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面板、烤盤、烹飪器具及面板的制備方法與流程

文檔序號(hào):11821697閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種面板,其特征在于,包括:

面板主體,所述面板主體由微晶玻璃制成;和

不粘耐磨涂層,附設(shè)在所述面板主體的板面上;

其中,所述不粘耐磨涂層為陶瓷涂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板,其特征在于,

所述陶瓷涂層由陶瓷涂料制成,所述陶瓷涂料的主劑包括SiO2和Al2O3。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的面板,其特征在于,

所述面板主體由CaO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的面板,其特征在于,還包括:

粗糙層,所述面板主體的板面上形成有所述粗糙層,且所述不粘耐磨涂層附設(shè)在所述粗糙層的層面上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的面板,其特征在于,

所述粗糙層的粗糙度為50μm~80μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的面板,其特征在于,

所述不粘耐磨涂層的厚度為10μm~15μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的面板,其特征在于,

所述面板主體的厚度為3mm~5mm。

8.一種烤盤,其特征在于,具有由權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的面板所構(gòu)成的盤壁,所述不粘耐磨涂層附著在所述盤壁的內(nèi)表面上。

9.一種烹飪器具,其特征在于,包括如權(quán)利要求8所述的烤盤。

10.一種面板的制備方法,用于制備如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的面板,其特征在于,包括:

步驟S30:將涂料噴涂到微晶玻璃制成的面板主體的板面上;

步驟S40:將涂覆有涂料的所述面板主體置于爐子中燒結(jié)固化,形成不粘耐磨涂層;

其中,在所述步驟S30中,所述涂料為陶瓷涂料。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的面板的制備方法,其特征在于,

在所述步驟S30中,采用氣壓噴涂工藝將所述涂料涂覆到所述面板主體的板面上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的面板的制備方法,其特征在于,

在所述步驟S30中,氣壓噴涂工藝的參數(shù)為:噴嘴口徑:0.5mm~1.8mm,供給噴槍的空氣壓力為0.3Mpa~0.6Mpa,噴嘴與被噴面的距離為20cm~30cm,噴涂角度為90°±5°。

13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的面板的制備方法,其特征在于,所述步驟S40具體包括:

步驟S402:在第一設(shè)定溫度下加熱第一設(shè)定時(shí)間,以除去所述涂料中的溶劑;

步驟S404:在第二設(shè)定溫度下加熱第二設(shè)定時(shí)間,以使所述涂料固化,形成所述不粘耐磨涂層;

其中,所述第一設(shè)定溫度低于所述第二設(shè)定溫度。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的面板的制備方法,其特征在于,

在所述步驟S402中,所述第一設(shè)定溫度為65℃~85℃,所述第一設(shè)定時(shí)間為10min~15min;

在所述步驟S404中,所述第二設(shè)定溫度為260℃~280℃,所述第二設(shè)定時(shí)間為20min~25min。

15.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的面板的制備方法,其特征在于,在所述面板主體的板面上噴涂所述陶瓷涂料之前包括:

步驟S10:對(duì)所述面板主體其中一側(cè)的板面進(jìn)行噴砂處理,使所述面板主體的板面上形成粗糙層,并清掃所述粗糙層上的顆粒物;

其中,在所述步驟S30中,將所述涂料噴涂到所述粗糙層的層面上。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的面板的制備方法,其特征在于,

在所述步驟S10中,采用金剛砂對(duì)所述面板主體的板面進(jìn)行噴砂處理,采用空氣流清掃所述粗糙層上的顆粒物,且噴砂處理后得到的所述粗糙層的粗糙度為50μm~80μm。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的面板的制備方法,其特征在于,在對(duì)所述面板主體進(jìn)行噴砂處理后包括:

步驟S20:將所述面板主體加熱至第三設(shè)定溫度;或

步驟S20’:對(duì)噴砂處理后的所述面板主體在第四設(shè)定溫度范圍內(nèi)進(jìn)行脫脂處理,然后將所述面板主體冷卻至所述第三設(shè)定溫度。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的面板的制備方法,其特征在于,

所述第三設(shè)定溫度為35℃~55℃,所述第四設(shè)定溫度范圍為150℃~200℃。

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