本實(shí)用新型涉及電子產(chǎn)品用玻璃板領(lǐng)域，具體涉及一種含蝕刻油墨紋路圖案的鍍膜玻璃板。

背景技術(shù)：

目前市場(chǎng)上玻璃表面的蝕刻紋路主要有兩大類(lèi)：一是用模具高溫?zé)釅憾傻?，雖然此法能在玻璃上形成圖案，但是所得圖案尺寸公差較大，難以管控圖形的一致性和圖案的透明度，因而所得產(chǎn)品檔次低且效果差。另一種是使用印刷耐酸油墨加強(qiáng)酸蝕刻的方法制作圖案，這種方法印刷的油墨厚，分辨率差，無(wú)法制作出更精細(xì)、更細(xì)膩的紋路圖形來(lái)。如專(zhuān)利申請(qǐng)CN201410394473.4中公開(kāi)一種玻璃表面3D花紋的生產(chǎn)方法，包括如下步驟：a、先將鋼化前后的平板玻璃表面清洗干凈，用耐腐蝕油墨通過(guò)事先設(shè)計(jì)好圖案的絲網(wǎng)通過(guò)絲印的方法在要制作3D花紋的玻璃正面上印刷上圖案，絲印要求油墨膜厚為0.02-0.05mm，玻璃背面不需要制作花紋的面全部使用耐腐蝕油墨絲印，然后將正面和背面烘干；b、將絲印好的玻璃放入蝕刻液中，所述蝕刻液的成分及配比按重量百分比配制，水70-75份，催化劑15-5份，氫氟酸15-20份，蝕刻的時(shí)間按照花紋深度按照速率0.01mm/55-65秒計(jì)算，蝕刻液的溫度采用恒溫23-27攝氏；c、將加工好玻璃取出，放入水中洗凈玻璃上的蝕刻液；d、將加工后玻璃進(jìn)行褪鍍清洗、烘干即為成品。該發(fā)明中使用印刷耐酸保護(hù)油墨與HF蝕刻制作圖案紋路的方法，該方法使得圖案的輪廓公差控制在±0.05mm(即50微米)以?xún)?nèi)，但該方法無(wú)法得到更為細(xì)膩精準(zhǔn)的紋路，也即對(duì)線寬要求更精細(xì)的蝕刻圖案則不能使用該方法。另外，當(dāng)所述玻璃板為非平面的3D板時(shí)，若在3D板上直接印刷油墨，則曲面處印刷效果過(guò)差。

專(zhuān)利申請(qǐng)CN201510128386提供一種納米圖案壓印掩模版及其制作方法，其為玻璃材質(zhì)，其表面具有由溝槽構(gòu)成的設(shè)定圖案，其是利用一基材制成；該基材具有：一基體，其為玻璃材質(zhì)；覆蓋在該基體表面的一鍍膜層，其為金屬或金屬氧化物材質(zhì)，具體為鐵+鐵的氧化物或者鉻+鉻的氧化物；以及覆蓋在該鍍膜層上的一光阻層；其中，該鍍膜層的厚度范圍為50-1000nm；該光阻層厚度范圍為500-15000nm。該方法中具體是先采用金屬刻蝕液對(duì)基材上的鍍膜層進(jìn)行蝕刻處理，以局部去除該鍍膜層；然后采用含氫氟酸和銨的玻璃刻蝕液對(duì)基材上的基體進(jìn)行蝕刻處理。該方法制備的納米圖案壓印掩模版能夠很好地滿(mǎn)足于納米壓印技術(shù)的應(yīng)用。但該方案的目的是制備納米圖案壓印掩模版，其不透光的金屬或金屬氧化物鍍膜層最終會(huì)存在于掩模版上，因而該方案并不適應(yīng)于本實(shí)用新型中制備透明的含蝕刻紋路圖案的玻璃板。另外，即使使用相應(yīng)的蝕刻液去除其金屬或金屬氧化物鍍膜層，所得玻璃板的蝕刻紋路圖案的精度和蝕刻深度也并不滿(mǎn)足本實(shí)用新型的要求。

因此，為解決上述問(wèn)題，當(dāng)需要制備一種蝕刻圖案更精美的玻璃板時(shí)，本領(lǐng)域需要開(kāi)發(fā)一種在玻璃板上制備蝕刻圖案的新方法及新產(chǎn)品。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種紋路更加精細(xì)，輪廓精度可以控制在±5μm以?xún)?nèi)，且線寬小于50微米、甚至小于20微米的蝕刻紋路圖案的玻璃板，尤其是含蝕刻紋路圖案的3D玻璃板。

因此，本實(shí)用新型提供一種含蝕刻紋路圖案的鍍膜玻璃板，所述玻璃板包括玻璃基片11、氧化硅鍍膜層14和從玻璃基片的鍍膜層表面凹進(jìn)的蝕刻紋路圖案12，所述蝕刻紋路圖案12的紋路中包含線寬為30微米以下的蝕刻紋路，且所述氧化硅鍍膜層14的厚度為5～200nm，蝕刻紋路圖案12從玻璃基片上表面凹進(jìn)的深度為3～20微米。

在本實(shí)用新型一種具體實(shí)施方式中，所述玻璃板上還包括與蝕刻紋路圖案12的圖形互補(bǔ)的耐氫氟酸光阻層13，且所述耐氫氟酸光阻層13的厚度為3～10微米。

在本實(shí)用新型一種具體實(shí)施方式中，所述耐HF光阻層13的厚度為3～5微米。

在本實(shí)用新型一種具體實(shí)施方式中，所述蝕刻紋路圖案的紋路中包含線寬為20微米以下的紋路。

在本實(shí)用新型一種具體實(shí)施方式中，所述蝕刻紋路圖案的紋路中包含線寬為10～15微米的紋路。

在本實(shí)用新型一種具體實(shí)施方式中，所述蝕刻紋路圖案中，線寬為30微米以下的紋路所占的實(shí)際面積為該蝕刻紋路圖案的總面積的10％以上。

在本實(shí)用新型一種具體實(shí)施方式中，線寬為20微米以下的紋路所占的實(shí)際面積為該蝕刻紋路圖案的總面積的30％以上。

在本實(shí)用新型一種具體實(shí)施方式中，所述玻璃基片(11)為平面玻璃或3D曲面玻璃，且所述玻璃基片為未強(qiáng)化玻璃基片。

本實(shí)用新型還提供一種含蝕刻紋路圖案的玻璃板的制備方法，包括如下步驟：

步驟a、將玻璃基片清洗干凈；在清洗干凈的玻璃基片表面整面鍍?cè)O(shè)氧化硅膜層并清洗干凈，且所述氧化硅膜層的厚度為5～200nm，洗凈后在玻璃基片鍍膜面上整面涂布厚度為3-10μm的耐氫氟酸光阻并預(yù)烤，再通過(guò)光罩曝光和顯影工序?qū)⒆罱K需要形成蝕刻紋路圖案的位置的光阻顯影去除，隨后烘烤所述耐氫氟酸光阻；且在玻璃基片上不需制作紋路的一面整面貼覆抗酸膜；

步驟b、將步驟a所得含鍍膜層和光阻層的玻璃放入氫氟酸蝕刻液中蝕刻，氫氟酸蝕刻液中HF的濃度為1-20wt％；氫氟酸蝕刻液蝕刻所述氧化硅膜層和玻璃，且其最終腐蝕玻璃的蝕刻深度為3～20微米，將蝕刻好的玻璃取出在清水中清洗干凈；

步驟c、將步驟b所得的玻璃置于光阻剝膜液中整面剝離去除光阻膜，得到所述含蝕刻紋路圖案的玻璃板產(chǎn)品。

本實(shí)用新型中氫氟酸蝕刻液最終腐蝕玻璃的蝕刻深度為3～20微米，優(yōu)選5～15微米，更優(yōu)選7～10微米，本實(shí)用新型所述方法尤其適用于對(duì)氫氟酸蝕刻深度較深的玻璃蝕刻紋路圖案的制作，在保證蝕刻深度的同時(shí)保證圖案的蝕刻精度。

在本實(shí)用新型一種具體實(shí)施方式中，所述氧化硅膜層的厚度為10～100nm，例如為20nm。

本實(shí)用新型步驟a的曝光過(guò)程中使用的光罩上含有與蝕刻紋路圖案相同(或相似)的圖案為透光部分，或所述光罩上含有與蝕刻紋路圖案互補(bǔ)的圖案為透光部分。在一種具體的實(shí)施方式中，步驟b氫氟酸蝕刻液中HF的濃度為5～15wt％，且氫氟酸蝕刻的溫度為20～30℃，蝕刻時(shí)間依據(jù)蝕刻深度而定；更具體地，氫氟酸蝕刻液中HF的濃度為10wt％，且氫氟酸蝕刻的溫度為25℃，蝕刻時(shí)間為80s。本領(lǐng)域技術(shù)人員可知的，所述氫氟酸蝕刻液既能蝕刻氧化硅膜層，又能蝕刻玻璃，因而氫氟酸蝕刻后在玻璃上形成蝕刻紋路。

有益效果：本實(shí)用新型采用一定厚度的耐氫氟酸光阻，可以精確的控制光阻曝光和顯影后紋路的大小和精度，且通過(guò)控制氫氟酸蝕刻玻璃的深度，使得加工的玻璃產(chǎn)品紋路可以精確控制。本實(shí)用新型中鍍?cè)O(shè)了特定厚度的氧化硅膜層，這樣得到的玻璃產(chǎn)品中蝕刻紋路的精度高而細(xì)膩，且圖案準(zhǔn)確度更高，得到更深蝕刻圖案的玻璃板。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型中產(chǎn)品制備過(guò)程中某步驟完成后的玻璃正面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型中產(chǎn)品制備過(guò)程中及所得產(chǎn)品的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖2-1為步驟a中完成鍍膜后的結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖2-2為步驟a完成后的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2-3為步驟b完成后的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2-4為步驟c完成后的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中，11、玻璃基片，12、蝕刻紋路圖案，13、耐氫氟酸光阻層，14、氧化硅膜層。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)實(shí)例，進(jìn)一步驟詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式。

本領(lǐng)域技術(shù)人員知曉地，光阻，也稱(chēng)為光阻劑，是一個(gè)應(yīng)用在許多工業(yè)制程上的光敏材料。例如其應(yīng)用在光刻技術(shù)中，可以在材料表面刻上一個(gè)圖案的被覆層。光阻分兩種，正向光阻和負(fù)向光阻。正向光阻是照到光的部分會(huì)溶于光阻顯影液，而沒(méi)有照到光的部分不會(huì)溶于光阻顯影液；也就是說(shuō)，光阻本身難溶于顯影液，曝光后受到光照的地方的光阻解離成小分子，形成容易溶于顯影液的結(jié)構(gòu)。負(fù)向光阻是光阻本身(沒(méi)有照到光的部分)易溶于顯影液，而其照到光的部分不會(huì)溶于光阻顯影液(曝光后形成不容易溶于顯影液的化學(xué)結(jié)構(gòu))。光阻主要由樹(shù)脂，感光劑，溶劑三種成分混合而成，光阻一般都與光罩以及相應(yīng)的顯影液配合使用，在需要正面將光阻剝離時(shí)，還會(huì)與光阻剝膜液配套使用。也就是說(shuō)，在現(xiàn)有技術(shù)中，光阻(具體為耐氫氟酸光阻)、顯影液和光阻剝膜液的常見(jiàn)化學(xué)成份及其相互配用關(guān)系都是本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的內(nèi)容。光阻按照另外的方式可分為干膜光阻和濕膜光阻，且其中干膜光阻常用的是負(fù)向光阻，而濕膜光阻常用的是正向光阻，這樣能取得更為精確的曝光顯影結(jié)果。

在本實(shí)用新型的一種具體實(shí)施方式中，例如使用正向的濕膜光阻時(shí)，若目的是在玻璃基片上形成葉脈紋路的圖案，則光罩的鏤空?qǐng)D案與葉脈紋路圖案一致或相似，經(jīng)光照后，鏤空部分的光阻受到光的照射而溶于顯影液，在玻璃板上形成葉脈紋路圖案處鏤空的圖案，其它大面積在光照后依然是被光阻覆蓋的。鏤空處經(jīng)氫氟酸蝕刻而在玻璃基板上形成蝕刻紋路。再使用光阻剝膜液將耐氫氟酸光阻層從玻璃平板上整面剝離，則留下蝕刻得到的葉脈紋路圖案，這樣就達(dá)到了本實(shí)用新型的目的。

本實(shí)用新型中均以葉脈紋路圖案為例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可知使用本實(shí)用新型所述方法可以用于制備其它任何形狀的蝕刻紋路圖案。

本實(shí)用新型中，在對(duì)光阻進(jìn)行曝光時(shí)，2D蓋板可以使用一般的汞燈曝光機(jī)或鐳射曝光機(jī)，3D蓋板則需使用鐳射曝光機(jī)曝光。

本實(shí)用新型中的圖案依靠氫氟酸對(duì)玻璃的蝕刻深淺來(lái)體現(xiàn)，表現(xiàn)為略帶炫光的紋路圖案，該圖案無(wú)明顯的顏色。在一種具體的實(shí)施方式中，所述玻璃基片為未強(qiáng)化的玻璃基片。

本實(shí)用新型中所用的耐氫氟酸光阻屬于成熟商品，如中國(guó)臺(tái)灣永光生產(chǎn)的EPG580或日本POK公司生產(chǎn)的N-100。本實(shí)用新型中所述顯影液例如為T(mén)MAH(氫氧化四甲基胺)，其濃度為2～4wt％。本實(shí)用新型中使用的抗酸膜同樣為一種常用商品。本實(shí)用新型中，用于蝕刻玻璃和氧化硅膜層的氫氟酸蝕刻液同樣可通過(guò)商購(gòu)獲取，其中含HF和其它成份。

本實(shí)用新型中的光阻剝膜液中包含乙醇胺和二甘醇丁醚，或所述光阻剝膜液為氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液；無(wú)論哪種光阻剝膜液都可以通過(guò)商購(gòu)獲取。本實(shí)用新型中首先在玻璃上鍍?cè)O(shè)一層氧化硅膜層，所述氧化硅膜層的厚度一般為5～200nm，例如采用真空鍍膜法鍍?cè)O(shè)所述氧化硅膜。

本實(shí)用新型中，顯影后去除的光阻圖案與最終的蝕刻圖案保持一致。本實(shí)用新型中，所述耐氫氟酸光阻的耐酸性要求是光阻在氫氟酸蝕刻液中浸泡5min，光阻無(wú)脫落。

在一種具體的實(shí)施方式中，步驟a中，預(yù)烤溫度為100-140℃，時(shí)間為120-500s，曝光能量為100-300mJ/cm²，顯影液為T(mén)MAH，濃度為3-4％，或顯影液為濃度為0.01～2％(其余組分為水份和界面活性劑等添加劑)的KOH，它對(duì)應(yīng)另外的光阻。顯影溫度為21～25℃，時(shí)間為80-200s。硬烤溫度為110-150℃，時(shí)間為2-30min。

實(shí)施例1

本實(shí)施例的目的是制備一種含蝕刻紋路圖案的玻璃板，包括如下步驟：

步驟a、將玻璃基片清洗干凈；在清洗干凈的玻璃基片表面整面鍍?cè)O(shè)氧化硅膜層并清洗干凈，且所述氧化硅膜層的厚度為5～200nm，所得結(jié)構(gòu)如圖2-1所示。洗凈后在玻璃基片鍍膜面上整面涂布厚度為3-10μm的耐氫氟酸光阻并預(yù)烤，再通過(guò)光罩曝光和顯影工序?qū)⒆罱K需要形成蝕刻紋路圖案的位置的光阻顯影去除，隨后烘烤所述耐氫氟酸光阻；且在玻璃基片上不需制作紋路的一面整面貼覆抗酸膜；所得結(jié)構(gòu)如圖2-2所示。

步驟b、將步驟a所得含鍍膜層和光阻層的玻璃放入氫氟酸蝕刻液中蝕刻，氫氟酸蝕刻液中HF的濃度為1-20wt％；氫氟酸蝕刻液蝕刻所述氧化硅膜層和玻璃，且其最終腐蝕玻璃的蝕刻深度為3～20微米，將蝕刻好的玻璃取出在清水中清洗干凈；所得結(jié)構(gòu)如圖2-3所示。

步驟c、將步驟b所得的玻璃置于光阻剝膜液中整面剝離去除光阻膜，得到所述含蝕刻紋路圖案的玻璃板產(chǎn)品。所得結(jié)構(gòu)如圖2-4所示。

使用本實(shí)用新型所述方法可以得到一種紋路非常精細(xì)，線寬小于50微米、甚至小于20微米的蝕刻紋路圖案的玻璃板，所得玻璃板上的蝕刻紋路的深度可達(dá)7～20微米，圖案的輪廓精度可控制在±5μm以?xún)?nèi)。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。