專利名稱：氯硅烷殘液回收裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多晶硅生產(chǎn)殘液泥漿狀氯硅烷回收裝置。
背景技術(shù)：
氯硅烷是生產(chǎn)多晶硅的重要原料。多晶硅生產(chǎn)鏈上某些工序會(huì)產(chǎn)生大量的泥漿狀氯硅烷殘液。由于沒有有效的處理、回收手段，大量的泥漿狀氯硅烷殘液成為廢棄之物，有用的氯硅烷得不到合理利用，不僅嚴(yán)重污染環(huán)境，并且使多晶硅的生產(chǎn)成本很高。
發(fā)明內(nèi)容鑒于目前多晶硅生產(chǎn)環(huán)節(jié)產(chǎn)生的大量泥漿狀氯硅烷沒有有效回收、處理手段，有用的氯硅烷得不到合理利用，嚴(yán)重污染環(huán)境，增加多晶硅生產(chǎn)成本的現(xiàn)狀，本實(shí)用新型的目的是設(shè)計(jì)一種高效處理、回收氯硅烷殘液的回收裝置。本實(shí)用新型是一種氯硅烷殘液回收裝置，其特征在于由表面蒸發(fā)器和螺旋蒸發(fā)器構(gòu)成，所述的表面蒸發(fā)器由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置、殘液進(jìn)口、排氣口、封頭、人孔、分布盤、熱媒夾套、鋼絲刷架、電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)軸、耙架、筒壁、熱媒夾套出口、熱媒夾套進(jìn)口及殘?jiān)隹跇?gòu)成，電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)軸自上而下貫穿表面蒸發(fā)器筒體，表面蒸發(fā)器的封頭與筒壁固連，殘液進(jìn)口、排氣口、人孔均位于封頭上，與封頭焊接，分布盤固定在表面蒸發(fā)器筒壁上端，分布盤上均勻分布數(shù)個(gè)凹槽，每個(gè)殘液進(jìn)口的下部各插在分布盤的一個(gè)凹槽內(nèi)，鋼絲刷架和耙架分別固定在電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)軸上，熱媒夾套包裹在筒壁上，熱媒夾套進(jìn)口位于表面蒸發(fā)器筒壁底部，熱媒夾套出口位于表面蒸發(fā)器筒壁上部；所述的螺旋蒸發(fā)器由筒體、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置、螺旋體、熱媒夾套、殘?jiān)M(jìn)口、熱媒夾套進(jìn)口、熱媒夾套出口，排氣口及殘?jiān)隹跇?gòu)成，熱媒夾套包裹在螺旋蒸發(fā)器筒體上，殘?jiān)M(jìn)口位于螺旋蒸發(fā)器底部，螺旋體與電動(dòng)機(jī)及驅(qū)動(dòng)裝置固連為一體，電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)軸自上而下貫穿螺旋蒸發(fā)器筒體，排氣口位于螺旋蒸發(fā)器筒體上部，殘?jiān)隹谖挥谕搀w上排氣口下方，表面蒸發(fā)器殘洛出口與螺旋蒸發(fā)器殘洛進(jìn)口氣密連通。上述的表面蒸發(fā)器殘?jiān)隹谂c螺旋蒸發(fā)器殘?jiān)M(jìn)口通過連接件將二者氣密連通為一體，連接件可采用法蘭盤或波紋管或短鋼管。本實(shí)用新型通過兩級(jí)蒸發(fā)器高溫蒸發(fā)、回收氯硅烷氣體的設(shè)計(jì)思想，使本實(shí)用新型氯硅烷殘液回收裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，回收率高，便于實(shí)施。本實(shí)用新型氯硅烷殘液回收裝置，從氯硅烷殘液中高效回收氯硅烷可達(dá)95%以上，既解決了被廢棄的氯硅烷殘液造成的環(huán)境污染的問題，又從廢棄物中回收了大量可貴的多晶硅生產(chǎn)原料，大大降低了多晶硅生產(chǎn)成本。

圖1是本實(shí)用新型氯硅烷殘液回收裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0008]實(shí)施例1如圖所示，本實(shí)用新型氯硅烷殘液回收裝置由表面蒸發(fā)器和螺旋蒸發(fā)器構(gòu)成，所述的表面蒸發(fā)器由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置1、殘液進(jìn)口 2、排氣口 3、封頭4、人孔5、分布盤6、熱媒夾套7、鋼絲刷架8、電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)軸9、耙架10、筒壁11、熱媒夾套出口 12、熱媒夾套進(jìn)口 13、殘?jiān)隹?14構(gòu)成。電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)軸9自上而下貫穿表面蒸發(fā)器筒體，表面蒸發(fā)器的封頭4與筒壁
11焊接為一體，殘液進(jìn)口 2、排氣口 3、人孔5均位于封頭4上，與封頭4焊接，分布盤6固定在表面蒸發(fā)器筒壁11上端，分布盤6上均勻分布數(shù)個(gè)凹槽,每個(gè)殘液進(jìn)口 2的下部各插在分布盤6的一個(gè)凹槽內(nèi)，鋼絲刷架8和耙架10分別固定在電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)軸9上，熱媒夾套7位于筒壁11上,熱媒夾套進(jìn)口 13位于表面蒸發(fā)器筒壁11底部,熱媒夾套出口 12位于表面蒸發(fā)器筒壁11上部；所述的螺旋蒸發(fā)器由筒體15、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置16、螺旋體17、熱媒夾套18、殘?jiān)M(jìn)口 19、熱媒夾套進(jìn)口 20、熱媒夾套出口 21，排氣口 22及殘?jiān)隹?23構(gòu)成，熱媒夾套18包裹在螺旋蒸發(fā)器筒體15上，殘液進(jìn)口 19位于螺旋蒸發(fā)器底部，螺旋體17與電動(dòng)機(jī)及驅(qū)動(dòng)裝置16固連為一體，電動(dòng)機(jī)16的轉(zhuǎn)軸自上而下貫穿螺旋蒸發(fā)器筒體15,排氣口 22位于螺旋蒸發(fā)器筒體15上部，殘?jiān)隹?23位于筒體上排氣口 22下方，表面蒸發(fā)器殘?jiān)隹?14與螺旋蒸發(fā)器殘?jiān)M(jìn)口 19氣密連通。本實(shí)施例中，表面蒸發(fā)器殘?jiān)隹?14與螺旋蒸發(fā)器殘液進(jìn)口 19采用法蘭盤連通。
權(quán)利要求1.一種氯硅烷殘液回收裝置，其特征在于由表面蒸發(fā)器和螺旋蒸發(fā)器構(gòu)成，所述的表面蒸發(fā)器由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置(I)、殘液進(jìn)口(2)、排氣口(3)、封頭(4)、人孔(5)、分布盤(6)、熱媒夾套(7)、鋼絲刷架(8)、電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)軸(9)、耙架(10)、筒壁(11)、熱媒夾套出口(12)、熱媒夾套進(jìn)口( 13)及殘?jiān)隹? 14)構(gòu)成，電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)軸(9)自上而下貫穿表面蒸發(fā)器筒體，表面蒸發(fā)器的封頭(4)與筒壁(11)焊接，殘液進(jìn)口(2)、排氣口(3)、人孔(5)均位于封頭(4)上，與封頭(4)焊接連接，分布盤(6)固定在表面蒸發(fā)器筒壁(11)上端，分布盤(6)上均勻分布數(shù)個(gè)凹槽，每個(gè)殘液進(jìn)口(2)的下部各插在分布盤(6)的一個(gè)凹槽內(nèi)，鋼絲刷架(8)和耙架(10)分別固定在電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)軸(9)上，熱媒夾套(7)包裹在筒壁(11)上，熱媒夾套進(jìn)口(13)位于表面蒸發(fā)器筒壁(11)底部，熱媒夾套出口(12)位于表面蒸發(fā)器筒壁(11)上部；所述的螺旋蒸發(fā)器由筒體(15)、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置(16)、螺旋體(17)、熱媒夾套(18)、殘?jiān)M(jìn)口(19)、熱媒夾套進(jìn)口(20)、熱媒夾套出口(21)、排氣口(22)及殘?jiān)隹?23)構(gòu)成，熱媒夾套(18)包裹在螺旋蒸發(fā)器筒體(15)上，殘?jiān)M(jìn)口( 19)位于螺旋蒸發(fā)器底部，螺旋體(17)與電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置(16)固連為一體，電動(dòng)機(jī)(16)的轉(zhuǎn)軸自上而下貫穿螺旋蒸發(fā)器筒體(15)，排氣口(22)位于螺旋蒸發(fā)器筒體(15)上部，殘?jiān)隹?23)位于筒體上排氣口(22)下方，表面蒸發(fā)器殘?jiān)隹?14)與螺旋蒸發(fā)器殘?jiān)M(jìn)口(19)氣密連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氯硅烷殘液回收裝置，其特征在于表面蒸發(fā)器封頭(4)上均布四個(gè)殘液進(jìn)口(2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氯硅烷殘液回收裝置，其特征在于表面蒸發(fā)器殘?jiān)隹?14)與螺旋蒸發(fā)器殘?jiān)M(jìn)口(19)采用法蘭盤或波紋管或短鋼管連通。
專利摘要本氯硅烷殘液回收裝置由表面蒸發(fā)器和螺旋蒸發(fā)器構(gòu)成，表面蒸發(fā)器由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置、殘液進(jìn)口、排氣口、封頭、人孔、分布盤、熱媒夾套、鋼絲刷架、電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)軸、耙架、筒壁、熱媒夾套出口、熱媒夾套進(jìn)口及殘?jiān)隹跇?gòu)成；螺旋蒸發(fā)器由筒體、電動(dòng)機(jī)及驅(qū)動(dòng)裝置、螺旋體、熱媒夾套、殘?jiān)M(jìn)口、熱媒夾套進(jìn)口、熱媒夾套出口，排氣口及殘?jiān)隹跇?gòu)成，表面蒸發(fā)器殘?jiān)隹谂c螺旋蒸發(fā)器殘?jiān)M(jìn)口氣密連通。本裝置通過兩級(jí)蒸發(fā)器高溫蒸發(fā)回收氯硅烷氣體，可以從氯硅烷殘液中高效回收氯硅烷達(dá)95%以上，既解決了被廢棄的氯硅烷殘液造成的環(huán)境污染的問題，又從廢棄物中回收了大量可貴的多晶硅生產(chǎn)原料，大大降低了多晶硅生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)C01B33/107GK202968141SQ20122067987
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月11日
發(fā)明者王姍 申請(qǐng)人:成都蜀菱科技發(fā)展有限公司