以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法，包括如下步驟：第一步，將原材料在真空氣氛下合成；第二步，將合成所獲得的多晶體封接在安瓿瓶中；第三步，將安瓿瓶放入晶體生長裝置內(nèi)，旋轉(zhuǎn)安瓿瓶，并對晶體生長裝置進(jìn)行抽氣。本發(fā)明以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法采用安瓿瓶真空絕熱、Bi2Te3合金材料旋轉(zhuǎn)的方法進(jìn)行晶體區(qū)熔生長，有效地防止了因周向傳熱不均，生長界面發(fā)生傾斜，使裝有Bi2Te3合金材料的安瓿瓶在晶體生長過程中始終處在真空狀態(tài)下，阻斷了晶體材料表面與環(huán)境間對流方式的熱交換，使晶體生長地過程中熱流的傳遞方向得到了有效的控制，熱流沿晶棒生長軸方向?qū)С?，生長界面更趨于平坦，有效地抑制斜向結(jié)晶的現(xiàn)象。
【專利說明】以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明屬于熱電材料制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是一種以碲化鉍為基的熱電材料的制備 方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 熱電轉(zhuǎn)換技術(shù)是熱-電直接能量轉(zhuǎn)換的一個(gè)分支，它利用材料的賽貝克 (Seebeck)效應(yīng)用于發(fā)電，泊爾貼效應(yīng)（peltier)進(jìn)行致冷，其轉(zhuǎn)換效率由表征材料熱電性 能的指標(biāo)ZT決定，其中

【權(quán)利要求】
1. 以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 第一步，將原材料在真空氣氛下合成； 第二步，將合成所獲得的多晶體封接在安瓿瓶中； 第三步，將安瓿瓶放入晶體生長裝置內(nèi)，旋轉(zhuǎn)安瓿瓶，并對晶體生長裝置進(jìn)行抽氣。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法，其特征在于，所述第 一步中，合成的溫度為700°C?800°C。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法，其特征在于，所述第 一步中，合成的時(shí)間為60分鐘。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法，其特征在于，所述第 二步中，安瓿瓶中的氣氛為真空或者惰性氣體。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法，其特征在于，所述第 三步中，將安瓿瓶設(shè)置在晶體生長裝置上并通過晶體生長裝置旋轉(zhuǎn)安瓿瓶。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法，其特征在于，所述第 三步中，在抽氣的過程中通過晶體生長裝置對安瓿瓶進(jìn)行加熱。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法，其特征在于，所述第 三步中，加熱的溫度為650 °C?750 °C。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法，其特征在于，所述第 三步中，旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)動(dòng)速度為2RPM?100RPM。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法，其特征在于，所述第 三步中，抽氣直至所述晶體生長裝置內(nèi)的石英管內(nèi)的壓力小于l〇〇Pa。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的以碲化鉍為基的熱電材料的制備方法，其特征在于，晶體生 長速度為10毫米/小時(shí)?35毫米/小時(shí)。
【文檔編號(hào)】C01B19/04GK104495763SQ201410768207
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月12日
【發(fā)明者】吳燕青, 賀賢漢, 荒木暉 申請人:上海申和熱磁電子有限公司