1.一種多晶硅溶液液面距定位方法，包括：密封單晶爐的主爐室和副爐室，對(duì)單晶爐的主爐室和副爐室抽真空，并加熱坩堝內(nèi)的多晶硅，其特征在于，在密封單晶爐的主爐室和副爐室之前，所述方法還包括：
確定導(dǎo)流筒的下沿的位置；
坩堝內(nèi)的多晶硅完全熔化后，所述方法還包括：
下降籽晶，并根據(jù)導(dǎo)流筒的下沿的位置和預(yù)設(shè)的液面距m控制籽晶下降的距離；其中，液面距m是指坩堝內(nèi)多晶硅溶液液面與導(dǎo)流筒的下沿之間的距離。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定導(dǎo)流筒的下沿的位置，具體包括：
測(cè)量單晶爐的隔離閥的下表面與導(dǎo)流筒的下沿之間的距離a，以及，測(cè)量單晶爐的隔離閥的厚度b；
所述導(dǎo)流筒的下沿的位置為：導(dǎo)流筒的下沿與隔離閥上表面的相對(duì)距離(a+b)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述下降籽晶，并根據(jù)導(dǎo)流筒的下沿的位置和預(yù)設(shè)的液面距m控制籽晶下降的距離，具體包括：
控制籽晶的底端從隔離閥的上表面處下降(a+b)的距離，以使籽晶的底端與導(dǎo)流筒的下沿平齊；
控制籽晶下降液面距m的距離。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定導(dǎo)流筒的下沿的位置，具體包括：
測(cè)量單晶爐的隔離閥的下表面與導(dǎo)流筒的下沿之間的距離a，以及，測(cè)量單晶爐的隔離閥的厚度b；
將籽晶的底端與隔離閥的上表面相抵靠，并記錄當(dāng)前籽晶的晶位c，所述籽晶的晶位為籽晶的底端與籽晶上方的預(yù)設(shè)原點(diǎn)之間的距離；
所述導(dǎo)流筒的下沿的位置為：導(dǎo)流筒的下沿與籽晶上方的預(yù)設(shè)原點(diǎn)之間的絕對(duì)距離(a+b+c)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述下降籽晶，并根據(jù)導(dǎo)流筒的下沿的位置和預(yù)設(shè)的液面距m控制籽晶下降的距離，具體包括：
下降籽晶至晶位(a+b+c)，以使籽晶的底端與導(dǎo)流筒的下沿平齊；
下降籽晶至晶位(a+b+c+m)。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
籽晶停止下降后，上升坩堝，當(dāng)坩堝內(nèi)多晶硅溶液液面與籽晶的底端相接觸時(shí)，停止上升坩堝。