1.一種低介共燒陶瓷膜片的制作方法，其特征在于,包括以下步驟：
1)準備相對介電常數(shù)不高于5.8的低介陶瓷材料；
2)在所述低介陶瓷材料中混入具有預定范圍的高膨脹系數(shù)的低介介質；
3)將混合粉進行預燒處理，得到低介共燒陶瓷材料，所述低介陶瓷材料的熱膨脹系數(shù)與鐵氧體材料、導電電極材料的差異處于預定范圍內(nèi)；
4)將預燒后的混合粉進行制漿涂布，形成低介共燒陶瓷膜片。
2.如權利要求1所述的低介共燒陶瓷膜片的制作方法，其特征在于,所述低介陶瓷材料為硼硅系的材料，其相對介電常數(shù)在4.5～5.8，優(yōu)選小于5.5，熱膨脹系數(shù)在30～40*10-7K-1，且雜質離子濃度低于2％。
3.如權利要求2所述的低介共燒陶瓷膜片的制作方法，其特征在于,所述低介陶瓷材料為玻璃材料，其相對介電常數(shù)為4.8，熱膨脹系數(shù)為30*10-7K-1。
4.如權利要求1所述的低介共燒陶瓷膜片的制作方法，其特征在于,所述低介介質為α-石英和/或β-石英，其相對介電常數(shù)在4.0～4.3之間，材料熱膨脹系數(shù)在90*10-7K-1，材料純度≥90％。
5.如權利要求4所述的低介共燒陶瓷膜片的制作方法，其特征在于,所述低介介質在陶瓷材料中的加入量為10％～30％。
6.如權利要求1至5任一項所述的低介共燒陶瓷膜片的制作方法，其特征在于,步驟3)包含以下子步驟：
a1將混合的粉加入球磨罐中進行預混；
a2將完成預混的粉進行預燒處理；
a3將完成預燒處理的粉再次放入球磨罐中進行磨細處理。
7.如權利要求6所述的低介共燒陶瓷膜片的制作方法，其特征在于,所述預混是在球磨機中進行濕混，其中在混合粉中加入質量百分比為200～300％的去離子水，在150～250r/min的轉速下進行球磨混合20～30h。
8.如權利要求6所述的低介共燒陶瓷膜片的制作方法，其特征在于,所述預燒處理包括將混合后的粉烘干去水后，置于高溫匣缽中，并在燒結爐中以500℃～700℃的溫度熱處理0.5～1h。
9.如權利要求1至8任一項所述的低介共燒陶瓷膜片的制作方法，其特征在于,步驟4)包含以下子步驟：
b1.將所述混合粉與酯類溶液攪拌混合，并加入有機粘合劑和分散劑攪拌，形成陶瓷漿料；
b2.涂布所述陶瓷漿料以形成所述薄膜基片。
10.一種低溫共燒器件的制作方法，其特征在于,包括以下步驟：利用根據(jù)權利要求1至9任一項所述的制作方法得到的低介共燒陶瓷膜片制作帶電極的生坯，再對所述的生坯一次完成切割、排膠、燒結，完成共燒器件的制作。