技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種鈣鈦礦型鍶鈮氮氧化物半導(dǎo)體的制備方法,具體為采用Sr4Nb2O9作為單一前驅(qū)體，在高溫氨氣氛下進(jìn)行熱氨解氮化，制備帶邊吸收達(dá)到700nm的寬可見(jiàn)光效應(yīng)的SrNbO2N半導(dǎo)體。本方法中，Sr4Nb2O9相比于SrNbO2N中Sr-Nb計(jì)量比，Sr氧化物過(guò)量，且在單一前驅(qū)體中原子級(jí)別均勻分布，能夠有效抑制高溫氮化過(guò)程中Nb的還原，抑制低價(jià)Nb缺陷或雜相的形成，得到優(yōu)質(zhì)SrNbO2N。氮化后過(guò)量的Sr以氧化物形式析出，溶解后造孔，得到的SrNbO2N比表面積高達(dá)35.5m2/g。

技術(shù)研發(fā)人員：楊明輝;熊鋒強(qiáng);李悅;焦雨桐;萬(wàn)里鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所
文檔號(hào)碼：201510849917
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.27
技術(shù)公布日：2017.06.09