，所述的爐柱下方最好設(shè)有底部封閉的開(kāi)口鐵板箱11，所述爐柱I植根于鐵板箱11內(nèi)并用混凝土進(jìn)行澆筑。作為進(jìn)一步改進(jìn)，上述爐頭電極6的側(cè)邊最好設(shè)有冷卻水箱7，為增強(qiáng)水箱剛性，水箱內(nèi)部設(shè)有隔板9，隔板上設(shè)有透水孔10。與現(xiàn)有技術(shù)相比，清爐和裝爐時(shí)只需對(duì)爐內(nèi)進(jìn)行打掃、清洗,無(wú)需柝卸爐堂內(nèi)的耐火磚，從而節(jié)省大量勞力和材力，大大提高生產(chǎn)效率，爐柱不會(huì)受到鹽分的侵蝕，能有效延長(zhǎng)爐子的使用壽命。


圖I為實(shí)施例I爐堂內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖I的A-A向側(cè)視結(jié)構(gòu)剖視圖。圖3為圖IB向斷面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為圖4的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6為實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中所示1.為爐柱,2.為爐柱護(hù)板,3.為耐火磚,4.為爐壁板,5.為爐臺(tái),6.為電極，7.為水箱，8.為鋼管,9.為隔板，10為透水孔,11.為鐵板箱,12.為混凝土，13.為聯(lián)接件。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I :參照?qǐng)DI 4，為實(shí)施例I的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例包括爐柱I、爐壁板4、爐頭電極6、爐柱上設(shè)有爐柱護(hù)板2，爐柱護(hù)板2上設(shè)有耐火磚3層。爐柱護(hù)板2為一柱狀體，柱狀體上設(shè)有縱向的凹型卡槽，耐火磚3上設(shè)有可卡入上述凹型卡槽中的凸塊。爐柱I的橫截面為“一”字形，爐柱護(hù)板2通過(guò)焊接與爐柱I相聯(lián)。爐柱下方設(shè)有底部封閉的開(kāi)口鐵板箱11，爐柱I植根于鐵板箱11內(nèi)并用混凝土 12進(jìn)行澆筑。爐頭電極6的側(cè)邊設(shè)有冷卻水箱7，為增強(qiáng)水箱剛性，水箱內(nèi)部設(shè)有隔板9，隔板上設(shè)有透水孔10。
實(shí)施例2 :參照?qǐng)D4、圖5，為實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例與實(shí)施例I的區(qū)別在于爐柱為“工”字形鋼，爐柱護(hù)板2上設(shè)有可卡于爐柱I的“工”字形子口上的聯(lián)接件13，在實(shí)際使用中所述爐柱護(hù)板2上卡于爐柱I的“工”字形子口上，如果需要維修或更換，可以很方便地拆卸下來(lái)。實(shí)施例3 :與實(shí)施例2相比，本實(shí)施例的區(qū)別在于爐柱為“T”字形鋼，爐柱護(hù)板2上設(shè)有可卡于爐柱I的“T”字形子口上的聯(lián)接件13。實(shí)施例4 :本實(shí)施例與實(shí)施例I的區(qū)別在于水箱7呈包圍狀設(shè)置于電極的上下和左右四邊。
權(quán)利要求
1.一種碳化硅合成電阻爐，包括爐柱(I)、爐壁板(4)、爐頭和爐頭電極(6)，其特征在于爐柱上設(shè)有爐柱護(hù)板(2)，爐柱護(hù)板2上設(shè)有耐火磚(3)層。
2.如權(quán)利要求I所述的碳化硅合成電阻爐，其特征在于所述的爐柱護(hù)板)(2為一柱狀體，柱狀體上設(shè)有縱向的凹型卡槽，所述耐火磚(3)上設(shè)有可卡入上述凹型卡槽中的凸塊。
3.如權(quán)利要求I或2所述的碳化硅合成電阻爐，其特征在于所述的爐柱(I)的橫截面為“工”字形或“T”字形，所述的爐柱護(hù)板(2)上設(shè)有可卡于爐柱I的“工”字形或“T”字形子口上的聯(lián)接件(13)。
4.如權(quán)利要求I或2所述的碳化硅合成電阻爐，其特征在于所述的爐柱下方設(shè)有底部封閉的開(kāi)口鐵板箱(11)，所述爐柱(I)植根于鐵板箱(11)內(nèi)并用混凝土進(jìn)行澆筑。
5.如權(quán)利要求3所述的碳化硅合成電阻爐，其特征在于所述的爐柱下方設(shè)有底部封閉的開(kāi)口鐵板箱(11)，所述爐柱(I)植根于鐵板箱(11)內(nèi)并用混凝土進(jìn)行澆筑。
6.如權(quán)利要求I或2所述的碳化硅合成電阻爐，其特征在于所述的爐頭電極(6)的側(cè)邊設(shè)有冷卻水箱(7)，水箱內(nèi)部設(shè)有隔板(9)，隔板上設(shè)有透水孔(10)。
7.如權(quán)利要求3所述的碳化硅合成電阻爐，其特征在于所述的爐頭電極(6)的側(cè)邊設(shè)有冷卻水箱(7 )，水箱內(nèi)部設(shè)有隔板(9 )，隔板上設(shè)有透水孔(10 )。
8.如權(quán)利要求4所述的碳化硅合成電阻爐，其特征在于所述的爐頭電極(6)的側(cè)邊設(shè)有冷卻水箱(7 )，水箱內(nèi)部設(shè)有隔板(9 )，隔板上設(shè)有透水孔(10 )。
9.如權(quán)利要求5所述的碳化硅合成電阻爐，其特征在于所述的爐頭電極(6)的側(cè)邊設(shè)有冷卻水箱(7)，水箱內(nèi)部設(shè)有隔板(9)，隔板上設(shè)有透水孔(10)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅合成電阻爐，包括爐柱1、爐壁板4、爐頭和爐頭電極6，爐柱上設(shè)有爐柱護(hù)板2，護(hù)板2上設(shè)有耐火磚3層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，清爐和裝爐時(shí)只需對(duì)爐內(nèi)進(jìn)行打掃、清洗，無(wú)需柝卸爐堂內(nèi)的耐火磚，從而節(jié)省大量勞力和材力，大大提高生產(chǎn)效率，爐柱不會(huì)受到中鹽分的侵蝕，有效延長(zhǎng)爐子的使用壽命。
文檔編號(hào)C01B31/36GK102807218SQ20121032506
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月7日
發(fā)明者焦松強(qiáng), 李旋, 趙建立, 由遠(yuǎn)洪, 孫福龍, 白周義, 牛景林 申請(qǐng)人:新疆豫豐光伏材料科技有限公司