一種西門子法生產多晶硅工藝中還原爐的進料噴嘴的制作方法
【專利摘要】一種西門子法生產多晶硅工藝中還原爐的進料噴嘴，所述的進料噴嘴的下端通過外螺紋固定在還原爐的底盤上，上端開有一中心孔，中心孔為圓柱形的通孔，所述的中心孔的上端進行60度斜角的擴孔，并在中心孔的四周均布有四個螺旋孔；本實用新型中將中心孔做了改進，將中心孔的上端進行了60度斜角的擴孔，這樣就保證了氣體濃度的均勻性，實現(xiàn)了硅棒表面及直徑的均勻性，減少了倒棒現(xiàn)象，還增加了螺旋狀的側孔，螺旋孔會使通過側孔的氣體呈螺旋狀上升，有利于增加硅棒頂部的物料濃度，使硅棒橫梁位置生產的更好，更結實，可以有效的降低生產后期的倒棒現(xiàn)象。
【專利說明】一種西門子法生產多晶硅工藝中還原爐的進料噴嘴
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種西門子法生產多晶硅工藝中還原爐的進料噴嘴。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有的西門子法生產多晶硅工藝中，因還原爐進料噴嘴的設計缺陷，導致硅棒表面玉米粒的出現(xiàn)以及硅棒上下直徑的不同，造成倒棒現(xiàn)象，為生產帶來了安全隱患及物料的浪費。

【發(fā)明內容】

[0003]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術中的不足之處，提供一種解決還原爐進料噴嘴造成硅棒表面出現(xiàn)玉米粒及直徑不均勻造成倒棒現(xiàn)象的西門子法生產多晶硅工藝中還原爐的進料噴嘴。
[0004]為了實現(xiàn)本實用新型的目的，我們將采用如下技術方案予以實施:
[0005]一種西門子法生產多晶硅工藝中還原爐的進料噴嘴，所述的進料噴嘴的下端通過外螺紋固定在還原爐的底盤上，上端開有一中心孔，中心孔為圓柱形的通孔，其特征在于:所述的中心孔的上端進行60度斜角的擴孔，并在中心孔的四周均布有四個螺旋孔。
[0006]有益效果
[0007]原有還原爐進料噴嘴中心孔只是一個圓柱形的通孔，圓柱形的中心孔不能保證氣體在還原爐內的濃度均勻性，會造成硅棒表面及直徑的不均勻。本實用新型中將中心孔做了改進，將中心孔的上端進行了 60度斜角的擴孔，這樣就保證了氣體濃度的均勻性，實現(xiàn)了硅棒表面及直徑的均勻性，減少了倒棒現(xiàn)象。
[0008]原有還原爐進料噴嘴只有一個中心孔，雖然進行了擴孔，但還原爐內氣體濃度的均勻性還是不理想，在本實用新型中還增加了螺旋狀的側孔，即在中心孔四周開四個均布的螺旋孔，螺旋孔會使通過側孔的氣體呈螺旋狀上升，有利于增加硅棒頂部的物料濃度，使硅棒橫梁位置生產的更好，更結實，可以有效的降低生產后期的倒棒現(xiàn)象。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為原有的進料噴嘴結構不意圖；
[0010]圖2為改進后的進料噴嘴結構不意圖；
[0011]圖3為改進后的進料噴嘴的螺旋孔分布示意圖；
[0012]I為中心孔、2為螺旋孔、3為外螺紋。
【具體實施方式】
[0013]參考圖1、圖2和圖3所不，對本實用新型做進一步地說明。
[0014]根據(jù)圖1所示，一種西門子法生產多晶硅工藝中還原爐的進料噴嘴，其通過外螺紋3固定在還原爐的底盤上，上端開有一圓柱形的中心孔I。[0015]圖2所示的一種西門子法生產多晶硅工藝中還原爐的進料噴嘴，是在圖1所示的一種改良西門子法生產多晶硅工藝中還原爐的進料噴嘴的基礎上，對進料噴嘴進行了改造，將中心孔I上端進行了 60度斜角的擴孔，并在中心孔I的四周均布有四個螺旋孔2。
[0016]圖3所示的是一種改進后的進料噴嘴螺旋孔2分布情況。
【權利要求】
1.一種改良西門子法生產多晶硅工藝中還原爐的進料噴嘴，所述的進料噴嘴的下端通過外螺紋固定在還原爐的底盤上，上端開有一中心孔，中心孔為圓柱形的通孔，其特征在于:所述的中心孔的上端進行60度斜角的擴孔，并在中心孔的四周均布有四個螺旋孔。
【文檔編號】C01B33/035GK203474466SQ201320367774
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年6月25日 優(yōu)先權日:2013年6月25日
【發(fā)明者】潘璽, 燕軍, 崔建平 申請人:內蒙古同遠企業(yè)管理咨詢有限責任公司