本發(fā)明屬于微納結(jié)構(gòu)制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種制備硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)的新方法。

背景技術(shù)：

隨著微/納機(jī)電系統(tǒng)的快速發(fā)展，微能源器件如微型鋰離子電池等受到極大的關(guān)注。硅微納結(jié)構(gòu)可廣泛用于微型鋰離子電池和光伏太陽(yáng)能電池等器件中，還可用于光電傳感器中。硅微納結(jié)構(gòu)最常用的制備方法是金屬催化刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕。反應(yīng)離子刻蝕工藝需要昂貴的設(shè)備，如感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)或反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，因而加工成本較高。而金屬催化刻蝕工藝制備硅微納結(jié)構(gòu)具有成本低的優(yōu)勢(shì)。金屬催化刻蝕工藝是指將金或銀等貴金屬納米顆粒沉積于硅片表面，再將其放入氫氟酸與雙氧水的混合溶液中進(jìn)行刻蝕從而得到硅納米結(jié)構(gòu)。貴金屬納米顆粒在反應(yīng)過(guò)程中起催化的作用，有金屬納米顆粒的區(qū)域反應(yīng)劇烈，硅結(jié)構(gòu)被去掉；沒(méi)有金屬納米顆粒的區(qū)域硅結(jié)構(gòu)留下，從而形成硅微納結(jié)構(gòu)。貴金屬納米顆粒成為制備硅微納結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵，其形貌和特點(diǎn)直接影響硅微納結(jié)構(gòu)的生成。常用的貴金屬納米顆粒制備方法包括鍍膜結(jié)合退火以獲得島狀金屬納米顆粒，或利用反應(yīng)離子刻蝕工藝刻蝕金屬薄膜覆蓋的聚苯乙烯納米小球模板從而獲得金屬納米顆粒。也可利用銀鏡反應(yīng)生成納米銀膜，將其用作金屬催化刻蝕的催化劑放入氫氟酸溶液中進(jìn)行刻蝕而獲得硅微納結(jié)構(gòu)。

金屬納米點(diǎn)蝕是一個(gè)常見(jiàn)的失效現(xiàn)象，在實(shí)際應(yīng)用中希望盡可能地避免納米點(diǎn)蝕。若能將納米點(diǎn)蝕引入微納結(jié)構(gòu)制造中，發(fā)展低成本和規(guī)模化制備微納分級(jí)結(jié)構(gòu)的新方法，將非常有意義。本發(fā)明提出，將納米點(diǎn)蝕與金屬催化刻蝕工藝結(jié)合，可制備硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，在平面硅襯底上鍍鉻/銀納米薄膜，再用鹵素離子對(duì)其進(jìn)行納米點(diǎn)蝕，結(jié)合金屬催化刻蝕可得到硅納米線結(jié)構(gòu)。若在硅微結(jié)構(gòu)陣列上集成鉻/銀納米薄膜，結(jié)合鹵素離子納米點(diǎn)蝕和金屬催化刻蝕工藝，可獲得片狀或其它新型硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明基于金屬納米點(diǎn)蝕現(xiàn)象，提供一種過(guò)程簡(jiǎn)單、成本低廉的硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)的制備方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種制備硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)的新方法，包括以下步驟：

S1、制備硅微結(jié)構(gòu)陣列：在80～100℃的水浴環(huán)境中，將清洗干凈的硅片放入處于攪拌狀態(tài)的氫氧化鉀和異丙醇的混合溶液中，對(duì)其進(jìn)行刻蝕，獲得金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列；

S2、集成銀納米薄膜：在步驟S1獲得的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列表面沉積一層粘附層，再集成銀納米薄膜；

S3、點(diǎn)蝕銀納米薄膜：將經(jīng)過(guò)步驟S2處理后的樣品放入含有鹵素離子的鹽溶液中，進(jìn)行點(diǎn)蝕反應(yīng)，獲得多孔銀膜；

S4、制備硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)：將經(jīng)過(guò)步驟S3處理后的樣品放入氫氟酸和過(guò)氧化氫的混合溶液中，對(duì)其進(jìn)行刻蝕，獲得硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)。

上述技術(shù)方案中，還可以包括步驟：S0、清洗硅片：將硅片放入溫度為85～120℃的氨水和雙氧水的混合溶液中清洗10～20min，取出后使用去離子水反復(fù)沖洗干凈。進(jìn)一步的，氨水、雙氧水、去離子水的體積比為1：1：5。步驟S0的主要目的是為了獲得清洗干凈的硅片，去除硅片表面雜質(zhì)，避免對(duì)后續(xù)步驟中刻蝕等工藝操作造成影響。氨水、雙氧水、去離子水的比例也可根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，因而凡在本發(fā)明思想的指導(dǎo)下，采用本領(lǐng)域常規(guī)硅片清洗方法中的其它方法也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

上述技術(shù)方案中，所述步驟S1中，在研究過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，使用氫氧化鉀刻蝕硅金字塔型結(jié)構(gòu)過(guò)程中，若刻蝕液處于靜止?fàn)顟B(tài)，所得到的硅微結(jié)構(gòu)尺寸和分布都不均勻。使混合溶液處于攪拌狀態(tài)的目的是在刻蝕過(guò)程中保持溶液均勻混合，同時(shí)刻蝕結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的氣泡可快速排除，更有利于獲得均勻分布的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列。若攪拌轉(zhuǎn)速過(guò)低，氣泡無(wú)法及時(shí)排離樣品表面，將影響到刻蝕結(jié)構(gòu)形貌的均一性；若攪拌轉(zhuǎn)速過(guò)高，攪拌太劇烈會(huì)影響結(jié)構(gòu)的生成。攪拌轉(zhuǎn)速優(yōu)選100rpm～800rpm。進(jìn)一步的，可以選用但不限于磁力攪拌或機(jī)械攪拌。因磁子或攪拌槳距離樣品太近會(huì)影響刻蝕過(guò)程和硅微結(jié)構(gòu)的形貌。因而當(dāng)采用機(jī)械攪拌時(shí)，優(yōu)選攪拌槳設(shè)置于樣品上方距離樣品20mm～50mm。當(dāng)采用磁力攪拌時(shí)，優(yōu)選磁子與樣品之間的距離為10mm～30mm。此外，進(jìn)一步優(yōu)選異丙醇與去離子水的比例為1：4，氫氧化鉀的濃度范圍為20％～60％，刻蝕時(shí)間優(yōu)選20min～40min?？涛g完成后，取出樣品，用去離子水潤(rùn)洗后再用氮?dú)鈽尨蹈杉纯?。肉眼觀察可發(fā)現(xiàn)金字塔型硅微結(jié)構(gòu)樣品呈均勻的暗黑色，若在刻蝕過(guò)程中不對(duì)溶液進(jìn)行攪拌所獲得樣品顏色不均勻，有的區(qū)域顏色較暗，有的區(qū)域顏色較亮。

上述技術(shù)方案中，所述步驟S2的鍍膜工藝可以選用但不限于磁控濺射、電子束蒸發(fā)或電鍍工藝。在集成銀納米膜之前，在微結(jié)構(gòu)表面鍍一層粘附層，以增強(qiáng)納米點(diǎn)蝕反應(yīng)和金屬催化刻蝕反應(yīng)過(guò)程中銀膜與硅襯底之間的粘附性。粘附層是1nm～5nm的粘附性較好的金屬膜，如鈦、鉻、鎳和鈦化鎢納米膜等。銀納米薄膜的厚度為30nm～100nm。在金屬催化刻蝕過(guò)程中，粘附層被氫氟酸迅速刻蝕去掉，之后銀膜與硅襯底直接接觸從而進(jìn)行刻蝕反應(yīng)。鍍膜涉及到的具體工藝參數(shù)可直接采用本領(lǐng)域常規(guī)參數(shù)和操作方式，本發(fā)明對(duì)此并無(wú)特殊的限制。此處所集成的銀納米薄膜的厚度會(huì)影響最后得到的硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)形貌。納米銀膜較薄時(shí)，點(diǎn)蝕反應(yīng)后形成銀島狀顆粒結(jié)構(gòu)，經(jīng)過(guò)金屬催化刻蝕反應(yīng)后在硅微結(jié)構(gòu)表面得到硅納米線結(jié)構(gòu)；當(dāng)銀膜較厚時(shí)，經(jīng)過(guò)相同時(shí)間點(diǎn)蝕后形成多孔銀膜結(jié)構(gòu)，在金屬催化刻蝕反應(yīng)過(guò)程中銀膜結(jié)構(gòu)具有較大應(yīng)力，在應(yīng)力作用下硅微結(jié)構(gòu)的四個(gè)棱面均被刻蝕，得到硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)。因此對(duì)于銀納米薄膜的厚度可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行調(diào)整。

上述技術(shù)方案中，步驟S3中，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，鹵素離子對(duì)銀納米薄膜的腐蝕過(guò)程中，腐蝕時(shí)間和鹵素離子的濃度很關(guān)鍵。若低濃度的鹵素離子對(duì)銀納米薄膜的腐蝕時(shí)間過(guò)短，點(diǎn)蝕反應(yīng)比較緩慢，得到的銀納米薄膜孔隙較小使得其在后續(xù)催化刻蝕步驟無(wú)法得到硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)；若鹵素離子濃度高且腐蝕時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，得到的多孔銀膜較稀疏，并且銀納米薄膜有脫離硅襯底的風(fēng)險(xiǎn)。因此，氯離子的濃度優(yōu)選為0.1mol/L～2mol/L，點(diǎn)蝕反應(yīng)時(shí)間優(yōu)選為5min～30min，可以達(dá)到良好的腐蝕效果。當(dāng)反應(yīng)完成后，將樣品取出放入去離子水中潤(rùn)洗、吹干即可。鹵素離子的鹽溶液指含有氟、氯、溴、碘等鹵素離子的鹽溶液，如氯化鉀、氯化鈉、氟化鉀、溴化鉀、碘化鉀等。

上述技術(shù)方案中，所述步驟S4中，優(yōu)選刻蝕時(shí)間為3min～40min。通過(guò)鹵素離子腐蝕銀納米薄膜獲得的多孔銀膜在刻蝕過(guò)程中起到催化劑的作用?？涛g過(guò)程中，多孔銀膜與金字塔型硅微結(jié)構(gòu)之間的應(yīng)力使得結(jié)構(gòu)沿著金字塔的四個(gè)棱面開(kāi)始生成，隨著應(yīng)力的變化，硅微結(jié)構(gòu)表面形成了一根一根的硅納結(jié)構(gòu)。所得硅微納結(jié)構(gòu)的形狀主要取決于點(diǎn)蝕反應(yīng)后獲得的多孔銀膜形貌以及刻蝕過(guò)程中的應(yīng)力狀況?？涛g完成后，使用去離子水潤(rùn)洗樣品，再將其放入濃硝酸中刻蝕2min～5min以除去表面殘留的銀納米薄膜，再使用去離子水潤(rùn)洗后即可。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明提供的制備硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)的新方法，結(jié)合氫氧化鉀刻蝕、集成銀納米薄膜、點(diǎn)蝕銀納米薄膜和銀催化刻蝕等工藝，制備新型硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)。在氫氧化鉀刻蝕制備金字塔型硅微結(jié)構(gòu)的工藝中，將攪拌工藝引入刻蝕過(guò)程中，使刻蝕液均勻混合并迅速排出氣泡，以獲得均勻的硅微結(jié)構(gòu)陣列。此外，巧妙地將納米點(diǎn)蝕引入微納結(jié)構(gòu)制造中，采用鹵素離子腐蝕銀納米薄膜從而形成多孔銀納米膜結(jié)構(gòu)，將其與銀催化刻蝕進(jìn)行有效結(jié)合制備硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)。目前尚未有將金屬納米點(diǎn)蝕用于制備硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)的技術(shù)先例。而多孔銀納米膜的獲得只需將銀納米薄膜置于含鹵素離子的鹽溶液中進(jìn)行點(diǎn)蝕即可。

總體而言，該制備方法具有成本低、操作簡(jiǎn)單、過(guò)程可控的優(yōu)點(diǎn)，適于規(guī)?；a(chǎn)，所得新型硅微納結(jié)構(gòu)具有很大的有效表面積，在微能源器件和微傳感器件等領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景，具有極強(qiáng)的實(shí)用價(jià)值，值得在內(nèi)業(yè)推廣。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明提出的制備硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)的工藝流程圖；

圖2是實(shí)施例一中獲得的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列SEM圖，其中(a)是常規(guī)氫氧化鉀刻蝕所得的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列SEM圖，(b)是刻蝕過(guò)程中引入攪拌工藝所得金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列SEM圖；

圖3是實(shí)施例一制備的硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)SEM圖，其中(a)是放大5000倍的SEM圖，(b)是放大10000倍的SEM圖；

圖4是實(shí)施例四制備的硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)SEM圖，其中(a)是放大10000倍的SEM圖，(b)是放大30000倍的SEM圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：1、硅襯底；2、金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列；3、銀納米薄膜；4、多孔納米銀膜；5、硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

如圖1所示，本發(fā)明的制備工藝流程圖，分別經(jīng)過(guò)步驟S0處理后獲得干凈的硅襯底1，經(jīng)過(guò)步驟S1處理后獲得均勻的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列2，經(jīng)步驟S2處理后獲得的納米薄膜3，經(jīng)步驟S3處理后獲得的多孔銀納米薄膜，經(jīng)步驟S4處理后獲得硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)，上述步驟具體為：

S0、清洗硅片：將硅片放入溫度為85℃～120℃，體積比為1:1:5的氨水：雙氧水：去離子水混合溶液中清洗10min～30min，然后使用去離子水反復(fù)沖洗干凈，并用氮?dú)鈽尨蹈伞?/p>

S1、制備硅微結(jié)構(gòu)陣列：在80～100℃的水浴環(huán)境中，將清洗干凈的硅片放入處于攪拌狀態(tài)的氫氧化鉀和異丙醇混合溶液中對(duì)其進(jìn)行刻蝕，異丙醇與去離子水的比例為1：4，氫氧化鉀的質(zhì)量濃度范圍為20％～60％，在刻蝕過(guò)程中引入攪拌步驟，轉(zhuǎn)速設(shè)置為100rpm～800rpm，刻蝕時(shí)間為20min～40min，獲得金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列；

S2、集成銀納米薄膜：在步驟S1獲得的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列表面鍍一層厚度為1nm～5nm的粘附層(通常為鈦鈦、鉻、鎳和鈦化鎢納米膜等)，再集成厚度為30nm～100nm的銀納米薄膜；

S3、點(diǎn)蝕銀納米薄膜：將經(jīng)過(guò)步驟S2處理后的樣品放入含有鹵素離子的鹽溶液中，進(jìn)行點(diǎn)蝕反應(yīng)，保持10min～30min，取出樣品放入去離子水中潤(rùn)洗并吹干，獲得多孔銀膜；

S4、制備硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)：將經(jīng)過(guò)步驟S3處理后的樣品放入氫氟酸和過(guò)氧化氫的混合溶液中，對(duì)其進(jìn)行刻蝕3min～40min，之后取出用去離子水潤(rùn)洗，然后放入濃硝酸中刻蝕2min～5min，再使用去離子水潤(rùn)洗后獲得硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)。

以下通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，以進(jìn)一步展示本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和原理：

實(shí)施例一

S0、清洗硅片：將單晶硅(100)襯底放入溫度為85℃、體積比為1：1：5的氨水：雙氧水：去離子水混合溶液中清洗10min，之后取出用大量去離子水沖洗，并用氮?dú)鈽尨蹈伞?/p>

S1、制備硅微結(jié)構(gòu)陣列：在85℃的水浴環(huán)境中，將清洗干凈的硅片放入氫氧化鉀和異丙醇的混合溶液中，刻蝕液包含80ml去離子水、20ml異丙醇(分析純)和3.09g氫氧化鉀(分析純)。采用磁力攪拌方式對(duì)刻蝕液進(jìn)行攪拌，轉(zhuǎn)速設(shè)置為400rpm。磁子不能與樣品接觸，將磁子與樣品之間的距離設(shè)置為～10mm?？涛g過(guò)程中可觀察到刻蝕反應(yīng)劇烈，有大量氣泡產(chǎn)生，而氣泡伴隨著溶液的攪動(dòng)被迅速排出。經(jīng)過(guò)刻蝕，可獲得尺寸和分布均勻的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列。

如圖2所示為本實(shí)施例中獲得的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列SEM圖，其中(a)是常規(guī)氫氧化鉀刻蝕所得金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列SEM圖，(b)是刻蝕過(guò)程中引入攪拌工藝所得金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列SEM圖。從圖中可看出，(a)圖中的硅微結(jié)構(gòu)尺寸大小不一，且有的區(qū)域沒(méi)有刻蝕出硅微結(jié)構(gòu)；(b)圖中的硅微結(jié)構(gòu)均勻分布，且結(jié)構(gòu)的尺寸也較均勻。

S2、集成銀納米薄膜：采用磁控濺射機(jī)(BEIYI JPGF 700A)在步驟S1獲得的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列表面上沉積鈦/銀納米薄膜。粘附層-鈦納米膜的厚度為2nm。磁控濺射過(guò)程中，采用射頻模式，氣壓設(shè)置為0.2Pa，功率設(shè)置為100W。起輝后，先將擋板蓋住樣品約3min，等靶材表面的氧化層去除之后移開(kāi)擋板。鍍膜時(shí)間設(shè)置為50s，得到的銀納米薄膜厚度約為50nm。

S3、點(diǎn)蝕銀納米薄膜：將鍍有鈦/銀納米薄膜的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列放入濃度為0.1mol/L的氯化鉀溶液中，進(jìn)行點(diǎn)蝕反應(yīng)10min，之后取出樣品放入去離子水中潤(rùn)洗并吹干，獲得多孔銀膜-金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列；

S4、制備硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)：將步驟S3獲得的多孔銀膜-金字塔型硅微結(jié)構(gòu)放入氫氟酸和過(guò)氧化氫的混合溶液中，溶液包含1.225ml過(guò)氧化氫(30％)、22.33ml氫氟酸(40％)和76.445ml去離子水。鈦粘附層被迅速刻蝕去除，之后銀膜與硅微結(jié)構(gòu)直接接觸開(kāi)始催化刻蝕，反應(yīng)20min后取出樣品用去離子水潤(rùn)洗樣品，再放入濃硝酸中刻蝕2min去掉殘留的銀膜，之后再用去離子水潤(rùn)洗，獲得硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)。

如圖3所示，是本實(shí)施例制備的硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)SEM圖，其中(a)是放大5000倍的SEM圖，(b)是放大10000倍的SEM圖。從圖中可看出，所得硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)的整體是片狀(類(lèi)似于芭蕉葉狀)陣列，但在結(jié)構(gòu)表面可看到多根分列的硅納米線。

實(shí)施例二

本實(shí)施例與實(shí)施例一相較，除步驟S1略有不同，其余步驟均相同。本實(shí)施例中步驟S1具體為：

S1、制備硅微結(jié)構(gòu)陣列：在85℃的水浴環(huán)境中，將清洗干凈的硅片放入氫氧化鉀和異丙醇的刻蝕液中，刻蝕液包含80ml去離子水、20ml異丙醇(分析純)和3.09g氫氧化鉀。采用機(jī)械攪拌(OA2000，上海歐河機(jī)械設(shè)備有限公司)的方式對(duì)刻蝕液進(jìn)行攪拌，轉(zhuǎn)速設(shè)置為600rpm，攪拌槳設(shè)置在樣品上方、距離樣品為20mm左右。刻蝕過(guò)程中可觀察到刻蝕反應(yīng)劇烈，有大量氣泡產(chǎn)生，由于攪拌的進(jìn)行，氣泡被迅速排出?？涛g反應(yīng)進(jìn)行30分鐘后，取出樣品用去離子水潤(rùn)洗后用氮?dú)鈽尨蹈?，可獲得金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列。

實(shí)施例三

本實(shí)施例與實(shí)施例一相較，除步驟S2略有不同，其余步驟均相同。本實(shí)施例中步驟S2具體為：

S2、集成銀納米薄膜：采用電阻式熱蒸發(fā)鍍膜儀(武漢納美科技有限公司)在步驟S1獲得的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列表面集成鈦/銀納米薄膜。鍍膜過(guò)程中，鈦納米膜的厚度為2nm。鍍銀納米薄膜時(shí)，鍍膜儀的真空度設(shè)置為10^-4Pa，電流設(shè)置為110A，沉積厚度約為50nm的銀納米薄膜。

實(shí)施例四

本實(shí)施例與實(shí)施例一相比較，步驟S2中集成的銀納米薄膜厚度不同，其余步驟均相同。

S2、集成銀納米薄膜：采用磁控濺射機(jī)(BEIYI JPGF 700A)在步驟S1獲得的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列表面上沉積銀納米薄膜。磁控濺射過(guò)程中，采用射頻模式，氣壓設(shè)置為0.2Pa，功率設(shè)置為100W。起輝后，先將擋板蓋住樣品約3min，等靶材表面的氧化層去除之后移開(kāi)擋板。鍍膜時(shí)間設(shè)置為30s，得到的銀納米薄膜厚度約為30nm。

基于30nm銀納米薄膜所制備得到的硅微納分級(jí)結(jié)構(gòu)具有不同的形貌。如圖4所示，(a)圖是放大倍數(shù)為10000倍的SEM圖，(b)圖是放大倍數(shù)為30000倍的SEM圖。從圖中可看出，由于銀納米薄膜的厚度較薄，發(fā)生納米點(diǎn)蝕反應(yīng)后形成島狀的銀結(jié)構(gòu)，經(jīng)過(guò)金屬催化刻蝕，在硅微結(jié)構(gòu)表面形成豎直的硅納米線結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例五

本實(shí)施例與實(shí)施例一相較，除步驟S3略有不同，其余步驟均相同。本實(shí)施例中步驟S3具體為：

S3、點(diǎn)蝕銀納米薄膜：將鍍有銀納米薄膜的金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列放入濃度為0.2mol/L的溴化鈉溶液中，進(jìn)行點(diǎn)蝕反應(yīng)10min，之后取出樣品放入去離子水中潤(rùn)洗并吹干，獲得多孔銀膜-金字塔型硅微結(jié)構(gòu)陣列。

本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，這里所述的實(shí)施例是為了幫助讀者理解本發(fā)明的原理，應(yīng)被理解為本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于這樣的特別陳述和實(shí)施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本發(fā)明實(shí)質(zhì)的其它各種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。