本發(fā)明涉及用于液晶顯示器、等離子體顯示器、有機EL顯示器等平板顯示器的顯示器用玻璃基板的制造方法、玻璃基板以及顯示器用面板。

背景技術(shù)：
以往以來，在采用了作為顯示用面板而使用的液晶顯示器面板、等離子體顯示器面板、或有機EL顯示器面板的平板顯示器的制造中，使用曝光裝置并通過光蝕刻(Photolithography)在玻璃基板上形成精細的薄膜圖案。用于這些平板顯示器的顯示器面板是在將玻璃基板投入到生產(chǎn)線上之后，經(jīng)過搬運、成膜、光蝕刻、蝕刻、摻雜或布線等各個處理而制造得到的。在各個處理中，由于各種各樣的原因，含有玻璃基板的面板處在容易產(chǎn)生靜電的環(huán)境中。例如，將玻璃基板投入至生產(chǎn)線上時，從夾著隔紙而層積得到的2片以上的玻璃基板中將隔紙剝離除去從而一張一張地取出玻璃基板。此時，玻璃基板在除去隔紙時易產(chǎn)生靜電。另外，為了成膜等而使用半導體制造裝置的情況下，將玻璃基板放置在載置臺上來進行成膜。此時，在玻璃基板上易產(chǎn)生由于氣流而導致的靜電、接觸靜電或剝離靜電。剝離靜電是將密合在載置臺上的玻璃基板從載置臺上取下時產(chǎn)生的靜電。這樣的靜電會引起各種各樣的問題，因此優(yōu)選盡可能不產(chǎn)生靜電。例如，在玻璃基板上形成TFT(薄膜晶體管)和布線圖案時，灰塵或塵垢等雜質(zhì)會因靜電而附著在玻璃基板或布線圖案上，有時會產(chǎn)生布線圖案的缺損、剝離。另外有時由于蓄積的電荷的放電會產(chǎn)生TFT的破壞等。另外，玻璃基板有時會因上述靜電而粘附在載置臺上，從而有時在將玻璃基板從載置臺上取下時會發(fā)生破裂。這種情況下，已知有使用離子發(fā)生器來進行帶有靜電的玻璃基板的除電的方法(專利文獻1)。另外，對于曝光裝置，也已知有放置處理基板(玻璃基板)的臺面的表面具有1μm～100μm的表面粗糙度的曝光裝置(專利文獻2)。與此相對，已知有能夠抑制在從接觸狀態(tài)將玻璃基板剝離時產(chǎn)生的靜電的顯示器用玻璃基板(專利文獻3)。具體而言，該玻璃基板是板厚為0.3mm～6mm的顯示器用玻璃基板，其中，通過使用測定長度為200mm、截止值為0.8mm～25mm的相位補償型2RC帶通濾波器的觸針式表面粗糙度測定器測定得到的WCA(濾波中心線波紋度)的平均值為0.03μm～0.5μm。該玻璃基板能夠減小與載置臺之間的接觸面積，而且能夠抑制靜電。進一步，也已知有對玻璃表面進行化學處理以使其算術(shù)平均粗糙度Ra為0.3nm～1.5nm(專利文獻4)。具體而言，通過使玻璃基板的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.3nm～1.5nm，由此能夠減小玻璃基板與載置臺之間的接觸面積，其結(jié)果能夠減少靜電量?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2009-64950號公報專利文獻2：日本特開2007-322630號公報專利文獻3：日本特開2002-72922號公報專利文獻4：日本特開2010-275167號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：
發(fā)明所要解決的課題但是，為了在玻璃基板的玻璃表面上形成表面凹凸，即使使上述WCA(濾波中心線波紋度)的平均值為0.03μm～0.5μm、或者即使對玻璃表面進行化學處理以使其算術(shù)平均粗糙度Ra為0.3nm～1.5nm，有時也無法充分得到抗靜電效果。特別是對于與線寬和間距狹窄的布線圖案一同使用的面向高精細/高分辨率顯示器的例如形成有氧化物半導體或低溫多晶硅半導體的玻璃基板，按照以往的使用上述參數(shù)進行管理，無法充分對應(yīng)面向高精細/高分辨率顯示器的玻璃基板的品質(zhì)要求。例如，對于面向高精細/高分辨率顯示器的玻璃基板，在所形成的布線圖案中即使僅產(chǎn)生微小缺陷則作為顯示器也是不適合的。另外，還存在如下問題：若布線圖案的線寬或布線圖案的間距間隔狹窄，則由于靜電而導致的放電，即使該放電是低水平的放電，也容易產(chǎn)生半導體元件的靜電破壞。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示器用玻璃基板的制造方法和玻璃基板、以及使用了該玻璃基板的顯示器用面板，所述顯示器用玻璃基板的制造方法能夠抑制玻璃基板移動或搬運時的靜電，而且在半導體制造裝置中從載置臺與玻璃基板接觸的狀態(tài)將玻璃基板從載置臺取下時，能夠在該取下時難以產(chǎn)生靜電。用于解決課題的方法本發(fā)明的一個方式是形成有半導體元件的顯示器用玻璃基板的制造方法。該制造方法具有：制作玻璃基板的工序；和對所述玻璃基板的主表面中的一側(cè)的玻璃表面進行表面處理從而形成表面凹凸的工序。在進行了所述表面處理的所述玻璃表面中，分散設(shè)置有自所述表面凹凸的表面粗糙度中心面起具有1nm以上的高度的凸部，且所述凸部占所述玻璃表面面積的面積比率為0.5%～10%。此時，所述表面凹凸的Rz(Rz是通過原子力顯微鏡測定得到的表面凹凸的最大高度)優(yōu)選為2(nm)以上。更優(yōu)選為3nm以上。另外，所述面積比率優(yōu)選為0.75%～7.0%，更優(yōu)選為1.2%～4.0%。另外，所述表面處理優(yōu)選為使用了等離子體的干法蝕刻處理。另外，所述玻璃基板優(yōu)選為半導體元件形成用玻璃基板。特別優(yōu)選的是，所述半導體元件形成用玻璃基板中，與所述玻璃表面相反側(cè)的主表面為形成有低溫多晶硅半導體或氧化物半導體的面。本發(fā)明的一個方式是玻璃基板。在該玻璃基板的主表面中的一側(cè)的玻璃表面上分散設(shè)置有自表面凹凸的表面粗糙度中心面起具有1nm以上的高度的凸部。所述凸部占所述玻璃表面面積的面積比率為0.5%～10%，所述玻璃基板的主表面中，與所述一側(cè)玻璃表面相反一側(cè)的另一側(cè)的玻璃表面作為器件面而使用。所述玻璃基板優(yōu)選在所述另一側(cè)的玻璃表面上形成半導體元件。此時，所述另一側(cè)的玻璃表面優(yōu)選為形成有低溫多晶硅半導體或氧化物半導體的面。另外，所述玻璃基板在所述另一側(cè)的玻璃表面上形成有具備膜厚小于20μm的柵極絕緣膜的薄膜晶體管。本發(fā)明的一個方式是在玻璃基板上形成有半導體元件的顯示器用面板。在該顯示器用面板的玻璃基板上具有第1主表面和第2主表面。所述第1主表面具有如下玻璃表面：在該玻璃表面分散設(shè)置有自表面凹凸的表面粗糙度中心面起具有1nm以上的高度的凸部，所述凸部占所述玻璃表面面積的面積比率為0.5%～10%。所述第2主表面位于所述第1主表面的相反側(cè)，并形成有半導體元件。發(fā)明效果根據(jù)上述方式的顯示器用玻璃基板的制造方法以及玻璃基板、顯示器用面板，能夠抑制玻璃基板的移動或搬運時的靜電。另外，在半導體制造裝置中，從載置臺與玻璃基板接觸的狀態(tài)將玻璃基板從載置臺取下時，能夠使得在該取下時難以產(chǎn)生靜電。另外，還能夠抑制在顯示器用面板上形成的半導體元件的靜電破壞。附圖說明圖1是本實施方式的玻璃基板的截面圖。圖2(a)說明自玻璃表面的表面粗糙度中心面起具有1nm以上的高度的凸部的區(qū)域的圖，(b)是說明Rz的圖。圖3A是示出使用原子力顯微鏡測量得到的玻璃基板的表面輪廓形狀的一個示例及其表面凹凸的直方圖的圖。圖3B是示出在圖3A所示的分布中，高度為0nm以上的凸部的分布和直方圖的圖。圖3C是示出在圖3A所示的分布中，高度為1nm以上的凸部的分布和直方圖的圖。圖3D是示出在圖3A所示的分布中，高度為1.5nm以上的凸部的分布和直方圖的圖。圖4是示出玻璃表面的表面凹凸的示例的圖。圖5是示出制造本實施方式的玻璃基板的方法的流程的圖。圖6是說明在圖5所示的方法中所使用的蝕刻裝置的一個示例的圖。圖7是說明在圖5所示的方法中所使用的蝕刻裝置的其它示例的圖。圖8是說明在實驗例中所進行的靜電試驗的圖。具體實施方式以下，基于本實施方式對本發(fā)明的顯示器用玻璃基板的制造方法、玻璃基板以及顯示器用面板進行詳細說明。本發(fā)明中，玻璃表面的表面凹凸是指，在將原子力顯微鏡(ParkSystems社制造，型號XE-100)適當校正后的狀態(tài)下以非接觸模式測量得到的結(jié)果。另外，在測量中，為了測量算術(shù)平均粗糙度小于1nm這樣的表面粗糙度小的表面，對原子力顯微鏡進行了調(diào)整。作為測量條件，如下所示：·掃描區(qū)域為1μm見方，·掃描速度為0.8Hz，·伺服增益為1.5，·取樣為256點×256點，·設(shè)定點為自動設(shè)定(也可以為手動設(shè)定)。圖1是利用本實施方式的顯示器玻璃基板的制造方法制造得到的玻璃基板10的截面圖。玻璃基板10能夠用于液晶顯示器面板、等離子體顯示器面板、有機EL顯示器面板等的平板顯示器。玻璃基板10進一步也能夠作為太陽能電池面板的玻璃基板來使用。例如是厚度為0.1mm～0.8mm、且尺寸為550mm×650mm～2200mm×2500mm的玻璃基板。對于玻璃基板，在玻璃基板的制造后，在玻璃基板的主表面上形成半導體元件。玻璃基板10的一側(cè)的玻璃表面12是形成TFT等半導體元件的面(半導體元件形成面)，是形成低溫多晶硅薄膜或ITO(氧化銦錫)薄膜等多層薄膜的半導體元件形成面(形成有低溫多晶硅半導體或氧化物半導體的面)。TFT例如包括具備膜厚小于20μm的柵極絕緣膜的薄膜晶體管。面向高精細/高分辨率的顯示器用面板中，柵極絕緣膜形成為例如5μm以上且小于20μm。另外，具備這樣膜厚的柵極絕緣膜的TFT中，除了柵極絕緣膜以外，形成有半導體元件的各層也能夠以膜厚較薄的形式形成。因此，對于玻璃表面12而言，Ra(算術(shù)平均粗糙度：JISB0601：2001)被抑制在0.2(nm)以下從而能夠形成非常平滑的面。另一方面，在玻璃表面12的相反一側(cè)，與玻璃表面12相對的玻璃表面14通過蝕刻而形成為粗面化處理面。具體而言，分散設(shè)置有自玻璃表面14的表面凹凸的表面粗糙度中心面起具有1nm以上高度的凸部，并且該凸部占玻璃表面14總面積的面積比率為0.5%～10%。需要說明的是，本實施方式中，通過蝕刻處理形成了表面凹凸，但并不限于蝕刻處理。只要是能夠形成表面凹凸的表面處理即可。除蝕刻處理以外，表面處理還包括膠帶研磨、毛刷研磨、研磨粒研磨、CMP(化學機械研磨)等物理研磨。圖2(a)是以一維表示的方式來說明自玻璃表面14的表面粗糙度中心面起具有1nm以上的高度的形成于玻璃表面14上的凸部的區(qū)域的圖，圖2(b)是以一維表示的方式來說明Rz的圖。圖2(a)、圖2(b)中，以一維表示的方式示出了表面輪廓形狀，表面粗糙度中心面由平均基準線m示出。圖2(a)中，以區(qū)域Z示出了自玻璃表面的表面粗糙度中心面(圖中對應(yīng)于平均基準線m)起具有1nm以上的高度的凸部(斜線的區(qū)域)的區(qū)域。此處，玻璃表面的表面粗糙度中心面是指，對以該中心面為基準的上述表面輪廓形狀(二維的表面輪廓形狀)的各位置的高度(高時為正、低時為負)進行相加(或者積分)時，位于總值(積分值)為0高度的平面。另外，在表面輪廓形狀中，將相對玻璃表面14的表面凹凸的表面粗糙度中心面(圖中為平均基準線m)的最大峰值高度定為Rp、最大谷深定為Rv，Rz為Rp和Rv的總值、即Rp+Rv。需要說明的是，Rz被定義在JISB0601：2001。使用圖3A～圖3D，對面積比率的測定方法進行說明。圖3A是示出使用上述原子力顯微鏡測定得到的1μm×1μm(256點×256點)尺寸的表面輪廓形狀的一個示例及其表面凹凸的直方圖的圖。高度為0nm的位置是玻璃表面的表面粗糙度中心面的位置。圖3B～圖3D分別示出自玻璃表面的表面粗糙度中心面起具有0nm以上、1nm以上以及1.5nm以上的高度的凸部所分散的分布和直方圖。圖3B～圖3D中，高度為0nm以上的凸部、高度為1.0nm以上的凸部、高度為1.5nm以上的凸部分別以白色表示。對于凸部的高度為0nm、1nm、1.5nm以上的面積，根據(jù)算出的直方圖，以0nm、1nm、1.5nm的高度進行切片，對0nm、1nm、1.5nm以上的圖像中的像素數(shù)進行計數(shù)由此求出各凸部的面積。本實施方式的玻璃基板中，以圖3C中示出的白色區(qū)域表示的高度為1nm以上的、玻璃表面14的全部區(qū)域中所含有的凸部占玻璃表面14全部區(qū)域的面積比率在0.5%～10%的范圍內(nèi)。由圖3D可知：白色區(qū)域小于0.5%，1.5nm以上的高度的凸部的區(qū)域較小。如上所述，使高度為1nm以上的凸部占玻璃表面14面積的面積比率為0.5%～1%是基于如下理由。電荷的移動據(jù)說是在物體與物體之間的距離(例如玻璃基板與載置臺等支撐體之間的距離)為某一程度以下、例如為1nm以下、進一步為0.2nm～0.8nm左右而產(chǎn)生的。因此，本發(fā)明人著眼于自玻璃表面14的表面凹凸的表面粗糙度中心面起具有1nm以上的高度的凸部。此時，發(fā)現(xiàn)了在不產(chǎn)生靜電方面，使具有1nm以上的高度的凸部占玻璃表面14面積的面積比率為0.5%以上是有效的。據(jù)認為，面積比率小于0.5%的情況下，將玻璃基板放置在載置臺上時、或放置后對玻璃基板進行吸附時，在玻璃基板的表面凹凸的凸部的周圍部分與載置臺的表面之間，凸部無法支撐玻璃基板，無法充分保持玻璃基板與載置臺的表面的距離，從而引起靜電。另一方面，面積比率超過10%的情況下，上述凸部與載置臺之間的接觸部分的面積增多，因此最大靜電量增加。另外，按照面積比率超過10%的方式進行蝕刻的情況下，難以按目標對玻璃表面14的表面凹凸進行調(diào)整，無法確保表面品質(zhì)，玻璃表面14上容易形成瑕疵缺陷。例如，潛在的微小瑕疵可能會由于表面處理而增大，形成瑕疵缺陷。因此，上述面積比率為0.5%～10%，優(yōu)選上述面積比率為0.75%～7.0%，更優(yōu)選為1.2%～4.0%。另一方面，在抑制靜電方面，優(yōu)選Rz為2nm以上。在抑制靜電方面，更優(yōu)選Rz為3nm以上。但是，若Rz超過規(guī)定值，則玻璃表面的面強度大幅下降，進而表面凹凸增大從而導致容易產(chǎn)生上述瑕疵缺陷。以往的玻璃基板中，為了抑制剝離靜電而使Ra為0.3nm～1.5nm，即使使該Ra為0.3nm～1.5nm，本實施方式中上述凸部占玻璃表面面積的面積比率也無法為0.5%～10%。另外，即使上述面積比率為0.5%～10%，Ra也未必為0.3nm～1.5nm。即，Ra與上述面積比率是相互沒有關(guān)系的參數(shù)。本實施方式中，例如為了抑制玻璃基板10的靜電或其靜電量，使玻璃表面14上高度為1nm以上的凸部的面積比率為0.5%～10%。因此，在玻璃表面14上通過粗面化處理而大量形成表面凹凸。因此，認為在抑制玻璃基板10的靜電或靜電量時，玻璃表面14的Ra一般會因粗面化處理而增大。但是，該Ra會因在玻璃表面14上所形成的表面凹凸的凸部的分布而大幅度變化。例如，假設(shè)為凸部的最大高度(自周圍凹部的最大突出高度)相同的圖4(a)、(b)所示的2個示例。圖4(a)中所示的示例是大部分的凸部的高度大致統(tǒng)一為較低的高度，極少一部分的凸部的高度相比周圍的凸部突出這樣的示例。圖4(b)中所示的示例是2個以上的凸部中基本上所有的高度幾乎一致的示例。此時，算術(shù)平均粗糙度Ra為Ra2＞Ra1。并且，相比圖4(b)所示的示例，圖4(a)所示的示例中，凸部與載置臺接觸的面積較小，因此圖4(a)所示的示例能夠較大地抑制玻璃基板10的靜電或靜電量。因此，根據(jù)圖4(a)、圖4(b)所示的示例，為了抑制靜電或靜電量，最好使玻璃表面14的Ra較小。這一點與為了抑制靜電或靜電量而使玻璃表面14的Ra增大這樣的一般想法矛盾。如此，Ra作為用于抑制玻璃基板10的靜電或靜電量的指標并不充分?？紤]到這一點，本實施方式中按照玻璃表面14上高度為1nm以上的凸部的面積比率為0.5%～10%的方式進行玻璃表面14的粗面化處理。本實施方式的玻璃基板10中玻璃基板的靜電或其靜電量得到抑制，因此能夠適當用于使用半導體制造裝置來進行成膜等處理的玻璃基板，除此以外，也能夠適當用于期望在玻璃基板上不附著灰塵或塵垢的彩色濾光片形成用玻璃基板。另外，本實施方式的玻璃基板10能夠作為在上述的玻璃表面12上形成有具備膜厚小于20μm的柵極絕緣膜的TFT的玻璃基板而優(yōu)選使用。近年來，在高精細/高分辨率顯示器用面板中，以絕緣膜為主，半導體元件中所含的各層的膜厚變薄。在這樣的背景下，可以舉出為了對應(yīng)像素間距變窄、或加快顯示切換的要求，要求使柵極絕緣膜變薄。另外，從為了顯示器用面板的省電化而使柵極電壓變小的觀點出發(fā)，也要求使柵極絕緣膜的膜厚變薄。作為高精細/高分辨率面板中的薄膜化的一個示例，正在進行使柵極絕緣膜的膜厚小于20nm的研究。對于柵極絕緣膜的膜厚，以往為70nm～100nm左右，但近年來形成有50nm，進一步形成有20nm這樣的厚度。能夠使柵極絕緣膜如此變薄是因為提高了柵極絕緣膜的膜品質(zhì)，由此能夠根據(jù)上述要求而使膜厚變薄。但是，另一方面，由于玻璃基板的靜電會產(chǎn)生半導體元件的靜電破壞這樣的問題，例如在柵極絕緣膜中發(fā)生放電、使柵極絕緣膜受到損傷等。因此，作為用于形成有這樣的柵極絕緣膜小于20μm的TFT的顯示器用面板的玻璃基板，使用如上所述的能夠抑制靜電或靜電量的玻璃基板是特別有效的。(顯示器用面板)在這樣的玻璃基板10的主表面上形成半導體元件，從而制作得到顯示器用面板。具體而言，顯示器用面板的玻璃基板10具有第1主表面和第2主表面。第1主表面是分散設(shè)置有自表面凹凸的表面粗糙度中心面起具有1nm以上的高度的凸部的上述玻璃表面14，上述凸部占玻璃表面14面積的面積比率為0.5%～10%。第2主表面是與第1主表面(玻璃表面14)相反一側(cè)的面，第2主表面為上述玻璃表面12，并形成有半導體元件。例如，在第2主表面上形成有將電極、布線圖案等圖案化的導體薄膜或半導體元件。即，對于第2主表面，除了形成電極用導體薄膜或形成半導體薄膜以外，還經(jīng)過形成抗蝕膜、蝕刻、抗蝕劑剝離等光蝕刻工序，從而形成顯示器用面板。在這樣的顯示器用面板中，在面板制造工序時，玻璃基板10的靜電或靜電量得到抑制，因此能夠抑制半導體元件的靜電破壞。特別是與以往所形成的非晶硅半導體相比，在玻璃基板10上形成低溫多晶硅半導體或氧化物半導體的情況下，半導體元件的厚度變薄，而且與半導體元件連接的布線的寬度以及間距間隔變窄，間距間隔例如從5μm變窄至1.5μm～3μm左右。因此，防止因靜電而導致的破壞的要求比以往更高。因此，在玻璃基板10上形成低溫多晶硅半導體或氧化物半導體的情況下，能夠抑制靜電或靜電量的玻璃基板10的效果大。另外，玻璃基板10適當用于形成有具備上述的膜厚小于20μm的柵極絕緣膜的TFT的顯示器用面板。這樣的膜厚小的柵極絕緣膜容易發(fā)生放電易而損傷，但通過使用玻璃基板10能夠抑制玻璃基板的靜電以及其靜電量，因此可有效地抑制這樣的TFT的靜電破壞。因此得到了可實現(xiàn)柵極絕緣膜等的薄膜化、同時能夠抑制因靜電而導致的問題的高精細/高分辨率顯示器用面板。(玻璃組成)作為玻璃基板10的玻璃的組成，以含有以下成分的玻璃為示例。(a)SiO2：50質(zhì)量%～70質(zhì)量%、(b)B2O3：5質(zhì)量%～18質(zhì)量%、(c)Al2O3：10質(zhì)量%～25質(zhì)量%、(d)MgO：0質(zhì)量%～10質(zhì)量%、(e)CaO：0質(zhì)量%～20質(zhì)量%、(f)SrO：0質(zhì)量%～20質(zhì)量%、(o)BaO：0質(zhì)量%～10質(zhì)量%、(p)RO：5質(zhì)量%～20質(zhì)量%(其中，R是選自Mg、Ca、Sr以及Ba中的至少1種)(q)R’2O：0質(zhì)量%～2.0質(zhì)量%(其中，R’是選自Li、Na以及K中的至少1種)(r)選自氧化錫、氧化鐵及氧化鈰中的至少1種的金屬氧化物：合計為0.05質(zhì)量%～1.5質(zhì)量%。這樣的玻璃基板10可以使用下拉法、浮法等來制造。在以下的說明中，對使用了下拉法的制造方法進行說明。圖5是說明本實施方式的玻璃基板10的制造方法的流程的一個示例的圖。顯示器用玻璃基板的制造方法主要具有：熔解工序(步驟S10)、澄清工序(步驟S20)、攪拌工序(步驟S30)、成型工序(步驟S40)、緩慢冷卻工序(步驟S50)、采取基板工序(步驟S60)、切斷工序(步驟S70)、粗面化處理工序(步驟S80)、和端面加工工序(步驟S90)。通過上述熔解工序(步驟S10)、澄清工序(步驟S20)、攪拌工序(步驟S30)、成型工序(步驟S40)、緩慢冷卻工序(步驟S50)、采取基板工序(步驟S60)、和切斷工序(步驟S70)，制作得到具有形成有半導體元件的面的玻璃基板10。通過之后所進行的粗面化處理工序，在玻璃基板10的主表面中的與形成有半導體元件的面相反一側(cè)的玻璃表面14上形成表面凹凸。熔解工序(步驟ST10)在熔解爐中進行。在熔解爐中，將玻璃原料投入至蓄積在熔解爐中的熔融玻璃的液面上并進行加熱來制作熔融玻璃。進一步，使熔融玻璃從設(shè)置在熔解爐的內(nèi)側(cè)側(cè)壁的1個底部的流出口流向下游工序。熔解爐的熔融玻璃的加熱除了在熔融玻璃自身通電進行自發(fā)熱來加熱的方法以外，還可以利用燃燒器輔助性地提供火焰來對玻璃原料進行熔解。需要說明的是，玻璃原料中添加有澄清劑。作為澄清劑沒有特別限制，已知有SnO2、As2O3、Sb2O3等。但是，從降低環(huán)境負荷的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用SnO2(氧化錫)作為澄清劑。澄清工序(步驟ST20)至少在澄清管內(nèi)進行。澄清工序中，使澄清管內(nèi)的熔融玻璃升溫，由此熔融玻璃中所含有的含O2、CO2或SO2的氣泡吸收由于澄清劑的還原反應(yīng)而生成的O2而成長，氣泡上浮至熔融玻璃的液面從而放出。進一步，在澄清工序中，使熔融玻璃的溫度下降，由此使由澄清劑的還原反應(yīng)得到的還原物質(zhì)進行氧化反應(yīng)。由此，熔融玻璃中殘存的氣泡中的O2等氣體成分再次被吸收至熔融玻璃中，氣泡消失?；诔吻鍎┑难趸磻?yīng)以及還原反應(yīng)能夠通過控制熔融玻璃的溫度來進行。需要說明的是，澄清工序能夠使用減壓脫泡方式，該減壓脫泡方式是在澄清管內(nèi)形成減壓氣氛的空間，使存在于熔融玻璃中的氣泡在減壓氣氛中成長從而脫泡。接著，進行攪拌工序(步驟S30)。攪拌工序中，為了保持玻璃的化學方面以及熱方面的均勻性，使熔融玻璃通過面向垂直方向的未圖示的攪拌槽。一邊利用設(shè)置在攪拌槽中的攪拌器對熔融玻璃進行攪拌，一邊使其向垂直下方向底部移動，導入至后工序。由此能夠抑制波筋等玻璃的不均勻性。接著，進行成型工序(步驟S40)。成型工序中使用下拉法。下拉法是使用了例如日本特開2010-189220號公報、日本專利第3586142號公報的眾所周知的方法。由此，成型得到具有規(guī)定厚度、幅寬的片狀玻璃。作為成型方法，在下拉法中最優(yōu)選溢流下拉法，但也可以為流涎下拉法。接著，進行緩慢冷卻工序(步驟S50)。具體而言，對成型后的片狀玻璃，按照不產(chǎn)生應(yīng)變和彎曲的方式來控制冷卻速度，從而使其在未圖示的緩慢冷卻爐中冷卻至緩慢冷卻點以下。接著，進行采取基板工序(步驟S60)。具體而言，連續(xù)生成的片狀玻璃按照每一個恒定的長度的方式進行采取，得到玻璃基板。之后，在切斷工序(步驟S70)中，按規(guī)定的尺寸對玻璃基板進行切斷。接著，進行粗面化處理(步驟S80)。具體而言，對玻璃基板實施表面清洗處理，之后實施蝕刻處理。表面清洗處理中，例如使用了未圖示的大氣壓等離子體清洗處理裝置；蝕刻處理中，使用了采用大氣壓等離子體的蝕刻裝置。大氣壓等離子體清洗處理裝置中，例如，從在玻璃基板10的整個寬度方向上延長的狹縫狀的噴嘴，向通過搬運輥搬運的玻璃基板10的玻璃表面14(與搬運輥接觸的面)吹附使用了N2、O2的等離子體狀態(tài)的氣體。大氣壓等離子體清洗處理裝置具有：N2、O2的供給路；設(shè)置在供給路途中的兩側(cè)的1對的相向電極；覆蓋該一對相向電極各自表面的電介質(zhì)，上述供給路的端部為等離子體照射口而朝向玻璃基板10。向玻璃表面14吹附這樣的因等離子體而活性化的氣體(自由基)，由此能夠使由附著在玻璃表面14上的不需要的有機物構(gòu)成的薄膜氧化而除去。除去由有機物構(gòu)成的薄膜是為了在后述的蝕刻處理中不會使由有機物構(gòu)成的薄膜作為掩膜而發(fā)揮功能。因此，通過等離子體清洗的玻璃表面14除去了有機物從而呈現(xiàn)親水性。此時玻璃表面14的水接觸角優(yōu)選為10度以下，更優(yōu)選為5度以下。這樣的優(yōu)選方式能夠通過調(diào)整基于活性化的氣體的清洗時間或氣體的流量來達成。即，作為表面清洗的條件，優(yōu)選調(diào)整清洗時間以及活性化的氣體的流量，由此使得水接觸角為10度以上。需要說明的是，除使用大氣壓等離子體的清洗之外，也可以通過進行臭氧氣體的吹附或紫外線的照射來除去有機物的薄膜。只要能夠至少使有機物氧化或使有機物的薄膜改性然后除去即可。另外，也可以通過能夠除去有機物的清洗液的涂布或浸漬處理來進行清洗。但是，為了有效地進行后述的干法蝕刻，優(yōu)選通過臭氧氣體的吹附或紫外線的照射來進行清洗。圖6是示出使用了大氣壓等離子體的蝕刻裝置的一個示例的圖。使用了大氣壓等離子體的蝕刻裝置30具有蝕刻頭34和未圖示的氣體排氣單元。蝕刻裝置30中，對于由搬運輥32搬運的玻璃基板的一側(cè)的玻璃表面14(與搬運輥32接觸的面)，從蝕刻頭34的在玻璃基板10的整個寬度方向上延長的狹縫狀的噴嘴向玻璃表面吹附蝕刻氣體。蝕刻氣體是具有通過使CF4和H2O的混合氣體為等離子體狀態(tài)從而生成的活性化的HF成分的氣體。由此，玻璃表面通過蝕刻氣體被粗面化。需要說明的是，在玻璃基板10的玻璃表面14上分散設(shè)置有自蝕刻處理后的表面凹凸的表面粗糙度中心面起具有1nm以上的高度的凸部。按照該凸部占玻璃表面14的總面積的面積比率為0.5%～10%的方式進行上述蝕刻處理。具體而言，對粗面化處理的條件(表面清洗的條件以及蝕刻條件)進行了設(shè)定。例如，蝕刻條件中，通過對玻璃基板10的搬運速度進行調(diào)整來調(diào)整蝕刻的處理時間、或?qū)Υ蹈街敛ＡП砻?4的蝕刻氣體的流量、氣體的種類和濃度進行調(diào)整。需要說明的是，用于粗面化處理的蝕刻方法并不限于是使用蝕刻氣體的干法蝕刻，也可以使用將蝕刻液涂布在粗面化處理的玻璃表面的濕法蝕刻。圖7是示出使用了蝕刻液MS對玻璃表面進行粗面化處理的方法的圖。蝕刻液MS儲藏在容器28中。在玻璃基板10與容器28之間，按照玻璃表面14與蝕刻液MS接觸而被搬運的方式來設(shè)置搬運輥22以及搬運涂布輥24。搬運涂布輥24的外圍面由海綿材料構(gòu)成。另外，搬運涂布輥24的外圍面的一部分浸漬在蝕刻液MS中。因此，在搬運涂布輥24的表面上吸收有蝕刻液MS。吸收在搬運涂布輥24上的蝕刻液MS與玻璃基板10的玻璃表面14接觸從而使蝕刻液MS涂布在玻璃表面14上。此時，為了調(diào)整涂布在玻璃基板10上的蝕刻液MS的涂布量，通過擠壓旋轉(zhuǎn)的接觸輥26來擠出吸收在搬運涂布輥24上的蝕刻液MS的一部分。即，裝置中設(shè)置有對搬運涂布輥24的表面進行擠壓的接觸輥26。需要說明的是，進行使用了蝕刻液MS的粗面化處理時，除了這樣調(diào)整涂布量以外，也可以對用于蝕刻液MS的氟酸的濃度、和蝕刻時間進行調(diào)整。例如，使用4000ppm～5000ppm這樣濃度比較高的氟酸，并且對涂布量以及蝕刻時間進行調(diào)整，從而也能夠粗面化為所期望的形狀。圖7所示的裝置中，通過調(diào)整接觸輥26擠壓搬運涂布輥24的表面的程度，由此能夠調(diào)整涂布在玻璃表面14上的蝕刻液MS的涂布量。即，在蝕刻處理后的玻璃表面14上，按照分散設(shè)置有自表面凹凸的表面粗糙度中心面起具有1nm以上的高度的凸部、并且該凸部占玻璃表面面積的面積比率為0.5%～10%的方式調(diào)整蝕刻處理的條件。利用水等對基于涂布蝕刻液MS而進行了蝕刻處理的玻璃基板10進行漂洗處理。由此，通過干法蝕刻或濕法蝕刻進行粗面化處理工序。也可以進行膠帶研磨、毛刷研磨、研磨粒研磨、CMP(化學機械研磨)等物理研磨來代替干法蝕刻或濕法蝕刻。之后，進行端面加工工序(步驟S90)。端面加工工序中，進行玻璃表面以及端面的研削、研磨。端面加工中使用了例如金剛石砂輪或樹脂砂輪等。除此之外，顯示器用玻璃基板的制造方法還具有清洗工序以及檢查工序，但此處將這些工序的說明省略。由此得到的玻璃基板10搬運至面板制造商，在面板制造商處，對玻璃基板10的形成了玻璃表面12的主表面進行電極用導體薄膜的形成或半導體薄膜的形成，除此之外，經(jīng)過抗蝕膜的形成、蝕刻、抗蝕劑剝離等光蝕刻工序，從而形成電極、布線或半導體元件等，制作得到顯示器用面板。需要說明的是，在玻璃基板10的玻璃表面12上，除形成半導體元件等之外，還可以通過光蝕刻工序形成含有黑色矩陣或RGB圖案的彩色濾光片。如以上所述，按照分散設(shè)置有自蝕刻處理的玻璃表面14的表面凹凸的表面粗糙度中心面起具有1nm以上的高度的凸部、且該凸部占玻璃表面面積的面積比率為0.5%～10%、優(yōu)選為0.75%～7.0%、更優(yōu)選為1.2%～4.0%的方式，對于玻璃基板10進行蝕刻處理。由此，即使在半導體制造裝置等的載置臺與玻璃基板接觸之后取下玻璃基板時，也難以在該接觸或取下時產(chǎn)生靜電。特別是在難以產(chǎn)生靜電方面，優(yōu)選表面凹凸的Rz(Rz是通過原子力顯微鏡測定得到的表面凹凸的最大高度)為2(nm)以上。[實施例]為了調(diào)查本實施方式的效果，制作了使用了硼鋁硅酸鹽玻璃的液晶顯示裝置用玻璃基板。(粗面化處理)對制作的玻璃基板進行上述的大氣壓等離子體清洗。即，使等離子體狀態(tài)的N2、O2的混合氣體以每分鐘規(guī)定的量流向玻璃基板的整個寬度，對玻璃基板的玻璃表面進行清洗。進一步，使用圖6所示的蝕刻裝置30進行了蝕刻。在蝕刻裝置30中使自由基化的蝕刻氣體HF流向玻璃基板的整個寬度，從而進行蝕刻，所述蝕刻氣體HF是使CF4、H2O的混合氣體通過使用稀有氣體等而生成的等離子體中而得到的。下述表1所示的試料1～8是對CF4、H2O的供給量、以及加入到CF4、H2O的混合氣體中的載體氣體的種類(N2或Ar氣體)進行各種各樣的變化，由此對通過粗面化處理而形成的表面凹凸的形態(tài)進行各種各樣改變的示例。試料0是完全未進行干法蝕刻的示例。[表面凹凸]關(guān)于玻璃基板10的玻璃表面14的表面凹凸，從制作的玻璃基板10切出試料(長50mm、寬50mm)，使用原子力顯微鏡(ParkSystems公司制造，型號XE-100)以非接觸模式分別對試料進行測量。測量之前，為了對算術(shù)平均粗糙度Ra小于1nm這樣的表面粗糙度小的表面凹凸進行測量，對裝置進行了調(diào)整。測量時，使掃描區(qū)域為1μm×1μm(取樣數(shù)為256點×256點)、掃描速度為0.8Hz。另外，使該原子力顯微鏡的非接觸模式的伺服增益為1.5。設(shè)定點為自動設(shè)定。通過該測量得到了關(guān)于表面凹凸的二維表面輪廓形狀。由該表面輪廓形狀得到表面凹凸的直方圖，以從表面粗糙度中心面的高度為1nm的高度進行切片，對高度為1nm以上的圖像中的像素數(shù)進行計數(shù)從而求出凸部的面積，由此求出了凸部的面積比率(%)。同時求出了Rz(nm)。[靜電評價]玻璃基板的靜電評價中使用了730mm×920mm尺寸且厚度為0.5mm的玻璃基板10。從如圖8所示那樣將玻璃基板10放置在基板臺40上而利用升降銷42對其進行支撐的狀態(tài)，使升降銷42相對基板臺40的載置面下降，由此使玻璃基板10下降從而放置在基板臺40上。基板臺具有對鋁制的臺進行陽極氧化處理(alumite)后的表面。進一步，利用未圖示的吸引裝置以50kPa將玻璃基板10從設(shè)置在基板臺40的載置面的吸引口吸引后，終止吸引，使升降銷42上升。以這樣的玻璃基板10的下降、吸引、吸引終止、上升為1個循環(huán)，反復進行了多次循環(huán)直到靜電量飽和。1個循環(huán)為10秒。另外，對每個循環(huán)測量靜電量。通過測量玻璃中央部的玻璃表面的電勢來代替靜電量的測量。測量使用了表面電勢計(歐姆龍(OMRON)社制造的ZJ-SD)。表面電勢計的設(shè)置高度為10mm。靜電測定環(huán)境以基于溫濕度計的實測值表示為23.5℃、74%～75%。由該測量結(jié)果得到了表示最大靜電量的最大電勢和帶電速度。測定是對玻璃基板的與基板臺側(cè)相反一側(cè)的面的電勢進行測定的。最大電勢是反復多次進行上述循環(huán)直至玻璃基板10的靜電量為飽和狀態(tài)為止的飽和時的電位。帶電速度是電勢的絕對值超過100V為止的循環(huán)的次數(shù)。需要說明的是，測定側(cè)的玻璃基板的表面的電勢為負值。表1中使用絕對值來表示。使通過蝕刻處理而形成的具有1nm以上的高度(自表面凹凸的表面粗糙度中心面的高度)的凸部占玻璃表面14的總面積的面積比率與Rz變化時，將此時的帶電速度和最大電勢的評價結(jié)果示于下述表1。[表1]需要說明的是，試料1、2的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.3nm～1.5nm，但如表1所示，面積比率未在0.5%～10%的范圍內(nèi)。從表1的評價結(jié)果可知：帶電速度(次數(shù))超過10次的試料(帶電速度低，為允許的情況)，且最大電勢的絕對值小于17kV的試料是試料3～8，面積比率均為0.5%～10%。進一步，可知面積比率為0.75%～7.0%的情況下，最大電勢低于16.2kV(靜電量是允許范圍的條件)，難以產(chǎn)生靜電的問題。面積比率包含在1.2%～4.0%的范圍的試料5～7的最大電勢低于16kV，帶電速度也低，在該方面更為優(yōu)選。即，更優(yōu)選凸部的面積比率為1.2%～4.0%。以上，對本發(fā)明的顯示器用玻璃基板的制造方法以及玻璃基板、顯示器用面板進行了詳細說明，但本發(fā)明并不限定于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明的主體思想的范圍內(nèi)，可以進行各種各樣的改良及變更，這自不必而言。特別是對于與線寬和間距狹窄的布線圖案一同使用的面向高精細/高分辨率顯示器的例如氧化物半導體或低溫多晶硅半導體形成用的玻璃基板，按照以往的使用上述參數(shù)進行管理，無法充分對應(yīng)這些玻璃基板的品質(zhì)要求。根據(jù)本發(fā)明，能夠在玻璃基板上所形成的布線電極的線寬狹窄、且即使是微小的缺陷也不能被允許的面向高精細/高分辨率顯示器的玻璃基板中，抑制靜電的問題。另外，不僅能夠消除由于放電而產(chǎn)生的問題，也能夠通過減少雜質(zhì)因靜電而附著在玻璃基板上的量來提高與玻璃的密合性低的Cu系電極布線的成品率。即，通過使用本發(fā)明的玻璃基板，即使在線寬狹窄的情況下，也能夠使用與玻璃的密合性低的布線/電極材料。例如，能夠使用Ti-Cu合金等Cu系電極材料，該Ti-Cu合金等Cu系電極材料與Al系電極或Cr、Mo電極等相比密合性低，但電阻低。如此，電極材料的選擇范圍擴大，由此能夠消除在面向電視機等的大型面板中容易成為問題的RC延遲(布線延遲)的問題。另外，可以預想到面向手機終端的小型面板在今后會進一步高精細化，而本發(fā)明可提供能夠消除面向這樣的手機終端的小型面板中所產(chǎn)生的RC延遲的問題的玻璃基板。另外，上述說明中，使用設(shè)置有半導體元件作為器件的玻璃基板，對靜電的問題進行了說明，但本發(fā)明即使作為面向形成有彩色濾光片等作為器件的顯示器的玻璃基板的靜電解決方法也是有效的。例如，在彩色濾光片(CF)面板中，黑色矩陣(BM)的細線化正在發(fā)展，根據(jù)本發(fā)明，即使是液晶顯示器用的CF面板的BM線寬為20μm以下、例如細線化至5μm～10μm的液晶用面板也不會產(chǎn)生由于雜質(zhì)而引起的BM剝離。符號的說明10玻璃基板12、14玻璃表面22搬運輥24搬運涂布輥26接觸輥28容器30蝕刻裝置34蝕刻頭40基板臺42升降銷