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一種可單片使用的LOW?E玻璃的制作方法

文檔序號:11742082閱讀:2213來源:國知局

本實(shí)用新型涉及一種可單片使用的LOW-E玻璃 ,屬于玻璃加工領(lǐng)域。



背景技術(shù):

Low-E玻璃又稱低輻射玻璃,是在玻璃表面鍍上多層金屬或其他化合物組成的膜系產(chǎn)品。其鍍膜層具有對可見光高透過及對中遠(yuǎn)紅外線高反射的特性,使其與普通玻璃及傳統(tǒng)的建筑用鍍膜玻璃相比,具有優(yōu)異的隔熱效果和良好的透光性。目前市場上的在線LOW-E產(chǎn)品不可單片使用,加工過程中需要進(jìn)行除膜,膜層硬度不夠,且存儲(chǔ)時(shí)間稍長便會(huì)出現(xiàn)氧化現(xiàn)象,對加工生產(chǎn)條件要求很高;而離線LOW-E產(chǎn)品雖然耐加工性很好,但是顏色不可調(diào)且相對性能較差。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種可單片使用的LOW-E玻璃,不會(huì)氧化,無需除膜,耐加工性性好,透過率高,隔熱性好強(qiáng),顏色可調(diào)至自然色。

為解決以上技術(shù)問題,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種可單片使用的LOW-E玻璃,包括玻璃基板,所述玻璃基板表面從下向上呈縱向依次設(shè)置底層電介質(zhì)層、吸收層、中間電介質(zhì)層、透明導(dǎo)電層和頂層電介質(zhì)層,所述的底層電介質(zhì)層、中間電介質(zhì)層和頂層電介質(zhì)層均包括Si3N4、TiO2、Nb2O5,SiOxNy中的一種或幾種,所述的吸收層包括Cr、NiCr、NiV、Ti、SST中的一種或幾種,所述透明導(dǎo)電層包括ITO、AZO、GZO中的一種或幾種。

所述底層電介質(zhì)層、中間電介質(zhì)層和頂層電介質(zhì)層的折射率為1.5~2.0,并且膜厚30~150nm。

所述吸收層的膜厚為0.1~5nm。

所述的透明導(dǎo)電層膜厚為30~250nm。

所述底層電介質(zhì)層、吸收層、中間電介質(zhì)層、透明導(dǎo)電層和頂層電介質(zhì)層采用磁控濺射的方式依次沉積在玻璃基板上。

本實(shí)用新型的有益效果在于:

1.不會(huì)氧化:由于本實(shí)用新型各涂層所用材料中未使用銀等易氧化的金屬材質(zhì),因此不會(huì)氧化,無需除膜,可單片使用,也可夾膠使用。

2.透過率高:采用的導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電層,膜層對可見光的吸收小,可以做到高透過率,顏色達(dá)到自然色。

3.隔熱性好:隔熱性與產(chǎn)品的導(dǎo)電性有關(guān),本實(shí)用新型的所采用的透明導(dǎo)電層包括ITO、AZO、GZO中的至少其中一種,因此本實(shí)用新型能達(dá)到近于離線LOW-E效果,與雙銀LOW-E玻璃搭配使用,保溫性能更強(qiáng),與雙銀LOW-E玻璃合中空后未充氬氣的情況下U值≤1.33,可達(dá)到與三銀LOW-E相同的節(jié)能效果;

4.膜層硬度高:底層電介質(zhì)層、吸收層、中間電介質(zhì)層、透明導(dǎo)電層和頂層電介質(zhì)層所用材料均為耐腐蝕性,耐加工性優(yōu)異的材料,膜層硬度可達(dá)9H,可加工性能強(qiáng),耐加工性與普通玻璃一樣。

因此,本實(shí)用新型所提供的一種可單片使用的LOW-E玻璃,不會(huì)氧化,無需除膜,透過率高,隔熱性強(qiáng),與雙銀LOW-E玻璃搭配使用,保溫性能更強(qiáng),可達(dá)到與三銀LOW-E相同的節(jié)能效果。

附圖說明

圖1 為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案,而不能以此來限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

實(shí)施例一

如圖1所示的一種可單片使用的LOW-E玻璃,包括玻璃基板,所述玻璃基板表面從下向上呈縱向依次設(shè)置底層電介質(zhì)層、吸收層、中間電介質(zhì)層、透明導(dǎo)電層和頂層電介質(zhì)層,所述的底層電介質(zhì)層、中間電介質(zhì)層和頂層電介質(zhì)層為SiOxNy(其中x的范圍為0<x<2,y的范圍為0<y<4/3),所述的吸收層為Cr,透明導(dǎo)電層為ITO。

所述底層電介質(zhì)層、中間電介質(zhì)層和頂層電介質(zhì)層的折射率為1.5,并且膜厚30nm。

所述吸收層的膜厚為0.1nm。

所述的透明導(dǎo)電層膜厚為30nm。

所述底層電介質(zhì)層、吸收層、中間電介質(zhì)層、透明導(dǎo)電層和頂層電介質(zhì)層采用磁控濺射的方式依次沉積在玻璃基板上。

將按以上材料和參數(shù)生產(chǎn)出的LOW-E玻璃,先用光譜儀UV3600測出太陽能全光譜(包括透、反射譜),將光譜數(shù)據(jù)導(dǎo)入軟件Win6.3,按美國NFRC100-2010標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算可得:

測得可見光透過率為85.65%,室外反射率6.60%,室內(nèi)反射率5.94%,冬季U值3.680W/m2.k,夏季U值2.828W/m2.k, 遮陽系數(shù)0.795。

因此,本實(shí)用新型具有不會(huì)氧化、無需除膜,強(qiáng)度高的特點(diǎn),可單片使用,且透過率高,隔熱性強(qiáng)。

實(shí)施例二

如圖1所示的一種可單片使用的LOW-E玻璃,包括玻璃基板,所述玻璃基板表面從下向上呈縱向依次設(shè)置底層電介質(zhì)層、吸收層、中間電介質(zhì)層、透明導(dǎo)電層和頂層電介質(zhì)層。所述的底層電介質(zhì)層、中間電介質(zhì)層和頂層電介質(zhì)層為TiO2,所述的吸收層為NiCr,所述透明導(dǎo)電層為AZO。

所述底層電介質(zhì)層、中間電介質(zhì)層和頂層電介質(zhì)層的折射率為2.0,并且膜厚150nm。

所述吸收層的膜厚為5nm。

所述的透明導(dǎo)電層膜厚為250nm。

所述底層電介質(zhì)層、吸收層、中間電介質(zhì)層、透明導(dǎo)電層和頂層電介質(zhì)層采用磁控濺射的方式依次沉積在玻璃基板上。

將按以上材料和參數(shù)生產(chǎn)出的LOW-E玻璃,先用光譜儀UV3600測出太陽能全光譜(包括透、反射譜),將光譜數(shù)據(jù)導(dǎo)入軟件Win6.3,按美國NFRC100-2010標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算可得:

測得可見光透過率為82.33%,室外反射率10.38%,室內(nèi)反射率11.07%,冬季U值3.596W/m2.k,夏季U值2.724W/m2.k, 遮陽系數(shù)0.813。

因此,本實(shí)用新型具有不會(huì)氧化、無需除膜,強(qiáng)度高的特點(diǎn),可單片使用,且透過率高,隔熱性強(qiáng)。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和變形,這些改進(jìn)和變形也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

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