本實(shí)用新型涉及一種過濾系統(tǒng)，具體是一種結(jié)晶罐連續(xù)過濾系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

KDP(磷酸二氫鉀)晶體是一種優(yōu)良的電光非線性光學(xué)材料，廣泛用于激光變頻、電光調(diào)制和光快速開關(guān)等高技術(shù)領(lǐng)域。特別是80年代以來，用激光器來產(chǎn)生熱核反應(yīng)成為可能，從而發(fā)展慣性束在約聚變(ICF)驅(qū)動(dòng)器的研究。

KDP晶體是迄今任何非線性光學(xué)材料所不及的，它具有較大的電光、非線性系數(shù)、激光損傷閾值高的特性，特別是能夠生長出滿足大口徑通光所需要的高質(zhì)量大尺寸的單晶。因此，大截面KDP類晶體是目前唯一應(yīng)用于激光核聚變中的非線性光學(xué)材料。

KDP晶體傳統(tǒng)生長速度只達(dá)1mm/day左右，美國克里富蘭晶體公司生長一塊370mm口徑的KDP晶體就花了兩年時(shí)間，很難滿足ICF工程對KDP晶體材料數(shù)量的需要。而KDP晶體快速生長速度為10～20mm/day,生長周期1～2個(gè)月，其生長速度比傳統(tǒng)生長速度提高了十幾倍。所以提高KDP晶體的生長速度，縮短生長周期是當(dāng)前KDP晶體的主要問題,是提高KDP晶體激光損傷閾值是研究的重要的課題。

在晶體生長的過程中，需要通過升高流出的培養(yǎng)液溫度將結(jié)晶過程中產(chǎn)生的雜晶融化并過濾出去，然后再將培養(yǎng)液降回到原來的溫度。從而使得在培養(yǎng)槽中晶體能夠不受雜晶核的影響而正常生長，最終長出滿意的晶體。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種結(jié)晶罐連續(xù)過濾系統(tǒng)，該系統(tǒng)能循環(huán)不斷地對磷酸二氫鉀溶液進(jìn)行過濾，減少雜晶核的影響。

為了達(dá)到上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：

一種結(jié)晶罐連續(xù)過濾系統(tǒng)，包括結(jié)晶罐，還包括熱水浴槽和冷水浴槽，所述熱水浴槽上設(shè)置有第一進(jìn)水口和加熱熱水浴槽內(nèi)液體的第一加熱器，所述冷水浴槽上設(shè)置有第二進(jìn)水口和加熱冷水浴槽內(nèi)液體的第二加熱器；所述結(jié)晶罐的出液口通過管路與熱水浴槽連接，所述熱水浴槽內(nèi)設(shè)置有動(dòng)力泵和過濾器，所述管路通過動(dòng)力泵與過濾器連接，過濾器出口的管路通入冷水浴槽內(nèi)，所述冷水浴槽內(nèi)設(shè)置有回流閥，通入冷水浴槽的管路與回流閥連接，回流閥通過管路與結(jié)晶罐的進(jìn)液口連接。

為了對溫度進(jìn)行控制，所述熱水浴槽內(nèi)設(shè)置有第一溫度傳感系統(tǒng)，所述冷水浴槽內(nèi)設(shè)置有第二溫度傳感系統(tǒng)，所述第一溫度傳感系統(tǒng)控制第一加熱器；所述第二溫度傳感系統(tǒng)控制第二加熱器。作為優(yōu)選，所述第一溫度傳感系統(tǒng)包括第一熱電偶，第一熱電偶檢測熱水浴槽內(nèi)液體的溫度；所述第二溫度傳感系統(tǒng)包括第二熱電偶，第二熱電偶檢測冷水浴槽內(nèi)液體的溫度。

為了提高過濾的質(zhì)量，所述過濾器分為第一過濾器和第二過濾器，第一過濾器和第二過濾器連接在一起，所述第一過濾器為0.1μm過濾器，所述第二過濾器為0.03μm過濾器。

為了控制熱水浴槽和冷水浴槽內(nèi)的液位，所述熱水浴槽和冷水浴槽內(nèi)均設(shè)置有液位計(jì)。作為優(yōu)選，所述液位計(jì)為連桿浮球液位開關(guān)。

本實(shí)用新型能夠循環(huán)不斷地對磷酸二氫鉀溶液進(jìn)行過濾，從而減少了雜晶核的影響，提高晶體生長的質(zhì)量。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

如圖1所示，一種結(jié)晶罐連續(xù)過濾系統(tǒng)，包括結(jié)晶罐1，還包括熱水浴槽2和冷水浴槽3。

所述熱水浴槽2上設(shè)置有第一進(jìn)水口5和加熱熱水浴槽2內(nèi)液體的第一加熱器7，第一進(jìn)水口5通入液體，第一加熱器7對第一進(jìn)水口5通入液體進(jìn)行加熱，控制熱水浴槽2內(nèi)液體的溫度。

所述熱水浴槽2內(nèi)設(shè)置有第一溫度傳感系統(tǒng)，第一溫度傳感系統(tǒng)控制第一加熱器7，第一溫度傳感系統(tǒng)包括第一熱電偶，第一熱電偶檢測熱水浴槽2內(nèi)液體的溫度。

所述冷水浴槽3上設(shè)置有第二進(jìn)水口6和加熱冷水浴槽3內(nèi)液體的第二加熱器8，第二進(jìn)水口6通入液體，第二加熱器8對冷水浴槽3內(nèi)液體進(jìn)行加熱，控制冷水浴槽3內(nèi)液體的溫度。

所述冷水浴槽3內(nèi)設(shè)置有第二溫度傳感系統(tǒng)，所述第二溫度傳感系統(tǒng)控制第二加熱器8，第二溫度傳感系統(tǒng)包括第二熱電偶，第二熱電偶檢測冷水浴槽3內(nèi)液體的溫度。

結(jié)晶罐1的出液口通過管路4與熱水浴槽2連接，熱水浴槽2內(nèi)設(shè)置有動(dòng)力泵9和過濾器，通入熱水浴槽2內(nèi)的管路通過動(dòng)力泵9與過濾器連接，過濾器出口的管路通入冷水浴槽3內(nèi)。所述冷水浴槽3內(nèi)設(shè)置有回流閥，通入冷水浴槽3的管路與回流閥連接，回流閥通過管路與結(jié)晶罐1的進(jìn)液口連接。

所述過濾器分為第一過濾器10和第二過濾器11，第一過濾器10和第二過濾器11連接在一起，所述第一過濾器10為0.1μm過濾器，所述第二過濾器11為0.03μm過濾器。

所述熱水浴槽2和冷水浴槽3內(nèi)均設(shè)置有液位計(jì)，所述液位計(jì)為連桿浮球液位開關(guān)。

使用時(shí)，結(jié)晶罐1流出液體通過熱水浴槽2加熱將雜晶融化，經(jīng)過過濾器過濾出去，然后再將液體降回到原來的溫度，并返回到結(jié)晶罐1內(nèi)。從而使得在結(jié)晶槽中晶體能夠不受雜晶核的影響而正常生長。

上述實(shí)施例不以任何方式限制本實(shí)用新型，凡是采用等同替換或等效變換的方式獲得的技術(shù)方案均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。