用于白光LED的Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶體及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及氟化物單晶體的制備方法，具體涉及一種用于白光LED的Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶體及其制備方法。

背景技術(shù)：
LED(Light-emittingdiode)是一種將電能轉(zhuǎn)換成光能的新半導(dǎo)體固體光源。由于其節(jié)能、環(huán)保、長壽命、低壓安全、小型化以及不易損耗等特性，成為第四代新照明光源，實(shí)現(xiàn)正真的節(jié)能與綠色照明。目前多數(shù)LED照明器件是通過發(fā)藍(lán)光的LED芯片(主要為InGaN)與黃色熒光粉(Ce3+：YAG)封裝在一起，由芯片發(fā)出的藍(lán)光與藍(lán)光激發(fā)熒光粉所產(chǎn)生的黃光混合成白光發(fā)射，但有如下的缺陷：(1)白光色溫偏高，顯色指數(shù)偏低；(2)白光容易失真和漂移，產(chǎn)生稍藍(lán)或稍黃的白光；(3)涂抹的熒光粉體由于顆粒度不均勻性對白光產(chǎn)生不利的影響；(4)用于封裝的有機(jī)環(huán)氧樹脂在光的輻照下容易老化；(5)成本較高等。專利申請?zhí)枮?00810040220.1的發(fā)明專利申請，嘗試用稀土摻雜的發(fā)光玻璃來替代熒光粉，在用對人眼不敏感的紫外光激發(fā)下，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。但發(fā)光玻璃存在物化、熱學(xué)、抗光輻照、稀土離子發(fā)光性能差等主要缺點(diǎn)，這些成為制約其大規(guī)模實(shí)際應(yīng)用的最大瓶頸。由于α-NaYF4氟化物單晶體作為基質(zhì)具有聲子能量(300～400cm-1)較低、摻雜于該晶體中稀土離子發(fā)光效率高、物化性能穩(wěn)定、光學(xué)性能良好以及對稀土離子溶解性高特點(diǎn)，是一種理想的功能晶體。在紫外光激發(fā)下，稀土Tb3+離子能發(fā)射藍(lán)光～487nm(5D4→7F6)與黃綠色光～542nm(5D4→7F5)；Eu3+能發(fā)射紅光～611nm(5D0→7F2)，Tm3+能發(fā)射藍(lán)光～487nm(1G4→3H6)。這些多色的光混合在一起，可望實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。因此當(dāng)Tb3+、Eu3+、Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶體所發(fā)射的混合光強(qiáng)度比例合適時(shí)，能混合發(fā)射出白光。以此單晶體為基礎(chǔ)的白光發(fā)射可望克服過去傳統(tǒng)的缺陷，成為真正的第四代新照明光源。到目前為止，有關(guān)NaYF4材料的報(bào)道都集中于微晶態(tài)材料，如公開號為CN102660287A的發(fā)明專利，則公開了一種六方相上轉(zhuǎn)換納米材料的制備方法，但由于納米微晶粉末材料對光會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的散射，因此嚴(yán)重影響到器件的透過率，從而限制其在LED中的應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能同時(shí)高效率發(fā)射藍(lán)光、黃綠光與紅光，并能混合成白光的Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶體及其制備方法，該單晶體具有優(yōu)秀的抗光輻照性能、機(jī)械性能、熱學(xué)性能、物化性能及光學(xué)透過性能。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為：用于白光LED的Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶體，該單晶體的化學(xué)式為α-NaY(1-x-y-z)TbxEuyTmzF4，其中x、y、z分別為Tb3+、Eu3+、Tm3+置換Y的摩爾比，且0.0434＜x+y+z＜0.0567，所述的x、y、z的比例為x∶y∶z＝1.8～2.27∶1.45～2.29∶1。所述的用于白光LED的Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶體的制備方法，其具體步驟如下：1)、原料處理與制備：將NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1～2.4∶1∶2.24～3.4，且YF3∶TbF3＝1∶0.019～0.025，YF3∶EuF3＝1∶0.019～0.030，YF3∶TmF3＝1∶0.010混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均勻粉末的混合料；將上述混合料置于舟形鉑金坩堝中，再安裝于管式電阻爐的鉑金管道中，然后先用N2氣排除鉑金管道中的空氣，再在溫度770～800℃，通HF氣下，反應(yīng)處理1～5小時(shí)，反應(yīng)處理結(jié)束，關(guān)閉HF氣體與管式電阻爐，用N2氣清洗管道中殘留的HF氣體，所有經(jīng)管道尾端的殘余HF氣體由NaOH溶液回收，得到多晶粉料；2)晶體生長：以KF作為助熔劑，采用密封坩堝下降法進(jìn)行晶體生長，將上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩堝中并壓實(shí)，密封Pt坩堝；將密封的Pt坩堝置于硅鉬棒爐中，用坩堝下降法生長晶體，生長晶體的參數(shù)為：爐體溫度為960～1010℃，接種溫度為820～850℃，固液界面的溫度梯度為60～90℃/cm，坩堝下降速度為0.2～2.0mm/h；3)晶體退火：晶體生長結(jié)束后，采用原位退火的方法，以20～80℃/h下降爐溫至室溫，得到Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶體。所述的步驟1)中NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3與TmF3的純度均大于99.99％。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：(1)、Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶體中，同時(shí)摻入的Tb3+、Eu3+、Tm3+三離子在紫外波段都存在相同波段的吸收帶，在該紫外光激發(fā)下，稀土Tb3+離子能發(fā)射藍(lán)光～487nm(5D4→7F6)與黃綠色光～542nm(5D4→7F5)，Eu3+能發(fā)射紅光～611nm(5D0→7F2)，Tm3+能發(fā)射藍(lán)光～487nm(1G4→3H6)，因此當(dāng)Tb3+、Eu3+、Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶體所發(fā)射的混合光強(qiáng)度比例合適時(shí)，在紫外光激發(fā)下，可同時(shí)得到有效激發(fā)并產(chǎn)生出RGB發(fā)射，復(fù)合出白光。(2)、通常三摻雜的單晶體與單摻雜與雙摻雜單晶體相比，具有高的發(fā)光效率、好的顯示指數(shù)與顏色質(zhì)量。如實(shí)施例1中，其色坐標(biāo)x，y分別接近最佳的0.3000。另外該α-NaYF4基質(zhì)單晶體具有聲子能量低(300～400cm-1)、光學(xué)透過性高(300～5500nm)、物化穩(wěn)定性好、摻雜的稀土離子對光的吸收強(qiáng)等特點(diǎn)；在α-NaYF4晶體中同時(shí)三摻入Tb3+、Eu3+、Tm3+離子，三價(jià)稀土離子取代Y3+離子的格位無需電荷補(bǔ)償，以及相比擬的離子半徑大小，可實(shí)現(xiàn)較大濃度的稀土離子摻雜。(3)、該Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶體與熒光粉體相比，不會(huì)產(chǎn)生對光的散射以及環(huán)氧樹脂老化和混合白光色澤差等缺點(diǎn)；與發(fā)光玻璃相比，具有物化、熱學(xué)、抗光輻照、稀土離子發(fā)光性能好優(yōu)勢；與同類的LiYF4晶體基質(zhì)相比，具有更加穩(wěn)定的物理化學(xué)與熱穩(wěn)定性。(4)、由于在制備過程中，在初始原料中加入了一定量的KF(熔點(diǎn)858℃)作為助熔劑，助熔劑KF降低了Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4晶體的熔點(diǎn)，改變了熔體中的相平衡關(guān)系，從而使得當(dāng)熔體開始初期析晶時(shí)，只單一析出Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4固態(tài)相以及其它液相，隨著Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4晶體的成核與生長，最終獲得較大尺寸的Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4晶體。(5)、此外本發(fā)明用坩堝下降法制備Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜稀土離子摻雜α-NaYF4單晶體，可采用多管爐生長，更加有利于晶體材料的規(guī)模化批量生產(chǎn)，從而大幅度降低材料的制備成本，該制備方法工藝簡單，單晶體純度高，品質(zhì)好，便于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。附圖說明圖1為本發(fā)明實(shí)施例1的Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶的X射線粉末衍射；圖2為本發(fā)明實(shí)施例1的Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶的吸收光譜圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例1的Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶的發(fā)射光譜圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例1-9的Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶在384nm激發(fā)下的色度坐標(biāo)圖。具體實(shí)施方式以下結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。實(shí)施例1稱取純度均大于99.99％的NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料，按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1.25∶1∶2.7，且YF3∶TbF3＝1∶0.019，YF3∶EuF3＝1∶0.019，YF3∶TmF3＝1∶0.010混合，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，碾磨混合5.5小時(shí)，得到均勻粉末的混合料；將混合料蓬松放于舟形鉑金坩堝中，再將該舟形鉑金坩堝安裝于管式電阻爐的鉑金管道中，然后用高純N2氣體排除該鉑金管道中的空氣，并對該鉑金管道進(jìn)行檢漏；之后將管式電阻爐的爐體溫度逐漸升高到790℃，通HF氣體，反應(yīng)2小時(shí)，除去可能含有的H2O與氟氧化物，在反應(yīng)過程中用NaOH溶液吸收尾氣中的HF氣體，反應(yīng)結(jié)束后，停止通HF氣體，關(guān)閉管式電阻爐，最后用高純N2氣體排除鉑金管道中殘留的HF氣體，得到稀土離子摻雜的多晶粉料；將多晶粉料置于碾磨器中碾磨成粉末，再將該粉末置于鉑金坩堝中并壓實(shí)，然后密封該鉑金坩堝；將密封的鉑金坩堝置于硅鉬棒爐中，用坩堝下降法生長晶體，生長晶體的參數(shù)為：爐體溫度為980℃，接種溫度為830℃，固液界面的溫度梯度為70℃/cm，驅(qū)動(dòng)機(jī)械下降裝置下降坩堝進(jìn)行晶體生長，坩堝速度速度為1.0mm/h；待晶體生長結(jié)束后，以50℃/h下降爐溫至室溫。圖1為透明晶體的X射線衍射圖，與標(biāo)準(zhǔn)的α-NaYF4衍射圖相一致，說明獲得的晶體為α-NaYF4相。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.01836、y＝0.01479、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.95665Tb0.01836Eu0.01479Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.04335，x∶y∶z＝1.800∶1.450∶1，將獲得的樣品拋光成厚度為2毫米的薄片，圖2為實(shí)施例1的吸收光譜，圖3為實(shí)施例1在384nm光的激發(fā)下測得的熒光光譜，稀土Tb3+離子在紫外光384nm激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(4D3→7F5)與黃綠光542nm(5D3→7F5)，Eu3+發(fā)射紅光～611nm(5D0→7F2)，Tm3+發(fā)射藍(lán)光～487nm(1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。該稀土離子摻雜α-NaYF4單晶體具有發(fā)光效率高的特點(diǎn)。樣品的色度坐標(biāo)見圖4與表1所示，色坐標(biāo)(x，y)為0.3130與0.3377，色溫為6441K。實(shí)施例2與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1.25∶1∶2.7，且YF3∶TbF3＝1∶0.025，YF3∶EuF3＝1∶0.030，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為2小時(shí)，處理溫度為770℃，爐體溫度為980℃，接種溫度為820℃，固液界面的溫度梯度為90℃/cm，晶體生長速度為2.0mm/h，爐溫下降溫度為80℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.023154、y＝0.023358、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.943288Tb0.023154Eu0.023358Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.056712，x∶y∶z＝2.270∶2.290∶1，在紫外光384nm激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見圖4與表1所示，色坐標(biāo)(x，y)為0.3027與0.3480，色溫為6904K。實(shí)施例3與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1.25∶1∶2.7，且YF3∶TbF3＝1∶0.020，YF3∶EuF3＝1∶0.019，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間6小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為1小時(shí)，處理溫度為800℃，爐體溫度為960℃，接種溫度為820℃，固液界面的溫度梯度為60℃/cm，晶體生長速度為0.2mm/h，爐溫下降溫度為80℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.019、y＝0.015、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9558Tb0.019Eu0.015Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0442，x∶y∶z＝1.863∶1.471∶1，在紫外光384nm激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見圖4，色坐標(biāo)(x，y)為0.3051與0.3577，色溫為6713K。實(shí)施例4與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1.25∶1∶2.7，且YF3∶TbF3＝1∶0.021，YF3∶EuF3＝1∶0.019，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為5小時(shí)，處理溫度為780℃，爐體溫度為1010℃，接種溫度為850℃，固液界面的溫度梯度為85℃/cm，晶體生長速度為0.3mm/h，爐溫下降溫度為70℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.020、y＝0.015、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9548Tb0.020Eu0.015Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0452，x∶y∶z＝1.961∶1.471∶1，在紫外光384nm激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見圖4與表1所示，色坐標(biāo)(x，y)為0.3120與0.3555，色溫為6399K。實(shí)施例5與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1.25∶1∶2.7，且YF3∶TbF3＝1∶0.022，YF3∶EuF3＝1∶0.019，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為5小時(shí)，處理溫度為780℃，爐體溫度為990℃，接種溫度為840℃，固液界面的溫度梯度為75℃/cm，晶體生長速度為0.4mm/h，爐溫下降溫度為60℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.021、y＝0.015、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9538Tb0.021Eu0.015Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0462，x∶y∶z＝2.059∶1.471∶1，在紫外光384nm激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見圖4與表1所示，色坐標(biāo)(x，y)為0.3242與0.3389，色溫為5878K。實(shí)施例6與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1.25∶1∶2.7，并且YF3∶TbF3＝1∶0.023，YF3∶EuF3＝1∶0.019，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5.5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為4小時(shí)，處理溫度為790℃，爐體溫度為980℃，接種溫度為830℃，固液界面的溫度梯度為70℃/cm，晶體生長速度為0.7mm/h，爐溫下降溫度為50℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.022、y＝0.015、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9528Tb0.022Eu0.015Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0472，x∶y∶z＝2.157∶1.471∶1，在紫外光384nm激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見圖4與表1所示，色坐標(biāo)(x，y)為0.3001與0.3120，色溫為7472K。實(shí)施例7與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1.25∶1∶2.7，且YF3∶TbF3＝1∶0.024，YF3∶EuF3＝1∶0.019，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為3小時(shí)，處理溫度為780℃，爐體溫度為1000℃，接種溫度為840℃，固液界面的溫度梯度為65℃/cm，晶體生長速度為0.2mm/h，爐溫下降溫度為80℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，x＝0.023、y＝0.015、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9518Tb0.023Eu0.015Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0482，x∶y∶z＝2.255∶1.471∶1，在384nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見圖4與表1所示，色坐標(biāo)(x，y)為0.3104與0.3066，色溫為6833K。實(shí)施例8與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1.25∶1∶2.7，并且YF3∶TbF3＝1∶0.020，YF3∶EuF3＝1∶0.022，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間6小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為2小時(shí)，處理溫度為790℃，爐體溫度為990℃，接種溫度為830℃，固液界面的溫度梯度為75℃/cm，晶體生長速度為0.8mm/h，爐溫下降溫度為60℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.019、y＝0.017、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9538Tb0.019Eu0.017Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0462，x∶y∶z＝1.863∶1.667∶1，在384nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見圖4與表1所示，色坐標(biāo)(x，y)為0.3081與0.3122，色溫為6926K。實(shí)施例9與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1.25∶1∶2.7，并且YF3∶TbF3＝1∶0.021，YF3∶EuF3＝1∶0.022，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為4小時(shí)，處理溫度為780℃，爐體溫度為980℃，接種溫度為820℃，固液界面的溫度梯度為65℃/cm，晶體生長速度為1.1mm/h，爐溫下降溫度為60℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.020、y＝0.017、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9528Tb0.020Eu0.017Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0472，x∶y∶z＝1.961∶1.667∶1，在384nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見圖4與表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3168與0.3016，色溫為6441K。實(shí)施例10與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1.25∶1∶2.7，并且YF3∶TbF3＝1∶0.022，YF3∶EuF3＝1∶0.022，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為3小時(shí)，處理溫度為800℃，爐體溫度為980℃，接種溫度為830℃，固液界面的溫度梯度為65℃/cm，晶體生長速度為1.3mm/h，爐溫下降溫度為60℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.021、y＝0.017、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9518Tb0.021Eu0.017Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0482，x∶y∶z＝2.059∶1.667∶1，在384nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3291與0.3317，色溫為5647K。實(shí)施例11與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1∶1∶2.24，并且YF3∶TbF3＝1∶0.023，YF3∶EuF3＝1∶0.022，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間6小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為4小時(shí)，處理溫度為780℃，爐體溫度為970℃，接種溫度為820℃，固液界面的溫度梯度為75℃/cm，晶體生長速度為1.4mm/h，爐溫下降溫度為40℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.022、y＝0.017、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9508Tb0.022Eu0.017Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0492，x∶y∶z＝2.157∶1.667∶1，在384nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3211與0.3090，色溫為6123K。實(shí)施例12與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝2.4∶1∶3.4，且YF3∶TbF3＝1∶0.024，YF3∶EuF3＝1∶0.022，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間6小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為3小時(shí)，處理溫度為770℃爐體溫度為980℃，接種溫度為830℃，固液界面的溫度梯度為75℃/cm，晶體生長速度為1.6mm/h，爐溫下降溫度為40℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.023、y＝0.017、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9498Tb0.023Eu0.017Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0502，x∶y∶z＝2.255∶1.667∶1，在384nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3377與0.3219，色溫為5211K。實(shí)施例13與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1∶1∶2.24，且YF3∶TbF3＝1∶0.020，YF3∶EuF3＝1∶0.024，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間6小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為4小時(shí)，處理溫度為780℃，爐體溫度為1010℃，接種溫度為845℃，固液界面的溫度梯度為65℃/cm，晶體生長速度為0.2mm/h，爐溫下降溫度為80℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.019、y＝0.019、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9518Tb0.019Eu0.019Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0482，x∶y∶z＝1.863∶1.863∶1，在384nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3245與0.3361，色溫為5868K。實(shí)施例14與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1∶1∶2.24，且YF3∶TbF3＝1∶0.021，YF3∶EuF3＝1∶0.024，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為5小時(shí)，處理溫度為780℃，爐體溫度為980℃，接種溫度為830℃，固液界面的溫度梯度為65℃/cm，晶體生長速度為0.2mm/h，爐溫下降溫度為80℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.020、y＝0.019、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9508Tb0.020Eu0.019Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0492，x∶y∶z＝1.961∶1.863∶1，在384nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3109與0.3196，色溫為6679K。實(shí)施例15與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝2.4∶1∶3.4，且YF3∶TbF3＝1∶0.022，YF3∶EuF3＝1∶0.024，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為1小時(shí)，處理溫度為770℃，爐體溫度為960℃，接種溫度為820℃，固液界面的溫度梯度為65℃/cm，晶體生長速度為0.2mm/h，爐溫下降溫度為80℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.021、y＝0.019、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9498Tb0.021Eu0.019Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0502，x∶y∶z＝2.059∶1.863∶1，在384nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3462與0.3023，色溫為4673K。實(shí)施例16與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝2.4∶1∶3.4，YF3∶TbF3＝1∶0.023，YF3∶EuF3＝1∶0.024，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為2小時(shí)，處理溫度為780℃，爐體溫度為980℃，接種溫度為820℃，固液界面的溫度梯度為65℃/cm，晶體生長速度為1.8mm/h，爐溫下降溫度為50℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.022、y＝0.019、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9488Tb0.022Eu0.019Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0512，x∶y∶z＝2.157∶1.863∶1，在384nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光～611nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3220與0.3052，色溫為6081K。實(shí)施例17與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1∶1∶2.24，且YF3∶TbF3＝1∶0.024，YF3∶EuF3＝1∶0.024，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間6小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為4小時(shí)，處理溫度為790℃，爐體溫度為970℃，接種溫度為820℃，固液界面的溫度梯度為65℃/cm，晶體生長速度為0.2mm/h，爐溫下降溫度為80℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.023、y＝0.019、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9478Tb0.023Eu0.019Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0522，x∶y∶z＝2.255∶1.863∶1，在374nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光643nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3193與0.3254，色溫為6163K。實(shí)施例18與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1∶1∶2.24，且YF3∶TbF3＝1∶0.020，YF3∶EuF3＝1∶0.027，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間6小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為5小時(shí)，處理溫度為780℃，爐體溫度為980℃，接種溫度為820℃，固液界面的溫度梯度為75℃/cm，晶體生長速度為0.8mm/h，爐溫下降溫度為55℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.019、y＝0.021、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9498Tb0.019Eu0.021Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0502，x∶y∶z＝1.863∶2.059∶1，在374nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光643nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3008與0.3463，色溫為7010K。實(shí)施例19與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1∶1∶2.24，且YF3∶TbF3＝1∶0.021，YF3∶EuF3＝1∶0.027，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為2小時(shí)，處理溫度為770℃，爐體溫度為980℃，接種溫度為830℃，固液界面的溫度梯度為75℃/cm，晶體生長速度為0.9mm/h，爐溫下降溫度為65℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.020、y＝0.021、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9488Tb0.020Eu0.021Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0512，x∶y∶z＝1.961∶2.059∶1，在374nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光643nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3066與0.3304，色溫為6838K。實(shí)施例20與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1∶1∶2.24，并且YF3∶TbF3＝1∶0.022，YF3∶EuF3＝1∶0.027，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間為5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為3小時(shí)，處理溫度為780℃，爐體溫度為970℃，接種溫度為820℃，固液界面的溫度梯度為65℃/cm，晶體生長速度為0.7mm/h，爐溫下降溫度為35℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.021、y＝0.021、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9478Tb0.021Eu0.021Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0522，x∶y∶z＝2.059∶2.059∶1，在374nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光643nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3346與0.3199，色溫為5361K。實(shí)施例21與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1∶1∶2.24，且YF3∶TbF3＝1∶0.023，YF3∶EuF3＝1∶0.027，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間為5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為3小時(shí)，處理溫度為800℃，爐體溫度為960℃，接種溫度為820℃，固液界面的溫度梯度為85℃/cm，晶體生長速度為1.2mm/h，爐溫下降溫度為40℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.022、y＝0.021、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9468Tb0.022Eu0.021Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0532，x∶y∶z＝2.157∶2.059∶1，在374nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光643nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3399與0.3387，色溫為5163K。實(shí)施例22與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1∶1∶2.24，且YF3∶TbF3＝1∶0.024，YF3∶EuF3＝1∶0.027，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為3小時(shí)，處理溫度為780℃，爐體溫度為980℃，接種溫度為820℃，固液界面的溫度梯度為65℃/cm，晶體生長速度為1.5mm/h，爐溫下降溫度為30℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.023、y＝0.021、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9458Tb0.023Eu0.021Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0522，x∶y∶z＝2.255∶2.059∶1，在374nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光643nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3116與0.3178，色溫為6651K。實(shí)施例23與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1∶1∶2.24，且YF3∶TbF3＝1∶0.022，YF3∶EuF3＝1∶0.029，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間6小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為5小時(shí)，處理溫度為790℃，爐體溫度為980℃，接種溫度為830℃，固液界面的溫度梯度為75℃/cm，晶體生長速度為1.9mm/h，爐溫下降溫度為40℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.021、y＝0.023、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9458Tb0.021Eu0.023Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0542，x∶y∶z＝2.059∶2.255∶1，在374nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光643nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3417與0.3446，色溫為5106K。實(shí)施例24與實(shí)施例1基本相同，所不同的只是按摩爾比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+EuF3+TmF3)＝1∶1∶2.24，且YF3∶TbF3＝1∶0.024，YF3∶EuF3＝1∶0.029，YF3∶TmF3＝1∶0.010，把NaF、KF、YF3、TbF3、EuF3、TmF3原料置于碾磨器中，混合時(shí)間5小時(shí)，鉑金管道中反應(yīng)時(shí)間為3小時(shí)，處理溫度為780℃，爐體溫度為970℃，接種溫度為830℃，固液界面的溫度梯度為65℃/cm，晶體生長速度為0.2mm/h，爐溫下降溫度為80℃/h，得到Tb/Eu/Tm摻雜α-NaYF4單晶體。XRD、吸收光譜與熒光光譜與實(shí)施例1基本相同，只是強(qiáng)度不同。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP)法分析檢測晶體中Tb3+、Eu3+、Tm3+稀土離子的實(shí)際摩爾百分含量，得到x＝0.023、y＝0.023、z＝0.0102，獲得的晶體化學(xué)式為α-NaY0.9438Tb0.023Eu0.023Tm0.0102F4單晶體，x+y+z＝0.0562，x∶y∶z＝2.255∶2.255∶1，在374nm光的激發(fā)下，發(fā)射藍(lán)光413nm(Tb3+：4D3→7F5)與黃綠光542nm(Tb3+：5D3→7F5)，紅光643nm(Eu3+：5D0→7F2)，藍(lán)光～487nm(Tm3+：1G4→3H6)，這些多色的光混合在一起，實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。樣品的色度坐標(biāo)見表1，色坐標(biāo)(x，y)為0.3429與0.3258，色溫為4979K。表1為本發(fā)明實(shí)施例1-24的Tb3+/Eu3+/Tm3+三摻雜α-NaYF4單晶在384nm激發(fā)下的發(fā)光參數(shù)(色度坐標(biāo)和色溫)。