技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明在電阻爐合成單晶碳化硅制備方法，而單晶碳化硅是屬半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中一種半導(dǎo)體芯片高性能材料。
廣泛用于高科技及國防工業(yè)上。
技術(shù)前景：
單晶碳化硅合成有許多方法，常用單晶碳化硅合成方法是“開華法”是在真空一般為10-30毫米汞柱的碳管爐內(nèi)。靠填于管內(nèi)sic爐內(nèi)升華。在內(nèi)壁生長合成單晶碳化硅，晶體小、質(zhì)量不理想。
創(chuàng)造性突破半導(dǎo)體高性能芯片材料單晶碳化硅合成新方法?，F(xiàn)發(fā)明電阻爐合成單晶碳化硅制備方法是“溶解法”，其技術(shù)條件必須具備溫度2600之間，結(jié)晶合成，有形成單晶碳化硅晶體空間，在此空間中，sic是過飽和濃度狀態(tài)，形成空氣溫流，飽和溶態(tài)狀，必須溫度恒定，不受外界氣流沖擊密封狀態(tài)中。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
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本發(fā)明電阻爐合成單晶碳化硅嚴(yán)格控制溫度在2600度形成結(jié)晶空間，制備方法是要電阻爐中埋入密封石墨坩鍋，不受對流沖擊影響。
按配方比例配料sic晶體與粘結(jié)劑樹脂干粉攪拌均勻，木模成型。然后在電爐干燥箱加熱固化放入石墨坩鍋，輔以錄碳化硅及硅砂為填充料，在電阻爐合成單晶碳化硅，質(zhì)量好，晶體大。
新穎性特征：比單晶硅在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、熱學(xué)性質(zhì)，導(dǎo)電性質(zhì)等，在各方面都有明顯的優(yōu)越。
其特點：耐高溫抗燒蝕，硬度高耐磨損，強度高，耐抗壓。耐老化壽命長，電阻低導(dǎo)電好。
電阻爐合成單晶碳化硅，填補半導(dǎo)體芯片高性能材料的空白。單晶碳化硅、投資少、效益高，特別適合中小企業(yè)開發(fā)生產(chǎn)、經(jīng)濟及社會效益顯著。