本實(shí)用新型涉及熔煉領(lǐng)域，特別是指一種電熔鎂砂的生產(chǎn)裝置。

背景技術(shù)：

電熔鎂砂在電弧爐中熔融制得，具有純度高、結(jié)晶粒大、結(jié)構(gòu)致密、抗渣性強(qiáng)材料和熱震穩(wěn)定性好的特點(diǎn)，是一種優(yōu)良的高溫電氣絕緣材料，也是制作高檔鎂磚、鎂碳磚及不定形耐火材料的重要原料，因而電熔鎂砂的制備十分重要。

目前，冶煉電熔鎂砂以特A級天然菱鎂礦和高純輕燒鎂顆粒為主要原料，二者分開加入熔煉爐，特A級天然菱鎂礦加入量較多，氣囊相應(yīng)較大，特A級天然菱鎂礦加入量較少，氣囊相應(yīng)較??；高純輕燒鎂顆粒加入量較多，氣囊相應(yīng)較小，高純輕燒鎂顆粒加入量較小，氣囊相應(yīng)較大。因而在熔煉過程中，氣囊大小時(shí)有不穩(wěn)，氣囊太小，不利于節(jié)能，氣囊太大，電流不穩(wěn)定，會造成噴爐、局部塌陷、電極之間滅弧或斷路。同時(shí)，在冶煉電熔鎂砂時(shí)，現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)采用石墨粉層作為引弧材料，造成了大量的用后廢電極堆積。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提出一種電熔鎂砂的生產(chǎn)裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中上述的問題。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種電熔鎂砂的生產(chǎn)裝置，包括：

第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈?；

廢電極顆粒層，鋪設(shè)于所述第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈由?；

第二輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈樱佋O(shè)于所述廢電極顆粒層上；

電極，一端穿過所述第二輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈忧以O(shè)置于所述廢電極顆粒層內(nèi)。

進(jìn)一步地，本實(shí)用新型所述的電熔鎂砂的生產(chǎn)裝置，還包括：

電源，與所述電極另一端連接。

優(yōu)選地，所述第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆粒混合層具體為第一高純輕燒鎂顆粒及天然菱鎂石顆?；旌蠈?，所述第二輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈泳唧w為第二高純輕燒鎂顆粒及天然菱鎂石顆?；旌蠈?。

優(yōu)選地，所述第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈雍退龅诙p燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈泳鶠橛闪?0～30mm且燒失量小于2％的高純輕燒鎂顆粒和粒徑10～30mm的特A級天然菱鎂石顆粒混合而成的混合層。

優(yōu)選地，所述第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈拥暮穸葹?00mm。

優(yōu)選地，所述廢電極顆粒層為由粒徑10～30mm的廢電極顆粒組成的廢電極顆粒層。

優(yōu)選地，所述廢電極顆粒層的厚度為200mm。

優(yōu)選地，所述第二輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈拥暮穸葹?500～2000mm。

優(yōu)選地，所述電極的數(shù)量為三根。

優(yōu)選地，所述電源的調(diào)壓范圍為120～160V。

本實(shí)用新型的有益效果為：

本實(shí)用新型所述的電熔鎂砂的生產(chǎn)裝置，第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈雍偷诙p燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈拥脑O(shè)置，可以使冶煉過程中氣囊平衡，防止氣囊太小不能節(jié)能，氣囊太大電流不穩(wěn)定，造成噴爐、局部坍塌、電極間滅弧或斷路，同時(shí)，采用廢電極顆粒層取代以往的石墨粉層作為電極間的導(dǎo)電材料，有利于資源的循環(huán)利用，節(jié)約能源。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面 描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型一種電熔鎂砂的生產(chǎn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：

1、第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈樱?、廢電極顆粒層；3、第二輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈樱?、電極。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本實(shí)用新型所述的一種電熔鎂砂的生產(chǎn)裝置，包括：

第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆粒混合層1；

廢電極顆粒層2，鋪設(shè)于第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈?上；

第二輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈?，鋪設(shè)于廢電極顆粒層2上；

電極4，一端穿過第二輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈?且設(shè)置于廢電極顆粒層2內(nèi)。

其中，電極4為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知技術(shù)，在此不進(jìn)行贅述和限定。

其中，本實(shí)用新型所述的電熔鎂砂的生產(chǎn)裝置，還可以包括：

電源，與電極4另一端連接。

其中，優(yōu)選地，所述第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈?具體為第一高純輕燒鎂顆粒及天然菱鎂石顆?；旌蠈?，第二輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈?具體為第二高純輕燒鎂顆粒及天然菱鎂石顆粒混合層。

其中，優(yōu)選地，所述第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆粒混合層1和第二輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆粒混合層3均為由粒徑10～30mm且燒失量小于2％的高純輕燒鎂顆粒和粒徑10～30mm的特A級天然菱鎂石顆?；旌隙傻幕旌蠈?。

其中，優(yōu)選地，所述第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆粒混合層1的厚度為200mm。

其中，優(yōu)選地，所述廢電極顆粒層2為由粒徑10～30mm的廢電極顆粒組成的廢電極顆粒層2。

其中，優(yōu)選地，所述廢電極顆粒層2的厚度為200mm。

其中，優(yōu)選地，所述第二輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆粒混合層3的厚度為1500～2000mm。

其中，優(yōu)選地，所述電極4的數(shù)量為三根。

其中，優(yōu)選地，所述電源的調(diào)壓范圍為120～160V。

具體冶煉時(shí)，分為三個(gè)階段：

1、電源電壓調(diào)整為120V，冶煉2h，形成熔池，完成開爐；

2、電源電壓穩(wěn)定在150～160V，爐體旋轉(zhuǎn)，冶煉6h～10h，料塊完全溶解，完成熔煉階段；

3、電源電壓保持在120～130V，進(jìn)入冶煉收尾階段，爐體旋轉(zhuǎn)，熔煉階段結(jié)束，即得電熔鎂砂。

使用本實(shí)用新型所述的電熔鎂砂的生產(chǎn)裝置制備的電熔鎂砂為A級，電熔鎂砂的分級指標(biāo)為：

A級：MgO≥98％，SiO2≤0.6％，CaO≤1.2％，體密≥3.5g/cm3；

B級，MgO≥97％，SiO2≤1.5％，CaO≤1.5％，體密≥3.45g/cm3；

C級，MgO≥96％，SiO2≤2.2％，CaO≤2.0％，體密≥3.45g/cm3。

本實(shí)用新型所述的電熔鎂砂的生產(chǎn)裝置，第一輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆?；旌蠈?和第二輕燒鎂顆粒及菱鎂石顆粒混合層3的設(shè)置，可以使冶煉過程中氣囊平衡，防止氣囊太小不能節(jié)能，氣囊太大電流不穩(wěn)定，造成噴爐、局部坍塌、 電極間滅弧或斷路，同時(shí)，采用廢電極顆粒層2取代以往的石墨粉層作為電極間的導(dǎo)電材料，有利于資源的循環(huán)利用，節(jié)約能源。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。