1.一種化合物釩酸鋰鈉光學(xué)晶體，其特征在于該晶體的化學(xué)式為LiNaV2O6，分子量為227.81，晶體屬單斜晶系，空間群為C2/c，晶胞參數(shù)為a = 10.184(2) ?，b = 9.067(2) ?， c = 5.8324(11) ?，β= 108.965(14)o，Z=2，V= 509.33(19) ?3。
2.一種如權(quán)利要求1所述的化合物釩酸鋰鈉光學(xué)晶體的制備方法，其特征在于采用高溫溶液法生長晶體，具體操作步驟按下列進(jìn)行：
a、將含鋰化合物為碳酸鋰、硝酸鋰或氫氧化鋰，含鈉化合物為碳酸鈉、硝酸鈉或氫氧化鈉和含釩化合物為五氧化二釩按摩爾比Li:Na:V=1:1:2稱取后，放入研缽中，混合并仔細(xì)研磨，然后裝入Φ100mm×100mm的開口剛玉坩堝中，將其壓緊，放入馬弗爐中，緩慢升溫至350℃，恒溫12小時(shí)，盡量將氣體趕出，待冷卻后取出坩堝，此時(shí)樣品較之前的松軟，取出樣品重新研磨均勻，再置于坩堝中，在馬福爐內(nèi)于500℃恒溫48小時(shí)，將其取出，放入研缽中搗碎研磨即得釩酸鋰鈉化合物單相多晶粉末，再對該多晶粉末進(jìn)行X射線分析，所得X射線譜圖與成品LiNaV2O6單晶研磨成粉末后的X射線譜圖是一致的；
b、將步驟a得到的化合物釩酸鋰鈉在鉑金坩堝中加熱到熔化，并在溫度650℃恒溫48-100h，再降溫至590-580℃，得到LiNaV2O6熔體；
c、以0.5-10℃/h的速率緩慢降溫至室溫，結(jié)晶獲得籽晶或在降溫中使用鉑絲懸掛法獲得小晶體作為籽晶；
d、在化合物熔體表面或熔體中生長晶體：將步驟c得到的籽晶固定在籽晶桿上，從頂部下籽晶與步驟b所述熔體表面接觸或伸入熔體中，降溫至525－520℃，或?qū)⒉襟Eb化合物熔體直接降溫至525－520℃，再與固定在籽晶桿上籽晶接觸；
e、再以溫度0.1-5℃/天的速率緩慢降溫或恒溫，并以13-17mm/h的速度向上提拉晶體，待單晶生長到所需尺度后，加大提拉速度，將晶體提離混合熔液表面，并以溫度20-80℃/h速率降至室溫，然后將晶體從爐膛中取出，即可得到釩酸鋰鈉光學(xué)晶體。
3.一種如權(quán)利要求1所述的釩酸鋰鈉光學(xué)晶體在制備格蘭棱鏡、偏振分束器、補(bǔ)償器、光隔離器或環(huán)形光學(xué)調(diào)制器中的用途。