本發(fā)明屬于陶瓷材料技術領域，特別涉及一種制備反射鏡用碳化硅造粒粉的制造方法。
背景技術：
反射鏡是大型太空望遠鏡、大型地面望遠鏡、探測衛(wèi)星、偵察衛(wèi)星、氣象衛(wèi)星、高能激光武器、激光雷達系統(tǒng)和高分辨率空間相機光學系統(tǒng)的重要組成部分。反射鏡制備材料要求：熱穩(wěn)定性好、比剛度高、具有電磁波的衍射極限分辨率、低的散射率、可加工出減重結構。碳化硅材料除滿足反射鏡要求的物理性能外，致密碳化硅陶瓷經研磨、拋光、鍍膜后能夠達到可見光范圍的衍射極限分辨率，因此碳化硅是目前制備反射鏡的首選材料。無壓固相燒結是目前制備碳化硅反射鏡的一種常用工藝，采用該工藝可制備出高致密度、高反射率的碳化硅反射鏡。
無壓固相燒結碳化硅造粒粉在制備過程中，易出現(xiàn)空心球形顆粒，這是由于陶瓷料漿在攪拌過程中產生氣泡，噴霧造粒時粘結劑包裹氣泡產生的。陶瓷燒結過程中，空心球形顆粒處由于粘結劑的聚集會產生氣孔缺陷，這將嚴重影響反射鏡表面加工質量。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于避免碳化硅造粒粉制備過程中空心球形顆粒的產生。提供一種可制備高表面質量碳化硅反射鏡的造粒粉制備方法。
一種制備反射鏡用碳化硅造粒粉的制造方法，包括以下步驟，以去離子水為溶劑，依次加入碳化硅粉、燒結助劑、分散劑、塑化劑、粘結劑、消泡劑進行攪拌，攪拌均勻后經真空除泡、噴霧干燥得到碳化硅造粒粉。
進一步地，所述的碳化硅粉為α-SiC，粉體D50＜1μm，純度＞98％。
進一步地，所述的燒結助劑為B4C、B或BN中的一種或幾種與C組成，其添加量為碳化硅粉質量的1％-10％，主要用于促進碳化硅陶瓷的燒結，優(yōu)選B4C、B或BN與C的配比為(1-10):(10-1)，更優(yōu)選為(1-6):(6-1)，最優(yōu)為4:1。
進一步地，所述的分散劑為甲基戊醇、四甲基氫化銨、氨基乙醇中的一種，其添加量為碳化硅粉質量的0.1％-2％，有利于碳化硅粉體均勻分散于溶液。
進一步地，所述塑化劑為鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙基己酯、鄰苯二甲酸二辛酯中的一種，其添加量為碳化硅粉質量的1％-15％，增加碳化硅粉體的塑性，有助于粉體與粘結劑的結合。
進一步地，所述粘結劑為聚乙烯醇、聚乙二醇、聚乙烯醇縮丁醛中的一種，其添加量為碳化硅粉質量的2％-20％，噴霧造粒過程中起到將粉體粘結成球型作用。
進一步地，所述消泡劑為正辛醇、聚氧乙烯聚氧丙烯季戊四醇醚、聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚中的一種，其添加量為碳化硅粉質量的0.01％-1％，用于消除漿料中的氣泡。
進一步地，所述真空除泡過程包括以下步驟：首先將攪拌均勻的陶瓷料漿置于真空除泡機中，真空度控制在5-50Pa，保持0.5-2小時后取出。
進一步地，所述噴霧干燥過程包括以下步驟：調整進口溫度為220-280℃，出口溫度為75-95℃，霧化器頻率設置為150-180HZ，抽風機頻率設置為40-50HZ，按照上述設置可保證造粒粉體中水分含量控制在0.7％-1.2％，有利于粉體干壓成型。
進一步地，包括以下步驟：1)混料：立式攪拌磨中加入適量碳化硅磨介，碳化硅磨介與陶瓷料漿質量比為(1.5-3):1；按照去離子水與碳化硅粉料質量比(1.2-2):1加入去離子水與碳化硅粉；以碳化硅粉為基準，加入燒結助劑1％-10％、分散劑0.1％-2％、消泡劑0.01％-1％，混合后開始攪拌。攪拌1小時后，加入塑化劑1％-15％，繼續(xù)攪拌0.5小時后加入粘結劑2％-20％，再攪拌1小時后抽出漿料。2)真空除泡：將攪拌均勻的陶瓷料漿置于真空除泡機中，真空度控制在5-50Pa，保持0.5-2小時后取出。3)噴霧干燥：調整進口溫度在220-280℃，出口溫度在75-95℃，霧化器頻率設置在150-180HZ，抽風機頻率設置為40-50HZ。
進一步地，以碳化硅粉為基準，加入燒結助劑3％-8％、分散劑0.5％-1.2％、消泡劑0.03％-0.6％，混合后開始攪拌。攪拌1小時后，加入塑化劑3％-9.2％，繼續(xù)攪拌0.5小時后加入粘結劑8％-12％，再攪拌1小時后抽出漿料。
進一步地，提供一種如上述的制備方法制備得到的碳化硅造粒粉。
本發(fā)明通過添加適當比例的粘結劑、分散劑、塑化劑、消泡劑，以及真空除泡過程，避免碳化硅造粒粉制備過程中空心球形顆粒的產生，有效提高了碳化硅反射鏡表面加工質量。
利用本發(fā)明所述方法制備的造粒粉球形度高(見圖1)、粒度分布均勻、流動性好、空心球形顆粒產生少，適用于表面加工質量要求高的碳化硅陶瓷部件。本發(fā)明制備的碳化硅造粒粉霍爾流速為2.5s/g，休止角：25°-26°，松裝密度：0.7-0.8g/cm3，造粒粉D50在55μm左右。
本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在所寫的說明書、權利要求書、以及附圖中所特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得。
附圖說明
附圖僅用于示出具體實施例的目的，而并不認為是對本發(fā)明的限制，在整個附圖中，圖1為碳化硅造粒粉投影照片。
具體實施方式
下面結合附圖來具體描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其中，附圖構成本申請一部分，并與本發(fā)明的實施例一起用于闡釋本發(fā)明的原理。
實施例1：
一種制備反射鏡用碳化硅造粒粉的制造方法，包括以下步驟：
1)混料：立式攪拌磨中加入適量碳化硅陶瓷磨介，碳化硅陶瓷磨介與陶瓷料漿質量比為2:1；按照去離子水與碳化硅粉料質量比1.6:1加入去離子水與碳化硅粉；以碳化硅粉為基準，加入B4C、B與C的混合物5％、四甲基氫化銨1％、正辛醇0.1％，混合后開始攪拌。攪拌1小時后，加入鄰苯二甲酸二乙基己酯6％，繼續(xù)攪拌0.5小時后加入聚乙二醇10％，再攪拌1小時后抽出漿料。
2)真空除泡：將攪拌均勻的陶瓷料漿置于真空除泡機中，真空度控制在20Pa，保持1小時后取出。
3)噴霧干燥：調整進口溫度在250℃，出口溫度在90℃，霧化器頻率設置在160HZ，抽風機頻率設置為45HZ。
按照上述制備過程，可得到造粒粉球形度高、粒度分布均勻、流動性好、空心球形顆粒產生少的碳化硅造粒粉。制備的碳化硅造粒粉霍爾流速為2.5s/g，休止角：25°-26°，松裝密度：0.7-0.8g/cm3，造粒粉D50在55μm左右。
實施例2：
一種制備反射鏡用碳化硅造粒粉的制造方法，包括以下步驟：
1)混料：立式攪拌磨中加入適量碳化硅陶瓷磨介，碳化硅陶瓷磨介與陶瓷料漿質量比為2.5:1；按照去離子水與碳化硅粉料質量比1.8:1加入去離子水與碳化硅粉；以碳化硅粉為基準，加入B4C、B與C的混合物6.8％、、氨基乙醇1.1％、聚氧乙烯聚氧丙烯季戊四醇醚0.25％，混合后開始攪拌。攪拌1小時后，加入鄰苯二甲酸二辛酯12％，繼續(xù)攪拌0.5小時后加入聚乙烯醇縮丁醛13.5％，再攪拌1小時后抽出漿料。
2)真空除泡：將攪拌均勻的陶瓷料漿置于真空除泡機中，真空度控制在10Pa，保持2小時后取出。
3)噴霧干燥：調整進口溫度在230℃，出口溫度在85℃，霧化器頻率設置在170HZ，抽風機頻率設置為40HZ。
按照上述制備過程，可得到造粒粉球形度高、粒度分布均勻、流動性好、空心球形顆粒產生少的碳化硅造粒粉。制備的碳化硅造粒粉霍爾流速為2.5s/g，休止角：25°-26°，松裝密度：0.7-0.8g/cm3，造粒粉D50在55μm左右。
以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。