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半導體單晶提拉裝置以及使用其的半導體單晶的再熔融方法與流程

文檔序號:11528984閱讀:來源:國知局

技術特征:

技術總結
本發(fā)明提供一種半導體單晶提拉裝置,其具備:對收容熔融液的坩堝進行加熱保溫的加熱器、及一邊從所述熔融液提拉一邊培育半導體單晶的繩線,所述半導體單晶提拉裝置的特征在于,單晶提拉裝置具備:再熔融檢出裝置,其在用繩線使半導體單晶的下端部浸沒在熔融液中并再熔融時,根據(jù)半導體單晶的重量變化,來檢出半導體單晶的下端部的再熔融已經(jīng)完成;以及,最下端檢出裝置,其通過在坩堝與繩線之間施加電壓,來一邊在半導體單晶與熔融液之間施加電壓一邊用繩線卷繞提起半導體單晶時,根據(jù)半導體單晶與熔融液之間變得無電流流動的位置,來檢出半導體單晶的最下端。由此,在半導體單晶的再熔融中,為了判斷浸沒的結晶的熔融的完成,不需要通過目視來確認,能夠進行有效的再熔融。

技術研發(fā)人員:增田直樹;浦野雅彥
受保護的技術使用者:信越半導體株式會社
技術研發(fā)日:2015.09.09
技術公布日:2017.08.18
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