本公開內(nèi)容大體上涉及陶瓷基質(zhì)復(fù)合物(cmc)結(jié)構(gòu)，并且具體地涉及用于在修復(fù)周期期間保護(hù)cmc結(jié)構(gòu)的特征的方法。

背景技術(shù)：

用于制造cmc結(jié)構(gòu)的各種方法是已知的。cmc結(jié)構(gòu)可通過熔體滲透(mi)制造。使用mi，預(yù)形件可置于室中，且布置成與液態(tài)硅源接觸。液態(tài)硅可與預(yù)形件材料反應(yīng)。cmc結(jié)構(gòu)還可使用化學(xué)氣相滲透(cvi)來制造。對(duì)于cvi的執(zhí)行，預(yù)形件可置于蒸氣室中來引起室的蒸氣與預(yù)形件的材料之間的反應(yīng)。cmc結(jié)構(gòu)還可使用聚合物浸漬和熱解(pip)來制造。對(duì)于pip的執(zhí)行，聚合碳化硅前體可用于滲透纖維狀預(yù)形件。cmc結(jié)構(gòu)還可使用過程的組合來制造。

cmc結(jié)構(gòu)在操作期間受到破壞。例如，cmc結(jié)構(gòu)可與剛性物體接觸且可變?yōu)榇檀┗蛄硗馐軗p的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一種方法包括將掩模應(yīng)用至cmc結(jié)構(gòu)，以及使具有應(yīng)用的掩模的cmc結(jié)構(gòu)經(jīng)歷用于修復(fù)cmc結(jié)構(gòu)的過程。在一個(gè)實(shí)施例中，將掩模應(yīng)用至cmc結(jié)構(gòu)可包括將掩模應(yīng)用至cmc結(jié)構(gòu)的特征。

技術(shù)方案1.一種方法，包括：

將掩模應(yīng)用至陶瓷基質(zhì)復(fù)合物(cmc)結(jié)構(gòu)；以及

使具有所述掩模的所述結(jié)構(gòu)經(jīng)歷修復(fù)過程。

技術(shù)方案2.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述修復(fù)過程包括熔體滲透(mi)。

技術(shù)方案3.根據(jù)技術(shù)方案2所述的方法，其中，所述掩模包括在所述修復(fù)過程中對(duì)液體潤(rùn)濕有抗性的材料。

技術(shù)方案4.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述掩模包括選自由包括氮化物的材料和包括氧化物的材料組成的組的抗?jié)櫇癫牧稀?/p>

技術(shù)方案5.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述掩模包括選自由包括氮化硼的材料和包括二氧化硅的材料組成的組的抗?jié)櫇癫牧稀?/p>

技術(shù)方案6.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述掩模包括在所述修復(fù)過程的處理?xiàng)l件下熱穩(wěn)定的材料。

技術(shù)方案7.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述修復(fù)過程包括熔體滲透，其中所述應(yīng)用包括將所述掩模應(yīng)用至所述結(jié)構(gòu)的功能特征，且其中所述掩模適于在熔體滲透期間阻止液態(tài)材料流至所述功能特征。

技術(shù)方案8.根據(jù)技術(shù)方案7所述的方法，其中，所述掩模包括bn，且其中所述液態(tài)材料包括液態(tài)硅。

技術(shù)方案9.根據(jù)技術(shù)方案7所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述液態(tài)材料包括液態(tài)硅。

技術(shù)方案10.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述修復(fù)過程包括化學(xué)氣相滲透(cvi)。

技術(shù)方案11.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述掩模包括抗氣化材料。

技術(shù)方案12.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述掩模包括抗?jié)櫇癫牧希隹節(jié)櫇癫牧习ǖ铩?/p>

技術(shù)方案13.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述修復(fù)過程包括化學(xué)汽相滲透，其中所述應(yīng)用包括將所述掩模應(yīng)用至所述結(jié)構(gòu)的功能特征，且其中所述掩模適于在化學(xué)氣相滲透期間阻止蒸氣流至所述功能特征。

技術(shù)方案14.根據(jù)技術(shù)方案13所述的方法，其中，所述掩模包括金屬材料，且其中所述方法包括在所述經(jīng)歷之后使用化學(xué)蝕刻過程除去所述掩模。

技術(shù)方案15.根據(jù)技術(shù)方案13所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述方法包括在所述經(jīng)歷之后使用化學(xué)蝕刻過程除去所述掩模。

技術(shù)方案16.根據(jù)技術(shù)方案13所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述方法包括在所述經(jīng)歷之后使用對(duì)于所述cmc結(jié)果是惰性的濕蝕刻劑除去所述掩模。

技術(shù)方案17.根據(jù)技術(shù)方案13所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述方法包括使用濕蝕刻劑除去所述掩模，所述濕蝕刻劑選自由酸性濕蝕刻劑和堿性濕蝕刻劑組成的組。

技術(shù)方案18.根據(jù)技術(shù)方案13所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述方法包括使用對(duì)于所述cmc結(jié)構(gòu)是惰性的濕蝕刻劑除去所述掩模，其中所述氧化物材料選自由氧化硅、氧化釔、氧化鋯組成的組，其中所述濕蝕刻劑選自由naoh、hf和硝酸組成的組。

技術(shù)方案19.根據(jù)技術(shù)方案13所述的方法，其中，所述方法包括使用干蝕刻劑除去所述掩模。

技術(shù)方案20.根據(jù)技術(shù)方案13所述的方法，其中，所述掩模包括碳材料，且其中所述方法包括使用干蝕刻過程除去所述掩模。

技術(shù)方案21.根據(jù)技術(shù)方案13所述的方法，其中，所述掩模包括碳材料，且其中所述方法包括使用氧化過程除去所述掩模。

技術(shù)方案22.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述方法包括使用減除處理來從所述結(jié)構(gòu)除去堆積物。

技術(shù)方案23.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述應(yīng)用包括將所述掩模應(yīng)用至所述結(jié)構(gòu)的功能特征。

技術(shù)方案24.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述應(yīng)用包括將所述掩模應(yīng)用至所述結(jié)構(gòu)的功能特征，所述功能特征選自由冷卻孔、附接(安裝)孔、密封表面和槽口組成的組。

技術(shù)方案25.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述掩模適于為易碎的，且其中所述方法包括使用機(jī)械工藝除去所述掩模。

技術(shù)方案26.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述掩模適于化學(xué)地蝕刻，且其中所述方法包括使用化學(xué)蝕刻劑除去所述掩模。

技術(shù)方案27.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述應(yīng)用掩模包括應(yīng)用所述掩模使得所述掩模的區(qū)域包括在由所述結(jié)構(gòu)的特征限定的內(nèi)部?jī)?nèi)。

技術(shù)方案28.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述結(jié)構(gòu)包括具有內(nèi)部的特征，且其中所述應(yīng)用掩模包括向所述內(nèi)部填充形成所述掩模的材料。

技術(shù)方案29.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述掩模適于為化學(xué)惰性的，使得所述掩模對(duì)與所述結(jié)構(gòu)化學(xué)粘結(jié)有抗性。

技術(shù)方案30.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述掩模包括氮化硼。

技術(shù)方案31.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述掩模包括具有聚乙烯亞胺(pei)分散劑的氮化硼漿料。

技術(shù)方案32.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述掩模適于氧化去除，且其中所述方法包括所述掩模的氧化去除。

技術(shù)方案33.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述修復(fù)過程包括聚合物浸漬和熱解(pip)。

技術(shù)方案34.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述修復(fù)過程包括應(yīng)用熱，且其中所述方法包括應(yīng)用所述掩模至所述cmc結(jié)構(gòu)的功能特征。

技術(shù)方案35.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述修復(fù)過程包括以下選自由熔體滲透(mi)、化學(xué)氣相滲透(cvi)以及聚合物浸漬和熱解(pip)組成的組中的兩種或更多種的組合。

附圖說明

圖1為示出可關(guān)于cmc結(jié)構(gòu)執(zhí)行的方法的流程圖；

圖2為示出可經(jīng)歷修復(fù)的cmc結(jié)構(gòu)的圖；

圖3為示出可經(jīng)歷修復(fù)的cmc結(jié)構(gòu)的圖；

圖4為可經(jīng)歷修復(fù)的cmc結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖；

圖5a為具有特征的cmc結(jié)構(gòu)的照片；

圖5b為具有特征的cmc結(jié)構(gòu)在未應(yīng)用掩模的修復(fù)過程執(zhí)行之后的照片；

圖6a為具有功能特征和應(yīng)用至該特征的掩模的cmc結(jié)構(gòu)的照片；

圖6b為具有功能特征的cmc結(jié)構(gòu)在應(yīng)用掩模的修復(fù)過程執(zhí)行之后的照片；

圖7a為沒有應(yīng)用至功能特征的掩模的cmc結(jié)構(gòu)在修復(fù)過程執(zhí)行之后的照片；

圖7b為具有應(yīng)用的掩模的cmc結(jié)構(gòu)在修復(fù)過程執(zhí)行之后且之前應(yīng)用至功能特征的掩模除去之后的照片。

圖7c為cmc結(jié)構(gòu)在修復(fù)過程執(zhí)行之后且之前應(yīng)用至功能特征的掩模除去之后的照片。

具體實(shí)施方式

參看圖1，方法可包括在框110處將掩模應(yīng)用至cmc結(jié)構(gòu)。在框120處，方法可包括使具有應(yīng)用的掩模的cmc結(jié)構(gòu)經(jīng)歷用于修復(fù)cmc結(jié)構(gòu)的過程。在一個(gè)實(shí)施例中，用于修復(fù)cmc結(jié)構(gòu)的過程可包括應(yīng)用熱。

圖2中示出了修復(fù)中的示例性cmc結(jié)構(gòu)10。cmc結(jié)構(gòu)10在一個(gè)實(shí)施例中可為由使用cmc制造過程形成的陶瓷基質(zhì)復(fù)合物(cmc)材料形成的結(jié)構(gòu)。cmc結(jié)構(gòu)10可包括用于加強(qiáng)cmc結(jié)構(gòu)10的功能的多個(gè)特征212。例如，特征212可包括冷卻孔、附接(安裝)孔、密封表面和槽口。在一個(gè)實(shí)施例中，特征212可為加工成具有小公差的臨界尺寸(cd)的特征。

在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于框110的執(zhí)行，掩模216可應(yīng)用至cmc結(jié)構(gòu)10的一個(gè)或多個(gè)特征212。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模216可應(yīng)用以覆蓋、涂布和/或填充cmc結(jié)構(gòu)10的一個(gè)或多個(gè)特征212。掩模216可填充特征212，其中特征212包括內(nèi)部。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模216可包括多個(gè)掩模區(qū)段。例如，參看圖2，掩模216可包括第一掩模區(qū)段216a和第二掩模區(qū)段216b。在一個(gè)實(shí)施例中，其中cmc結(jié)構(gòu)10為限定中空結(jié)構(gòu)的壁，掩模區(qū)段216a可為外部掩模區(qū)段，且掩模區(qū)段216b可為內(nèi)部掩模區(qū)段。

另一方面，結(jié)構(gòu)10可包括受損區(qū)域220。受損區(qū)域220可在結(jié)構(gòu)10經(jīng)歷修復(fù)過程時(shí)修復(fù)。在框120處執(zhí)行的修復(fù)過程可包括應(yīng)用熱。一方面，以虛線形式示出的補(bǔ)塊224可在執(zhí)行框120處的修復(fù)過程之前應(yīng)用至結(jié)構(gòu)10作為準(zhǔn)備過程的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，本文提到的方法可沒有補(bǔ)塊224的應(yīng)用。

另一方面，參看圖2，堆積物230可由于修復(fù)過程的執(zhí)行而形成在結(jié)構(gòu)10上。

在一個(gè)實(shí)施例中，用于修復(fù)cmc結(jié)構(gòu)10的過程可與cmc結(jié)構(gòu)10變得受損之前的cmc結(jié)構(gòu)10的制造過程不相似。

在一個(gè)實(shí)施例中，用于修復(fù)cmc結(jié)構(gòu)10的過程可包括與cmc結(jié)構(gòu)10變得受損之前的cmc結(jié)構(gòu)10的制造過程共同的特點(diǎn)。

在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)10可為使用熔體滲透(mi)制造的cmc結(jié)構(gòu)，且結(jié)構(gòu)10可在框120處經(jīng)歷的修復(fù)過程可包括執(zhí)行mi。通過將與原來用于制造結(jié)構(gòu)10的過程一樣的過程用作cmc結(jié)構(gòu)10的修復(fù)過程，結(jié)構(gòu)10的修復(fù)可改善。結(jié)構(gòu)10可修復(fù)來展現(xiàn)在受損之前展現(xiàn)的結(jié)構(gòu)性質(zhì)。

在修復(fù)結(jié)構(gòu)10的過程可包括使用mi時(shí)，包括補(bǔ)塊224(如果存在)的結(jié)構(gòu)10可置于與mi室(未示出)內(nèi)的硅(si)源接觸，且室內(nèi)的熱可啟用以加熱結(jié)構(gòu)10。在一個(gè)實(shí)施例中，mi的執(zhí)行期間的溫度可范圍從大約1380℃到大約1600℃，且可等溫或非等溫地應(yīng)用。

確定了在mi用作修復(fù)結(jié)構(gòu)10的過程時(shí)，可形成在結(jié)構(gòu)10的表面上的由框120處的修復(fù)過程的執(zhí)行引起的堆積物230可為硅的形式。來自mi室內(nèi)的硅源的硅和結(jié)構(gòu)10的修復(fù)區(qū)域的碳可反應(yīng)以形成碳化硅。碳化硅可包括基本上不可溶的晶格結(jié)構(gòu)。然而，不反應(yīng)形成碳化硅的多余的硅可凝固來限定硅形式的堆積物230。堆積物230可形成在結(jié)構(gòu)10的表面上，且可能有損結(jié)構(gòu)10的功能性。堆積物230可聚集在可能已加工成臨界尺寸的特征212處。

確定了在使用mi的情況下，在mi在框120處執(zhí)行時(shí)可產(chǎn)生的液態(tài)形式的多余的硅可能轉(zhuǎn)移來與特征212接觸、凝固且有損結(jié)構(gòu)10的功能性，例如通過在特征212處凝固來形成可不利地影響特征212的操作的堆積物230。確定了如果例如由硅形成的堆積物230在特征212內(nèi)凝固，則減除過程(例如，噴砂、加工)可能用于除去堆積物230，但減除過程可能破壞此特征212的公差。可能地，特征212可再加工，但再加工可降低cmc結(jié)構(gòu)10的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，可引起臨界尺寸超出公差范圍，且再加工可在任何情況下造成相當(dāng)高的成本。

在給定堆積物230可變?yōu)榛瘜W(xué)地粘結(jié)至結(jié)構(gòu)10的表面的一些實(shí)施例中，堆積物230可特別難以除去。

在結(jié)構(gòu)10可在框210處經(jīng)歷的修復(fù)過程可包括mi的情況下，掩模216可適于阻止液態(tài)硅與特征212接觸。結(jié)構(gòu)10上的堆積物示為在遠(yuǎn)離特征212的區(qū)域處，而沒有掩模216的堆積物230可形成在特征處212。

在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)10可為使用化學(xué)氣相滲透(cvi)制造的cmc結(jié)構(gòu)，且結(jié)構(gòu)10可在框120處經(jīng)歷的修復(fù)過程可包括cvi。通過在修復(fù)過程中使用用于結(jié)構(gòu)10的原始制造中的過程。結(jié)構(gòu)10可修復(fù)，使得其可展示受損之前由結(jié)構(gòu)10展示的結(jié)構(gòu)性質(zhì)。

根據(jù)cvi過程，結(jié)構(gòu)10可置于cvi室(未示出)中，熱源可啟用以加熱室，且蒸氣源(未示出)可啟用以便蒸氣接觸cvi室內(nèi)的結(jié)構(gòu)10。在一個(gè)實(shí)施例中，cvi的執(zhí)行期間的溫度可范圍從大約700℃到大約1400℃。

確定了在執(zhí)行cvi來根據(jù)圖2修復(fù)結(jié)構(gòu)10時(shí)，蒸氣可接觸特征212(圖2)，且反應(yīng)產(chǎn)物可凝固來限定可形成在結(jié)構(gòu)10的表面上的堆積物230。反應(yīng)產(chǎn)物可包括碳化硅(sic)。在未應(yīng)用掩模216的情況下，反應(yīng)產(chǎn)物可粘附至特征212的表面且可凝固來限定堆積物230以阻止特征212起作用。在結(jié)構(gòu)10在框210處可經(jīng)歷的修復(fù)過程可包括cvi的情況下，掩模216可適于阻止蒸氣與特征212接觸。結(jié)構(gòu)10上的堆積物230示為在遠(yuǎn)離特征212的區(qū)域處，在未應(yīng)用掩模216的情況下，堆積物230可容易形成在特征212處。掩模216在cvi用作修復(fù)過程的情況下可提供氣密性密封，以便限制氣體接觸應(yīng)用了掩模216的特征。

為了在其中修復(fù)包括執(zhí)行cvi的框120處的修復(fù)過程的執(zhí)行期間阻止蒸氣與特征212接觸，掩模216可應(yīng)用至如圖2中所示的特征212。

在一個(gè)實(shí)施例中，本文提出的修復(fù)過程可包括聚合物浸漬和熱解(pip)。對(duì)于pip的執(zhí)行，聚合碳化硅前體可用于滲透纖維預(yù)形件。在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)10可為使用pip制造的cmc結(jié)構(gòu)，且如本文提到的修復(fù)過程可包括pip。

在一個(gè)實(shí)施例中，修復(fù)過程可包括修復(fù)過程的組合，例如，如本文提出的mi、cvi或pip過程中的兩種或更多種的組合。

在框120(圖1)結(jié)束時(shí)，可執(zhí)行額外的過程。例如，在框120結(jié)束時(shí)，在mi的情況下的凝固的硅或cvi的情況下的凝固的sic的形式的不需要的材料(例如堆積物)可形成在結(jié)構(gòu)10的表面上。

在圖1中提出的方法100的一個(gè)實(shí)施例中，方法10可包括除去形成在結(jié)構(gòu)10上的堆積物230。在執(zhí)行框120的修復(fù)過程期間，圖2的堆積物230可堆積在結(jié)構(gòu)10上，且掩模216可留在結(jié)構(gòu)10上。

堆積物230的除去例如可包括手動(dòng)刷洗或輕柔清潔。在一個(gè)實(shí)施例中，加工或噴砂可用于除去一個(gè)或多個(gè)堆積物230或掩模216。在一個(gè)實(shí)施例中，比除去堆積物230的磨蝕性更低的清潔過程可用于除去掩模216。在一個(gè)實(shí)施例中，減除過程(例如噴砂或加工)可用于除去此類不需要的材料。然而，在本文的方法的發(fā)展中，確定了減除處理可能使特征212受破壞。因此，可能有利的是使用比用于除去堆積物230磨蝕性更低的過程來用于除去掩模216。在一些實(shí)施例中，可能有利的是使用非磨蝕性或非接觸的過程，例如，化學(xué)蝕刻過程或超聲清潔過程來用于除去掩模216。

在圖3中所示的一個(gè)方面中，具有一個(gè)或多個(gè)掩模區(qū)段的掩模216可包括釋放層2162。釋放層2162可適于容易地除去，從而允許容易除去形成在掩模216上的堆積物230。釋放層2162可形成在掩模216下方，以便掩模216可隨釋放層2162的除去而除去。

一方面，補(bǔ)充掩模218(圖2)可在框120的執(zhí)行之后和在除去堆積物230的減除過程的執(zhí)行之前應(yīng)用在掩模216上。在掩模216包括釋放層2162的情況下，釋放層2162可在掩模218應(yīng)用之前除去。掩模218可具有多個(gè)區(qū)段，例如，區(qū)段218a和218b。掩模218可在除去堆積物230的減除過程的執(zhí)行期間阻止對(duì)結(jié)構(gòu)10的保護(hù)區(qū)域的破壞。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模218可由乙烯基形成。在應(yīng)用補(bǔ)充掩模218的情況下，加工或噴砂可在降低對(duì)特征212破壞的風(fēng)險(xiǎn)的情況下對(duì)于堆積物230的除去執(zhí)行。

在框120(圖1)結(jié)束時(shí)，例如，在除去堆積物230之后、之前或同時(shí)，掩模216和/或補(bǔ)充掩模218可除去。用于除去掩模216和/或掩模218的過程例如可包括手動(dòng)洗刷、其它輕柔清潔、使用濕蝕刻(例如，使用酸或堿)的化學(xué)蝕刻或使用干蝕刻(例如，使用氧化或其它反應(yīng)氣氛)的化學(xué)蝕刻中的一種或多種。用于除去掩模的過程可在一些情況中基于掩模的材料選擇。

掩模216可由多種不同材料形成。掩?？蛇m于阻止液態(tài)材料在熔體滲透期間流至功能特征212。例如，可通過提供不由液體潤(rùn)濕的材料、通過提供對(duì)于液體惰性的氣體和/或通過提供材料以便材料可與液體反應(yīng)而不允許液體滲透掩模至功能特征212來實(shí)現(xiàn)阻止至特征212的流。

在一個(gè)實(shí)施例中，掩模216可提供為易碎的。在掩模216提供為易碎的情況下，掩模216可使用機(jī)械清潔過程除去。

在一個(gè)實(shí)施例中，易碎掩模材料可包括氮化硼(bn)。在一個(gè)示例中，易碎掩模材料可包括具有分散劑(例如，聚乙烯亞胺，pei)的bn。在另一個(gè)示例中，易碎掩模材料可包括具有分散劑(例如，聚乙烯亞胺，pei)的bn。在掩模216由易碎材料(例如，包括bn的材料)提供時(shí)，掩模216可使用機(jī)械過程除去，例如，噴砂、噴水、超聲清潔、溫和磨蝕性洗刷或加工。bn可研磨成顆粒形式。

在一個(gè)實(shí)施例中，掩模216可適于化學(xué)地除去。在其中掩模216適于化學(xué)地除去的一個(gè)實(shí)施例中，掩模216例如可使用濕蝕刻來除去。在其中掩模216適于化學(xué)地除去的一個(gè)實(shí)施例中，掩模216例如可使用氧化過程來除去。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模216可適于氧化除去，且本文的方法可包括掩模216的氧化除去。在其中掩模216適于化學(xué)地除去的一個(gè)實(shí)施例中，掩模216例如可使用揮發(fā)掩模的另一反應(yīng)性氣氛來除去，且本文的方法可包括掩模216的反應(yīng)氣氛除去。

可使用濕蝕刻過程化學(xué)地除去的掩模材料的示例包括金屬，例如，鎳、硅、鋁、鎢；或基于氧化物的材料，例如，氧化硅、氧化釔、氧化鋯。濕蝕刻可包括使用化學(xué)蝕刻劑，例如naoh(用于氧化硅)或硝酸(用于氧化釔)。氧化物材料掩?？蓸?gòu)造成對(duì)于cvi系統(tǒng)中的氣體是惰性的，且可構(gòu)造成提供氣密性密封，且因此可良好適于結(jié)合用于修復(fù)的cvi過程使用。用于除去氧化物材料掩模的濕蝕刻材料(例如，naoh(用于氧化硅)或硝酸(用于氧化釔))可相對(duì)于結(jié)構(gòu)10是惰性的，以便濕蝕刻材料在用于除去氧化物材料掩模時(shí)不會(huì)破壞結(jié)構(gòu)10。

可使用氧化過程化學(xué)地除去的掩模材料的示例包括具有帶高氧化物蒸氣壓力的碳或金屬的材料。在掩模216由具有碳的材料形成的情況下，掩模216可通過氧化除去。具有碳的材料可構(gòu)造成對(duì)于cvi系統(tǒng)中的氣體是惰性的，且可構(gòu)造成提供氣密性密封，且因此可良好適于結(jié)合用于修復(fù)的cvi過程使用。在掩模216由具有金屬的材料形成的情況下，掩模216可通過氧化除去。

一方面，掩模216可提供成化學(xué)惰性的，以阻止掩模216化學(xué)地粘結(jié)至cmc結(jié)構(gòu)10的表面。將掩模216提供成化學(xué)惰性的以阻止掩模216化學(xué)粘結(jié)至結(jié)構(gòu)10的表面可適應(yīng)掩模216，以便掩模216可適于容易地除去。

一方面，掩模216可適于對(duì)液體潤(rùn)濕有抗性。確定提供掩模216以便掩模216可抗?jié)櫇窨杀苊膺@樣的問題，其中掩模216可變得經(jīng)由毛細(xì)作用潤(rùn)濕使得由框120的執(zhí)行引起的液體產(chǎn)物接觸特征212(例如，孔)且然后凝固?？?jié)櫇竦牟牧系氖纠ǖ锊牧虾脱趸锊牧?。在其中液體為硅的一個(gè)實(shí)施例中，掩模216可由氮化硼(bn)形成。在其中液體為硅的一個(gè)實(shí)施例中，掩模216可由二氧化硅(sio2)形成。

一方面，掩模216可適于使得在執(zhí)行包括應(yīng)用熱的框120處的修復(fù)過程期間，掩模216為抗熔化或抗氣化中的一種或多種。在本文的方法的發(fā)展中，確定了掩模216的材料可能熔化或氣化來形成可接觸特征212的產(chǎn)物。為了降低掩模熔化或氣化產(chǎn)物接觸特征212的風(fēng)險(xiǎn)，掩模216可由一種或多種抗熔化或抗氣化材料形成。將掩模216形成為抗熔化或抗氣化中的一種或多種可在框120的修復(fù)過程的執(zhí)行期間阻止掩模216的材料氣化?？谷刍牧系氖纠砂ǖ?、氧化物和碳，例如，氮化硼、二氧化硅(硅土)、碳、氧化釔?？箽饣牧系氖纠砂ǖ?、氧化物和碳，例如，氮化硼、二氧化硅(硅土)、碳、氧化釔。

掩模216可使用多種不同的過程應(yīng)用至結(jié)構(gòu)10。掩模216例如可涂布、噴灑、沉積或噴濺。在一個(gè)實(shí)施例中，形成掩模216的材料可為噴濺到結(jié)構(gòu)10的表面上的基于碳的材料。在此實(shí)施例中，掩模216可通過氧化除去。用于應(yīng)用掩模216的方法例如可包括刷洗、噴灑、噴濺、化學(xué)氣相沉積、切割成帶且將帶應(yīng)用至表面、將油灰形式的掩模應(yīng)用至表面。

可經(jīng)歷修復(fù)過程的cmc結(jié)構(gòu)10的特定示例在圖4中示出。在圖4的實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)10可為燃燒器襯套的形式。結(jié)構(gòu)10可為如圖4中所示的中空形式且可限定內(nèi)部和外部。結(jié)構(gòu)10的功能特征212可包括如圖4中所示的一個(gè)或多個(gè)附接孔，其可包括應(yīng)用到其上的掩模區(qū)段216a、216b、216c、216d、216e、216z。如圖4中所示的功能特征212可包括具有應(yīng)用到其上的掩模區(qū)段216zz的一個(gè)或多個(gè)密封表面212。在圖4中所示的示例中，可在框110(圖1)處應(yīng)用的掩模216可包括多個(gè)外部掩模區(qū)段，例如，掩模區(qū)段216a、216b、216c、216d、216e。圖4中所示的示例中的掩模216可包括多個(gè)內(nèi)部掩模區(qū)段，例如，掩模區(qū)段216z。圖4中所示的示例中的掩模216可包括掩模區(qū)段216zz，其可應(yīng)用至由密封表面提供的功能特征212。在圖4的示例中的掩模區(qū)段(例如，掩模區(qū)段216b和216c、216d和216e)附近可限定放出孔217。放出孔(掩模中的間隙)217可設(shè)計(jì)成在執(zhí)行根據(jù)框120(圖1)的修復(fù)過程期間有助于液態(tài)材料流出結(jié)構(gòu)10。盡管圖4的示例中的結(jié)構(gòu)10為燃燒器襯套的形式，但結(jié)構(gòu)10可作為備選例如以護(hù)罩、葉片、導(dǎo)葉、噴嘴、渦輪中心框架、罩、排氣混合器的形式提供。

圖5a示出了具有由密封槽口提供的特征212的結(jié)構(gòu)。圖5b示出了執(zhí)行mi之后且未應(yīng)用掩模216的特征212。在無掩模216的情況下，由硅提供的堆積物230可形成在特征212處，包括在由特征212限定的任何內(nèi)部?jī)?nèi)，以不利地影響特征212的操作。堆積物230可化學(xué)地粘結(jié)至結(jié)構(gòu)10而使堆積物230特別難除去。

參看圖6a，圖6a示出了由掩模216保護(hù)的特征212。圖6b示出了應(yīng)用掩模216的情況下執(zhí)行mi之后的圖6a的結(jié)構(gòu)。掩模216可包括如圖6b中所示的區(qū)域，其延伸至可由特征212限定的內(nèi)部。在應(yīng)用掩模216的情況下，特征212(如圖5和圖5b中所示)由掩模216保護(hù)，且因此硅不會(huì)形成在特征212的內(nèi)部。

圖7a為沒有掩模216的cmc結(jié)構(gòu)10在執(zhí)行修復(fù)過程之后的照片。在無掩模216應(yīng)用至功能特征212的情況下，功能特征212可易于具有形成在其上的堆積物230。圖7b為具有應(yīng)用的掩模216的cmc結(jié)構(gòu)10在執(zhí)行修復(fù)過程之后且之前應(yīng)用至功能特征212的掩模216除去之后的照片。在應(yīng)用掩模216的情況下，功能特征212可受保護(hù)，且可保持沒有堆積物230形成在其上。圖7c為cmc結(jié)構(gòu)10在執(zhí)行修復(fù)過程之后且除去之前應(yīng)用至功能特征212的掩模216之后的照片。在修復(fù)過程期間由掩模216保護(hù)的功能特征212可通過用于除去堆積物230的過程和用于除去掩模216的過程來保持其臨界大小。

將理解的是，以上描述意在為示范性且非限制性的。例如，上述實(shí)施例(和/或其方面)可與彼此組合使用。此外，可作出許多改型來使特定情形或材料適于各種實(shí)施例的教導(dǎo)內(nèi)容而不脫離其范圍。盡管本文所述的材料的大小和類型意在限定各種實(shí)施例的參數(shù)，但它們絕不是限制性的，且僅為示例性的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀以上描述時(shí)將清楚許多其它實(shí)施例。因此，各種實(shí)施例的范圍應(yīng)當(dāng)參照所附權(quán)利要求以及賦予此權(quán)利要求權(quán)利的等同方案的完整范圍確定。在所附權(quán)利要求中，用語(yǔ)"包括(including)"和"在其中(inwhich)"用作相應(yīng)用語(yǔ)"包含(comprising)"和"其中(which)"的通俗英文同義詞。此外，在以下權(quán)利要求中，用語(yǔ)"第一"、"第二"和"第三"等僅用作標(biāo)記，且不意在對(duì)其對(duì)象施加數(shù)字要求。此外，以下權(quán)利要求的限制并未以裝置加功能的格式撰寫，且不意在基于35u.s.c.§112的第六段理解，除非且直到此權(quán)利要求限制明確地使用短語(yǔ)"用于…的裝置"后接沒有進(jìn)一步的結(jié)構(gòu)的功能的聲明。將理解的是，本文所述的所有此類目的或優(yōu)點(diǎn)不一定可根據(jù)任何特定實(shí)施例實(shí)現(xiàn)。因此，例如，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，本文所述的系統(tǒng)和技術(shù)可以以一種方式體現(xiàn)或執(zhí)行，使得實(shí)現(xiàn)或優(yōu)化如本文教導(dǎo)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)或優(yōu)點(diǎn)組合，而不需要實(shí)現(xiàn)如本文教導(dǎo)或建議的其它目的或優(yōu)點(diǎn)。

盡管僅結(jié)合了有限數(shù)目的實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明不限于此公開實(shí)施例。相反，本發(fā)明可改變以結(jié)合迄今未描述的但與本發(fā)明的精神和范圍相當(dāng)?shù)娜魏螖?shù)目的變型、改型、置換或等同布置。此外，盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的各種實(shí)施例，但將理解的是，本公開內(nèi)容的方面可僅包括所述實(shí)施例中的一些。因此，本發(fā)明不看作由前述描述限制，而是僅由所附權(quán)利要求的范圍限制。

該書面描述使用示例來公開本發(fā)明，包括最佳模式，并且還使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明，包括制造和使用任何裝置或系統(tǒng)以及執(zhí)行任何包含的方法。本發(fā)明可申請(qǐng)專利的范圍由權(quán)利要求限定，并且可包括本領(lǐng)域技術(shù)人員想到的其它示例。如果這些其它示例具有不與權(quán)利要求的字面語(yǔ)言不同的結(jié)構(gòu)要素，或者如果它們包括與權(quán)利要求的字面語(yǔ)言無實(shí)質(zhì)差異的等同結(jié)構(gòu)要素，則意在使這些其它示例處于權(quán)利要求的范圍內(nèi)。