一種微晶噴墨拋光磚的制備工藝，屬于房屋裝飾材料技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的瓷磚是以耐火的金屬氧化物及半金屬氧化物，經(jīng)由研磨、混合、壓制、施釉、燒結(jié)過程制作形成。瓷磚上的花紋一般都是由施釉步驟形成釉料層展現(xiàn)出來，但是這種釉面磚的釉料層的厚度如果較小時(shí)，則瓷磚會(huì)在較短的使用時(shí)間內(nèi)就會(huì)磨透釉料層，使得瓷磚的原有花紋小時(shí)。而如果增大釉料層的厚度，成本會(huì)大幅度增加，降低市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力?，F(xiàn)在也有的瓷磚不再設(shè)釉層，而是直接對(duì)瓷磚的坯體進(jìn)行拋光，以得到一種表面光亮的瓷磚。但是這種拋光磚的表面無法形成多種多樣的花紋，格調(diào)單一，不符合大眾審美需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種耐磨又花色多樣的微晶噴墨拋光磚的制備工藝。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：該微晶噴墨拋光磚的制備工藝，其特征在于制備步驟為：

1）先將坯體生料磨粉制成坯體生料粉后進(jìn)行無規(guī)落料；

2）向坯體生料粉上均勻噴墨漿，然后壓制為坯體餅；

3）將坯體餅扒開，造成貫通坯體餅的無規(guī)待填充區(qū)；

4）坯料熟料落料至上述扒開后的坯體餅上填充待填充區(qū)實(shí)現(xiàn)透料充填；

5）透料充填后重新進(jìn)行壓制成型制得上坯體；

6）在上坯體上鋪覆底坯得到預(yù)燒件，底坯所用的坯體生料組成與步驟1）的坯體生料組成相同；

7）預(yù)燒件在200℃~220℃的干燥溫度下干燥45 min ~60min；

8）對(duì)預(yù)燒件進(jìn)行燒制，爐溫預(yù)熱至900℃后，預(yù)燒件進(jìn)爐，以15℃/10min ~22℃/10min的升溫速率逐漸升溫至1090℃~1105℃后進(jìn)行第一次保溫38min ~43min，然后再以10℃/10min ~20℃/10min的升溫速率逐漸升溫至1207℃~1212℃后進(jìn)行第二次保溫95min ~110min，第二次保溫完成后以65℃/10min ~120℃/10min的降溫速率快速降溫至室溫；

9）燒制后對(duì)上坯體面進(jìn)行拋光即得。

本微晶噴墨拋光磚的制備工藝采用二次布料方式，二次布料的上坯體和底坯均為同一基料，磚面與磚底完全統(tǒng)一既能達(dá)到玉石渾然天成效果，同時(shí)減少了因底面料不匹配造成的磚后期反彈變形。對(duì)于上坯體經(jīng)步驟3）、4）添加孰料和墨漿形成的底面料間的不匹配問題本發(fā)明通過步驟7）的干燥工藝和步驟8）的燒成曲線加以克服，首先通過干燥工藝使的上坯體和底坯內(nèi)保留適量的水分，再通過控制升溫速率控制底面料內(nèi)的結(jié)晶速率，在達(dá)到一定的結(jié)晶度時(shí)先在較低的溫度下進(jìn)行短時(shí)間保溫以穩(wěn)定晶型，然后降低升溫速率進(jìn)一步控制晶型成長(zhǎng)，最終在1207℃~1212℃的高溫下長(zhǎng)時(shí)間保溫，穩(wěn)定產(chǎn)品微結(jié)構(gòu)，然后迅速降溫，使磚面與磚底完全統(tǒng)一既能達(dá)到玉石渾然天成效果，同時(shí)徹底解決了磚的后期反彈變形。本發(fā)明通過獨(dú)特的形象布料、色料勾畫、透料充填、粉顆演繹四大核心技術(shù)精鑄。產(chǎn)品表面形成山川地脈、熔巖團(tuán)塊、峽谷地裂、碎石散布等自然紋理效果。將大峽谷起伏綿延、百轉(zhuǎn)千回、險(xiǎn)峻飄逸的自然氣象完美拓印，還原大自然的鬼斧神工。坯體中不同顏色的粉料經(jīng)過預(yù)混擠壓后，形成起伏連綿的山脈紋理，線條灑脫，寫意逼真。為了使產(chǎn)品立體更強(qiáng)紋理更加細(xì)膩，還采用了噴墨漿的墨拋霧化工藝配合刮平步驟，使墨拋經(jīng)過霧化后均勻的分布于熔巖、團(tuán)塊的周圍，形成顏色鮮艷的石線，或深或淺，形象地勾畫出熔巖團(tuán)塊的輪廓，極富立體感。坯體餅經(jīng)過預(yù)壓后的粉料，用壓械手扒開，形成縱橫交錯(cuò)的峽谷地勢(shì)風(fēng)貌，然后在將超透料（孰料）填充其間，使得紋理更加逼真、立體，超透料的使用，使產(chǎn)品更加貼近玉質(zhì)質(zhì)感。孰料的自由灑落配合刮平是孰料粉隨意布料，演繹出產(chǎn)品表面自然飄逸的紋理圖案。該工藝制成的微晶噴墨拋光磚的紋理圖案具有隨機(jī)性，每一塊磚都具有自己獨(dú)特的花紋，且花紋為整個(gè)上坯體層所具有的花紋，不會(huì)隨著摩擦導(dǎo)致磚花紋消失。

優(yōu)選的，所述的步驟1）中先將坯體生料粉壓制為坯料條，并將坯料條破碎成最長(zhǎng)對(duì)角線3cm~10cm的形狀不規(guī)則的小塊體，相鄰小塊體之間的間距為2.5cm ~15cm；然后繼續(xù)灑落坯體生料粉填充小塊體間的空隙后再繼續(xù)進(jìn)行步驟2）的操作。本工藝兩次坯體生料的使用可以將不同顏色的粉料進(jìn)行自由組合搭配，經(jīng)過預(yù)混預(yù)壓，破碎后形成顏色層次分明，團(tuán)塊大小不一，數(shù)量不一的熔巖團(tuán)塊，隨機(jī)分布于拋光磚表面上，更加貼近原石效果，層次更加分明。

優(yōu)選的，所述的坯體生料重量份組成包括：鈉長(zhǎng)石35~45份，鉀長(zhǎng)石 17~24份，球土 20~28份，高鋁石 3~7份，滑石 2~4份。該配方既能達(dá)到類似天然玉石裝飾效果同時(shí)又避免了針孔毛孔等磚面防污缺陷。優(yōu)質(zhì)選材確保產(chǎn)品綠色環(huán)保且無輻射污染。球土因開采時(shí)壓成球狀而得名，是由高嶺石構(gòu)成并混有一定數(shù)量的石英、云母及有機(jī)質(zhì)等雜質(zhì)的一種可塑黏土。高鋁石又稱鋁礬土土或鋁土礦，主要成分是氧化鋁，系含有雜質(zhì)的水合氧化鋁，是一種土狀礦物。

所述的孰料可以使用本領(lǐng)域常用的坯體熟料，在本發(fā)明的工藝下均能達(dá)到較好的效果。

優(yōu)選的，步驟3）所述的坯體餅被扒開后形成最長(zhǎng)對(duì)角線10cm~25cm的形狀不規(guī)則的大塊體，相鄰大塊體之間的間距為0.6 cm ~3cm。在該優(yōu)選條件下，形成圖案更契合自然，更加美觀。

優(yōu)選的，步驟2）所述的墨漿的重量份組成包括：鈉長(zhǎng)石27~33份，鉀長(zhǎng)石 27~33份，球土 13~17份，高鋁石8~12份，葉臘石 8~12份，滑石 3~7份。該墨漿配合本發(fā)明工藝既能體現(xiàn)出普通拋光磚所沒有的細(xì)膩紋理和豐富色彩，發(fā)色艷麗且完全不會(huì)出現(xiàn)后期龜裂、變形針孔等諸多缺陷。

優(yōu)選的，步驟7）所述的預(yù)燒件在200℃的干燥溫度下干燥60min。

優(yōu)選的，步驟8）所述的第一次保溫的溫度為1100℃，保溫時(shí)間為40min。

優(yōu)選的，步驟8）所述的第二次保溫的溫度為1210℃，保溫時(shí)間為100min。

干燥和燒制的上述優(yōu)選條件下，能夠使本發(fā)明的拋光磚達(dá)到最佳的狀態(tài)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的一種微晶噴墨拋光磚的制備工藝所具有的有益效果是：本微晶噴墨拋光磚的制備工藝通過燒成制度的控制使磚面與磚底完全統(tǒng)一既能達(dá)到玉石渾然天成效果，同時(shí)徹底解決了磚的后期反彈變形。本發(fā)明制得的產(chǎn)品表面形成山川地脈、熔巖團(tuán)塊、峽谷地裂、碎石散布等自然紋理效果。將大峽谷起伏綿延、百轉(zhuǎn)千回、險(xiǎn)峻飄逸的自然氣象完美拓印，還原大自然的鬼斧神工。該工藝制成的微晶噴墨拋光磚的紋理圖案具有隨機(jī)性，每一塊磚都具有自己獨(dú)特的花紋，且花紋為整個(gè)上坯體層所具有的花紋，不會(huì)隨著摩擦導(dǎo)致磚花紋消失。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的一種微晶噴墨拋光磚的制備工藝做進(jìn)一步說明，其中實(shí)施例1為最佳實(shí)施例。

實(shí)施例1：

1）按坯體生料重量份組成：鈉長(zhǎng)石40份，鉀長(zhǎng)石 40份，球土 25份，高鋁石 5份，滑石 3份稱取物料；將坯體生料磨粉后壓制成坯體條；再將該坯條餅破碎成最長(zhǎng)對(duì)角線3cm~10cm的形狀不規(guī)則的小塊體，相鄰小塊體之間的間距為2.5cm ~15cm；然后繼續(xù)灑落坯體生料粉填充小塊體間的空隙后再次進(jìn)行壓制制成坯體餅；

2）向坯體生料粉上均勻噴墨漿，然后壓制為坯體餅；墨漿的重量份組成包括：鈉長(zhǎng)石30份，鉀長(zhǎng)石 30份，球土 15份，高鋁石10份，葉臘石 10份，滑石 5份；

3）利用壓械手將二次坯體餅扒開，造成貫通坯體餅的待填充區(qū)，壓械手將坯體餅扒開后形成最長(zhǎng)對(duì)角線15cm~25cm的形狀不規(guī)則的大塊體，相鄰大塊體之間的間距為0.6 cm ~3cm；

4）向上述扒開后的坯體餅上自由灑落坯料熟料粉實(shí)現(xiàn)透料充填；

5）對(duì)坯料熟料重新進(jìn)行壓制成型制得上坯體；

6）在上坯體上鋪覆與步驟1）相同坯體生料組成壓制成的底坯，并進(jìn)行規(guī)格切割得到預(yù)燒件；

7）預(yù)燒件在200℃的干燥溫度下干燥60min；

8）對(duì)預(yù)燒件進(jìn)行燒制，每10min記錄一次溫度的溫度記錄：對(duì)預(yù)燒件進(jìn)行燒制，爐溫預(yù)熱至900℃后，預(yù)燒件進(jìn)爐，以15℃/10min ~22℃/10min的升溫速率逐漸升溫至1100℃后進(jìn)行第一次保溫40min，然后再以10℃/10min ~20℃/10min的升溫速率逐漸升溫至1220℃后進(jìn)行第二次保溫100min，第二次保溫完成后以65℃/10min ~120℃/10min的降溫速率快速降溫至室溫；

溫度記錄

；

9）燒制后對(duì)上坯體面進(jìn)行拋光即得。

實(shí)施例2：

1）按坯體生料重量份組成：鈉長(zhǎng)石35份，鉀長(zhǎng)石24份，球土 20份，高鋁石 7份，滑石 2份稱取物料；將坯體生料磨粉后壓制成坯體條；再將該坯料條破碎成最長(zhǎng)對(duì)角線3cm~10cm的形狀不規(guī)則的小塊體，相鄰小塊體之間的間距為2.5cm ~15cm；然后繼續(xù)灑落坯體生料粉填充小塊體間的空隙后再次進(jìn)行壓制制成坯體餅；

2）向坯體生料粉上均勻噴墨漿，然后壓制為坯體餅；墨漿的重量份組成包括：鈉長(zhǎng)石27份，鉀長(zhǎng)石 33份，球土 13份，高鋁石12份，葉臘石 8份，滑石 7份；

3）利用壓械手將二次坯體餅扒開，造成貫通坯體餅的待填充區(qū)，壓械手將坯體餅扒開后形成最長(zhǎng)對(duì)角線15cm~25cm的形狀不規(guī)則的大塊體，相鄰大塊體之間的間距為0.6 cm ~3cm；

4）向上述扒開后的坯體餅上自由灑落坯料熟料粉實(shí)現(xiàn)透料充填；

5）對(duì)坯料熟料重新進(jìn)行壓制成型制得上坯體；

6）在上坯體上鋪覆與步驟1）相同坯體生料組成壓制成的底坯，并進(jìn)行規(guī)格切割得到預(yù)燒件；

7）預(yù)燒件在210℃的干燥溫度下干燥55min；

8）對(duì)預(yù)燒件進(jìn)行燒制，每10min記錄一次溫度燒成曲線：對(duì)預(yù)燒件進(jìn)行燒制，爐溫預(yù)熱至900℃后，預(yù)燒件進(jìn)爐，以15℃/10min ~22℃/10min的升溫速率逐漸升溫至1105℃后進(jìn)行第一次保溫38min，然后再以10℃/10min ~20℃/10min的升溫速率逐漸升溫至1222℃后進(jìn)行第二次保溫95min，第二次保溫完成后以65℃/10min ~120℃/10min的降溫速率快速降溫至室溫；

溫度記錄

；

9）燒制后對(duì)上坯體面進(jìn)行拋光即得。

實(shí)施例3：

1）按坯體生料重量份組成：鈉長(zhǎng)石45份，鉀長(zhǎng)石 17份，球土 28份，高鋁石 3份，滑石 4份稱取物料；將坯體生料磨粉后進(jìn)行無規(guī)落料；

2）向坯體生料粉上均勻噴墨漿，然后壓制為坯體餅；墨漿的重量份組成包括：鈉長(zhǎng)石33份，鉀長(zhǎng)石 27份，球土17份，高鋁石8份，葉臘石 12份，滑石 3份；

3）利用壓械手將坯體餅扒開，造成貫通坯體餅的待填充區(qū)，壓械手將坯體餅扒開后形成最長(zhǎng)對(duì)角線10cm~25cm的形狀不規(guī)則的大塊體，相鄰大塊體之間的間距為0.6 cm ~3cm；

4）向上述扒開后的坯體餅上自由灑落坯料熟料粉實(shí)現(xiàn)透料充填；

5）對(duì)坯料熟料重新進(jìn)行壓制成型制得上坯體；

6）在上坯體上鋪覆與步驟1）相同坯體生料組成壓制成的底坯，并進(jìn)行規(guī)格切割得到預(yù)燒件；

7）預(yù)燒件在220℃的干燥溫度下干燥45 min；

8）對(duì)預(yù)燒件進(jìn)行燒制，每10min記錄一次溫度燒成曲線：對(duì)預(yù)燒件進(jìn)行燒制，爐溫預(yù)熱至900℃后，預(yù)燒件進(jìn)爐，以15℃/10min ~22℃/10min的升溫速率逐漸升溫至1090℃后進(jìn)行第一次保溫43min，然后再以10℃/10min ~20℃/10min的升溫速率逐漸升溫至1217℃后進(jìn)行第二次保溫110min，第二次保溫完成后以65℃/10min ~120℃/10min的降溫速率快速降溫至室溫；

溫度記錄

；

9）燒制后對(duì)上坯體面進(jìn)行拋光即得。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非是對(duì)本發(fā)明作其它形式的限制，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員可能利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容加以變更或改型為等同變化的等效實(shí)施例。但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與改型，仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。