一種四氯化硅制備三氯氫硅的裝置制造方法
【專利摘要】一種四氯化硅制備三氯氫硅的裝置，本實用新型在原有的利用氯氫化方法制備三氯氫硅裝置的基礎上做了如下改進：在氫化反應器設置有金屬硅粉進口、四氯化硅進口、氯化氫進口、氫氣進口；原有的濕法除塵裝置采用文丘里除塵裝置，文丘里除塵裝置設置有殘夜出口，殘夜出口通過管道與殘液處理裝置連接；干法除塵裝置底部裝有通向氫化反應器中部的連通管，連通管的斜角為55-60度，連通管上裝有閥門；本實用新型提供了一種操作簡單方便、連續(xù)穩(wěn)定、節(jié)能降耗的四氯化硅制備三氯氫硅的裝置。
【專利說明】一種四氯化硅制備三氯氫硅的裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種四氯化硅氯氫化的裝置，具體地說是一種四氯化硅制備三氯氫硅的裝置。
【背景技術】
[0002]目前國內絕大部分多晶硅廠家采用的工藝方法是西門子法，該反應除了生成高純度多晶硅外，還生成副產物如四氯化硅和氯化氫等。因此，整個多晶硅生產過程中將有大量的尾氣排出。例如，生產I噸多晶硅將有約10-20噸四氯化硅和1-5噸氯化氫產生。四氯化硅是易水解生成鹽酸，難以運輸和處理，氯化氫會造成酸污染。
[0003]對四氯化硅的處理根本出路在于氫化，使其轉化成三氯氫硅，重新返回系統(tǒng)循環(huán)利用，由于國外三菱、Wacker等公司對氫化技術的封鎖，現(xiàn)在國內大多數(shù)企業(yè)還沒有成熟的氫化方法，如何連續(xù)、穩(wěn)定地將四氯化硅轉化為三氯氫硅返回多晶硅生產系統(tǒng)，成為制約我國多晶硅產業(yè)發(fā)展的重要瓶頸。
[0004]目前國內四氯化硅的還原方法主要有熱氫化、冷氫化和氯氫化三種。這幾種氫化方法的比較結果見表1。
[0005]表1不同氫化方式的優(yōu)缺點比較表
[0006]
【權利要求】
1.一種四氯化硅制備三氯氫硅的裝置，是由氫化反應器、干法除塵裝置、濕法除塵裝置、熱量回收裝置、精餾裝置、冷凝裝置、殘液處理裝置和儲罐構成，氫化反應器通過管道與干法除塵裝置連接，干法除塵裝置通過管道與熱量回收裝置連接，熱量回收裝置通過管道與濕法除塵裝置連接，濕法除塵裝置通過管道與冷凝裝置連接，濕法除塵裝置通過管道與儲罐連接，冷凝裝置通過管道與儲罐連接，儲罐通過管道與精餾裝置連接，精餾裝置通過管道與氫化反應器連接，冷凝裝置通過管道與氫化反應器連接，其特征在于:所述的濕法除塵裝置采用文丘里除塵裝置；所述的干法除塵裝置底部裝有通向氫化反應器中部的連通管。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種四氯化硅制備三氯氫硅的裝置，其特征在于:所述的氫化反應器設置有金屬硅粉進口，金屬硅粉進口通過管道與外設的金屬硅粉預熱裝置連接； 所述的氫化反應器設置有四氯化硅進口，四氯化硅進口通過管道與外設的四氯化硅汽化預熱裝置連接； 所述的氫化反應器設置有氯化氫進口，氯化氫進口通過管道與外設的氯化氫預熱裝置連接； 所述的氫化反應器設置有氫氣進口，氫氣進口通過管道與外設的氫氣預熱裝置連接。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種四氯化硅制備三氯氫硅的裝置，其特征在于:所述的連通管的斜角為55-60度。
4.根據(jù)權利要求3所述的一種四氯化硅制備三氯氫硅的裝置，其特征在于:所述的連通管上裝有閥門。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種四氯化硅制備三氯氫硅的裝置，其特征在于:所述的文丘里除塵裝置設置有殘夜出口，殘夜出口通過管道與殘液處理裝置連接。
【文檔編號】C01B33/107GK203474469SQ201320367541
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年6月25日 優(yōu)先權日:2013年6月25日
【發(fā)明者】潘璽, 燕軍, 崔建平 申請人:內蒙古同遠企業(yè)管理咨詢有限責任公司