技術(shù)總結(jié)
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本實(shí)用新型提供了一種半絕緣SiC單晶的生長(zhǎng)裝置，包括：上蓋、下蓋、生長(zhǎng)爐爐腔、石墨坩堝、保溫材料、紅外測(cè)溫儀、爐腔壁加熱裝置、感應(yīng)加熱裝置、進(jìn)氣口和出氣口。由此，該裝置能夠在生長(zhǎng)開始前的抽真空過程中，對(duì)爐腔壁進(jìn)行加熱，加速爐腔壁吸附氮?dú)獾慕馕?，使其在生長(zhǎng)開始前被排出生長(zhǎng)腔，降低生長(zhǎng)開始后生長(zhǎng)爐爐腔壁的氮?dú)夥艢饴?，從而，降低單晶中氮雜質(zhì)濃度，實(shí)現(xiàn)半絕緣SiC單晶的制備。

技術(shù)研發(fā)人員：楊昆;高宇;鄭清超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：河北同光晶體有限公司
文檔號(hào)碼：201621345253
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.09
技術(shù)公布日：2017.06.13