本申請(qǐng)涉及SiC生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種能夠加速冷卻的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)。

背景技術(shù)：

人造SiC通常是在坩堝中進(jìn)行生產(chǎn)的，坩堝是通過(guò)石墨平臺(tái)進(jìn)行支撐的，石墨平臺(tái)起到均熱作用，在SiC生長(zhǎng)過(guò)程中，需要反復(fù)對(duì)坩堝進(jìn)行加熱和冷卻，石墨平臺(tái)也需要經(jīng)歷反復(fù)不斷的膨脹和收縮，石墨平臺(tái)的膨脹和收縮會(huì)導(dǎo)致坩堝的中心位置發(fā)生偏移，使得坩堝在使用過(guò)程中不穩(wěn)定，容易晃動(dòng)，一旦坩堝在使用過(guò)程中發(fā)生晃動(dòng)，極易導(dǎo)致坩堝內(nèi)的溫場(chǎng)不均勻，嚴(yán)重影響SiC的質(zhì)量。

另外，現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)坩堝的加熱方式使得坩堝受熱不均勻，這影響了SiC晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量，也對(duì)能源造成了浪費(fèi)。

此外，在加熱結(jié)束后，需要將坩堝取下來(lái)，但是由于坩堝溫度過(guò)高，需要進(jìn)行自然冷卻降溫，這就會(huì)浪費(fèi)時(shí)間，使得工作效率下降。

基于上述問(wèn)題，設(shè)計(jì)發(fā)明一種新型的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)就顯得尤為必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N新型的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)，該裝置通過(guò)螺栓將兩塊石墨平臺(tái)連接在一起，并將坩堝固定于兩塊石墨平臺(tái)之間，當(dāng)石墨受熱膨脹時(shí)，由于螺栓的固定，石墨平臺(tái)不會(huì)發(fā)生位置平移，從而保障了坩堝位置的穩(wěn)定性。另外，在兩塊石墨平臺(tái)相對(duì)的一側(cè)，在每個(gè)石墨平臺(tái)上設(shè)有一個(gè)半圓，兩個(gè)半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套，坩堝正好放置于該加熱套內(nèi)，使得坩堝受熱均勻，避免了坩堝內(nèi)由于局部過(guò)熱而對(duì)產(chǎn)品造成影響，也避免了坩堝內(nèi)由于局部受不到熱，而對(duì)能源造成浪費(fèi)。為了加速石墨及坩堝的溫度降低，在石墨塊和坩堝的底下設(shè)置風(fēng)扇，當(dāng)需要冷卻時(shí)，可以打開(kāi)風(fēng)扇，風(fēng)扇吹風(fēng)石墨塊和坩堝產(chǎn)生的熱量吹走，從而使得坩堝的溫度加速降下來(lái)。

一種能夠加速冷卻的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)，包括第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)，所述的第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)通過(guò)兩個(gè)螺栓連接在一起，兩根螺栓分別貫穿第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)的兩側(cè)，所述的第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)相對(duì)的一側(cè)，在每個(gè)平臺(tái)上分別設(shè)有半圓，兩半圓大小及相對(duì)位置為對(duì)應(yīng)的，兩個(gè)半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套，坩堝正好放置于該加熱套內(nèi)；所述的第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)放置在不銹鋼底座上，且不銹鋼底座的底端固定有風(fēng)扇，當(dāng)需要冷卻時(shí)，開(kāi)動(dòng)風(fēng)扇，吹走石墨塊和坩堝的熱量，使得石墨塊和坩堝冷卻下來(lái)；

在第二石墨平臺(tái)的一次為螺帽，在第一石墨平臺(tái)的一側(cè)為螺母；在螺帽與第二石墨平臺(tái) 之間設(shè)有彈簧；

所述的不銹鋼底座的側(cè)面設(shè)置有按鈕，用于風(fēng)扇的開(kāi)關(guān)；

由于兩個(gè)石墨平臺(tái)通過(guò)螺栓連接在一起，對(duì)石墨平臺(tái)起到了固定作用，而第二石墨平臺(tái)外側(cè)彈簧的設(shè)置，使得石墨平臺(tái)受熱膨脹時(shí)，會(huì)想著外側(cè)移動(dòng)，而彈簧能緩沖這種壓力，而避免了螺帽對(duì)石墨平臺(tái)的擠壓，也避免了石墨平臺(tái)對(duì)坩堝的擠壓，避免了坩堝由于受壓過(guò)大而破碎；

加熱套的設(shè)置，使得坩堝受熱均勻，避免了坩堝內(nèi)由于局部過(guò)熱而對(duì)產(chǎn)品造成影響，也避免了坩堝內(nèi)由于局部受不到熱，而對(duì)能源造成浪費(fèi)。

為了加速石墨及坩堝的溫度降低，在石墨塊和坩堝的底下設(shè)置風(fēng)扇，當(dāng)需要冷卻時(shí)，可以打開(kāi)風(fēng)扇，風(fēng)扇吹風(fēng)石墨塊和坩堝產(chǎn)生的熱量吹走，從而使得坩堝的溫度加速降下來(lái)。

綜上所述，本申請(qǐng)?zhí)峁┑腟iC生長(zhǎng)坩堝，具有穩(wěn)定性好，通風(fēng)散熱性能優(yōu)良，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便等優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1為一種能夠加速冷卻的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)主視示意圖；

圖2為一種能夠加速冷卻的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)俯視示意圖；

圖3為圖1中A-A的剖視示意圖；

附圖標(biāo)記

圖中1為第一石墨平臺(tái)，2為螺栓，3為第二石墨平臺(tái)，4為螺帽，5為彈簧，6為不銹鋼底座，7為按鈕，8為坩堝，9為加熱套，10為風(fēng)扇。

具體實(shí)施例

實(shí)施例1

一種能夠加速冷卻的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)，包括第一石墨平臺(tái)1和第二石墨平臺(tái)3，所述的第一石墨平臺(tái)1和第二石墨平臺(tái)3通過(guò)兩個(gè)螺栓2連接在一起，兩根螺栓2分別貫穿第一石墨平臺(tái)1和第二石墨平臺(tái)3的兩側(cè)，所述的第一石墨平臺(tái)1和第二石墨平臺(tái)3相對(duì)的一側(cè)，在每個(gè)平臺(tái)上分別設(shè)有半圓，兩半圓大小及相對(duì)位置為對(duì)應(yīng)的，兩個(gè)半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套9，坩堝8正好放置于該加熱套內(nèi)；所述的第一石墨平臺(tái)1和第二石墨平臺(tái)3放置在不銹鋼底座6上，且不銹鋼底座6的底端固定有風(fēng)扇10，當(dāng)需要冷卻時(shí)，開(kāi)動(dòng)風(fēng)扇10，吹走石墨塊和坩堝的熱量，使得石墨塊和坩堝冷卻下來(lái)；

在第二石墨平臺(tái)3的一側(cè)為螺帽4，在第一石墨平臺(tái)1的一側(cè)為螺母；在螺帽4與第二石墨平臺(tái)3之間設(shè)有彈簧5；

所述的不銹鋼底座6的側(cè)面設(shè)置有按鈕7，用于風(fēng)扇10的開(kāi)關(guān)；

由于兩個(gè)石墨平臺(tái)通過(guò)螺栓連接在一起，對(duì)石墨平臺(tái)起到了固定作用，而第二石墨平臺(tái)外側(cè)彈簧的設(shè)置，使得石墨平臺(tái)受熱膨脹時(shí)，會(huì)想著外側(cè)移動(dòng)，而彈簧能緩沖這種壓力，而避免了螺帽對(duì)石墨平臺(tái)的擠壓，也避免了石墨平臺(tái)對(duì)坩堝的擠壓，避免了坩堝由于受壓過(guò)大而破碎；

加熱套的設(shè)置，使得坩堝受熱均勻，避免了坩堝內(nèi)由于局部過(guò)熱而對(duì)產(chǎn)品造成影響，也避免了坩堝內(nèi)由于局部受不到熱，而對(duì)能源造成浪費(fèi)。

為了加速石墨及坩堝的溫度降低，在石墨塊和坩堝的底下設(shè)置風(fēng)扇，當(dāng)需要冷卻時(shí)，可以打開(kāi)風(fēng)扇，風(fēng)扇吹風(fēng)石墨塊和坩堝產(chǎn)生的熱量吹走，從而使得坩堝的溫度加速降下來(lái)。

綜上所述，本申請(qǐng)?zhí)峁┑腟iC生長(zhǎng)坩堝，具有穩(wěn)定性好，通風(fēng)散熱性能優(yōu)良，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便等優(yōu)點(diǎn)。