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常壓下利用白炭黑為硅源制備高表面積納米孔二氧化硅的方法與流程

文檔序號:12686401閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種在常壓下利用白炭黑為硅源制備高表面積納米孔二氧化硅的方法,屬于納米材料生產(chǎn)領(lǐng)域。將白炭黑放入氫氧化鈉溶液中溶解反應(yīng)12h后,冷卻至室溫后,將溶液過濾得到硅酸鈉溶液;取一定量的硅酸鈉溶液和水混合,調(diào)節(jié)pH后,加入一定質(zhì)量的CTAB;將反應(yīng)介質(zhì)放在搖床上,在一定溫度下反應(yīng)一段時(shí)間;反應(yīng)后的混合液經(jīng)過濾,收集沉淀物,用蒸餾水洗滌多次放入烘箱中90℃下干燥3?h;將干燥后的樣品以1℃/min的升溫速率在550℃下煅燒6?h。本發(fā)明所講的納米孔SiO2的制備方法工藝簡單,設(shè)備要求低,在常壓下就可以進(jìn)行,且制備周期時(shí)間短。得到的納米孔SiO2材料具有高的比表面積相對均勻的孔徑分布。為納米孔SiO2材料的制備提供了新的思路,具有廣闊的發(fā)展前景。

技術(shù)研發(fā)人員:盛莉萍;劉世權(quán)
受保護(hù)的技術(shù)使用者:濟(jì)南大學(xué)
文檔號碼:201611214166
技術(shù)研發(fā)日:2016.12.26
技術(shù)公布日:2017.06.23

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