本發(fā)明屬于硅料回收處理技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種可實(shí)現(xiàn)單晶鍋底料有效清洗的工藝。
背景技術(shù):
行業(yè)內(nèi)復(fù)拉單晶硅棒產(chǎn)生的單晶鍋底料,由于其表面粘附大量的坩堝等雜質(zhì)因難以分離而難以重復(fù)利用,只能采用人工挑選的方式進(jìn)行硅料分選或者用HF浸泡的方式進(jìn)行清洗,這就使得這種原料的銷售價(jià)值較低而利用成本卻很高。因此,市場(chǎng)上存有大量此種硅料難以重復(fù)利用,一種低成本的、便捷的硅料處理方式成為必然的需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題,本發(fā)明提供一種可實(shí)現(xiàn)單晶鍋底料有效清洗的工藝,有效的去除單晶鍋底料表面附著坩堝雜質(zhì)。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
一種可實(shí)現(xiàn)單晶鍋底料有效清洗的工藝,包括以下步驟:
(1)將塊狀單晶鍋底料倒入滾筒中;
(2)將裝料的滾筒放入燒堿溶液中進(jìn)行滾動(dòng)清洗;
(3)將堿洗完的硅料用清水沖洗后放入酸液中滾動(dòng)清洗;
(4)將酸洗后的硅料用清水多次滾動(dòng)清洗后取出;
(5)進(jìn)行硅料分選,撿出塊狀雜質(zhì)即可;
(6)將分選后的硅料用純水進(jìn)行超聲波清洗后烘干、包裝。
所述步驟(1)中塊狀單晶鍋底料占滾筒容積的1/4-1/3,以便于滾筒滾動(dòng)過程中硅料有足夠的活動(dòng)空間。
所述步驟(2)中燒堿溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%-20%,溫度為35-40℃,進(jìn)行滾動(dòng)清洗40-50min后停止,以對(duì)硅料表面進(jìn)行腐蝕并對(duì)表面雜質(zhì)進(jìn)行摩擦碰撞。
所述步驟(3)中酸液為鹽酸與氫氟酸的混合酸,體積比為HF:HCl:水=1:1:1~4,滾動(dòng)清洗10min-20min,以去除表面的堿液及部分可溶性雜質(zhì)。
所述步驟(4)中將酸洗后的硅料用三道清水各滾動(dòng)清洗3-5min后取出,以清洗掉酸液。
所述步驟(5)中將經(jīng)酸堿清洗過程通過腐蝕和碰撞分離得到的硅料和塊狀雜質(zhì)進(jìn)行篩分,塊狀雜質(zhì)會(huì)以極小顆粒的形式存在于硅料的底部,撿出即可。
所述步驟(6)是便于去除水中的雜質(zhì)離子。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下優(yōu)異技術(shù)效果:
通過對(duì)硅料清洗方式及酸堿清洗時(shí)間的控制,達(dá)到有效清洗復(fù)拉單晶鍋底料外表面粘附的難熔的坩堝等非硅雜質(zhì),從而使硅料得以重復(fù)利用,從而可以有效的降低單晶鍋底料的利用成本。
具體實(shí)施方式
以下通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步解釋說明:
實(shí)施例1
一種可實(shí)現(xiàn)單晶鍋底料有效清洗的工藝,包括以下步驟:
(1)將塊狀單晶鍋底料50kg倒入滾筒中,約占滾筒容積的1/4-1/3;
(2)將裝料的滾筒放入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%的燒堿溶液中(35℃),進(jìn)行滾動(dòng)清洗40min后停止;
(3)將堿洗完的硅料用清水進(jìn)行沖洗后放入酸液中滾動(dòng)清洗10min(酸液為鹽酸與氫氟酸的混合酸,體積比為HF:HCl:水=1:1:2);
(4)將酸洗后的硅料用三道清水各滾動(dòng)清洗3min后取出,以清洗掉酸液;
(5)進(jìn)行硅料分選,將經(jīng)酸堿清洗過程通過腐蝕和碰撞分離得到的硅料和塊狀雜質(zhì)進(jìn)行篩分,塊狀雜質(zhì)會(huì)以極小顆粒的形式存在于硅料的底部,撿出即可;
(6)將分選后的硅料用純水進(jìn)行超聲波清洗后烘干、包裝。
通過此方法清洗的硅料,可以有效的去除單晶鍋底料表面附著坩堝雜質(zhì)。
實(shí)施例2
一種可實(shí)現(xiàn)單晶鍋底料有效清洗的工藝,包括以下步驟:
(1)將塊狀單晶鍋底料80kg倒入滾筒中,約占滾筒容積的1/4-1/3;
(2)將裝料的滾筒放入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%的燒堿溶液中(40℃),進(jìn)行滾動(dòng)清洗50min后停止;
(3)將堿洗完的硅料用清水進(jìn)行沖洗后放入酸液中滾動(dòng)清洗20min(酸液為鹽酸與氫氟酸的混合酸,體積比為HF:HCl:水=1:1:2);
(4)將酸洗后的硅料用三道清水各滾動(dòng)清洗5min后取出,以清洗掉酸液;
(5)進(jìn)行硅料分選,將經(jīng)酸堿清洗過程通過腐蝕和碰撞分離得到的硅料和塊狀雜質(zhì)進(jìn)行篩分,塊狀雜質(zhì)會(huì)以極小顆粒的形式存在于硅料的底部,撿出即可;
(6)將分選后的硅料用純水進(jìn)行超聲波清洗后烘干、包裝。
通過此方法清洗的硅料,可以有效的去除單晶鍋底料表面附著坩堝雜質(zhì)。