本實(shí)用新型涉及一種新型的導(dǎo)流筒內(nèi)保溫結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
目前單晶爐的導(dǎo)流筒內(nèi)只有四層保溫軟碳?xì)郑浔匦Ч^差,不能很好的起到保溫的作用,容易致使熱場的熱量散失,進(jìn)而會(huì)導(dǎo)置設(shè)備運(yùn)行時(shí)功率較高,耗電量較大。由于保溫效果不好,熱量的損失,使熱場中的縱向溫度梯度達(dá)不到應(yīng)有的差值,給晶棒的正常生長帶來不利的影響,尤其是在導(dǎo)流筒底部不容易保溫,爐內(nèi)氣流通過時(shí)導(dǎo)流筒底部溫度較低, SiO沉積后形成的黃色雜質(zhì)在導(dǎo)流筒底部容易聚集,這些黃色雜質(zhì)還會(huì)掉落至液面上,進(jìn)而會(huì)引起單晶斷棱以影響晶棒的正常生長,減少了晶棒的有效長度,降低了利用率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本實(shí)用新型提供一種新型的導(dǎo)流筒內(nèi)保溫結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)保溫效果好、能起到良好的保溫效果,進(jìn)而會(huì)節(jié)省能耗,還可以保證晶棒的正常生長,能保證晶棒的有效長度以提高晶棒的利用率。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供一種新型的導(dǎo)流筒內(nèi)保溫結(jié)構(gòu),包括導(dǎo)流筒、第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱?、第四碳?xì)謱?、橫截面為圓環(huán)形的第五碳?xì)謱雍透呒兪垖?,第一碳?xì)謱淤N合在導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)壁上,第二碳?xì)謱淤N合在第一碳?xì)謱拥膬?nèi)側(cè)壁上,第三碳?xì)謱淤N合在第二碳?xì)謱拥膬?nèi)側(cè)壁上,第四碳?xì)謱淤N合在第三碳?xì)謱拥膬?nèi)側(cè)壁上,第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱雍偷谒奶細(xì)謱拥纳隙烁叨纫来芜f減;第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱印⒌谌細(xì)謱雍偷谒奶細(xì)謱拥锥讼嗥烬R且形成一個(gè)環(huán)形臺(tái)面;所述第五碳?xì)謱釉O(shè)置于所述環(huán)形臺(tái)面的下部,第五碳?xì)謱拥耐饩壝尜N合在導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)壁上,第五碳?xì)謱拥纳隙嗣媾c所述環(huán)形臺(tái)面相貼合;所述高純石墨紙層設(shè)置在第五碳?xì)謱拥南虏?,高純石墨紙層的外緣面貼合在導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)壁上,高純石墨紙層的上端面與第五碳?xì)謱拥南露嗣尜N合。
在該技術(shù)方案中,通過在導(dǎo)流筒原來的四層碳?xì)值幕A(chǔ)上,增加一個(gè)下部的第五碳?xì)謱?,并在第五碳?xì)謱拥南虏吭O(shè)置了一層高純石墨紙,這樣第五碳?xì)謱拥脑黾涌梢约訌?qiáng)導(dǎo)流筒底部的保溫效果,從而可以增加縱向溫度梯度,能有效的減少熱場內(nèi)的熱量流失,在節(jié)能的同時(shí)保證了晶棒的正常生長,能避免因保溫效果不好而引起的雜質(zhì)脫落而導(dǎo)致的單晶斷棱的情況發(fā)生。高純石墨紙層的增加加大了導(dǎo)流筒內(nèi)部熱量的反射,保證了晶體生長界面的溫度的穩(wěn)定,進(jìn)而可以提高晶棒內(nèi)部質(zhì)量的均勻性。
作為一種優(yōu)選,第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱雍偷谌細(xì)謱拥恼归_形均為長方形,第四碳?xì)謱拥恼归_形為扇形。
作為一種優(yōu)選,所述高純石墨紙層的底面與導(dǎo)流筒的底端端面相平齊。
作為一種優(yōu)選,所述高純石墨紙層的底面高于導(dǎo)流筒的底端端面。
為了提高保溫效果,第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱雍偷谒奶細(xì)謱拥拈]合連接接縫之間均相交錯(cuò)地設(shè)置。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖
圖中: 1、導(dǎo)流筒,2、第一碳?xì)謱樱?、第二碳?xì)謱樱?、第三碳?xì)謱樱?、第四碳?xì)謱樱?、第五碳?xì)謱樱?、高純石墨紙層。
具體實(shí)施方式
下面將對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
如圖1所示,一種新型的導(dǎo)流筒內(nèi)保溫結(jié)構(gòu),包括導(dǎo)流筒1、第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱?、第四碳?xì)謱?、橫截面為圓環(huán)形的第五碳?xì)謱?和高純石墨紙層7,第一碳?xì)謱?貼合在導(dǎo)流筒1的內(nèi)側(cè)壁上,第二碳?xì)謱?貼合在第一碳?xì)謱?的內(nèi)側(cè)壁上,第三碳?xì)謱?貼合在第二碳?xì)謱?的內(nèi)側(cè)壁上,第四碳?xì)謱?貼合在第三碳?xì)謱?的內(nèi)側(cè)壁上,第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱?和第四碳?xì)謱?的上端高度依次遞減;第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱?和第四碳?xì)謱?底端相平齊且形成一個(gè)環(huán)形臺(tái)面;所述第五碳?xì)謱?設(shè)置于所述環(huán)形臺(tái)面的下部,第五碳?xì)謱?的外緣面貼合在導(dǎo)流筒1的內(nèi)側(cè)壁上,第五碳?xì)謱?的上端面與所述環(huán)形臺(tái)面相貼合;所述高純石墨紙層7設(shè)置在第五碳?xì)謱?的下部,高純石墨紙層7的外緣面貼合在導(dǎo)流筒1的內(nèi)側(cè)壁上,高純石墨紙層7的上端面與第五碳?xì)謱?的下端面貼合。
通過在導(dǎo)流筒1原來的四層碳?xì)值幕A(chǔ)上,增加一個(gè)下部的第五碳?xì)謱?,并在第五碳?xì)謱?的下部設(shè)置了一層高純石墨紙,這樣第五碳?xì)謱?的增加可以加強(qiáng)導(dǎo)流筒1底部的保溫效果,從而可以增加縱向溫度梯度,能有效的減少熱場內(nèi)的熱量流失,在節(jié)能的同時(shí)保證了晶棒的正常生長,能避免因保溫效果不好而引起的雜質(zhì)脫落而導(dǎo)致的單晶斷棱的情況發(fā)生。高純石墨紙層7的增加加大了導(dǎo)流筒內(nèi)部熱量的反射,保證了晶體生長界面的溫度的穩(wěn)定,進(jìn)而可以提高晶棒內(nèi)部質(zhì)量的均勻性。
作為一種優(yōu)選,第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?和第三碳?xì)謱?的展開形均為長方形,第四碳?xì)謱?的展開形為扇形。
作為一種優(yōu)選,所述高純石墨紙層7的底面與導(dǎo)流筒1的底端端面相平齊。
作為一種優(yōu)選,所述高純石墨紙層7的底面高于導(dǎo)流筒1的底端端面。
為了提高保溫效果,第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱?和第四碳?xì)謱?的閉合連接接縫之間均相交錯(cuò)地設(shè)置。