本實(shí)用新型屬于光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種用于直拉單晶的加熱器。

背景技術(shù)：

直拉硅單晶是目前最重要的太陽能電池材料，由于目前行業(yè)競爭激烈，很多公司為了降低成本，增大投料量，但是同時也帶來了氧含量高的問題，氧含量目前成為太陽能直拉單晶中最重要的質(zhì)量參數(shù)，越來越受到客戶的關(guān)注。為了降低氧含量，很多公司采用矮加熱器，通過改變?nèi)酃柚械臒釋α鱽斫档脱鹾俊?/p>

如圖1和圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的圓筒狀的矮加熱器200，包括矮加熱器本體210以及位于矮加熱器本體210底端的安裝座220，矮加熱器的加熱區(qū)域分布在矮加熱器本體210的上部，矮加熱器本體210的下部具有一段很長的空置部分。整個加熱區(qū)域的高度與坩堝的高度相當(dāng)，該加熱區(qū)域從上向下分為a、c、b、三個不同溫度區(qū)，該矮加熱器安裝到坩堝外圍后，坩堝的中上部處于c溫度區(qū)，坩堝的底部處于b溫度區(qū)，并且底端向下超出了b溫度區(qū)。其中，a、b溫度區(qū)產(chǎn)生的溫度低于c溫度區(qū)產(chǎn)生的溫度，在拉晶過程中，受溫差的影響，處于c區(qū)域的高氧硅液會向坩堝中心和a、b區(qū)域流動，降氧效果不好。

由于矮加熱器的加熱區(qū)域分布在矮加熱器本體210的上部，矮加熱器本體的下部具有較長的閑置部分，使得坩堝位置不能降得太低，坩堝上部空間縮小，坩堝裝料量受到限制。

由于坩堝的底部處于b溫度區(qū)，并且底端向下超出了b溫度區(qū)，使得坩堝的底部周圍溫度較低，底部的高氧硅液結(jié)晶，容易使坩堝底部破裂，從而出現(xiàn)漏料事故。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種降氧效果好的用于直拉單晶的加熱器。

一種用于直拉單晶的加熱器，包括圓筒狀的加熱器本體，所述加熱器本體從上向下分布有第一高溫部、低溫部；加熱器本體通電后，第一高溫部產(chǎn)生的溫度高于低溫部產(chǎn)生的溫度。

本申請的好處在于:在加熱器本體安裝到坩堝的外圍后，第一高溫部和低溫部將分別對應(yīng)坩堝的上部和中部，加熱器本體通電后，第一高溫部產(chǎn)生的溫度高于低溫部產(chǎn)生的溫度，使得在溫差的作用下，坩堝上部的高氧硅液會流向坩堝中部，導(dǎo)致硅液表面即結(jié)晶面的氧含量很低，降氧效果相對于現(xiàn)有技術(shù)更好。

所述加熱器本體還包括位于低溫部下方的第二高溫部；加熱器本體通電后，第一高溫部和第二高溫部產(chǎn)生的溫度分別高于低溫部產(chǎn)生的溫度。

加熱器本體通電后，所述第一高溫部產(chǎn)生的溫度高于第二高溫部產(chǎn)生的溫度。

所述用于直拉單晶的加熱器為電阻加熱器，第一高溫部和第二高溫部的電阻分別高于低溫部的電阻。

第一高溫部和第二高溫部的電阻值相同，加熱器本體通電后，電流的流動方向是從第二高溫部流向第一高溫部。

在加熱器本體安裝到坩堝的外圍后，第二高溫部向下超出坩堝的底端一段距離。

在加熱器本體安裝到坩堝的外圍后，第一高溫部超出坩堝的頂端一段距離。

所述第一高溫部和第二高溫部在圓周方向上分別設(shè)置有挖空結(jié)構(gòu)。

第二高溫部的底端連接有能夠安裝到單晶爐中的安裝座。

第二高溫部向下延伸至加熱器本體的底端。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的矮加熱器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)的矮加熱器安裝到坩堝外圍后的工作狀態(tài)示意圖；

圖3是本實(shí)用新型的用于直拉單晶的加熱器的剖視圖；

圖4是本實(shí)用新型的用于直拉單晶的加熱器的立體圖；

圖5是本實(shí)用新型的用于直拉單晶的加熱器安裝到坩堝外圍后的工作狀態(tài)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

下面結(jié)合附圖，說明本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式。

本實(shí)用新型的用于直拉單晶的加熱器100，包括圓筒狀的加熱器本體110，加熱器本體110從上向下分布有第一高溫部A、低溫部C，在加熱器本體110安裝到坩堝G的外圍后，第一高溫部A和低溫部C將分別對應(yīng)坩堝的上部和中部；加熱器本體110通電后，第一高溫部A產(chǎn)生的溫度高于低溫部C產(chǎn)生的溫度。加熱器本體110通電后，在溫差的作用下，坩堝上部的高氧硅液會流向坩堝中部，導(dǎo)致硅液表面即結(jié)晶面的氧含量很低，降氧效果相對于現(xiàn)有技術(shù)更好。

加熱器本體110還包括位于低溫部C下方的第二高溫部B，在加熱器本體110安裝到坩堝的外圍后，第二高溫部B將對應(yīng)坩堝的底部；加熱器本體110通電后，第一高溫部A和第二高溫部B產(chǎn)生的溫度分別高于低溫部C產(chǎn)生的溫度。第一高溫部A產(chǎn)生的溫度高于第二高溫部B產(chǎn)生的溫度。如圖5所示：加熱器本體110通電后，在溫差的作用下，坩堝上部和底部的高氧硅液會流向坩堝中部。

用于直拉單晶的加熱器100為電阻加熱器，第一高溫部A和第二高溫部B的電阻分別高于低溫部C的電阻。第一高溫部A和第二高溫部B的電阻值相同，加熱器本體110通電后，電流的流動方向是從第二高溫部B流向第一高溫部A。經(jīng)過試驗(yàn)驗(yàn)證，當(dāng)?shù)谝桓邷夭緼和第二高溫部B的電阻值相同的時候，電流先經(jīng)過第二高溫部B后經(jīng)過第一高溫部A，會使得第一高溫部A的溫度高于第二高溫部B。

在加熱器本體110安裝到坩堝的外圍后，第二高溫部B向下超出坩堝的底端一段距離。使得坩堝的底部周圍的溫度較高，從而不會發(fā)生漏料的情況。

在加熱器本體110安裝到坩堝的外圍后，第一高溫部A超出坩堝的頂端一段距離。

第一高溫部A和第二高溫部B在圓周方向上分別設(shè)置有挖空結(jié)構(gòu)130，該挖空結(jié)構(gòu)130可以是矩形結(jié)構(gòu)，也可以是圓形等其它結(jié)構(gòu)，使得第一高溫部A和第二高溫部B的電阻高于低溫部C的電阻。通電后，第一高溫部A和第二高溫部B產(chǎn)生的溫度高于低溫部C產(chǎn)生的溫度。

第二高溫部B的底端連接有能夠安裝到單晶爐中的安裝座120。安裝座120包括一段豎直部分122和連接在豎直部分底端的朝向加熱器本體110內(nèi)部的水平部分124，水平部分124上設(shè)置有豎直的安裝孔1241。通過螺釘將安裝孔1241安裝到單晶爐中。其中，豎直部分122的高度和水平部分124的長度相當(dāng)，即豎直部分122的高度很短。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的矮加熱器200的a、b、c溫度區(qū)只分布在矮加熱器本體210的中上部，使得坩堝也只能安裝在矮加熱器本體210的中上部，并且由于現(xiàn)有技術(shù)的矮加熱器本體210的下部還具有一段較長的空置部分，更加使得坩堝的位置不能向下降的太低。如圖4所示，本申請的第二高溫部B向下延伸至加熱器本體110的底端，使得本申請的加熱器本體110的下部沒有空置的部分，使得坩堝的位置可以降的很低，增大坩堝的內(nèi)部空間，增大坩堝的裝料量。

以上實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實(shí)施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。

以上實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。