本發(fā)明有關(guān)一種陶瓷電容介電材料，特別是一種使用復(fù)合材料的觀(guān)點(diǎn)，以制成符合EIA的X7T介電特性的陶瓷電容介電材料。

背景技術(shù)：

鈦酸鋇(BaTiO₃)系列電子陶瓷是近數(shù)十年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一類(lèi)新型功能陶瓷。鈦酸鋇(BaTiO₃)是一種結(jié)晶質(zhì)陶瓷，在常溫下亦具有不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)。鈦離子稍微偏離單位晶胞的中心，致使該晶體成為正方晶系結(jié)構(gòu)并具有永久極化。此種晶體特性以及它對(duì)作用電場(chǎng)的迅速反應(yīng)導(dǎo)致鈦酸鋇和類(lèi)似的材料具有極高的介電常數(shù)。

而鈦酸鋇常應(yīng)用于各種陶瓷電容器以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體的產(chǎn)業(yè)，并主要作為電容器、啟動(dòng)器、記憶體、場(chǎng)效應(yīng)電晶體、電子濾波器、熱敏電阻、邏輯電路等的原材料。近年來(lái)，移動(dòng)電子設(shè)備的小型化使得多層陶瓷電容器(MLCC)逐漸向低成本、小型化、大容量的方向發(fā)展。介電溫度穩(wěn)定性高的MLCC類(lèi)型介電材料有NP0、X7R、X7T等，由美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)電容器規(guī)范中提到，X7T于溫度范圍-55℃～125℃之間，電容變化率必須在+22％到-33％之間。

以鈦酸鋇(BaTiO₃)來(lái)看，雖然具有較高的介電常數(shù)，但鈦酸鋇的介電常數(shù)在-90℃、0℃和125℃時(shí)波動(dòng)很大，以此特性來(lái)看，將無(wú)法滿(mǎn)足EIA的X7T介電特性，故如此特性也限制了鈦酸鋇(BaTiO₃)來(lái)看的應(yīng)用范圍。

由美國(guó)引證案US 20110164346及US8450230中可知，主要是利用形成核殼結(jié)構(gòu)來(lái)達(dá)到X7T規(guī)范，當(dāng)藉由BaTiO₃形成核殼結(jié)構(gòu)，可以用來(lái)抑制居禮點(diǎn)的介電峰值，以穩(wěn)定介電性質(zhì)對(duì)溫度的穩(wěn)定性，而常見(jiàn)形成方式為藉由摻雜元素后經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生擴(kuò)散，但由于擴(kuò)散深度并不完全故會(huì)在晶粒中產(chǎn)生濃度梯度的差異而形成核殼結(jié)構(gòu)。

而美國(guó)引證案US 20110164346及US8450230中提到介電陶瓷組合物包括至少一種BaTiO₃、(Ba,Ca)TiO₃、(Ba,Sr)TiO₃、(Ba,Ca,Sr)TiO₃、稀土類(lèi)元素的氧化物和復(fù)合化合物(包含Ba.9to 13mol的電介質(zhì)組合物)；而介電陶瓷組合物為殼核結(jié)構(gòu)，其中可分為擴(kuò)散相及非擴(kuò)散相，而殼核結(jié)構(gòu)的控制主要是利用添加不同mol％的BaZrO₃或是稀土元素R或是控制升降溫速率，以此來(lái)調(diào)整核殼結(jié)構(gòu)中的擴(kuò)散相面積(S2)、非擴(kuò)散相面積(S1)及稀土元素的平均濃度(C)，藉由S1、 S2、C的控制來(lái)達(dá)到TDK所要求的S1:S2＝20:80to 30:70以及4.8≦S2xC≦5.8。

但由于BaTiO₃對(duì)溫度的穩(wěn)定性會(huì)大大影響其介電特性，在0℃～130℃為正方相結(jié)構(gòu)，并于接近居禮點(diǎn)溫度時(shí)其介電性質(zhì)的變化劇烈，為了克服上述問(wèn)題，則能夠以復(fù)合材料的觀(guān)點(diǎn)，將BaTiO₃、BaZrO₃及SrTiO₃為主體、并混合至少一種化合物，而本發(fā)明為了穩(wěn)定溫度所造成的影響，故添加BaZrO₃使居禮點(diǎn)溫度降至室溫以下，形成穩(wěn)定的立方相結(jié)構(gòu)，由于相結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定能提升介電性質(zhì)對(duì)溫度的穩(wěn)定性，除此之外，更會(huì)至少選擇一種稀土元素做摻雜，以藉此穩(wěn)定溫度對(duì)電容的影響及電場(chǎng)對(duì)溫度的影響，以制成符合EIA的X7T介電特性的陶瓷電容介電材料，因此本發(fā)明應(yīng)為一最佳解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陶瓷電容介電材料，能穩(wěn)定溫度對(duì)電容的影響及電場(chǎng)對(duì)電容的影響，以制成符合EIA的X7T介電特性的陶瓷電容介電材料。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明公開(kāi)了一種陶瓷電容介電材料，其特征在于：該陶瓷電容介電材料的組成以BaTiO3、BaZrO3及SrTiO3為主體，并混合MgCO3、SiO2及至少一種或一種以上的化合物，該化合物選自于過(guò)渡元素或稀土元素，其中，BaTiO3的添加量為40至80mol％、BaZrO3的添加量為20至40mol％、SrTiO3的添加量小于或等于20mol％。

其中，MgCO₃的添加量為2至6mol％。

其中，SiO₂的添加量小于或等于2mol％。

其中，稀土元素為L(zhǎng)a₂O₃、CeO₂、Pr₆O₁₁、Nd₂O₃、Pm₂O₃、Sm₂O₃、Eu₂O₃、Gd₂O₃、Dy₂O₃、Ho₂O₃、Er₂O₃、Tm₂O₃、Yb₂O₃。

其中，過(guò)渡元素為Nb₂O₅、WO₃、Ta₂O₅、CoCO₃、CuO、MnCO₃、Cr₂O₃、TiO₂、ZrO₂、Sc₂O₃、NiO、ZnO。

其中，制備完成的陶瓷電容介電材料的室溫介電損失小于0.5％。

其中，制備完成的陶瓷電容介電材料于溫度-55至125℃之間時(shí)，電容變化率是介于+22％到-33％之間。

通過(guò)上述內(nèi)容，本發(fā)明的陶瓷電容介電材料，為了穩(wěn)定溫度所造成的影響，故添加BaZrO3使居禮點(diǎn)溫度降至室溫以下，形成穩(wěn)定的立方相結(jié)構(gòu)，由于相結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定能提升介電性質(zhì)對(duì)溫度的穩(wěn)定性。

附圖說(shuō)明

圖1：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的制備流程示意圖。

圖2：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的特性與引證案比較示意圖。

圖3A：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的配比莫耳比數(shù)據(jù)示意圖。

圖3B：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的配比莫耳比數(shù)據(jù)示意圖。

圖3C：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的配比莫耳比數(shù)據(jù)示意圖。

圖3D：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的配比莫耳比數(shù)據(jù)示意圖。

圖4A：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的介電性質(zhì)分析結(jié)果數(shù)據(jù)示意圖。

圖4B：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的介電性質(zhì)分析結(jié)果數(shù)據(jù)示意圖。

圖4C：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的介電性質(zhì)分析結(jié)果數(shù)據(jù)示意圖。

圖5A：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的TCC與溫度的相對(duì)示意圖。

圖5B：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的TCC與溫度的相對(duì)示意圖。

圖5C：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的TCC與溫度的相對(duì)示意圖。

圖5D：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的TCC與溫度的相對(duì)示意圖。

圖6A：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的介電損失率與溫度的相對(duì)示意圖。

圖6B：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的介電損失率與溫度的相對(duì)示意圖。

圖6C：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的介電損失率與溫度的相對(duì)示意圖。

圖6D：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的介電損失率與溫度的相對(duì)示意圖。

圖7A：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的電容損失率分析示意圖。

圖7B：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的電容損失率分析示意圖。

圖7C：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的電容損失率分析示意圖。

圖7D：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的電容損失率分析示意圖。

圖7E：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的電容損失率分析示意圖。

圖7F：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的不同實(shí)驗(yàn)組的電容損失率分析示意圖。

圖8A：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的MLCC制備樣品與具殼核結(jié)構(gòu)的市售產(chǎn)品比較的介電性質(zhì)分析結(jié)果數(shù)據(jù)示意圖。

圖8B：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的MLCC制備樣品與具殼核結(jié)構(gòu)的市售產(chǎn)品比較的TCC與溫度的相對(duì)示意圖。

圖8C：本發(fā)明陶瓷電容介電材料的MLCC制備樣品與具殼核結(jié)構(gòu)的市售產(chǎn)品比較的電容損失率分析示意圖。

具體實(shí)施方式

有關(guān)于本發(fā)明其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中，將可清楚的呈現(xiàn)。

請(qǐng)參閱圖1，為本發(fā)明陶瓷電容介電材料的制備流程示意圖，由圖中可知，其步驟為：

(1)將(1-x-y)BaTiO₃-xBaZrO₃-ySrTiO₃添加摻雜物，依照不同比例倒入有氧化鋯磨球及酒精的球磨罐中混和球磨24小時(shí)后取出烘干。其中0.2≤x≤0.4，0.0≤y≤0.2101；

(2)接著均勻研磨粉末，添加適量粘結(jié)劑PVA進(jìn)行造粒，再以60mesh篩網(wǎng)進(jìn)行過(guò)篩102；

(3)將過(guò)篩后的粉末進(jìn)行單軸成型，以1ton壓力持續(xù)30秒制作直徑約90mm、厚度1mm的坯體103；

(4)再以550℃，持溫4小時(shí)，升溫速率5℃/min的條件進(jìn)行粘結(jié)劑燒除(脫脂)104；

(5)將脫脂后的樣品在還原氣氛下以不同溫度持溫2個(gè)小時(shí)，升溫速率5℃/min進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)105；

(6)完成燒結(jié)后于大氣下以900℃進(jìn)行退火熱處理，升溫速率5℃/min，持溫時(shí)間2小時(shí)106；

(7)接著用阿基米德密度測(cè)量，并挑選致密的樣品進(jìn)行XRD及SEM分析。最后將樣品雙面拋光后均勻涂布電極膏，烘干后用800℃不持溫條件下進(jìn)行電極燒附，使用燒附電極的樣品進(jìn)行介電性質(zhì)的測(cè)量及分析107。

而本發(fā)明的陶瓷電容介電材料的組成以鈦酸鋇(BaTiO₃)、鋯酸鋇(BaZrO₃)及鈦酸鍶(SrTiO₃)為主體，并混合MgCO₃、SiO₂及至少一種或一種以上的化合物，該化合物系選自于過(guò)渡元素或稀土元素，其中，BaTiO₃的添加量(組成陶瓷電容介電材料的配比)系為40至80mol％、BaZrO₃的添加量(組成陶瓷電容介電材料的配比)系為20至40mol％、SrTiO₃的添加量(組成陶瓷電容介電材料的配比)系為小于或等于20mol％；其中鋯酸鋇(BaZrO₃)能夠以BaZrO₃的元素粉末進(jìn)行添加，或是由不同元素合成為BaZrO₃(例如BaO+ZrO₂)，因此以不同形式合成為成BaZrO₃、并進(jìn)行添加且添加的比例如同本發(fā)明所揭露的比例范圍，皆為本發(fā)明所保護(hù)的范圍。而除了鋯酸鋇(BaZrO₃)之外，鈦酸鋇(BaTiO₃)、鈦酸鍶(SrTiO₃)、碳酸鎂(MgCO₃)、二氧化硅(SiO₂)與所添加的過(guò)渡元素或稀土元素，皆如同鋯酸鋇(BaZrO₃)一樣，不論是什么形式合成為BaTiO₃、SrTiO₃、MgCO₃、SiO₂、過(guò)渡元素、稀土元素、并進(jìn)行添加且添加的比例如同本發(fā)明所揭露的比例范圍，皆為 本發(fā)明所保護(hù)的范圍。

另外，以BaTiO₃、BaZrO₃及SrTiO₃為主體，并混合MgCO₃、SiO₂及至少一種或一種以上的化合物所制成陶瓷電容介電材料，若最后形成的陶瓷電容介電材料具有上述提到的任何元素(BaTiO₃、SrTiO₃、MgCO₃、SiO₂、過(guò)渡元素、稀土元素)的配比，皆為本發(fā)明所保護(hù)的范圍。

除此之外，所添加的化合物除了過(guò)渡元素或稀土元素之外，亦能夠添加鈦酸鎂(MgTiO₃)，其添加量(組成陶瓷電容介電材料的配比)系為0至6mol％(莫耳百分比能夠?yàn)?、0.5、1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5、5.5或6mol％)

其中，鈦酸鋇(BaTiO₃)的添加量系為40至80mol％(能夠?yàn)?5、50、55、60、65、70、75或80mol％)；鋯酸鋇(BaZrO₃)的添加量系為20至40％(能夠?yàn)?0、25、30、35或40mol％)；鈦酸鍶(SrTiO₃)的添加量系小于或等于20mol％(能夠?yàn)?、5、10、15、20mol％)。

其中，混合的碳酸鎂(MgCO₃)的添加量(組成陶瓷電容介電材料的配比)系為2至6％(能夠?yàn)?、2.5、3、3.5、4、4.5、5、5.5或6mol％)，添加MgCO₃是為了調(diào)整A/B ratio，因?yàn)锽aTiO₃在還原氣氛下燒結(jié)時(shí)會(huì)形成氧空位，基于化學(xué)平衡反應(yīng)，會(huì)使介電材料容易半導(dǎo)體化，故添加BaTiO₃使其Mg2+離子取代Ti4+離子，以離子補(bǔ)償?shù)姆绞浇档桶雽?dǎo)體化的現(xiàn)象，提高可靠度。

其中，混合的二氧化硅(SiO₂)的添加量(組成陶瓷電容介電材料的配比)系小于或等于2％(能夠?yàn)?、0.5、1、1.5或2mol％)，添加SiO₂是作為助燒劑幫助陶瓷體燒結(jié)，可以降低燒結(jié)溫度同時(shí)提升燒結(jié)致密性，由于燒結(jié)體本身會(huì)有孔洞存在，孔洞越多則減少的單位體積內(nèi)的電偶極矩也越多，會(huì)影響整體的介電性質(zhì)，另外若使其他物質(zhì)進(jìn)入孔隙中也會(huì)影響介電特性，故添加SiO₂來(lái)做改善，另一優(yōu)點(diǎn)為藉由添加SiO₂也能提高介電材料的電阻系數(shù)。

為了穩(wěn)定溫度所造成的影響，故添加BaZrO₃使居禮點(diǎn)溫度降至室溫以下，形成穩(wěn)定的立方相結(jié)構(gòu)，由于相結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定能提升介電性質(zhì)對(duì)溫度的穩(wěn)定性，本發(fā)明相較于美國(guó)引證案US 20110164346及US 8450230，其差異如圖2所示，其主體的部份，本發(fā)明有添加BaZrO₃的添加量最少為20ml％，最多為40mol％，但引證案主體的部份其添加BaZrO₃的添加量少于14mol％(最多加到14mol％)，而除了BaZrO₃的添加量有明顯差異之外，由于X7T最主要的特性在于直流偏壓特性的穩(wěn)定度，故本發(fā)明著重于此特性上的改良(本發(fā)明的直流偏壓特性明顯比引證案優(yōu)秀)，并同時(shí)符合X7T規(guī)范的要求，雖然在介電常數(shù)上較低于引證案，但本發(fā)明可在實(shí)際產(chǎn)品開(kāi)發(fā)上進(jìn)行調(diào)整來(lái)拉高介電常數(shù)的數(shù)值；

而本發(fā)明的電極的選擇系為Base-Metal Electrode(BME，卑金屬電極)由于MLCC追求更小型化及堆迭層數(shù)目的增加，故在電極的上所花費(fèi)的成本也逐漸提 升，此成本比重約為產(chǎn)品的三成～四成，故在電極的選擇上也須做為成本考量的一。相較于成本較高的NME(Noble Metal Electrolde，貴金屬電極)其使用的材料為Ag/Pd，本發(fā)明選擇的是使用成本較低的BME，其使用的材料為Ni/Cu，以此來(lái)制成MLCC。由于BME所使用的Ni/Cu在高溫下容易氧化，所以必須在還原氣氛下進(jìn)行共燒制程。

而本發(fā)明為了要使介電特性能符合X7T規(guī)范，故在摻雜的化合物中至少選擇一種稀土元素做摻雜，藉此穩(wěn)定溫度對(duì)電容的影響及電場(chǎng)對(duì)溫度的影響，而能夠使用的稀土元素系為L(zhǎng)a₂O₃、CeO₂、Pr₆O₁₁、Nd₂O₃、Pm₂O₃、Sm₂O₃、Eu₂O₃、Gd₂O₃、Dy₂O₃、Ho₂O₃、Er₂O₃、Tm₂O₃、Yb₂O₃，其中，上述該些稀土元素的添加量能夠介于0.5至10mol％，以氧化鈥(Ho₂O₃)舉例來(lái)說(shuō)，其添加量系介于0.5至10mol％(添加量能夠?yàn)?.5、1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5、5.5、6、6.5、7、7.5、8、8.5、9、9.5或10mol％)，而其他稀土元素的添加量亦如氧化鈥(Ho₂O₃)所述相同，故不重復(fù)贅述。

而除了稀土元素之外，更能夠添加過(guò)渡元素，而能夠使用的過(guò)渡元素系為Nb₂O₅、WO₃、Ta₂O₅、CoCO₃、CuO、MnCO₃、Cr₂O₃、TiO₂、ZrO₂、Sc₂O₃、NiO、ZnO，其中，添加量能夠介于0.5至10mol％，以五氧化二鈮(Nb₂O₅)舉例來(lái)說(shuō)，其添加量系介于0.5至10mol％(添加量能夠?yàn)?.5、1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5、5.5、6、6.5、7、7.5、8、8.5、9、9.5或10mol％)，而其他過(guò)渡元素的添加量亦如氧化鈥五氧化二鈮(Nb₂O₅)所述相同，故不重復(fù)贅述。

請(qǐng)參考圖3A至圖3D，本發(fā)明共做了22組的實(shí)驗(yàn)組，而不同的實(shí)驗(yàn)組共有不同的配比，而22組的實(shí)驗(yàn)組的配比僅為參考，并不僅限于僅能應(yīng)用如此配比，而22組的實(shí)驗(yàn)組中并未添加五氧化二鈮(Nb₂O₅)，但于實(shí)際上的應(yīng)用中，亦能夠添加五氧化二鈮(Nb₂O₅)進(jìn)行實(shí)施。

將使用燒附電極的22組的實(shí)驗(yàn)組的樣品進(jìn)行介電性質(zhì)的測(cè)量及分析后，如圖4A至圖4C中可知，更測(cè)量得到22組的實(shí)驗(yàn)組的介電常數(shù)(specific Permittivity)、試片從125℃到-55℃的電容比上室溫的電容(Temp.Characteristic X7T)、室溫的介電損失率(Dielectric Loss at 25℃)、電阻率(Resistivity)、在2.5kV/mm的電容損失率(Capacitance Change at2.5kV/mm[％])，而22組的實(shí)驗(yàn)組中，其中NO.4、NO.18、NO.19、NO.22的實(shí)驗(yàn)組是可以得到符合X7T的TCC規(guī)范，且在直流偏壓的損失率都在1.5％上下。由于X7T算是特化的陶瓷電容編號(hào)，主要的應(yīng)用范圍就是在高強(qiáng)度電場(chǎng)下希望電容損失率能越小越好，因此本發(fā)明不只TCC曲線(xiàn)進(jìn)入X7T范圍，在直流偏壓亦有良好表現(xiàn)；另外，NO.20、NO.21、NO.22的實(shí)驗(yàn)組是針對(duì)有進(jìn)入到X7T規(guī)范的NO.18進(jìn)行BaTiO₃與BaZrO₃比例上的調(diào)整，藉此了解在摻雜物的添加量固定時(shí)，調(diào)整BaTiO₃與BaZrO₃ 比例會(huì)對(duì)性質(zhì)產(chǎn)生怎樣的影響。

而圖5A至圖5D，是TCC(125到-55℃的電容比上室溫的電容比率)與溫度的相對(duì)示意圖，由于美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)電容器規(guī)范中提到，X7T于溫度范圍-55℃～125℃之間，電容變化率必須在+22％到-33％之間，由圖中可知，NO.4、NO.18、NO.19、NO.22的實(shí)驗(yàn)組中，TCC都有進(jìn)入范圍內(nèi)，因此符合X7T的TCC規(guī)范。另外，以NO.18為對(duì)照組時(shí)可發(fā)現(xiàn)，當(dāng)BaTiO₃含量越多時(shí)(即NO.20、NO.21)，我們的TCC曲線(xiàn)會(huì)開(kāi)始偏離X7T要求規(guī)范，且我們的直流偏壓特性會(huì)變差，但介電常數(shù)有一個(gè)明顯的提升；當(dāng)BaTiO₃含量越少時(shí)(即NO.22)，我們的TCC曲線(xiàn)會(huì)更進(jìn)入X7T要求規(guī)范，且我們的直流偏壓特性會(huì)變好，其介電常數(shù)有一個(gè)小幅度的下降。

而圖6A至圖6D，是介電損失率與不同溫度的相對(duì)示意圖，當(dāng)介電損失越高時(shí)，電容在儲(chǔ)存能量的表現(xiàn)會(huì)不佳，可能是以光、熱方式散失。因此在損失方面亦是越低越好，而本發(fā)明22組的實(shí)驗(yàn)組的介電損失率皆偏低，尤其是介電損失(室溫)這方面，所得的數(shù)據(jù)皆在0.5％以下。由NO.18、NO.20、NO.21、NO.22的實(shí)驗(yàn)組可得知，雖然我們改變了BaTiO₃與BaZrO₃比例，但對(duì)于介電損失來(lái)說(shuō)并無(wú)明顯的差異，可以推測(cè)可能有效抑制介電損失最主要原因來(lái)自于添加稀土元素(R)的影響。

而圖7A～7F中，將部份的實(shí)驗(yàn)組于不同直流偏壓與電容損失以圖面表示，而本發(fā)明主要是要得知2.5kV/mm的電容損失率，由于直流偏壓在外加電場(chǎng)越高情況下，是希望損失率越低，因此在高強(qiáng)度電場(chǎng)下則是希望電容損失率能越小越好；而搭配圖3A～圖3C中可知，本發(fā)明在直流偏壓亦有良好表現(xiàn)，除此之外，當(dāng)BaTiO₃含量越多時(shí)(即NO.20、NO.21)，其介電常數(shù)有一個(gè)明顯的提升，而當(dāng)BaTiO₃含量越少時(shí)(即NO.22)，其介電常數(shù)有一個(gè)小幅度的下降，雖然如此，但仍進(jìn)入我們X7T的規(guī)范。

另外，將NO.18進(jìn)行MLCC的制備為樣品并進(jìn)行量測(cè)后，將量測(cè)結(jié)果與具殼核結(jié)構(gòu)的市售產(chǎn)品做一個(gè)性質(zhì)上的比較，其介電性質(zhì)分析結(jié)果數(shù)據(jù)示意圖、TCC與溫度的相對(duì)示意圖、電容損失率分析示意圖分別如圖8A、圖8B及圖8C所示，由圖8A中可知比較后的數(shù)據(jù)資料，再由圖8B可知，在TCC曲線(xiàn)上NO.18Bulk與成品MLCC幾乎是重迭的，也都有進(jìn)入X7T規(guī)范要求，如此也確認(rèn)了本發(fā)明進(jìn)行MLCC制備的可行性；

再由圖8C可知，雖然具殼核結(jié)構(gòu)的市售產(chǎn)品其對(duì)于溫度的穩(wěn)定性較優(yōu)于我們、且介電常數(shù)也比我們高，但從圖8C中可知，本發(fā)明NO.18所制成的MLCC具有非常優(yōu)異的直流偏壓特性，其穩(wěn)定度高出市售產(chǎn)品很多，故本發(fā)明有利于產(chǎn)品的應(yīng)用上，而室溫時(shí)的介電損失與電阻系數(shù)兩者都是差不多的。

本發(fā)明所提供的陶瓷電容介電材料，與其他習(xí)用技術(shù)相互比較時(shí)，其優(yōu)點(diǎn)如下：

1.本發(fā)明能夠以復(fù)合材料的觀(guān)點(diǎn)，將BaTiO₃、BaZrO₃及SrTiO₃為主體、并混合MgCO₃、SiO₂及至少一種或一種以上的化合物，該化合物系選自于過(guò)渡元素或稀土元素，以制成符合EIA的X7T介電特性的陶瓷電容介電材料。

2.本發(fā)明的陶瓷電容介電材料能夠符合X7T于溫度范圍-55℃～125℃之間，電容變化率必須在+22％到-33％之間的規(guī)范，且于不同溫度得到的介電損失率皆偏低(低于0.5％)，而介電常數(shù)大于350。

3.本發(fā)明的陶瓷電容介電材料的電阻系數(shù)在室溫時(shí)能到～10¹²[Ω-cm]，而在125℃時(shí)能到能達(dá)到～10¹¹[Ω-cm]。

4.由于直流偏壓在外加電場(chǎng)越高情況下，是希望損失率越低，因此在高強(qiáng)度電場(chǎng)下則是希望電容損失率能越小越好，而本發(fā)明的陶瓷電容介電材料在直流偏壓下的電容變化率亦有良好表現(xiàn)。

本發(fā)明已透過(guò)上述的實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此一技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者，在了解本發(fā)明前述的技術(shù)特征及實(shí)施例，并在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍須視本說(shuō)明書(shū)所附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。