本實用新型涉及寶石長晶領域，具體地，涉及一種導模法寶石長晶系統(tǒng)。

背景技術：

藍寶石英文名稱為Sapphire，源于拉丁文Spphins，屬于剛玉族礦物，三方晶系，是世界上硬度僅次于金剛石的晶體材料，由于其具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性、高熔點等優(yōu)良的物理、機械和化學性能，一直是微電子、航空航天、軍工等領域應用的材料。

藍寶石晶體生長常用的方法包括泡生法、導膜法、熱交換法等，其中，導模法是將一個毛細管模具垂直地安裝在坩堝底部，籽晶將通過毛細管口與熔體相接觸，然后按模具頂端截面形狀被提拉出各種形狀的晶體。在該導膜法長晶的過程中，需要將長成的晶體脫離模具，該步驟對晶體的品質有直接影響。然而，通常是通過提拉籽晶桿使晶體從模具脫離，但是該方法不能使晶體迅速脫離模具，容易影響晶體品質。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是為了使寶石長晶過程中的晶體快速脫離模具，提供一種導模法寶石長晶系統(tǒng)。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種導模法寶石長晶系統(tǒng)，其中，所述導模法寶石長晶系統(tǒng)包括寶石長晶爐、坩堝、坩堝升降裝置、模具和籽晶桿，所述坩堝位于所述寶石長晶爐的內(nèi)部，所述模具位于所述坩堝的內(nèi)部，籽晶桿設置在所述坩堝的上方，所述坩堝升降裝置貫穿所述寶石長晶爐的底部，并與所述坩堝的底部相連。

優(yōu)選地，所述坩堝升降裝置包括坩堝支架、支架底座、絲桿和電機，所述坩堝支架的一端貫穿所述寶石長晶爐的底部，并與所述坩堝的底部連接，所述坩堝支架的另一端與所述支架底座垂直連接，所述支架底座與所述絲桿螺紋連接，并且所述絲桿與所述電機連接，所述電機使得所述絲桿轉動，進而使所述支架底座上下移動。

優(yōu)選地，所述坩堝支架貫穿所述寶石長晶爐的底部的部位設置有密封件。

優(yōu)選地，在所述籽晶桿的下方還設置有籽晶夾。

優(yōu)選地，所述寶石長晶爐的內(nèi)部還包括加熱部件和保溫層，所述加熱部件位于所述坩堝的外周，所述保溫層位于所述加熱部件的外周。

優(yōu)選地，所述加熱部件為加熱線圈。

優(yōu)選地，所述寶石長晶爐上還設置有抽真空孔。

本實用新型通過所述坩堝升降裝置對坩堝升降控制，在脫模的過程中使得晶片能夠快速脫離模具，并且，所述坩堝升降裝置可以控制坩堝與加熱部件的距離，從而控制坩堝加熱溫度。

本實用新型的其它特征和優(yōu)點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。

附圖說明

附圖是用來提供對本實用新型的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本實用新型，但并不構成對本實用新型的限制。在附圖中：

圖1是本實用新型提供的一種實施方式的導模法寶石長晶系統(tǒng)。

附圖標記說明

1 寶石長晶爐； 2 坩堝；

3 坩堝升降裝置； 31 坩堝支架；

32 支架底座； 33 絲桿；

34 電機； 35 密封件；

4 模具； 5 籽晶桿；

6 籽晶夾； 7 加熱部件；

8 保溫層。

具體實施方式

以下對本實用新型的具體實施方式進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本實用新型，并不用于限制本實用新型。

本實用新型提供了一種導模法寶石長晶系統(tǒng)，其中，如圖1所示，所述導模法寶石長晶系統(tǒng)包括寶石長晶爐1、坩堝2、坩堝升降裝置3、模具4和籽晶桿5，所述坩堝2位于所述寶石長晶爐1的內(nèi)部，所述模具4位于所述坩堝2的內(nèi)部，籽晶桿5設置在所述坩堝2的上方，所述坩堝升降裝置3貫穿所述寶石長晶爐1的底部，并與所述坩堝2的底部相連。

本實用新型中，所述坩堝升降裝置3用于在長晶的過程中使坩堝能夠上下移動，因而所述坩堝升降裝置3可以為本領域常規(guī)能過實現(xiàn)升降功能的升降裝置。在一種優(yōu)選實施方式中，所述坩堝升降裝置3包括坩堝支架31、支架底座32、絲桿33和電機34，所述坩堝支架31的一端貫穿所述寶石長晶爐1的底部，并與所述坩堝2的底部連接，所述坩堝支架31的另一端與所述支架底座32垂直連接，所述支架底座32與所述絲桿33螺紋連接，并且所述絲桿33與所述電機34連接，所述電機34使得所述絲桿33轉動，進而使所述支架底座32上下移動。

本實用新型中，在晶體脫模的過程中，通過所述電機34提供動力使所述絲桿33轉動，所述絲桿33轉動的方向使得所述支架底座32向下移動，進而帶動所述坩堝支架31與所述坩堝2向下移動，使籽晶桿下端的晶體迅速脫離所述模具，從而保證晶體的品質。從新開始生長晶體時，通過所述電機34提供動力使所述絲桿33向相反的方向轉動，使得所述支架底座32向上移動，使坩堝2的位置提升，將坩堝2提升到長晶合適的位置。

本實用新型中，為了保證寶石長晶爐1的密封性，避免爐外雜質及氣體進入所述寶石長晶爐1中，優(yōu)選情況下，所述坩堝支架31貫穿所述寶石長晶爐1的底部的部位設置有密封件35。本實用新型對所述密封件35的選擇沒有特別的限定，可以為本領域的常規(guī)選擇，在此不再贅述。

本實用新型中，由于長晶原料要在所述坩堝2中加熱到熔融，而寶石(例如藍寶石)的熔點達到2000℃以上，因此，所述坩堝2應選擇耐高溫材料，例如所述坩堝2為鎢坩堝。

本實用新型中，對所述模具4的選擇沒有特別的限定，可以根據(jù)生長晶體的形狀選擇本領域的常用模具，例如所述模具4可以為桿狀晶體模具、管狀晶體模具或片狀晶體模具。所述模具4的材質可以為鉬。

本實用新型中，在所述籽晶桿5的下方還可以設置有籽晶夾6。所述籽晶夾6的作用是夾持和固定籽晶。由于在生長晶體的過程中，會有大量的熱量傳到籽晶夾6，因此，優(yōu)選情況下，所述籽晶夾6為耐高溫材料。

根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式，所述寶石長晶爐1的內(nèi)部還包括加熱部件7和保溫層8，所述加熱部件7位于所述坩堝2的外周，所述保溫層8位于所述加熱部件7的外周。所述加熱部件7用于為坩堝2中的物料提供熱量，所述保溫層8用于將坩堝2與外界隔開，以保證所述加熱部件7的加熱效率以及坩堝2的溫度穩(wěn)定。

本實用新型中，通過所述坩堝升降裝置3可以使所述坩堝2遠離或靠近。 所述加熱部件7，從而有效控制加熱溫度。

本實用新型中，對所述加熱部件7的選擇沒有特別的限定，只要能達到加熱效果即可，可以為本領域的常規(guī)選擇。優(yōu)選情況下，所述加熱部件7為加熱線圈。所述加熱線圈有助于提高加熱部件7的加熱效率，并使所述坩堝2受熱均勻。

本實用新型中，在寶石長晶過程中，真空環(huán)境有利于生長高品質的晶體，因此，優(yōu)選情況下，所述寶石長晶爐1上還設置有抽真空口。本實用新型對所述抽真空口的位置沒有特別的限定，只要可以達到抽真空目的即可，例如，所述抽真空口可以設置在所述寶石長晶爐1的一角。

以上詳細描述了本實用新型的優(yōu)選實施方式，但是，本實用新型并不限于上述實施方式中的具體細節(jié)，在本實用新型的技術構思范圍內(nèi)，可以對本實用新型的技術方案進行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本實用新型的保護范圍。

另外需要說明的是，在上述具體實施方式中所描述的各個具體技術特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進行組合，為了避免不必要的重復，本實用新型對各種可能的組合方式不再另行說明。

此外，本實用新型的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合，只要其不違背本實用新型的思想，其同樣應當視為本實用新型所公開的內(nèi)容。