碳電極和多晶硅棒的制造裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及碳電極和多晶硅棒的制造裝置，本發(fā)明提供在多晶硅棒氣相生長工藝中對可在所有方位伸縮的U形棒的裂縫或破裂的發(fā)生具有很好抑制效果的技術(shù)。碳電極（30）的上部電極（31）的上表面?zhèn)仍O(shè)有保持硅芯線（5a）的芯線固定器（20）的固定部。上部電極（31）上設(shè)有從上表面（33）向下表面（34）貫穿的孔部（貫通孔）（35），作為棒狀連結(jié)部件的螺栓（36）經(jīng)由墊圈（37）從上部電極（31）上表面（33）插入該孔部（35），在下部電極（32）被螺紋固定?？撞浚?5）內(nèi)與螺栓（36）的直桿部之間的間隙（51），使上部電極（31）可以在與下部電極（32）的上表面的接觸面即載置面（圖2中為與上部電極31的下表面34相接觸的下部電極32的上表面）的面內(nèi)全方位移動，從而在氣相生長工藝中對可在所有方位伸縮的U形棒的裂縫或破裂的發(fā)生起到抑制效果。
【專利說明】碳電極和多晶硅棒的制造裝置
[0001]本申請是 優(yōu)先權(quán)日:為2009年11月26日、申請日為2010年10月22日、于2012年4月28日進(jìn)入中國國家階段的、PCT申請?zhí)枮镻CT/JP2010/006270、中國申請?zhí)枮?01080049198.2、發(fā)明名稱為“碳電極和多晶硅棒的制造裝置”的申請的分案申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及用于制造多晶硅的碳電極和使用該碳電極的多晶硅棒的制造裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]作為制造半導(dǎo)體制造用的單晶硅或太陽能電池制造用的以硅為原料的多晶硅的方法，已知有西門子法。西門子法是通過使含有氯硅烷的原料氣與加熱的硅芯線接觸，利用CVD (Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積)法在該娃芯線的表面使多晶娃氣相生長的方法。
[0004]通過西門子法氣相生長多晶硅時，在氣相生長裝置的反應(yīng)爐內(nèi)將硅芯線組裝成垂直方向2根、水平方向I根的反U字形(torii gate)，該反U字形的硅芯線的兩端通過一對芯線固定器固定在配置于基板上的一對金屬電極上。
[0005]然后，導(dǎo)通來自金屬電極的電流后，將硅芯線在氫氣氣氛中、900°C以上1200°C以下的溫度范圍進(jìn)行加熱，同時將例如三氯硅烷與氫氣的混合氣作為原料氣通過氣體噴嘴供給到反應(yīng)爐內(nèi)，硅在硅芯線上氣相生長，形成反U形的期望直徑的多晶硅棒。在反應(yīng)爐內(nèi)冷卻后，從反應(yīng)爐取出多晶硅棒。
[0006]近年來，隨著多晶硅棒的大口徑化，氣相生長過程中或者多晶硅棒冷卻過程中，容易發(fā)生該多晶硅棒斷裂或破裂的情況。
[0007]其原因被認(rèn)為是由于通過西門子法制作多晶硅棒時，氣相生長過程中或者生長結(jié)束后，娃棒的生長方向(半徑方向)上中心與表面溫度產(chǎn)生溫度差，由此多晶娃棒的熱膨脹或者收縮所產(chǎn)生的應(yīng)力造成的。
[0008]多晶硅棒破裂，倒在反應(yīng)爐內(nèi)時，不僅會與反應(yīng)爐內(nèi)壁及基板或者構(gòu)成金屬電極的金屬發(fā)生接觸而引起重金屬污染，獲取倒下破壞的多晶硅棒以及清掃基板還花費(fèi)時間，從而會大幅延長作業(yè)的周期，顯著降低生產(chǎn)率。
[0009]為防止上述多晶硅棒的裂縫或破裂的發(fā)生，提出了各種方案。
[0010]例如，特開平8-45847號專利公報(專利文獻(xiàn)I)提出支架部件(芯線)的裝配器具，其特征在于在電流引導(dǎo)部(金屬電極)與電極固定器(芯線固定器的保持器具)之間設(shè)置至少一個彈性部件，該彈性部件允許電極固定器相對于電流引導(dǎo)部的運(yùn)動，并且吸收該運(yùn)動。
[0011]特開2006-16243號專利公報(專利文獻(xiàn)2)提出使用由碳制的晶種固定器和金屬制的電極構(gòu)成的晶種保持電極，由此可以防止由在多晶硅生長后的冷卻過程中發(fā)生的熱扭曲引起的、多晶硅或者晶種保持電極中使用的碳制部件的斷裂，其中上述晶種保持電極的特征在于，形成為晶種固定器和金屬制的電極呈楔形的相互配合的接合構(gòu)造，在它們之間使貴金屬板滑配合來接合。[0012]特開2006-240934號專利公報(專利文獻(xiàn)3)提出，硅芯線的端部通過保持它的導(dǎo)電性的固定器與電極電連接，并且至少一側(cè)的固定器使用在電極面上至少在連接反U形的硅芯線的兩端的直線方向上可以向左右任意方向滑動的碳制固定器，由此可以減少多晶硅棒破裂情況的發(fā)生。
[0013]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0014]專利文獻(xiàn)
[0015]專利文獻(xiàn)1:特開平8-45847號專利公報
[0016]專利文獻(xiàn)2:日本特開2006-16243號專利公報
[0017]專利文獻(xiàn)3:日本特開2006-240934號專利公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0018]發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0019]如上所述，在基于現(xiàn)有的普通西門子法氣相生長多晶硅的過程中，反U字形的硅芯線的兩端經(jīng)由一對芯線固定器固定在配置于基板上的一對金屬電極上。然而，反U形的多晶硅棒(以下也簡稱為“U形棒”)的兩端固定在金屬電極上時，U形棒在水平面方向上的伸縮會受到阻礙。此處所說的水平面方向上的伸縮，是指例如連接U形棒的兩端的直線方向上的伸縮。
[0020]并且，U形棒在水平面方向上的伸縮并不限于連接U形棒兩端的直線方向。例如，如果靠近U形棒的內(nèi)側(cè)有其他U形棒，則來自該U形棒的輻射熱容易引起內(nèi)側(cè)的伸張。而且，如果U形棒的外側(cè)被反 應(yīng)爐的爐壁冷卻的話，外側(cè)容易收縮。也就是說，由于其所處環(huán)境，U形棒會在水平面方向的所有方位發(fā)生伸縮。
[0021]但是，專利文獻(xiàn)I中公開的裝配器具不僅構(gòu)造復(fù)雜，而且存在除彈性部件的伸縮方向以外不允許電極固定器運(yùn)動的缺點(diǎn)。此外，專利文獻(xiàn)2公開的晶種保持電極，由于使貴金屬板滑配合而使用，成本較高，而且該貴金屬容易摻進(jìn)多晶硅。并且由于呈楔形配合，膨脹時晶種固定器將楔形向上方移動，因而有可能從電極中脫出。另外，在專利文獻(xiàn)3公開的碳制固定器中，多晶硅棒只能在連接硅芯線的兩端的直線方向上移動。因此，這些提案并不能充分抑制多晶硅棒的裂縫或破裂的發(fā)生。
[0022]鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供在多晶硅棒的氣相生長工藝中，對可在所有方位伸縮的U形棒的裂縫或破裂的發(fā)生具有很好抑制效果的技術(shù)。
[0023]本發(fā)明涉及一種碳電極，用于多晶硅棒的制造，其特征在于，由固定在作為向硅芯線通電的通電用外部電極的金屬電極上的下部電極以及載置在該下部電極上的上部電極構(gòu)成，該上部電極的上表面?zhèn)仍O(shè)有保持所述硅芯線的芯線固定器的固定部，設(shè)于所述下部電極的上部的凸部插入設(shè)于所述上部電極的下部的凹部的內(nèi)部，所述上部電極載置在所述下部電極上，所述凹部的內(nèi)部尺寸比所述凸部的外部尺寸大，所述凹部與凸部之間設(shè)有間隙，
[0024]所述上部電極能夠在作為與所述下部電極的上表面的接觸面的載置面內(nèi)全方位移動。
[0025]本發(fā)明還涉及一種碳電極，用于多晶硅棒的制造，其特征在于，由固定在作為向硅芯線通電的通電用外部電極的金屬電極上的下部電極以及載置在該下部電極上的上部電極構(gòu)成，該上部電極的上表面?zhèn)仍O(shè)有保持所述硅芯線的芯線固定器的固定部，
[0026]設(shè)于所述上部電極的下部的凸部插入設(shè)于所述下部電極的上部的凹部的內(nèi)部，所述上部電極載置在所述下部電極上，所述凹部的內(nèi)部尺寸比所述凸部的外部尺寸大，所述凹部與凸部之間設(shè)有間隙，
[0027]所述上部電極能夠在作為與所述下部電極的上表面的接觸面的載置面內(nèi)全方位移動。
[0028]為解決上述問題，本發(fā)明的碳電極用于多晶硅棒的制造，其特征在于，由固定在作為向硅芯線通電的通電用外部電極的金屬電極上的下部電極以及載置在該下部電極上的上部電極構(gòu)成，該上部電極的上表面?zhèn)仍O(shè)有保持所述硅芯線的芯線固定器的固定部，所述上部電極能夠在與所述下部電極的上表面的接觸面即載置面內(nèi)全方位移動。
[0029]所述碳電極可以設(shè)置成如下方式，所述上部電極具有從上表面向下表面貫穿的孔部，插入該孔部的棒狀連結(jié)部件的下端部固定于所述下部電極，所述孔部的直徑比所述棒狀連結(jié)部件的直桿部的直徑大，在所述孔部內(nèi)與所述直桿部之間設(shè)有間隙。
[0030]例如，所述孔部的直徑比所述直桿部的直徑大Imm以上。 [0031]所述碳電極也可以設(shè)置成如下方式，設(shè)于所述下部電極的上部的凸部插入設(shè)于所述上部電極的下部的凹部的內(nèi)部，所述上部電極載置在所述下部電極上，所述凹部的內(nèi)部尺寸比所述凸部的外部尺寸大，所述凹部與凸部之間設(shè)有間隙。
[0032]此外，所述碳電極也可以設(shè)置成如下方式，設(shè)于所述上部電極的下部的凸部插入設(shè)于所述下部電極的上部的凹部的內(nèi)部，所述上部電極載置在所述下部電極上，所述凹部的內(nèi)部尺寸比所述凸部的外部尺寸大，所述凹部與凸部之間設(shè)有間隙。
[0033]例如，所述凹部與凸部之間的間隙為1mm以上。
[0034]優(yōu)選所述上部電極和所述下部電極為石墨制成。
[0035]此外，優(yōu)選所述上部電極和所述下部電極的接觸面的靜摩擦系數(shù)為0.3以下。
[0036]本發(fā)明的多晶硅棒的制造裝置，該多晶硅棒通過從一對金屬電極向組裝成反U字形的硅芯線的兩端供電，在所述硅芯線上使多晶硅氣相生長而成，所述硅芯線的兩端分別被設(shè)于碳電極的固定部保持，所述碳電極中的至少一方為上述本發(fā)明的碳電極。
[0037]發(fā)明效果
[0038]在本發(fā)明的碳電極中，例如通過在上部電極設(shè)孔部，并在孔部內(nèi)插入棒狀的連結(jié)部件等固定于下部電極，并且由于孔部與連結(jié)部件的直桿部之間存在間隙等，上部電極可以在與下部電極的上表面的接觸面即載置面內(nèi)全方位移動。
[0039]因此，可以提供在多晶硅棒氣相生長工藝中，對可在所有方位伸縮的U形棒的裂縫或破裂的發(fā)生具有很好抑制效果的技術(shù)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0040]圖1為表示本發(fā)明的多晶硅棒的制造裝置的結(jié)構(gòu)例的概略圖。
[0041]圖2為表示本發(fā)明的碳電極的結(jié)構(gòu)例的概略圖。
[0042]圖3為表示本發(fā)明的碳電極的其他結(jié)構(gòu)例的概略圖。
[0043]圖4為表示圖3所示的碳電極的變形例的概略圖?！揪唧w實施方式】
[0044]以下參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。
[0045]圖1為表示本發(fā)明的多晶硅棒的制造裝置100的結(jié)構(gòu)例的概略圖。該制造裝置100是利用西門子法在硅芯線的表面氣相生長多晶硅來制造多晶硅棒的裝置，大致由基板I和反應(yīng)容器10構(gòu)成，得到的多晶硅棒由在組裝成反U字形的硅芯線5的垂直部分5a上氣相生長的直桿部6和在水平部分(橋形部5b)上氣相生長的橋形部8構(gòu)成。
[0046]在基板I上設(shè)置有向娃芯線5供給電流的金屬電極2、供給氮?dú)?、氫氣、三氯硅烷氣等的工藝氣體的氣體噴嘴3以及排出廢氣的排氣口 4。
[0047]金屬電極2連接到未圖示的其他金屬電極，或者連接到配置在反應(yīng)爐外的電源，接受來自外部的供電。該金屬電極的側(cè)面設(shè)有絕緣物7，在被該絕緣物7夾持的狀態(tài)下貫穿基板I。[0048]如圖1所不,使多晶娃氣相生長時,在反應(yīng)爐10內(nèi)，垂直方向2根(5a)和水平方向I根(5b)的芯線組裝成反U字形,成為娃芯線5,娃芯線5的垂直方向部分5a的兩端部分別由被碳電極30保持的芯線固定器20固定，供給到金屬電極2的外部電力經(jīng)由碳電極30向硅芯線通電。
[0049]并且，金屬電極2、基板I和反應(yīng)爐10使用制冷劑進(jìn)行冷卻。此外，芯線固定器20和碳電極30均為石墨制成。
[0050]碳電極30中的至少一方為下述本發(fā)明的碳電極，其結(jié)構(gòu)為可以在圖中的水平面內(nèi)全方位滑動。
[0051]圖2為表示本發(fā)明的碳電極30的結(jié)構(gòu)例的概略圖。該碳電極30由固定在作為向硅芯線5通電的通電用外部電極的金屬電極2之上的下部電極32以及配置在該下部電極32之上的上部電極31構(gòu)成。上部電極31的上表面一側(cè)設(shè)有保持娃芯線5a的芯線固定器20的固定部。
[0052]并且，上部電極31上設(shè)有從上表面33向下表面34貫穿的孔(貫通孔)35，作為棒狀連結(jié)部件的螺栓36經(jīng)由墊圈37從上部電極31的上表面33插入該孔部35，在下部電極32中螺紋固定。
[0053]如圖2所示，孔部35的直徑比螺栓36的直桿部的直徑大，從而在孔部35內(nèi)與螺栓36的直桿部之間產(chǎn)生間隙51。并且，墊片37使用其外徑為孔部35的口徑的約2倍的墊片，以防止螺栓36擠進(jìn)孔部35內(nèi)。
[0054]孔部35內(nèi)與螺栓36的直桿部之間的間隙51，使上部電極31可以在與下部電極32的上表面之間接觸面即載置面(圖2中為與上部電極31的下表面34相接觸的下部電極32的上表面)的面內(nèi)全方位移動，從而在氣相生長工藝中對可在所有方位伸縮的U形棒的裂縫或破裂的發(fā)生起到抑制效果。
[0055]為了切實實現(xiàn)在載置面內(nèi)的全方位移動，優(yōu)選孔部35的直徑形成為比螺栓36的直桿部的直徑大Imm以上。而且，螺栓36的根數(shù)優(yōu)選在2根以上。
[0056]圖3為表示本發(fā)明的碳電極30的其他結(jié)構(gòu)例的概略圖。該碳電極30中，以設(shè)于下部電極32上部的凸部插入設(shè)于上部電極31下部的凹部內(nèi)的方式，將上部電極31載置在下部電極32上。
[0057]如圖3所示，上部電極31的凹部38的內(nèi)部尺寸比下部電極32的凸部39的外部尺寸大，其結(jié)果為在凹部38與凸部39之間設(shè)有間隙52。
[0058]凹部38與凸部39之間的間隙52，使上部電極31可以在與下部電極32的上表面的接觸面即載置面的面內(nèi)全方位移動，從而在氣相生長工藝中對可在所有方位伸縮的U形棒的裂縫或破裂的發(fā)生起到抑制效果。
[0059]并且，為了切實地實現(xiàn)在載置面內(nèi)的全方位移動，凹部38與凸部39之間的間隙52優(yōu)選為1mm以上。
[0060]圖4為表示圖3所示的碳電極的變形例的概略圖。即，在圖3所示的例子中以設(shè)于下部電極32上部的凸部插入設(shè)于上部電極31下部的凹部內(nèi)的方式將上部電極31載置在下部電極32上，與之相對，圖4為以設(shè)于上部電極31下部的凸部41插入設(shè)于下部電極32上部的凹部42內(nèi)部的方式將上部電極31載置在下部電極32上。
[0061]在這種方式中，如圖4所示，下部電極32的凹部42的內(nèi)部尺寸也比上部電極31的凸部41的外部尺寸大，其結(jié)果為在凹部42與凸部41之間設(shè)有間隙53，該間隙53使上部電極31可以在與下部電極32的上表面的接觸面即載置面內(nèi)全方位移動。并且，為了切實實現(xiàn)在載置面內(nèi)的全方位移動，凹部38與凸部39之間的間隙53優(yōu)選為1mm以上。
[0062]在圖3和圖4中，對凸部和凹部42以I組設(shè)置的形式進(jìn)行說明，但是也可以通過多組方式實現(xiàn)。在這種情況下，各組的凹部與凸部之間形成間隙的話，上部電極可以在所述間隙的范圍內(nèi)實現(xiàn)全方位移動。
[0063]以下對利用本發(fā)明的多晶硅棒的制造裝置的氣相生長工藝進(jìn)行說明。 [0064]首先，將硅芯線5連接到金屬電極2，將反應(yīng)容器10緊密載置在基板I上，從氣體噴嘴3內(nèi)供給氮?dú)?，將反?yīng)容器10內(nèi)的空氣置換成氮?dú)?。此時，反應(yīng)容器10內(nèi)的空氣和氮?dú)鈴呐艢饪?4排出。反應(yīng)容器10內(nèi)置換為氮?dú)鈿夥胀瓿珊?，替換氮?dú)猓臑閺臍怏w噴嘴3供給氫氣，將反應(yīng)容器10內(nèi)變成氫氣氣氛。
[0065]然后，利用圖中未示出的加熱器將硅芯線5預(yù)加熱到250°C以上的溫度，使其具有可以使電流有效傳導(dǎo)的程度的導(dǎo)電性。接著，由金屬電極2向硅芯線5供給電流，將硅芯線5加熱至900°C以上。再將氫氣與三氯硅烷氣體作為原料氣供給，在硅芯線5上，以900°C以上1200°C以下的溫度范圍使多晶硅氣相生長。未反應(yīng)的氣體和副產(chǎn)物氣體從排氣口 4排出。
[0066]為了在硅芯線5上使多晶硅氣相生長而提高溫度時，硅芯線5的橋形部5b會因膨脹而伸長，多晶硅的氣相生長在該狀態(tài)下繼續(xù)進(jìn)行。而且，隨著多晶硅棒的直桿部6和橋形部8的直徑增大，會形成沿這些部分的直徑方向的溫度分布。
[0067]這里，關(guān)于多晶硅棒的直桿部6，例如構(gòu)成U形棒的I對直桿部6的相對面由于相互輻射加熱而發(fā)生膨脹，芯線固定器20和上部電極31向著相互間隔擴(kuò)大的方向移動。而且，U形棒的外側(cè)被反應(yīng)容器10冷卻，比U形棒的內(nèi)側(cè)溫度低，芯線固定器20和上部電極31向著U形棒朝外側(cè)翅曲的方向移動。
[0068]多晶硅棒的直桿部6和橋形部8生長到期望的直徑后，按原料氣的供給和電流供給的順序停止供給，然后降低反應(yīng)容器10內(nèi)的溫度。此時，生長過程中間隔擴(kuò)大了的U形棒上，芯線固定器20和上部電極31向著橋形部8的間隔縮小的方向移動。而且，生長過程中外側(cè)溫度低的U形棒上，芯線固定器20和上部電極31向著反應(yīng)容器10的中心移動。
[0069]為了使上部電極31在下部電極32上平滑地移動，上部電極31和下部電極32的面接觸部有必要使用摩擦小的材料。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過試行錯誤的檢驗，結(jié)果發(fā)現(xiàn)使用上部電極31和下部電極32的面接觸部的靜摩擦系數(shù)0.3以下的碳電極時，上部電極31可以在下部電極32上平滑地移動。
[0070]實施例1
[0071]如圖1所示，在反應(yīng)爐10內(nèi)將硅芯線5組裝成反U字形，將該反U字形的硅芯線5的兩端都通過石墨制成的一對芯線固定器20和碳電極30固定在安裝到配置于基板I上的一對金屬電極2上。碳電極30中的一方具有圖2所不類型的上部電極31和下部電極32。貫通孔35的內(nèi)徑為IOmm,螺栓36的直徑為6mm。
[0072]在硅芯線5上，在900°C以上1100°C以下的溫度范圍，使直徑約120mm的多晶硅6和8氣相生長時, 上部電極31向多晶娃棒的間隔擴(kuò)大的方向移動了 1.5mm。切取U形棒之后檢測到發(fā)生2處破裂。
[0073]實施例2
[0074]碳電極30中的一方除具有圖3所示類型的上部電極31和下部電極32以外，在與實施例1同樣的條件下使多晶硅氣相生長。凹形38的內(nèi)徑為82mm，凸形39的外徑為74mm。氣相生長結(jié)束后，上部電極31向多晶硅棒的間隔縮小且U形棒朝外側(cè)翹曲的方向移動了3.0_。切取U形棒之后檢測到發(fā)生2處破裂。
[0075]比較例I
[0076]除使用電極無法移動的碳電極30以外，在與實施例1同樣的條件下使多晶硅氣相生長。切取U形棒之后檢測到發(fā)生5處破裂。
[0077]工業(yè)實用性
[0078]根據(jù)本發(fā)明，可以提供在多晶硅棒的氣相生長工藝中對可在所有方位伸縮的U形棒的裂縫或破裂的發(fā)生具有很好抑制效果的技術(shù)。
[0079]符號的說明
[0080]I 基板
[0081]2 金屬電極
[0082]3 氣體噴嘴
[0083]4 排氣口
[0084]5 娃芯線
[0085]5a垂直方向部分
[0086]5b橋形部
[0087]6 多晶硅棒的直桿部
[0088]8 多晶硅棒的橋形部
[0089]10反應(yīng)容器
[0090]20芯線固定器
[0091]30碳電極
[0092]31上部電極
[0093]32下部電極
[0094]33上部電極31的上表面
[0095]34上部電極31的下表面[0096]35貫通孔
[0097]36 螺栓
[0098]37 墊片
[0099]38、42 凹形部
[0100]39,41 凸形部
[0101]51、52、53 間隙
[0102]100多晶硅棒的制造裝置
【權(quán)利要求】
1.一種碳電極，用于多晶硅棒的制造，其特征在于，由固定在作為向硅芯線通電的通電用外部電極的金屬電極上的下部電極以及載置在該下部電極上的上部電極構(gòu)成，該上部電極的上表面?zhèn)仍O(shè)有保持所述硅芯線的芯線固定器的固定部，設(shè)于所述下部電極的上部的凸部插入設(shè)于所述上部電極的下部的凹部的內(nèi)部，所述上部電極載置在所述下部電極上，所述凹部的內(nèi)部尺寸比所述凸部的外部尺寸大，所述凹部與凸部之間設(shè)有間隙， 所述上部電極能夠在作為與所述下部電極的上表面的接觸面的載置面內(nèi)全方位移動。
2.一種碳電極，用于多晶硅棒的制造，其特征在于，由固定在作為向硅芯線通電的通電用外部電極的金屬電極上的下部電極以及載置在該下部電極上的上部電極構(gòu)成，該上部電極的上表面?zhèn)仍O(shè)有保持所述硅芯線的芯線固定器的固定部， 設(shè)于所述上部電極的下部的凸部插入設(shè)于所述下部電極的上部的凹部的內(nèi)部，所述上部電極載置在所述下部電極上，所述凹部的內(nèi)部尺寸比所述凸部的外部尺寸大，所述凹部與凸部之間設(shè)有間隙， 所述上部電極能夠在作為與所述下部電極的上表面的接觸面的載置面內(nèi)全方位移動。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳電極，其特征在于，所述凹部與凸部之間的間隙為1_以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳電極，其特征在于，所述上部電極和所述下部電極為石墨制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳電極，其特征在于，所述上部電極和所述下部電極的接觸面的靜摩擦系數(shù)為0.3以下。
6.一種多晶硅棒的制造裝置，該多晶硅棒通過從一對金屬電極向組裝成反U字形的硅芯線的兩端供電，在所述硅芯線上使多晶硅氣相生長而成，所述多晶硅棒的制造裝置的特征在于，所述硅芯線的兩端分別被設(shè)于碳電極的固定部保持，所述碳電極中的至少一方為權(quán)利要求1至5中任一項所述的碳電極。
【文檔編號】C01B33/035GK103936010SQ201410092928
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2010年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2009年11月26日
【發(fā)明者】禰津茂義, 黑谷伸一, 小黑曉二, 久米史高, 平原勝 申請人:信越化學(xué)工業(yè)株式會社