專利名稱：一種超細(xì)電子用氧化鈮沉淀裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種超細(xì)電子用氧化鈮沉淀裝置，屬于設(shè)備制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
氧化鈮是生產(chǎn)陶瓷電容器的基本材料，長期以來，其物性指標(biāo)都是按市場通行標(biāo)準(zhǔn)平均粒徑=Iym來控制。現(xiàn)有的沉淀裝置鈮液、氨氣都是由圓形塑料軟管直接通入，沒有圓形盤管，這樣的裝置，不利于粒度的控制，生產(chǎn)出的產(chǎn)品顆粒較大，一般D5(i>0. 5Mm。隨著高科技材料的發(fā)展，要求陶瓷電容器容量更大，體積更小，介電常數(shù)更高，穩(wěn)定性更好；陶瓷電容器中如果添加顆粒細(xì)、粒度分布均勻的特種超細(xì)氧化鈮就能滿足上述要求，在這種情況下，用戶對氧化鈮提出了更高要求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型為了克服以上缺陷而提供一種超細(xì)電子用氧化鈮沉淀裝置，有效地防止沉淀過程中，由于局部濃度過高而發(fā)生的晶體間相互接觸聚合產(chǎn)生大顆粒的現(xiàn)象。本實(shí)用新型為了實(shí)現(xiàn)上述目的而采取的技術(shù)方案，包括反應(yīng)器，反應(yīng)器上設(shè)有進(jìn)料圓形盤管、進(jìn)氨水管、出 料口，并設(shè)有攪拌裝置；反應(yīng)器中間偏下位置設(shè)有進(jìn)料圓形盤管，且朝上面開有若干小孔，進(jìn)料圓形盤管的下方設(shè)有攪拌裝置，進(jìn)料圓形盤管上方設(shè)有氨水盤管分布器，氨水盤管分布器朝下開有若干小孔，氨水盤管分布器上設(shè)有一中空管與進(jìn)氨水管相連。減速機(jī)固定在支架上，支架固定在操作平臺上。所述的反應(yīng)器為圓形容器，下為橢圓封頭，上為平面蓋板，其直徑為O. 5-1. 5m,高度為O. 6-2m。所述的進(jìn)料圓形盤管和氨水盤管分布器的管徑均直徑為15_25mm，且盤管上的孔的孔徑為4-8 mm,孔間距為35-90 mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，本實(shí)用新型具有稀釋、均勻反應(yīng)物的作用，有效地防止沉淀過程中，由于局部濃度過高而發(fā)生的晶體間相互接觸聚合產(chǎn)生大顆粒的現(xiàn)象，用此沉淀裝置生產(chǎn)的氧化鈮D5tl在O. 3^0. 45 μ m之間，產(chǎn)品具有顆粒細(xì)、粒度分布均勻的特性，能很好地滿足用戶的要求。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1中進(jìn)料圓形盤管的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為圖1中進(jìn)料圓形盤管的A向視圖。圖4為圖1中氨水盤管分布器的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為圖1中氨水盤管分布器的B向視圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例，如圖1、圖2、圖3、圖4、圖5所示，包括反應(yīng)器7，反應(yīng)器7上設(shè)有進(jìn)料圓形盤管4、進(jìn)氨水管2、出料口 6，并設(shè)有攪拌裝置5 ;反應(yīng)器7中間偏下位置設(shè)有進(jìn)料圓形盤管4，且朝上面開有若干小孔，進(jìn)料圓形盤管4的下方設(shè)有攪拌裝置5，進(jìn)料圓形盤管4上方設(shè)有氨水盤管分布器3,氨水盤管分布器3朝下開有若干小孔,氨水盤管分布器3上設(shè)有一中空管與進(jìn)氨水管2相連。減速機(jī)固定在支架上，支架固定在操作平臺上。所述的反應(yīng)器7為圓形容器，下為橢圓封頭，上為平面蓋板，其直徑為O. 5-1. 5m，高度為O. 6_2m。所述的進(jìn)料圓形盤管4和氨水盤管分布器3的管徑均直徑為15_25mm，且盤管上的孔8的孔徑為4-8 mm,孔間距為35-90 mm。配制好的鈮液、氨水分別經(jīng)過料液盤管分布器、氨水盤管分布器同時進(jìn)入反應(yīng)器中，啟動攪拌，控制進(jìn)料量到反應(yīng)器的2/3處，反應(yīng)最終PH值為擴(kuò)10。沉淀生成的氫氧化鈮，經(jīng)調(diào)洗、烘干、 煅燒、過篩等工序，最終制得D5tl在O. 3^0. 45 μ m之間的超細(xì)電子用氧化鈮。
權(quán)利要求1.一種超細(xì)電子用氧化鈮沉淀裝置，其特征在于，包括反應(yīng)器(7)，反應(yīng)器(7)上設(shè)有進(jìn)料圓形盤管(4)、進(jìn)氨水管(2)、出料口(6)，并設(shè)有攪拌裝置(5);反應(yīng)器(7)中間偏下位置設(shè)有進(jìn)料圓形盤管(4)，且朝上面開有若干小孔，進(jìn)料圓形盤管(4)的下方設(shè)有攪拌裝置(5)，進(jìn)料圓形盤管(4)上方設(shè)有氨水盤管分布器(3)，氨水盤管分布器(3)朝下開有若干小孔，氨水盤管分布器(3)上設(shè)有一中空管與進(jìn)氨水管(2)相連，減速機(jī)固定在支架上，支架固定在操作平臺上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超細(xì)電子用氧化鈮沉淀裝置，其特征在于，所述的進(jìn)料圓形盤管(4)的管徑和氨水盤管分布器(3)的管徑均直徑為15-25mm，且盤管上的孔(8)的孔徑為4-8 mm，孔間距為35-90 mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超細(xì)電子用氧化鈮沉淀裝置，其特征在于，所述的反應(yīng)器(7)為圓形容器，下為橢圓封頭，上為平面蓋板，其直徑為O. 5-1. 5m，高度為O. 6_2m。
專利摘要一種超細(xì)電子用氧化鈮沉淀裝置，包括反應(yīng)器，反應(yīng)器上設(shè)有進(jìn)料圓形盤管、進(jìn)氨水管、出料口，并設(shè)有攪拌裝置；反應(yīng)器中間偏下位置設(shè)有進(jìn)料圓形盤管，且朝上面開有若干小孔，進(jìn)料圓形盤管的下方設(shè)有攪拌裝置，進(jìn)料圓形盤管上方設(shè)有氨水盤管分布器，氨水盤管分布器朝下開有若干小孔，氨水盤管分布器上設(shè)有一中空管與進(jìn)氨水管相連。減速機(jī)固定在支架上，支架固定在操作平臺上。具有稀釋、均勻反應(yīng)物的優(yōu)點(diǎn)，有效地防止沉淀過程中，由于局部濃度過高而發(fā)生的晶體間相互接觸聚合產(chǎn)生大顆粒的現(xiàn)象，用此沉淀裝置生產(chǎn)的氧化鈮D50在0.3~0.45μm之間，產(chǎn)品具有顆粒細(xì)、粒度分布均勻的特性。
文檔編號C01G33/00GK202880924SQ20122054187
公開日2013年4月17日 申請日期2012年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月23日
發(fā)明者匡國珍, 余湯, 戴和平 申請人:九江有色金屬冶煉有限公司