專利名稱：多晶硅氫化爐的熱場結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及多晶硅氫化爐技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅氫化爐的熱場結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
多晶硅在生長過程中，由于熱場的不穩(wěn)定，會在晶體內(nèi)部產(chǎn)生微晶，這樣就會使多晶硅生產(chǎn)的可利用率大大降低；現(xiàn)有的氫化爐在設(shè)計、制造中存在不足，無法很好的確保熱場的穩(wěn)定性。 發(fā)明內(nèi)容為了克服上述缺陷，本實用新型提供了一種多晶硅氫化爐的熱場結(jié)構(gòu)，該熱場結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可罪，有利于提聞成晶率。本實用新型為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種多晶硅氫化爐的熱場結(jié)構(gòu)，包括隔熱罩、隔熱盤和底盤，所述隔熱罩具有一容置腔，該容置腔朝向所述底盤開設(shè)有一開口，所述底盤封閉該開口，所述隔熱盤定位設(shè)置在所述底盤朝向容置腔的一側(cè)面上，且所述隔熱盤容置于所述容置腔的內(nèi)部，另在所述隔熱盤上設(shè)置有多個電極座；在所述容置腔內(nèi)還設(shè)置有多組呈倒U型的加熱棒單元，每組加熱棒單元的兩底端均分別與其相對應(yīng)的電極座定位連接。作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，每組加熱棒單元皆由一對加熱棒組合體和一連接塊組成，其中，該對加熱棒組合體均由至少兩根加熱棒從上而下依次可拆卸固定連接而成，所述連接塊橫跨并固定設(shè)于該對加熱棒組合體的頂端。作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，每個加熱棒組合體中的相鄰兩根加熱棒之間還設(shè)
置有石墨紙。作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，在所述隔熱盤上環(huán)列設(shè)有多個通孔，所述電極座嵌置于所述通孔中。作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，在所述容置腔的外周立面上開設(shè)有與其內(nèi)部相通的進(jìn)氣孔，在所述底盤的中心處開設(shè)有與所述容置腔內(nèi)部相通的出氣孔。本實用新型的有益效果是該熱場中的多組加熱棒單元皆由一對加熱棒組合體和一連接塊相連接而成，其中，該對加熱棒組合體均由至少兩根加熱棒從上而下依次可拆卸固定連接而成，從而使加熱棒單元的電阻值可調(diào)，而且每根加熱棒皆采用等靜壓石墨材質(zhì)制成，既提高了加熱棒電阻率的可靠性，又延長了加熱棒的使用壽命，大大提高了熱場的穩(wěn)定性。

圖I為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面參照附圖對本實用新型的多晶硅氫化爐的熱場結(jié)構(gòu)的實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。本實用新型所述的一種多晶硅氫化爐的熱場結(jié)構(gòu)，包括隔熱罩、隔熱盤2和底盤3，所述隔熱罩具有一容置腔1，該容置腔朝向所述底盤開設(shè)有一開口，所述底盤封閉該開口，所述隔熱盤2定位設(shè)置在所述底盤3朝向容置腔的一側(cè)面上，且所述隔熱盤容置于所述容置腔的內(nèi)部，另在所述隔熱盤2上設(shè)置有多個電極座20 ;在所述容置腔I內(nèi)還設(shè)置有多組呈倒U型的加熱棒單元4，每組加熱棒單元的兩底端均分別與其相對應(yīng)的電極座定位連接。在本實施例中，每組加熱棒單元4皆由一對加熱棒組合體40和一連接塊41組成，其中，該對加熱棒組合體均由至少兩根加熱棒從上而下依次可拆卸固定連接而成，所述連接塊橫跨并固定設(shè)于該對加熱棒組合體的頂端。加熱棒采用等靜壓石墨材質(zhì)，既提高了加熱棒電阻率的可靠性，又延長了加熱棒的使用壽命?！0014]在本實施例中，每個加熱棒組合體40中的相鄰兩根加熱棒之間還設(shè)置有石墨紙。另在本實施例中，在所述隔熱盤2上環(huán)列設(shè)有多個通孔，所述電極座20嵌置于所述通孔中。在所述容置腔I的外周立面上開設(shè)有與其內(nèi)部相通的進(jìn)氣孔，在所述底盤3的中心處開設(shè)有與所述容置腔內(nèi)部相通的出氣孔。
權(quán)利要求1.一種多晶硅氫化爐的熱場結(jié)構(gòu)，包括隔熱罩、隔熱盤(2)和底盤(3)，所述隔熱罩具有一容置腔(I )，該容置腔朝向所述底盤開設(shè)有一開口，所述底盤封閉該開口，所述隔熱盤(2)定位設(shè)置在所述底盤(3)朝向容置腔的一側(cè)面上，且所述隔熱盤容置于所述容置腔的內(nèi)部，另在所述隔熱盤(2)上設(shè)置有多個電極座(20);其特征在于在所述容置腔(I)內(nèi)還設(shè)置有多組呈倒U型的加熱棒單元(4)，每組加熱棒單元的兩底端均分別與其相對應(yīng)的電極座定位連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多晶硅氫化爐的熱場結(jié)構(gòu)，其特征在于每組加熱棒單元(4)皆由一對加熱棒組合體(40)和一連接塊(41)組成，其中，該對加熱棒組合體均由至少兩根加熱棒從上而下依次可拆卸固定連接而成，所述連接塊橫跨并固定設(shè)于該對加熱棒組合體的頂端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅氫化爐的熱場結(jié)構(gòu)，其特征在于每個加熱棒組合體(40)中的相鄰兩根加熱棒之間還設(shè)置有石墨紙。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多晶硅氫化爐的熱場結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述隔熱盤(2)上環(huán)列設(shè)有多個通孔，所述電極座(20)嵌置于所述通孔中。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多晶硅氫化爐的熱場結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述容置腔(I)的外周立面上開設(shè)有與其內(nèi)部相通的進(jìn)氣孔，在所述底盤(3)的中心處開設(shè)有與所述容置腔內(nèi)部相通的出氣孔。
專利摘要本實用新型公開了一種多晶硅氫化爐的熱場結(jié)構(gòu)，包括隔熱罩、隔熱盤和底盤，隔熱罩具有一容置腔，該容置腔朝向底盤開設(shè)有一開口，底盤封閉該開口，隔熱盤定位設(shè)置在底盤朝向容置腔的一側(cè)面上，且隔熱盤容置于容置腔的內(nèi)部，另在隔熱盤上設(shè)置有多個電極座；在容置腔內(nèi)還設(shè)置有多組呈倒U型的加熱棒單元，該多組加熱棒單元皆由一對加熱棒組合體和一連接塊相連接而成，其中，該對加熱棒組合體均由至少兩根加熱棒從上而下依次可拆卸固定連接而成，從而使加熱棒單元的電阻值可調(diào)，而且每根加熱棒皆采用等靜壓石墨材質(zhì)制成，既提高了加熱棒電阻率的可靠性，又延長了加熱棒的使用壽命，大大提高了熱場的穩(wěn)定性。
文檔編號C01B33/03GK202705052SQ20122045125
公開日2013年1月30日 申請日期2012年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月6日
發(fā)明者方定盛 申請人:美爾森先進(jìn)石墨(昆山)有限公司