各種鹵代硅烷在不同工業(yè)中找到用途。諸如三氯硅烷(hsicl3)的三鹵代硅烷類可用作用于制造高純度多晶硅的化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝中的反應(yīng)物，通常用于太陽(yáng)能電池(太陽(yáng)能級(jí)多晶硅)和/或電子芯片(半導(dǎo)體級(jí)多晶硅)中，但還具有其他應(yīng)用?？蛇x擇地，三鹵代硅烷類可以在已知工藝中被水解以制備聚硅氧烷，例如樹脂。

制備鹵代的硅烷類如三鹵代硅烷類的方法是本領(lǐng)域已知的。通常，鹵代的硅烷類在商業(yè)上通過(guò)mueller-rochow直接法(mueller-rochowdirectprocess)生產(chǎn)，其包括在銅催化劑和各種任選的促進(jìn)劑存在下使鹵化氫經(jīng)過(guò)零價(jià)硅(si⁰)。鹵代硅烷類的混合物通過(guò)該直接法生產(chǎn)。

用于制造在該直接法中使用的si⁰的典型工藝由在電弧爐中的sio2的碳熱還原組成。需要極高的溫度來(lái)還原sio2，因此該工藝是能源密集型的。因此，si⁰的生產(chǎn)增加了用于生產(chǎn)硅烷類的直接法的成本。因此，存在對(duì)于更經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)硅烷類的方法的需求，所述方法避免或減少了使用si⁰的需求。

除了上述直接法之外，還已經(jīng)公開了許多生產(chǎn)三鹵代硅烷類的方法。已經(jīng)通過(guò)在至少250℃的溫度下，在有或沒(méi)有其他催化劑的情況下，使四氯化硅(sicl4)、h2和/或hcl經(jīng)過(guò)si⁰來(lái)生產(chǎn)三氯硅烷(hsicl3)。

雖然本領(lǐng)域描述了生產(chǎn)三氯硅烷的方法，但是這些方法具有一些限制。這些工藝中的許多使用si⁰。由于si⁰通常由二氧化硅的高能量密集型的碳熱還原生產(chǎn)，所以使用si⁰增加了這些工藝的成本。其他方法需要多個(gè)處理步驟，其中由降低形成所需三鹵代硅烷的方法的收率或選擇性使重復(fù)的催化劑再生步驟是必需的。因此，存在對(duì)于更經(jīng)濟(jì)且更簡(jiǎn)單的制備三鹵代硅烷類的方法的需求，所述方法避免或減少了使用si⁰的需求，具有更少的工藝步驟，和/或?qū)浠柰轭?hydridosilanes)具有更均一的收率和/或選擇性。

氫化鹵代硅烷的方法包括：使具有式hasix(4-a)的鹵代硅烷與催化劑組合物接觸，在所述式hasix(3-a)中，a具有0至3的值，并且每個(gè)x獨(dú)立地是鹵素原子，并且其中如果a是0，則鹵代硅烷還包含氫源，所述催化劑組合物包含至少兩種不同的金屬，其中所述至少兩種不同的金屬選自cu以及co、fe、ni和pd中的一種；其中在所述催化劑組合物中的cu與第二金屬的比例是90:10至10:90；其中所述接觸在足以氫化鹵代硅烷的溫度下進(jìn)行；并且其中與采用以在所述催化劑組合物中金屬的相同的總載量包含一種金屬的催化劑組合物的方法相比，觀察到被氫化的鹵代硅烷的量的增加。

氫化四氯化硅的方法包括：使四氯化硅與包含選自cu、co、fe、ni和pd的至少兩種不同的金屬的催化劑組合物接觸；其中所述兩種金屬的比例是75:25至25:75；其中所述接觸在足以氫化所述四氯化硅的溫度下進(jìn)行；并且其中與采用以在所述催化劑組合物中的金屬的相同的總載量包含一種金屬的催化劑組合物的方法相比，觀察到被氫化的四氯化硅的量的增加。

以下是附圖的簡(jiǎn)要描述，其中相同的元件被相同地編號(hào)，并且所述附圖對(duì)于本文描述的各種實(shí)施方案是示例性的。

圖1是相對(duì)于基線轉(zhuǎn)化率的絕對(duì)四氯化硅轉(zhuǎn)化率增加對(duì)所測(cè)試的多種金屬所添加的金屬的濃度的圖示。

圖2是相對(duì)于基準(zhǔn)轉(zhuǎn)化率的絕對(duì)四氯化硅轉(zhuǎn)化率增加對(duì)以1wt％的總金屬濃度添加的多種金屬的比例的圖示。

冶金級(jí)硅(mg-si)通常含有約99％的硅和約1％的作為雜質(zhì)存在的其他元素。冶金級(jí)硅中雜質(zhì)的存在可以影響冶金級(jí)硅到生產(chǎn)級(jí)硅的轉(zhuǎn)化，上述生產(chǎn)級(jí)硅例如太陽(yáng)能級(jí)硅或半導(dǎo)體級(jí)硅。換句話說(shuō)，雜質(zhì)的存在可以限制可以從一定量的冶金級(jí)硅產(chǎn)生的太陽(yáng)能級(jí)硅或半導(dǎo)體級(jí)硅的量。太陽(yáng)能級(jí)硅或半導(dǎo)體級(jí)硅可以從冶金級(jí)硅在幾個(gè)步驟中的轉(zhuǎn)化來(lái)制造，包括鹵代硅烷的氫化的步驟。與太陽(yáng)能級(jí)硅相比，半導(dǎo)體級(jí)硅通常具有增加的純度。使鹵代硅烷與包含如本文所述的至少兩種不同的金屬的催化劑組合物接觸，可以與采用以在所述催化劑組合物中的金屬的相同的總載量?jī)H包含一種金屬的催化劑組合物的方法相比增加被氫化的鹵代硅烷的量。增加鹵代硅烷氫化的量可以增加從冶金級(jí)硅生產(chǎn)的生產(chǎn)級(jí)硅的量。

通?？梢园l(fā)現(xiàn)銅和鎳在冶金級(jí)硅中是以約30至50百萬(wàn)分率(ppm)的量。對(duì)這些量的小的改變通常不影響鹵代硅烷的氫化，例如在反應(yīng)器中四氯化硅到三氯硅烷的氫化。催化劑例如銅、鎳或鐵可以被用于鹵代硅烷的氫化。鐵通?？梢砸?.4％的量存在于冶金級(jí)硅中，并且可以在反應(yīng)器中積聚，這取決于反應(yīng)器的設(shè)計(jì)。鐵可以被用于催化鹵代硅烷的氫化，但是其已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)在其有效性上具有限制。例如，即使使用10％的鐵來(lái)氫化鹵代硅烷，例如，使用含有10％鐵的催化劑對(duì)四氯化硅的氫化，只能產(chǎn)生約15％的鹵代的四氯化硅，其中理論平衡等于36％。因此，在產(chǎn)生的鹵代的四氯化硅的量上的改進(jìn)是期望的。

本文公開的是氫化鹵代硅烷例如四氯化硅的方法。該方法可以包括使鹵代硅烷與包含至少兩種不同的金屬的催化劑組合物接觸，其中所述至少兩種不同的金屬可以選自銅(cu)以及鈷(co)、鐵(fe)、鎳(ni)和鈀(pd)中的至少一種。在催化劑組合物中的銅與第二金屬的比例可以是90:10至10:90。接觸可以在足以氫化鹵代硅烷的溫度下進(jìn)行。采用這種方法，與采用以在所述催化劑組合物中的金屬的相同的總載量包含一種金屬的催化劑組合物的方法相比，可以觀察到被氫化的鹵代硅烷的量的增加。

如果存在氫源，則氫源可以包括h2，而h2與鹵代硅烷的摩爾比可以是20:1至1:1。

鹵代硅烷可以具有式hasix(4-a)，其中下標(biāo)“a”可以具有從0至小于或等于3的平均值，并且每個(gè)x可以獨(dú)立地是鹵素原子。鹵代硅烷可以選自一氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯化硅或包含前述中的至少一種的組合。例如，鹵代硅烷可以是四氯化硅。

催化劑組合物可以包括金屬組合。金屬組合可以包含至少兩種不同的金屬。該至少兩種不同的金屬可以選自：(i)銅(cu)和鎳(ni)，(ii)cu和鈀(pd)，(iii)cu和鐵(fe)，(iv)cu和鈷(co)，或(v)cu以及co、ni、pd和fe中的兩種或更多種。金屬組合中的每種金屬的量可以取決于多種因素，包括接觸步驟中所包括的特定的金屬和溫度。例如，當(dāng)金屬組合是cu和一種其他金屬(例如，co、fe、ni或pd)時(shí)，cu的量可以上至金屬組合的90％，例如上至80％，例如20％至80％，例如75％，以及例如50％，并且余量為co、fe、ni和pd之一。例如，在催化劑組合物中銅與第二金屬的比例可以是90:10至10:90，例如80:20至20:80，例如75:25至25:75，例如50:50。催化劑組合物可以包含銅和鎳。催化劑組合物可以包含銅和鈀。

催化劑組合物可以被氫化為一氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷或包含前述中的至少一種的組合。例如，鹵代硅烷，例如四氯化硅，可以被氫化成三氯硅烷。

氫化的確切條件可以取決于硅的相圖和所選擇的至少兩種不同的金屬，然而，氫化可以在100℃至1,200℃，例如500℃至1,000℃，例如600℃至900℃，例如650℃至850℃，例如700℃至800℃，以及例如750℃的溫度下進(jìn)行，持續(xù)足以氫化鹵代硅烷的時(shí)間。

采用含有至少兩種不同的金屬的催化劑組合物的、如本文所述的鹵代硅烷的氫化可以與以在所述催化劑組合物中的金屬的相同的總載量包含一種金屬的催化劑體系相比提供被氫化的鹵代硅烷的量的增加。在氫化鹵代硅烷的方法中可以觀察到在至少兩種不同的金屬之間的協(xié)同效應(yīng)。不希望受理論束縛，但據(jù)信，在如本文公開的包含銅和鎳的催化劑組合物中，硅的溶解度可以隨著增加的鎳含量而增加，并且銅鎳合金可以表現(xiàn)出當(dāng)鎳含量和溫度增加時(shí)吸收氣體的強(qiáng)烈傾向。例如，包含比例為75:25的銅/鎳的催化劑組合物通常比包含比例為25:75的銅/鎳的催化劑組合物具有更少的吸收氣體的傾向。例如，氫氣溶解度可以隨著增加的鎳含量而增加，其中催化劑組合物中存在上至80％的鎳。

當(dāng)硅從床中被耗盡時(shí)，在鹵代硅烷的氫化期間，本文所公開的催化劑的性能可以隨時(shí)間而降低。不希望受理論束縛，但據(jù)信，該降低來(lái)自銅作為揮發(fā)性金屬氯化物從反應(yīng)器的一些損失和/或催化劑向非催化活性的物質(zhì)的轉(zhuǎn)化。然而，意外地發(fā)現(xiàn)，采用本文公開的方法和催化劑，當(dāng)與僅包含一種金屬例如銅的催化劑組合物相比時(shí)，可以更一貫地(consistently)維持鹵代硅烷例如四氯化硅的氫化(即，四氯化硅向三氯硅烷的轉(zhuǎn)化)。

可以以任何方便的形式提供至少兩種不同的金屬，例如金屬形式，例如金屬銅、金屬鐵、金屬鈷、金屬鎳和金屬鈀。金屬形式可以是顆粒的混合物或合金?？蛇x擇地，金屬鹽，包括但不限于鈷、銅、鈀、鐵和鎳的鹵化物、乙酸鹽、硝酸鹽和羧酸鹽，可以按期望的比例混合，并且然后在升高的溫度下用氫還原，通常大于300℃。可商購(gòu)的金屬鹽的實(shí)例包括cucl2、cucl、nicl2和pdcl2。

至少兩種不同的金屬可以任選地被設(shè)置在載體上。載體的實(shí)例包括活性炭、二氧化硅和沸石。在其中需要高純度的產(chǎn)品鹵代硅烷的情況下，例如用于生產(chǎn)用于制造太陽(yáng)能級(jí)或電子級(jí)多晶硅的三氯硅烷或四氯化硅的情況下，應(yīng)避免某些載體。在所描述的條件下，基于碳的載體可以形成不期望的甲烷和其他碳副產(chǎn)物。無(wú)定形二氧化硅載體在所描述的條件下形成不期望的硅氧烷副產(chǎn)物?？蛇x擇地，高度結(jié)晶的并且在所描述的過(guò)程中不產(chǎn)生不期望的副產(chǎn)物的載體可以被用于生產(chǎn)具有高純度的三氯硅烷。結(jié)晶二氧化硅和某些沸石，例如zeolitey或zeoliteβ產(chǎn)品(例如，從zeolystinternational以zeolystcbv780可商購(gòu)獲得的)，是可以被使用的示例性載體。

鹵代硅烷通常具有式hasix(4-a)，其中下標(biāo)“a”可以具有0至小于或等于3的平均值，并且每個(gè)x獨(dú)立地是鹵素原子?？蛇x擇地，下標(biāo)a可以具有0至3的平均值。x可以是cl、br、f或i；例如cl、br或i；以及例如，cl。鹵代硅烷類的實(shí)例包括氯硅烷(h3sicl)、二氯硅烷(h2sicl2)、三氯硅烷(hsicl3)、四氯化硅(sicl4)以及h3sicl、h2sicl2、hsicl3、sicl4中的兩種或更多種的組合?？蛇x擇地，下標(biāo)“a”可以是0，并且鹵代硅烷可以是式six4的四鹵化硅，其中x如上所述。四鹵化硅的實(shí)例包括但不限于四氯化硅、四溴化硅、四碘化硅和四氟化硅。在一個(gè)實(shí)施方案中，四鹵化硅是四氯化硅。鹵代硅烷可以任選地進(jìn)一步包含氫源，例如h2，而不考慮鹵代硅烷的選擇。

氫化可以在用于組合氣體和固體的任何反應(yīng)器中進(jìn)行。例如，反應(yīng)器構(gòu)造可以是填充床、攪拌床(stirredbed)、振動(dòng)床(vibratingbed)、移動(dòng)床、再循環(huán)床或流化床。鹵代硅烷與催化劑組合物接觸的壓力可以是低于大氣壓的、大氣壓的或超大氣壓的(super-atmospheric)。例如，壓力可以是0千帕絕對(duì)壓力(kpa)至3,500kpa，例如10kpa至2,100kpa；例如101kpa至2,101kpa；例如，101kpa至1,101kpa；例如，101kpa至900kpa；以及例如201kpa至901kpa。

當(dāng)鹵代硅烷中存在氫時(shí)，在與催化劑組合物接觸的鹵代硅烷中的氫與鹵代硅烷的摩爾比可以是10,000:1至0.01:1，例如100:1至1:1，例如20:1至5:1，例如20:1至4:1，例如20:1至2:1，例如20:1至1:1，例如4:1至1:1，以及例如3:1至1.2:1。

對(duì)于鹵代硅烷的停留時(shí)間可以足夠長(zhǎng)以使鹵代硅烷與金屬組合接觸并氫化鹵代硅烷，并且可以取決于多種因素，包括反應(yīng)器尺寸和金屬組合的粒度。例如，對(duì)于成分的足夠的停留時(shí)間可以是至少0.01秒(s)，例如至少0.1s，例如0.1s至10分鐘(min)，例如0.1s至1min，例如0.5s至10s，例如1min至3min，以及例如5s至10s?？蛇x擇地，對(duì)于將與鹵代硅烷接觸的催化劑組合物的停留時(shí)間可以是至少0.1min；例如至少0.5min；例如0.1min至120min；例如，0.5min到9min；例如，0.5min至6min。期望的停留時(shí)間可以通過(guò)調(diào)節(jié)h2和鹵代硅烷的流速，或通過(guò)調(diào)節(jié)總反應(yīng)器容積，或通過(guò)其任何組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。

當(dāng)氫存在時(shí)，h2和鹵代硅烷可以被同時(shí)進(jìn)料到反應(yīng)器中；然而，也設(shè)想了其他組合的方法，例如通過(guò)單獨(dú)的脈沖。在進(jìn)料到反應(yīng)器之前，h2和鹵代硅烷可以被混合在一起；可選擇地，可以將h2和鹵代硅烷作為單獨(dú)的流進(jìn)料到反應(yīng)器中。

催化劑組合物可以連同其他反應(yīng)器條件一起以足夠氫化鹵代硅烷的量存在。如本文所使用的，“足夠的量”的催化劑組合物是當(dāng)鹵代硅烷和任選的氫與催化劑組合物接觸時(shí)足以氫化本文描述的鹵代硅烷。例如，足夠的量的催化劑組合物可以是至少0.01毫克的金屬每立方厘米(mg/cm³)mg的反應(yīng)器容積；例如至少0.5mg金屬/cm³的反應(yīng)器容積；例如，1mg金屬/cm³的反應(yīng)器容積至基于反應(yīng)器容積的金屬組合的最大堆積密度，例如，1mg至5,000mg金屬/cm³的反應(yīng)器容積，例如1mg至1,000mg金屬/cm³的反應(yīng)器容積，以及例如，1mg至900mg金屬/cm³的反應(yīng)器容積。

進(jìn)行氫化持續(xù)的時(shí)間沒(méi)有上限。例如，可以進(jìn)行氫化持續(xù)至少0.1秒，例如，從1秒至5小時(shí)，例如，從1分鐘至1小時(shí)。

本文描述的方法還可以包括在鹵代硅烷與催化劑組合物接觸之前吹掃含有鹵代硅烷和催化劑組合物的反應(yīng)器?？赡艽嬖诘牟恍枰牟牧鲜抢鏾2和h2o。吹掃可以用惰性氣體例如氬氣、氮?dú)饣蚝猓蛴梅磻?yīng)性氣體(reactivegas)例如鹵代硅烷諸如四氯化硅來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述反應(yīng)性氣體與水分反應(yīng)，從而將其除去。在使鹵代硅烷與催化劑組合物接觸之前的吹掃可以被完成以至少部分地除去可能存在于在金屬組合中的金屬上的任何氧化物層。該方法可以任選地還包括在鹵代硅烷的氫化之后回收副產(chǎn)物和未反應(yīng)的成分和/或未反應(yīng)的反應(yīng)物。例如，在鹵代硅烷的氫化之后可以產(chǎn)生作為副產(chǎn)物的鹵化氫，例如hcl。用催化劑組合物對(duì)鹵代硅烷的氫化還可以產(chǎn)生包含h3sicl、h2sicl2、hsicl3、sicl4或h3sicl、h2sicl2、hsicl3、sicl4中的兩種或更多種的組合的流出物。這些物質(zhì)中的一些或全部可以通過(guò)諸如蒸餾的技術(shù)被回收。

該方法還可以包括在與催化劑組合物接觸之前通過(guò)已知方法預(yù)熱和氣化鹵代硅烷。當(dāng)使用氫時(shí)，該方法還可以包括使氫鼓泡穿過(guò)鹵代硅烷以在與催化劑組合物接觸之前蒸發(fā)鹵代硅烷。

該工藝還可以包括回收所生產(chǎn)的被氫化的鹵代硅烷?？梢酝ㄟ^(guò)例如從反應(yīng)器中除去氣態(tài)鹵代硅烷和任何其他氣體、隨后通過(guò)蒸餾分離鹵代硅烷來(lái)回收鹵代硅烷。

根據(jù)本方法制備的鹵代硅烷類的實(shí)例包括但不限于hsicl3、hsibr3和hsii3。本發(fā)明的方法可以由四鹵化硅生產(chǎn)三鹵代硅烷。由于四鹵化硅，例如四氯化硅，是其他工業(yè)過(guò)程的副產(chǎn)物，并且可以使用比生產(chǎn)零價(jià)硅所需的能量更少的能量來(lái)生產(chǎn)，因此本發(fā)明的方法可以比使用si⁰生產(chǎn)三鹵代硅烷的方法更經(jīng)濟(jì)。

本發(fā)明的方法產(chǎn)生三鹵代硅烷，其可以被用于制備高純度多晶硅或可以在已知的工藝中被水解以用于生產(chǎn)聚硅氧烷。高純度多晶硅在例如太陽(yáng)能電池和計(jì)算機(jī)芯片中找到用途，并且聚硅氧烷在許多工業(yè)和應(yīng)用中找到用途。

通過(guò)以下非限制性實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明了這些方法。

實(shí)施例

實(shí)施例1

在本實(shí)施例中，實(shí)驗(yàn)在相似的操作條件(例如，溫度、壓力等)下進(jìn)行，其中包含四氯化硅和氫的組合物與冶金級(jí)硅和催化劑接觸。所使用的催化劑包括銅(cu)、銅和鎳的組合(cu/ni)、鎳(ni)和鐵(fe)。實(shí)驗(yàn)的結(jié)果在圖1中圖示，其中以百分比測(cè)量的、相對(duì)于基線的絕對(duì)四氯化硅轉(zhuǎn)化率增加針對(duì)以重量百分比測(cè)量的、添加的金屬的濃度作圖。四氯化碳轉(zhuǎn)化率的基線約為17％。如從圖1中可以看出的，包含銅和鎳的50:50組合的催化劑組合物相對(duì)于基線具有較高的絕對(duì)四氯化硅轉(zhuǎn)化率增加。如從圖1中還可以看出的，與單獨(dú)的銅或鎳相比，包含銅和鎳的50:50組合的催化劑組合物相對(duì)于基線具有較高的絕對(duì)四氯化硅轉(zhuǎn)化率增加，這表明在銅與鎳之間的意想不到的協(xié)同效應(yīng)，該協(xié)同效應(yīng)在單獨(dú)使用任一種時(shí)未被觀察到。

實(shí)施例2

在本實(shí)施例中，測(cè)試了不同水平的銅和鎳的四氯化硅轉(zhuǎn)化率。結(jié)果在圖2中圖示。以重量百分比(重量％)測(cè)量催化劑的量并且轉(zhuǎn)化的四氯化硅的量以百分比(％)被測(cè)量。催化劑從鎳(ni)變?yōu)殂~(cu)。

如在圖2中可以看出的，轉(zhuǎn)化的四氯化硅的量隨著使用含有銅和鎳的催化劑而增加，并且在轉(zhuǎn)化的四氯化硅的量之間不具有統(tǒng)計(jì)差異，無(wú)論催化劑組合物含有50:50比例、25:75比例還是75:25比例的銅與鎳。

本文公開的方法至少包括以下實(shí)施方案：

實(shí)施方案1：一種氫化鹵代硅烷的方法，包括：使具有式hasix(4-a)的鹵代硅烷與催化劑組合物接觸，在所述式hasix(4-a)中，a具有0至4的值，并且每個(gè)x獨(dú)立地是鹵素原子，并且其中如果a是0，則鹵代硅烷還包含氫源，所述催化劑組合物包含至少兩種不同的金屬，其中所述至少兩種不同的金屬選自cu以及co、fe、ni和pd中的一種；其中在所述催化劑組合物中的cu與第二金屬的比例是90:10至10:90；其中所述接觸在足以氫化鹵代硅烷的溫度下進(jìn)行；并且其中與采用以在所述催化劑組合物中金屬的相同的總載量包含一種金屬的催化劑組合物的方法相比，觀察到被氫化的鹵代硅烷的量的增加。

實(shí)施方案2：如實(shí)施方案1的所述方法，其中如果存在所述氫源，則所述氫源包括h2，并且所述h2與所述鹵代硅烷的摩爾比是20:1至1:1。

實(shí)施方案3：如實(shí)施方案1或?qū)嵤┓桨?所述的方法，其中所述鹵代硅烷選自一氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯化硅或包含前述中的至少一種的組合。

實(shí)施方案4：如實(shí)施方案3所述的方法，其中所述鹵代硅烷是四氯化硅。

實(shí)施方案5：如實(shí)施方案1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其中在所述催化劑組合物中的cu與所述第二金屬的比例是75:25至25:75。

實(shí)施方案6：如實(shí)施方案5所述的方法，其中在所述催化劑組合物中的cu與所述第二金屬的比例是50:50。

實(shí)施方案7：如實(shí)施方案1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述催化劑組合物包含cu和ni。

實(shí)施方案8：如實(shí)施方案7所述的方法，其中cu與ni的比例是75:25至25:75。

實(shí)施方案9：如實(shí)施方案8所述的方法，其中cu與ni的比例是50:50。

實(shí)施方案10：如實(shí)施方案1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述催化劑組合物包含cu和pd。

實(shí)施方案11：如實(shí)施方案1至6或10中任一項(xiàng)所述的方法，其中cu與pd的比例是25:75至75:25。

實(shí)施方案12：如實(shí)施方案11所述的方法，其中cu與pd的比例是50:50。

實(shí)施方案13：如實(shí)施方案1至12中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述鹵代硅烷被氫化成一氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷或包含前述中的至少一種的組合。

實(shí)施方案14：如實(shí)施方案13所述的方法，其中所述鹵代硅烷被氫化成三氯硅烷。

實(shí)施方案15：如實(shí)施方案1至14中任一項(xiàng)所述的方法，其中氫化溫度是100℃至1,200℃。

實(shí)施方案16：一種氫化四氯化硅的方法，包括：使四氯化硅與包含選自cu、co、fe、ni和pd的至少兩種不同的金屬的催化劑組合物接觸；其中所述兩種金屬的比例是75:25至25:75；其中所述接觸在足以氫化所述四氯化硅的溫度下進(jìn)行；并且其中與采用以在所述催化劑組合物中的金屬的相同的總載量包含一種金屬的催化劑組合物的方法相比，觀察到被氫化的四氯化硅的量的增加。

實(shí)施方案17：如實(shí)施方案16所述的方法，其中氫化溫度是100℃至1,200℃。

實(shí)施方案18：如實(shí)施方案16或?qū)嵤┓桨?7所述的方法，其中所述催化劑組合物包含cu和ni的組合或cu和pd的組合。

實(shí)施方案19：如實(shí)施方案18所述的方法，其中cu與ni的比例或cu與pd的比例是50:50。

實(shí)施方案20：如實(shí)施方案16-19中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述四氯化硅被氫化成三氯硅烷。

為了本申請(qǐng)的目的，術(shù)語(yǔ)“硅合金”是指經(jīng)驗(yàn)式為coccudfeenifpdgsih的材料，其中下標(biāo)c、d、e、f、g和h代表存在的每種元素的摩爾量，并且c≥0，d≥0，e≥0，f≥0，g≥0，且h≥1；條件是c、d、e、f和g中的至少兩個(gè)不為0，并且c、d和e中的至少一個(gè)不為0。

“金屬的(metallic)”是指金屬的氧化數(shù)為零。

“吹掃”是指將氣流引入容器中以除去不需要的材料。

“處理”是指將氣流引入容器中以在將組分與另一組分接觸之前對(duì)該組分進(jìn)行預(yù)處理。處理包括使硅和/或兩種或更多種不同的金屬接觸，以在方法的步驟(1)中和/或在方法的步驟(2)之前還原或以其他方式活化它們，然后與包含鹵代硅烷的成分接觸。

“停留時(shí)間”是指組分在連續(xù)過(guò)程中穿過(guò)反應(yīng)器系統(tǒng)所花的時(shí)間或組分在分批過(guò)程中在反應(yīng)器中度過(guò)的時(shí)間。例如，步驟(1)中的停留時(shí)間是指當(dāng)硅合金催化劑以連續(xù)過(guò)程穿過(guò)反應(yīng)器系統(tǒng)時(shí)一個(gè)反應(yīng)器容積的硅合金催化劑與包含鹵代硅烷的成分進(jìn)行接觸期間的時(shí)間、或硅合金催化劑在分批過(guò)程中被放置在反應(yīng)器內(nèi)的期間的時(shí)間?？蛇x擇地，停留時(shí)間可以指在步驟(1)中對(duì)于一個(gè)反應(yīng)器容積的反應(yīng)氣體穿過(guò)裝有硅合金催化劑的反應(yīng)器的時(shí)間。(例如，停留時(shí)間包括在步驟(1)中對(duì)于一個(gè)反應(yīng)器容積的和包含鹵代硅烷的成分穿過(guò)裝有硅合金催化劑的反應(yīng)器的時(shí)間、或在本文描述的方法的步驟(2)中對(duì)于一個(gè)反應(yīng)器容積的鹵代硅烷穿過(guò)裝有反應(yīng)物的反應(yīng)器的時(shí)間。)

“硅合金催化劑”是指在本文描述的方法的步驟(1)中形成的和/或在本文描述的方法的步驟(3)中重新形成的固體產(chǎn)物。

“廢催化劑”是指在步驟(2)之后(和在步驟(4)之后，當(dāng)步驟(4)存在時(shí))的硅合金催化劑。在步驟(2)(或步驟(4))之后的廢催化劑含有的硅的量少于在步驟(1)之后并且在開始步驟(2)之前(或在步驟(3)之后并且在開始步驟(4)之前)的硅合金催化劑中的硅的量。廢催化劑可以，或可以不，被排出，即廢催化劑可以含有一些可以是或可以不是反應(yīng)性的硅。

除非上下文另外清楚地指出，否則單數(shù)形式“一(a)”、“一(an)”、和“所述(the)”包括復(fù)數(shù)指示物。“或”意指“和/或”。與量相關(guān)使用的修飾語(yǔ)“約”包括所陳述的值，并且具有由上下文所規(guī)定的含義(例如，包括與特定的量的測(cè)量相關(guān)聯(lián)的誤差度)。符號(hào)“±10％”表示所指示的測(cè)量值可以是從減去陳述的值的10％的量至加上陳述的值的10％的量。針對(duì)相同組分或性質(zhì)的所有范圍的端點(diǎn)是包括性的并且可獨(dú)立地組合(例如，“小于或等于25重量％，或5重量％至20重量％”的范圍包括“5重量％至25重量％”的范圍的端點(diǎn)和所有中間值等)。除了較寬的范圍之外，對(duì)較窄的范圍或較具體的組的公開不是對(duì)該較寬的范圍或較大的組的放棄。

后綴“(s)”旨在包括其修飾的術(shù)語(yǔ)的單數(shù)和復(fù)數(shù)二者，從而包括該術(shù)語(yǔ)中的至少一個(gè)(例如，一種或更多種著色劑(colorant(s))包括至少一種著色劑)?！叭芜x的”或“任選地”意指隨后描述的事件或情況可以發(fā)生或不可以發(fā)生，并且該描述包括其中該事件發(fā)生的情形和其中其不發(fā)生的情形。除非另有定義，否則本文使用的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)具有與本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的相同的含義?！敖M合”包括共混物、混合物、合金、反應(yīng)產(chǎn)物及類似物。

將所有引用的專利、專利申請(qǐng)和其他參考文獻(xiàn)通過(guò)參考以其整體并入本文。然而，如果本申請(qǐng)中的術(shù)語(yǔ)與被并入的參考文獻(xiàn)中的術(shù)語(yǔ)相矛盾或沖突，則來(lái)自本申請(qǐng)中的術(shù)語(yǔ)優(yōu)先于來(lái)自被并入的參考文獻(xiàn)中的沖突術(shù)語(yǔ)。

雖然為了說(shuō)明的目的已經(jīng)闡述了典型的實(shí)施方案，但是上述描述不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本文的范圍的限制。因此，在不脫離本文的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到各種修改、適應(yīng)和替代方案。