本實(shí)用新型涉及太陽能晶體硅技術(shù)領(lǐng)域。尤其涉及一種用于鑄造晶體硅的籽晶塊。

背景技術(shù)：

目前鑄造高效多晶硅錠的半熔法是通過在多晶硅錠生長(zhǎng)爐內(nèi)的容器底部鋪設(shè)籽晶來生長(zhǎng)晶體的方法，經(jīng)過加熱融化并控制坩堝底部溫度使籽晶不被完全融化，使得硅熔體在未被完全融化的籽晶上生長(zhǎng)，該方法制備得到的硅錠晶體相對(duì)于使用DSS方法制得的硅錠晶體提高了質(zhì)量。

然而，由于目前傳統(tǒng)使用的鑄造高效多晶硅錠的籽晶主要是單晶頭尾料、邊皮料、單晶硅塊、多晶硅塊、單晶碎片、多晶碎片、單晶硅碎料、多晶硅碎料和非晶體硅碎料、硅粉中的一種或幾種。這些籽晶的尺寸不大，一般為0.1μm-5cm，鋪設(shè)在坩堝底部后，籽晶之間會(huì)存在縫隙，硅料在熔化過程形成的硅熔體會(huì)從坩堝上方順著硅料之間的貫通的縫隙流下來進(jìn)入籽晶的縫隙并凝固形成晶體，導(dǎo)致籽晶形核不易控制，容易產(chǎn)生大小不均勻的晶粒，這些不均勻的晶粒在應(yīng)力的作用下互相排擠容易生成位錯(cuò)等缺陷從而影響硅錠整體的質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種大尺寸籽晶塊。

本實(shí)用新型提供了一種用于鑄造晶體硅的大尺寸籽晶塊，鋪設(shè)于坩堝底部，其特征在于，所述籽晶塊的面積的整數(shù)倍等于坩堝底部的面積，所述籽晶塊的 長(zhǎng)度為200-1400mm，寬度或高度為200-1400mm，厚度為10-100mm。

其中，所述坩堝底部的面積是指籽晶塊放入后與坩堝底部正好匹配的面積，因在實(shí)際生產(chǎn)中，籽晶放進(jìn)去之后，可能與坩堝側(cè)壁存在一定的縫隙。一般情況下，籽晶放入后，籽晶塊與坩堝側(cè)壁可能存在5-30mm、10～20mm或20～30mm的縫隙。因此，所述坩堝底部的面積尺寸與坩堝底部的尺寸會(huì)存在縫隙的差異。

其中，所述籽晶塊的長(zhǎng)度為200-400mm、200-600mm、400-600mm、400-800mm、800-1000mm、800-1200mm、800-1400mm、1000-1200mm或1000-1200mm，所述籽晶塊的寬度或高度為200-400mm、200-600mm、400-600mm、400-800mm、800-1000mm、800-1200mm、800-1400mm、1000-1200mm或1000-1400mm，厚度為10-20mm、10-40mm、10-60mm、10-80mm、20-40mm、20-60mm、20-80mm、20-100mm、30-60mm、30-80mm、30-100mm、40-60mm、40-80mm或40-100mm。

其中，所述籽晶塊的面積等于坩堝底部的面積。

其中，所述籽晶塊的面積的2～16倍等于坩堝底部的面積。

其中，所述籽晶塊的面積的2倍、2-4倍、2-6倍、2-8倍、4-6倍、4-8倍、4-16倍、8-16倍等于坩堝底部的面積。

其中，所述籽晶塊的形狀為正方形、長(zhǎng)方形或三角形。

其中，所述籽晶塊為硅粉壓制體。

目前硅粉的顆粒直徑一般在0.1微米-100微米，純度為5N以上，在現(xiàn)有的技術(shù)中，可利用等靜壓、液壓或油壓將硅粉壓制成塊狀體。該硅粉壓制體具有良好的抗壓性能，不容易崩裂、斷裂，也不容易從表面脫落硅粉。但該硅粉壓制體一般作為單晶爐或多晶爐中的原料使用，其主要是為了解決硅粉單獨(dú)作為原料時(shí)，比表面積大，使得裝料量少的問題，或作為原料時(shí)，密度低，生長(zhǎng)出的單晶硅或多晶硅的質(zhì)量偏差的問題，沒有作為籽晶塊使用過。本實(shí)用新型中將這種硅粉壓制體作為籽晶塊鋪設(shè)在坩堝底部，籽晶塊之間將沒有縫隙或縫隙減 少，使得籽晶的形核更加容易控制，得到更高質(zhì)量的硅錠。且該制備方法簡(jiǎn)單易操作，成本低。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的大尺寸籽晶塊鋪設(shè)在坩堝底部的示意圖。

圖2為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的大尺寸籽晶塊鋪設(shè)在坩堝底部的示意圖。

圖3為本實(shí)用新型第三實(shí)施例的大尺寸籽晶塊鋪設(shè)在坩堝底部的示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型方案，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用型的進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

實(shí)施例一：

請(qǐng)參考圖1，本實(shí)用新型提供了一種大尺寸籽晶塊，該籽晶塊2鋪設(shè)在坩堝1底部，該籽晶塊2采用冷等靜壓0.1微米-100微米的硅粉制備而成，該籽晶塊2的尺寸為820mm×820mm×40mm(長(zhǎng)×寬×厚)，坩堝1的底部尺寸為840mm×840mm，采用1×1的方式將籽晶塊2鋪設(shè)在坩堝1底部。

實(shí)施例二：

請(qǐng)參考圖2，本實(shí)用新型提供了一種大尺寸籽晶塊，該籽晶塊2鋪設(shè)在坩堝1底部，該籽晶塊2采用油壓0.1微米-100微米的硅粉制備而成，該籽晶塊2的尺寸為480mm×480mm×60mm(長(zhǎng)×寬×厚)，坩堝1的底部尺寸為1000mm×1000mm，采用2×2的方式將籽晶塊2鋪設(shè)在坩堝1底部。

實(shí)施例三：

請(qǐng)參考圖3，本實(shí)用新型提供了一種大尺寸籽晶塊，該籽晶塊2鋪設(shè)在坩堝1底部，該籽晶塊2采用液壓0.1微米-100微米的硅粉制備而成，該籽晶塊2為等腰直角三角形，其尺寸為820mm×410mm×50mm(長(zhǎng)×高×厚)，坩堝1的底部尺 寸為840mm×840mm，采用2×2的方式將籽晶塊2鋪設(shè)在坩堝1底部。

以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)先實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。